JPS6265834U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6265834U JPS6265834U JP15835585U JP15835585U JPS6265834U JP S6265834 U JPS6265834 U JP S6265834U JP 15835585 U JP15835585 U JP 15835585U JP 15835585 U JP15835585 U JP 15835585U JP S6265834 U JPS6265834 U JP S6265834U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- nitride film
- oxide film
- silicon oxide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第１図は、本考案の縦断面図で、第２図は従来
方式による断面図である。 １…シリコン半導体素子、２…フイールド熱酸
化シリコン膜、３…窒化シリコン膜、４…アルミ
配線。
方式による断面図である。 １…シリコン半導体素子、２…フイールド熱酸
化シリコン膜、３…窒化シリコン膜、４…アルミ
配線。
Claims (1)
- 窒化シリコン膜により表面保護された半導体・
集積回路素子において、熱酸化によるフイールド
酸化シリコン膜コンタクト部の内側まで窒化シリ
コン膜で被覆することにより、酸化シリコン膜全
域が窒化シリコン膜で被覆されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15835585U JPS6265834U (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15835585U JPS6265834U (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265834U true JPS6265834U (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=31081764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15835585U Pending JPS6265834U (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265834U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198731A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP15835585U patent/JPS6265834U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198731A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Nec Corp | 半導体装置 |