JPS62190227A - 硬化性ポリイミド - Google Patents

硬化性ポリイミド

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JPS62190227A
JPS62190227A JP3344986A JP3344986A JPS62190227A JP S62190227 A JPS62190227 A JP S62190227A JP 3344986 A JP3344986 A JP 3344986A JP 3344986 A JP3344986 A JP 3344986A JP S62190227 A JPS62190227 A JP S62190227A
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JP
Japan
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group
polyimide
carbon
film
polymer
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Application number
JP3344986A
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Inventor
Kanichi Yokota
横田 完一
Akihiko Ikeda
章彦 池田
Hideo Ai
愛 英夫
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な硬化性ポリイミド、更に詳しく言えば、
有機溶媒に可溶な光または熱硬化性のポリイミドに関す
るものである。
近年、電子材料や光学材料として、耐熱性をもつ熱硬化
性または感光性の高分子材料の開発が活発に行なわれて
いる。例えば、ジャンクションコー)Il!、パッシベ
ーション膜、バッファーコート膜、α線遮蔽膜などの表
面保護膜や多層配線用の眉間絶縁膜のようが半導体素子
用絶縁膜、あるいは液晶表示素子用配向膜、薄膜磁気ヘ
ッド用絶縁膜、多層プリント基板用絶縁膜等の用途が検
討されている。
〔従来の技術〕
従来、耐熱性熱硬化性ポリマーとしては、ポリイミドの
前駆体であるポリアミド茨またに、ポリアミド酸エステ
ルが知られている(特開昭57−1792112号公報
)。これらは極性溶媒による溶液として用いられており
、例えば、層間絶縁膜を形成する際の使用法は次のとお
りである。すなわち、ポリイミド前駆体溶液を基体上に
塗布、乾燥し、更にその上にポジ型フオトレジス)を塗
布、乾燥する。これにフォトマスクを通して紫外線等の
活性光線を照射し、塩基性現像液でフォトレジストをポ
リイミド前駆体層と共に現像し、更に有機溶剤でフォト
レジストを剥離した後に、goo℃程度の温度で加熱す
ることにより最終的にイミド化する。また、フォトレジ
ストを必要とし々いために工程を短縮できる利点を有す
る耐熱性感光性ポリマーとしては、例えば、ポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸のエステル側鎖に二重結合
等の活性官能基を導入したポリマーや、ポリアミド酸と
二重結合等の活性官能Mを有するアミン化合物との混合
物等が知られている(特公昭5に一30207号公報、
特公昭5s−IliesJ号公報、特開昭57−/41
r942号公報、特開昭3 II−/ II! 794
Z号公報)。
これらのポリマーまたは混合物は、光増感剤や光重合性
モノマーと共に組成物として使用され、例えば、層間絶
縁膜を形成する場合の使用法としては、組成物の溶液を
基体上に塗布、乾燥後フォトマスクを通して活性光14
 yly照射し、現像により画像形成後、ダ00℃程度
の温度で加熱イミド化するというものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記先行技術に示したポリマーは、すべてポリイミド前
駆体であり、これらから成る組成物を用いて耐熱性のポ
リイミド膜または画像を形成する場合、1100℃程度
というかなりの高温での加熱処理が必要となり、また、
熱処理時の収縮が大きいため基材との密着性を損なうと
いう欠点を有する。
更に1ポリイミド膜の生成の際には揮発分があるため、
ミクロボイドが出やすく、マた得られたポリイミド膜は
未架橋のため熱膨張率は壕だ満足すべきもので々いとい
う問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、このような事情に鑑み、加熱処理による
イミド化を必要とせず、有機溶媒に可溶性で光または熱
によシ硬化するポリイミドを提供すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定の構造を有すゐポリイミドが、その目的に
適合することを見い出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、式CI)で示した繰り返し単位を
有し、有機溶媒に可溶である硬化性ポリイミド 〔但し、式中X% Xl 、X2 、Xs 、ηはq価
の炭素環式基又は複素環式基、Yl、Y2、Y3けコ価
の炭素環式基又は複素環式基、zl、ztのうち少kく
とも一方は反応性炭素炭素二重結合を有する基であ抄、
11m s nはO又は1以上の整数である。〕を提供
するものである。
本発明のポリイミドは、前記一般式〔I〕で表わされる
構造単位を含むものであり、式中のXとしては、構造式
Xmで示される基が好ましい。
〔ここでX′は、炭素−炭素結合、−〇−1−C−1−
CH2−1;1 υ これらのうち、X′が、炭素−炭素結合または一〇−で
あるものが好ましく、更に以下に示す基が好ましい。
Xl、Xs 、X3 、X4としては、炭素数6ないし
20の芳香族層化水素基もしくは、構造式乃で示される
基が好ましい。
〔ここでX′は、炭素−炭素結合、 CH2−1C−1
これらのうち、特に以下に示す基が好ましい。
n Yl、Yz 、Y3としては、炭素数乙ないし/lIの
芳香族炭化水素基または、構造式Yaまたは九で示され
る基が好ましい。
炭素−炭素結合または芳香族を含む基を示し、R1〜R
,Fi、それぞれH% CH3−1CH2CH3、CH
(C)(3)2、−NHCOC1(= CT(zのうち
、いずれかを示す。〕〔ここでXは、前記と同じ意味を
もち、rは炭素数乙ないし30の芳香族炭化水素基を示
す。〕Yi 、Yz 、Ysの具体的々例としては、#
に以下に示す基が好ましい。
〔但しm=oまたはl z、 、z2のうち炭素−炭素二重結合を有する基とし
ては、構造式(Za)〜(Zf)で示される基が好まし
い。
これらのうち、以下に示す基が特に好ましい。
また、Zl、 Zzのうち反応性炭素−炭素二重結合を
有したい基としては、炭素数6カいし30の芳香族炭化
水素基が好ましく、更に以下に示す基が本発明のポリイ
ミドの代表的な合成方法を以下に示す。
まず、原料のテトラアミン化合物(X (NH4N)及
ヒシアミン化合物(Ys (NH2)2)  とテトラ
カルポンポリアミド酸とする。この反応式を式II−A
に示す。この反応溶媒としては、例えば、ジメチルホル
ムアミド(DMF ) 、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド、N−メチルピロリドン(NMP ) 、ジメ
チルアセトアミド、テトラヒドロフラン、γ−プチロラ
クトン等の非プロトン性極性溶媒を用いることが好まし
い。また、反応条件は−1ON60℃で7〜217時間
であり、10〜30℃で/〜乙待時間好壕しく、反応中
は連続して攪拌する。
(I[−A) 加えて・遊離のアミン基と反応させる〔式ll−B1゜
この有機塩基としては、例えば、ピリジン、トリエチル
アミン、ピコリン、3.!−ルチジン、イソキノリン、
3または弘−メチルピリジン、N−メチルモルホリン等
が挙げられ、特にピリジンが好ましい。反応条件は、前
記と同じである。こうして得られたポリアミド酸に無水
酢散及び前記の有機塩基を加えイミド化反応を行なう〔
式n−c〕。
この反応条件け10−/!;0℃、1N12時間であり
、好ましくFiso−to℃、7〜1時間で反応中は連
続して攪拌する。ポリマーを単離する方法としては反応
液を水噴たはメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、ノルミックス等ノアルコールに滴下して析出
古せ、洗浄するか、必要ならば溶媒に再溶解して再沈殿
する。この溶媒としては、例工ば、シクロペンタノン、
シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン(THF ) 
、γ−ブチロラクトン等が用いられ、特にT)TFが好
ましい。
本発明のポリマーを使用するためには、まず溶媒に溶解
する必要があり、この溶媒としては、沸点が2jfO℃
以下の極性有機溶剤が好ましく、例えば、ジメチルホル
ムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、シクロペンタノン、γ−ブチロラクト7等の/iま
たはコ雅以上が用いらする。更にアルコール類、芳香族
炭化水嵩類、エーテル類、エステル類等の有機溶媒を成
分が析出しない範囲で第コ成分として加えるととができ
る0 本発明のポリマーけ、それ自身で光硬化性及び熱硬化性
を有するものであるが、更にその硬化特性を高めるため
に組成物として用いることもできる。感光性組成物とし
ては、構造式[11で示される繰り返し単位を有するポ
リマーを加えることもできる。
〔式中のXは(2+ n )価の炭素環式基または複素
環式基、Yは(コ十m〕価の炭素環式基またはWけ熱処
理によりROMを脱離せしめるに際し、−C0ORのカ
ルボニル基と反応して1Jt−形成しうる基、n td
 /またqj、mは0./iたは2であり、かつC0O
Rと2は互いにオルト位またはべり位の関係にある。〕 ここでRとしては、水素もしくは炭化水素基であるが、
特に感光性の炭素−炭素二重結合を有するものを用いる
ことが好オしい。
構造式[11)で示されるポリマーの具体的々構造は特
願昭、40−99/ざ号明細書に述べられているもので
あり、また、それらの合成法も記載されている0 また、本発明で開示される組成物には、必要に応じて炭
素−炭素二重結合を有する化合物を添加することができ
る。これらの化合物の具体例も同上の特願昭に0−99
/、r号明細書に示されているが、特に2以上の炭素−
炭素二重結合を有する化合物が好ましい。
捷た、熱硬化性組成物としては、構造式〔■〕で示した
化合物を用いることもできる。
〔式中、RBは反応性炭素−炭素不飽和結合を含まない有機基を示す。〕
この化合物の例としては、N、N’−4Z、4(’−ジ
フェニルメタンビスマレイミド、N、N’−ヘキサメチ
レンヒスマレイミド、N+N’ −m−フェニレンビス
マレイミド、NIN′−p−フェニレンビスマレイミド
、N、N’−Il、4Z’−ジフェニルエーテルビスマ
レイミド\N、 N’−ジフェニルスルホンビスマレイ
ミド等カ挙げられる。オた、これらの組成物には必要に
応じて、基体との密着性を高めるために、例えば、トリ
エトキシビニルシラン、トリ(メトキシエトキシ)ビニ
ルシランなどのシランカップリング剤を加えることもで
きる。
これらの組成物の構成比について制限はないが、用いる
ポリマー成分の50194以上が、ポリマー〔I〕であ
ることが好ましく、全ポリマー重量に対して添加剤であ
る化合物の1Fia/nff%ないし13重量%である
ことが好1しく、更にはコチないし10チである。
これら組成物の溶媒としては、前記のポリマーと同じ溶
媒を用いることができる。
次に・本発明のポリマーを用いて4熱性の画像または膜
を形成する方法を以下に示す。まず、ポリマーまたけ組
成物の溶液を、シリコーンウェハー等の基体上にスピン
コード等の方法で塗布し、ダo−1so℃、好ましくh
to−ioo℃の温度で乾燥する。熱硬化させる場合に
はコoo−soo℃、好ましくは2!0−1760℃の
温度で加熱処理する。これにより前記極性溶媒に不溶性
となり、かつ、熱分解開始温度が向上する。また、光硬
化させる場合には、フォトマスクを通して超高圧水銀灯
等の光源を用いて露光し、前記に挙げた極性有機溶剤か
ら成る現像液により現像し、前記第2成分として示した
溶媒尋でリンスする。更に、前記の条件で熱硬化させる
ことKより、耐熱性が向上する。
また、本発明のポリマーは、フィルムとして使用するこ
ともできる。この方法を以下に示す。まず、ポリマーを
溶媒に溶解して所定の支持体上に、バーコーターまたは
ブレードコーター等を用いて塗布し乾燥することにより
フィルムを得る。このフィルムは支持体や剥離可能な保
護フィルムと共に用いられるか、または、支持体フィル
ムから剥離され単独で用いられる。
前記溶媒としては、沸点が200℃以下の溶媒が好IL
<、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等を
用いることができる。支持体としては透明で十分な強度
を持ち、使用する溶剤に不溶のものが好ましく、ポリエ
チレンテレフタレート1ポリプロピレン郷のフィルムを
用いることができる。保護フィルムとしても同種のフィ
ルムを用いることが好ましい。塗布したフィルムの乾燥
は、170〜700℃でs −a o分、好ましくは5
oNro’cで−oNtio分行なう。形成されたフィ
ルムは、加熱及び加圧により基体上に積層される。好ま
しい積層の条件は、ホットロールラミネーターを用いて
、ロール温度IIo−roo℃、ロール圧力0. j−
3Ky’(−piであり、好壕しくは70〜/jO’c
 、/〜3に−である。
以下、熱硬化または光硬化の方法は前記と同じである。
〔発明の効果〕
本発明の硬化性ポリイミドは、従来の耐熱性材料と比べ
多くの利点を有している。この利点としては、まず、光
硬化または熱硬化させて用いる場合に1光重合開始剤、
モノマー及び架橋剤等の添加剤を必ずしも加える必要が
ないことが挙げられ、これによね耐熱性の膜を形成する
際の重量減少が少なく、優れた段差成型性及び断面形状
が得られる。また、重合体がイミド骨格を有しているこ
とから、従来の前駆体型に見られた加熱イミド化の際の
歪みや残留応力の問題を著しく軽減できる。
本発明の硬化性ポリイミドは、構造式〔I〕において、
Zl、 Zz基として前記の7.a基を用いると熱架橋
を起こすため、より寓い耐熱性が得られる。また、Yl
 、Y2 、Y3基として前記のYIL基のうち、R1
〜Rjが脂肪族基である基を用いると、溶解性が向上し
、かつ感度を向上させることができる。
本発明の硬化性ポリイミドを、半導体用バッシペ−7ヨ
ンフイルム、α線遮蔽フィルム、フレキシブルプリント
板基材、多層配線板用層間絶縁膜、太@電池用絶縁膜、
磁気テープ、磁気ディスク用基材、絶縁コイル用絶縁フ
ィルム、IC5LSI製造用キヤリヤテープ、LSI用
層間絶縁膜や表面保護膜等に用いれば、前記の特性を反
映して優れた耐熱性の膜及び画像を形成することができ
る。
〔実施例〕
次に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によって伺ら限定されるものではない
実施例1 3.3′−ジアミノベンジジン/Q7 (i (D 9
 Awl DMF溶液に氷冷下、攪拌しかがら3,3’
、Il、Il’−ベンゾフェノンテトラカルポン酸2無
水物/l、/9の//1mlDMF溶液t−3時間かけ
て滴下し、J、t’Cで2時間攪拌した。次に1フタル
酸無水物//、/g、マレイン酸無水物コ、!9及びピ
リジン&S−を加えコj℃で20時間攪拌した。得られ
たポリアミド酸溶液に無水酢酸3zl−及びピリジ/コ
左lr−を加え、2j”Cで3時間攪拌してイミド化反
応を行なった。
反応液を攪拌している37!の水中に滴下してポリマー
を析出させp取した後、31の水で3回洗浄し、真空乾
燥した。このポリマーt−P−/とする。
P−/の対数粘度(/1NMP1H,3o’c)はQl
jであり、赤外吸収スペクトルにおいては/ 790.
−”にイミド結合に由来する吸収を、/j□jcrn−
’にマレイミド基に由来する吸収をそれぞれ示した。ま
た核磁気共鳴スペクトル(’I(、100M’lh )
 においてtrysにマレイミド基のプロトン(−2H
)、7〜i&ypK芳香族基のプロトン(3≦H)の吸
収を示した。元素分析は、C=70−チ、H=、Z4チ
 、0=/9.t%、N=7.jチの値を示した(理論
値C=67.9%、)I=!rチ、02247%、N=
7.6%)。
実施例コ 実施例/でフタル酸無水物1/、/9及びマレイ/酸無
水物2.t9の代わりに、フタル酸無水物13.3Q及
びマレイン酸無水物0.91りを用いる以外は、全く同
じ方法によりポリマーP−2をiた。P −2の対数粘
度は0.Ilであり、p−/と同様の赤外吸収スペクト
ルを示した。核磁気共鳴スペクトルにおいては乙rp;
m Kマレイミド基のプロトン(2H)、7〜L6Pに
芳香族基のプロトン(9,<)()の吸収を示した。元
素分析は、C= 70.7%、H=26チ、O=/qコ
チ、N = 7.5係の値を示した(理論値C=≦よ5
%、H=! ff %、O=J/、7%、N=7.1%
)。
実施例3 実施例/で7タル酸無水物//、/9及びマレイン徴無
水物−1s9の代わりに、ジフェン酸無水物tt、19
及びマレイ/酸無水物2.39を用いる以外は、全く同
じ方法によりポリマーP−J ?得た。
P−Jの対数粘度は0. / IIであり、p−/とほ
ぼ同様の赤外吸収スペクトルを示した。核磁気共鳴2ベ
クトルにおいては&ffPにマレイミド基のプロトン(
2H)、7〜F、6PK芳香族基のプロトン(4trH
)の吸収を示した。元素分析は、(::=7jJチ、H
=29チ、Q=17.θチ、N=44%の値を示した(
理論値C=7/、jチ、H=J、/チ、0=/jrs、
N=&6チ)。
実施例q 実施例/で、3.3’、11.’l’−ベンゾフェノン
テトラカルポン酸コ無水物it、ig及びマレイン酸無
水物コ、j9の代わりに、j 、 J’、Il、 II
’−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物ls、s9及
びフェニルマレイン酸無水物り、3!りを用いる以外は
、全く同じ方法によりポリマーp−aを得た。P−ダの
対数粘度は0、 / 7であり、P−/とほぼ同様の赤
外吸収スペクトルを示した。核磁気共鳴スペクトルにお
いてはtlrpにマレイーミド基のα位プロトン(j)
I)、7〜Ir、6Pに芳香族基のプロトン(IO6H
)の吸収を示した。元素分析は、C= 7 J、 9チ
、H= J、 jチ、N−44Z%、0=l&+%の値
を示した(理論値 C=72≠チ、H=29係、N=7
.7チ1.O=/7.0%)。
実施例j 実施例/で、3.3’−ジアミノベンジジン10.79
及び3.3’、’1.ll’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸コ無水物/乙/gの代わりに、3.3’、11
.ll’−テトラアミノビフェニルエーテル//、jt
O及びピロメリト酸無水物1aqQを用いる以外は、全
く同じ方法によりポリマーp−s′t−得た。P−5の
対数粘度は0、 / Jであり、P−/とほぼ同様の赤
外吸収スペクトルを示した。核磁気共鳴スペクトルにお
いてはulにマレイミド基のプロトン(jH)、7〜1
tPK芳香族基のプロトン(u、rH)の吸収を示した
。元素分析は、C=44/%、H=2.1Iq6、N=
ff、r%、0=227チの値を示した(理論値C=A
47チ、H=2.3チ、N=J:7チ、0=22.3%
)。
実施例6 3 、J’、 44 、 &’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸コ無水物ダ、rst)の4(J、41nll
)MF浴溶液、25℃で攪拌しなからg、+’−メチレ
ンジコ、t−ジエチルアニリン9.39のsq、t’w
DMv溶液を加え、2j℃で1時間攪拌した。次に1マ
レイン酸無水物0.339、イタコン藪無水物Q≦39
及びピリジン/−を加え、ss’cで7時間攪拌した。
次に1.? 、3’、ダ4(1−ベンゾフェノンテトラ
カルポン酸2無水物&06g及びピリジンl−を加え、
25℃で7時間攪拌した。
次にS3.3’、a*ll’−テトラアミノビフェニル
エーテル/、OF2及びピリジン/−ヲ加え、コj℃で
ダ時間攪拌し、16時間放置した。得られたポリアミド
醗溶液に無水酢酸/442−及びピリジン9.7−を加
え2j℃で3時間攪拌してイミド化反応を行なった。反
応液を攪拌している31の水中に滴下してポリマーを析
出させr取した後、31の水で3回洗浄し、真空乾燥し
た。このポリマーt−p−,<とする。P−4の対数粘
度けQ3であり、赤外吸収スペクトルにおいてFi、2
qoo〜30003−’ Kエチル基に由来する吸収’
t 、/790α−1にイミド結合に由来する吸収を、
/1100−1100cm−I Kマレイミド基及びイ
タコンイミド基に由来する吸収を示した。
核磁気共鳴スペクトルにおいては、/、/P4Cメチル
基のプロトン(IlzH)、コ、SPにメチレン基のプ
ロトン(1/H) 、4JPKイタコンイミド基のプロ
トン(コH)、tjPにマレイミド基のプロトン(jH
)、7〜ltpに芳香族基のプロトン(l□H)の吸収
を示した。元素分析は、c=gコ、を係、H=仏、9チ
、N=収3チ、0=コlr、7%の値を示した(理論値
c=txsts、)(=!Aj%、N=lA!チ、0=
コisチ)。
参考例1 ポリマーとしてP−/、Jgをt−のシクロペンタノン
に溶解した。この溶液をシリコーンウェハー上にスピン
コードして乾燥し3μの塗膜を得た。この塗膜はN−メ
チルピロリドン(NMP)に約1秒で溶解したが、≠O
O℃/時間の加熱処理により熱硬化し、NMPに3分間
浸漬しても溶解等の変化は見られ彦かった。また、P−
/の塗膜を4coo℃/時間加熱処理した後、熱重量減
少を測定したところ、j%重量減温度はIIgo℃であ
った。
参考例コ ポリマーとしてp−6S29を/I−のシクロペンタノ
ンに溶解した。この溶液をシリコーンウェハー上にスピ
ンコードして乾燥し一μの塗膜を得た。これをフォトマ
スクを通してI mW/−の超高圧水銀灯を用いて5分
間露光した後、γ−ブチロラクトン:キシレンー/:、
2の現俸液で現像し、キシレンでリンスしたところ、シ
ャープなノくターンが得られたOこれt−u00℃で7
時間加熱処理すると、膜厚は/Iμになり、70チとい
う高い残膜率を示した。また、P−4の塗膜を、400
℃1時間加熱処理した後、熱重量減少を測定したところ
、j−重量減温度はqjO℃であった。
参考例3 ポリマーとしてp  6,109を90−のシクロペン
タノンに溶解し、この溶液を−jμのポリエチレンテレ
フタレート(PET)フイ°ルム上に、オートマチック
アプリケーター(東洋精機製作所)を用いて塗工し、7
0℃で20分間乾燥してjμのフィルムとした。この積
層体をホットロールラミネーター(iso℃、 2 K
g/ad )を用いてシリコーンウェハーにラミネート
した。放冷した後、支持体PETフィルムを剥離し、フ
ォトマスクを通してl mW/−の超高圧水錯灯を用い
て5分間露光した。
参考例−と同様に現像・す/スしたところ、シャープな
パターンが得られた。これt−IIoo℃で7時間加熱
処理し、て、a、Oμの膜を得た。
特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人弁理士 星   野     透手続補正書(自
発) 昭和61年4月24日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式〔 I 〕で示した繰り返し単位を有し、有機溶
    媒に可溶である硬化性ポリイミド ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔 I 〕 〔但し、式中X、X_1、X_2、X_3、X_4は4
    価の炭素環式基又は複素環式基、Y_1、Y_2、Y_
    3は2価の炭素環式基又は複素環式基、Z_1、Z_2
    のうち少なくとも一方は反応性炭素炭素二重結合を有す
    る基であり、l、m、nは0又は1以上の整数である。 〕
JP3344986A 1986-02-18 1986-02-18 硬化性ポリイミド Pending JPS62190227A (ja)

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JP3344986A JPS62190227A (ja) 1986-02-18 1986-02-18 硬化性ポリイミド

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JP3344986A JPS62190227A (ja) 1986-02-18 1986-02-18 硬化性ポリイミド

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03109425A (ja) * 1989-09-21 1991-05-09 Toho Rayon Co Ltd ポリイミド樹脂三次元構造体及びその製造方法
JPH0411630A (ja) * 1990-04-27 1992-01-16 Toho Rayon Co Ltd ポリイミド複合体及びその製造方法
JPH0488020A (ja) * 1990-08-01 1992-03-19 Toho Rayon Co Ltd ポリアミック酸高分子ゲル及びその製造方法
JP2008122958A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Lg Chem Ltd 液晶配向用組成物、それによって製造された液晶配向膜、およびそれを含む液晶ディスプレイ
JP2008121013A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Lg Chem Ltd 末端に熱硬化または光硬化が可能な官能基を含む分岐オリゴイミドまたは分岐オリゴアミド酸およびその製造方法
JP2009522612A (ja) * 2007-01-04 2009-06-11 エルジー・ケム・リミテッド 液晶配向用組成物、これによって製造された液晶配向膜、およびこれを含む液晶ディスプレイ

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