JPS6218763A - バイポ−ラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路（ＩＣ）に組み込まれるバイポ
ーラトランジスタのｈｒ■コントロールニ関する。

（ロ）従来の技術 従来よりＩＣに組み込まれるバイポーラ型のトランジス
タとしては、例えば特開昭５９−２３４３号公報に記載
されているものｂ″−ある。

第３図にこのようなトランジスタを示し、Ｐ凰半導体基
板（１１上に形成したエピタキシャル層（２）と。

型分離領域（４）により１気的に絶縁された島領域（５
）と、島領域（５）表面に形成したＰ型ベース領域（６
）と、ベース領域（６）表面に形成したＮ＋型型心ミッ
タ領域７）と、ベース領域（６）、エミッタ領域（７）
及びコレクタコンタクト領域（８）上（夫々配設した電
極（９１（９）（９）とで構成されている。そして島領
域（５）をコレクタとしてＮＰＮ型のトランジスタが構
成され、同時に他の島領域にも同等のトランジスタｂ′
−形成されている。

（））発明ｂ′−解決しようとする問題点しかしながら
、ユーザーの要求あるいは回路構成上の要求から同一チ
ップ上に様々なｈｒ■をもつトランジスタを形成したい
場合、従来の構成ではベース領域（６）及びエミッタ領
域（７）共にそれぞれ同時に拡散形成するので、夫々の
トランジスタはほぼ均一なｈｒ■をもち、前記した要求
には対応できないという欠点があった。

に）問題点な解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、同一チップ上に
様々なｈｒ■をもつトランジスタを同時に形成すること
を目的とし、Ｐ型ベース領域＜１６１表面にＮ”！エミ
ッタ領域（１７）を形成したトランジスタにおいて、＠
記エミッタ領域αＤ及び前記ベース領域ＩＪ６１と少な
くとも一部重畳し、且つそれと重畳した前記一部のベー
ス領域（１６）の下方向拡散を抑制するＮ＋型ウつル領
域■を備え、前記エミッタ領域ＣＩ？）と前記ウェル領
域■との重畳面積を変化させることを特徴とする。

（ホ）作用 本発明によれば、ウェル領域（２［）は島領域（１５１
より高不純物濃度なので、これと重畳する一部のベース
領域（１６１は下方向拡散が抑制されて他より浅くなり
、その部分でのベース幅ｗ、　ｂ′−狭くなる。ベース
幅Ｗ、ｂ″−狭くなればｈｒ■は高くなる。そしてエミ
ッタ領域０７）とウェル領域（イ）との重畳面積、すな
わちベース幅ＷＩ　が狭くなる部分の面積を変化させれ
ば、ｈｒ■をコントロールすることができる。

（へ）実施例 以下本発明の第１の実施例を図面を参照しながら詳細に
説明する。

第１図及び第２図は本発明によるバイポーラトランジス
タを示し、Ｐ型半導体基板（１１）上に形成したエピタ
キシャル層（ｌｚと、基板圓表面に形成したＮ＋型埋込
層αＪと、この埋込層０３）を囲むようにエピタキシャ
ル層αのを貫通したＰ＋型分離領域σ滲と。

分離領域α船により眠気的に絶縁された島領域（１９と
。

島領域０５１表面に形成したＰ型ベース領域αｅと、ベ
ース領域α０表面に形成したＮ＋型エミクタ領域α力と
、少なくとも一部のベース領域αｅ及びエミッタ領域（
１７）と重畳し且つ前記一部のベース領域０Ｑの下方向
拡散を抑制するＮ＋型ウつル領域■と、ベース領域αｅ
、エミッタ領域αη及びコレクタコンタクト領域側止に
配設した電極α９α９α９とで構成されている。ウェル
領域■はベース領域（１ｅより深く形成されており、こ
れと重畳した一部のベース領域αｅは他よりも浅くなっ
ている。

本発明の最も特徴とする点はウェル領域■にあるうすな
わち、ウェル領域■は島領域（１５より高不純物濃度で
あるので、これと重畳した一部のベース領域Ｑ６）はそ
の下方向拡散が抑制され、他よりも浅くなろう浅くなっ
た部分ではエミγり領域αＤとベース領域旺との拡散深
さの差であるベース幅Ｗ。

が狭くなるので、ベースでの再結合電流が減少し。

ｈｒ■カ高りなる。そうして、エミッタ領域αηとウェ
ル領域■とｂ’−重畳する面積、すなわちベース幅Ｗ、
が狭くなる領域の面積を変化させればｈｒ■を所望の値
にコントロールすることｂ−できる。

例えば重畳面積をエミッタ領域（１７）開口面積の１０
０％とすれば最も高いｈｒ■をもつトランジスタを、逆
に０％とすれば最も低いｈｒ■をもつトランジスタを、
そして５０％とすればこれらの中間のｈｒ■をもつトラ
ンジスタを形成できる。

第２図は本発明の第２の実施例を示し、ウェル領域ｃＡ
がコレクタコンタクト領域ＱＳまで拡張されている点を
除けば第１の実施例と全く等しい。本実施例によれば、
ベース領域αｅ底部から埋込層０３を通ってコレクタコ
ンタクト・領域賭にまで至る経路に存在するコレクタ抵
抗が激減するので、第１の実施例よりさらに低いｖｃＩ
（ｓａｔ）が得られる。

以下本発明によるバイポーラトランジスタの製造方法な
簡単に説明するつ先ず、基板圓表面に埋込層α３とをる
べき領域にＮ型不純物をドープしておいてからエピタキ
シャル層α２を形成し１分離領域Ｉを形成することによ
り複数の島領域α９を形成する。次に島領域（ハ）表面
にＮ型不純物？ドープし、所定の位＃にウェル領域■を
選択拡散する。その不純物濃度は少なくとも島領域（Ｉ
５）のものより高く設定し、拡散工程はＩ”Ｌ　　の逆
βを上げるために設定するウェル領域拡散工程を用いる
か、ＮＰＮトランジスタのコレクタ抵抗を減少するため
に設定するコレクタ低抵抗領域拡散工程等を用いれば。

特に拡散工程を追加することをく形成できる。但し後者
の場合では、ウェル領域翰は埋込層（１３と接触するま
で拡散されることになるっ続いてウエル領域がと一部重
畳するようにＰ型不純物をドーグし、ベース領域（１（
へ）を選択拡散する。この時ウェル領域■の不純物濃度
ｂ；島領域ｕ９のものより高いために、拡散速度に差が
生じ、それと重畳した一部分のベース領域（１■は他の
部分より浅く形成される。

さらにＮ型不純物をドープし、エミッタ領域（１７）及
びコレクタコンタクト領域αｅを選択拡散する。エミッ
タ領域αｎは拡散深さに差ｂ；無く一様に形成されるの
で、前記したようにベース幅ＷＩが狭くなる部分とそう
でない部分とが形成されるのであるうそして最後に、ベ
ース領域ａｅ、エミッタ領域０η及びコレクタコンタク
ト領域α砂上に電極σ！Ｊ（１１α９を配設して完了す
る。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によれば同一チップ上に様々な
ｈｒ■をもつトランジスタを同時に形成できるので、ユ
ーザーの要求あるいは回路構成上の要求に即対応できる
という利点を有する。また従来のトランジスタより低い
ｖｅｘ（ｓａｔ）　ｂ′−得られるという利点なも有す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１の実施例、第
２の実施例を示す断面図、第３図は従来のバイポーラト
ランジスタを示す断面図である。 （１）（１１）は半導体基板、　　ｆ５）ｕｓ＋＋ｉ島
領域、　（６）Ｑ６）！、ｉ−ベース領域、（力（１′
７）はエミッタ領域、　■はウェル領域である。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代埋入　弁理士　　佐　野　静　失 策１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）電気的に絶縁された島領域と該島領域表面に形成
   した一導電型のベース領域と該ベース領域表面に形成し
   た逆導電型のエミッタ領域とを具備したバイポーラトラ
   ンジスタにおいて、前記エミッタ領域及び前記ベース領
   域と少なくとも一部重畳し、且つそれと重畳した前記一
   部のベース領域の下方向拡散を抑制する逆導電型のウェ
   ル領域を備え、前記エミッタ領域と前記ウェル領域との
   重畳面積を変化させることによりｈ＿ｒ＿■をコントロ
   ールしたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。