JPS62182553U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62182553U JPS62182553U JP7093886U JP7093886U JPS62182553U JP S62182553 U JPS62182553 U JP S62182553U JP 7093886 U JP7093886 U JP 7093886U JP 7093886 U JP7093886 U JP 7093886U JP S62182553 U JPS62182553 U JP S62182553U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- semiconductor device
- heat dissipation
- silicon oxide
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Description
第１図は本考案装置の１実施例の部分平面図、
第２図は第１図中の―断面図、第３図は本考
案装置の他の実施例の部分平面図、第４図は一般
の半導体装置の静電気防止回路の回路構成図であ
る。 １……電極パツド、２……ＭＯＳトランジスタ
、４……抵抗体、９……半導体基板、１１……絶
縁膜、１２……コンタクトホール、１３，１４，
１５……放熱パターン。
第２図は第１図中の―断面図、第３図は本考
案装置の他の実施例の部分平面図、第４図は一般
の半導体装置の静電気防止回路の回路構成図であ
る。 １……電極パツド、２……ＭＯＳトランジスタ
、４……抵抗体、９……半導体基板、１１……絶
縁膜、１２……コンタクトホール、１３，１４，
１５……放熱パターン。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電極パツドと、ゲート電極を有するＭＯＳ
トランジスタと、該ＭＯＳトランジスタの静電破
壊を防止するため前記電極パツドと前記ゲート電
極との間に接続されている抵抗体とを備え、該抵
抗体は前記ＭＯＳトランジスタを構成する半導体
基板上に、絶縁膜で被覆されたポリシリコンリー
ドを配設して構成してなる半導体装置において、
前記絶縁膜上に、前記ポリシリコンリードとは該
絶縁膜のコンタクトホールを介して熱的に接続さ
れる放熱パターンを設けてなることを特徴とする
半導体装置。 (2) 前記絶縁膜はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）
で構成されており、前記放熱パターンは前記シリ
コン酸化物に比べて熱伝導率が大きい材料（例え
ばアルミニウム、シリコンなど）で構成されてい
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1
)項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093886U JPS62182553U (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093886U JPS62182553U (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182553U true JPS62182553U (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=30913035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7093886U Pending JPS62182553U (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182553U (ja) |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP7093886U patent/JPS62182553U/ja active Pending
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