JPS60198731A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60198731A JPS60198731A JP59054905A JP5490584A JPS60198731A JP S60198731 A JPS60198731 A JP S60198731A JP 59054905 A JP59054905 A JP 59054905A JP 5490584 A JP5490584 A JP 5490584A JP S60198731 A JPS60198731 A JP S60198731A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- silicon
- film
- silicon nitride
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置、特に半導体集積回路において多数
の半導体素子が形成された半導体基板の主表面上の絶縁
膜の構造に関する。
の半導体素子が形成された半導体基板の主表面上の絶縁
膜の構造に関する。
（発明の背景）
半導体装置、特に半導体集積回路装置は従来個別半導体
装置が使用されていたほぼ全ての分野で使用されるよう
になって来ている。例えば、人工衛星、鉄道の制御系統
、自動車のエンジン、ブレーキ制御等にも使用されるよ
うになって来ておシ、このため、よシ高い信頼性を保障
することが必要となっている。
装置が使用されていたほぼ全ての分野で使用されるよう
になって来ている。例えば、人工衛星、鉄道の制御系統
、自動車のエンジン、ブレーキ制御等にも使用されるよ
うになって来ておシ、このため、よシ高い信頼性を保障
することが必要となっている。
集積回路装置の信頼性の一つに、外部からの重金属汚染
に対する特性変動、劣化があげられる。
に対する特性変動、劣化があげられる。
（発明の目的）
本発明の目的は、特に電極腐蝕という他の信頼性を劣化
することなく、そのような特性変動、劣化を抑えた半導
体装置を提供することにある。
することなく、そのような特性変動、劣化を抑えた半導
体装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明はシリコン基板上におけるシリコン酸化膜の一部
又は全部を第１のシリコン窒化膜で覆い、この窒化膜を
これとは組成の異なる第２のシリコン窒化膜でさらに覆
ったことを特徴とし、以下に図面を用いて本発明の実施
例と共に従来の半導体装置について詳細に説明する。
又は全部を第１のシリコン窒化膜で覆い、この窒化膜を
これとは組成の異なる第２のシリコン窒化膜でさらに覆
ったことを特徴とし、以下に図面を用いて本発明の実施
例と共に従来の半導体装置について詳細に説明する。
（従来技術）
第１図は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
第１図において、１は多数の半導体素子が形成されたシ
リコン半導体基板である。この基板１の主表面にはこれ
を酸化雰囲気中で酸化することによって得られたシリコ
ン酸化膜２が形成されている。この酸化膜２にコンタク
士”ホール６を設シて電極用金属５が形成されている。
リコン半導体基板である。この基板１の主表面にはこれ
を酸化雰囲気中で酸化することによって得られたシリコ
ン酸化膜２が形成されている。この酸化膜２にコンタク
士”ホール６を設シて電極用金属５が形成されている。
電極５は、通常は蒸着法によ多形成されたアルミニウム
でおる。
でおる。
このような従来の半導体装置は外部からの重金属汚染に
弱く、容易にｈｙＥ低下、リーク電流増大等を生じて非
常に信頼性が悪いものであった。
弱く、容易にｈｙＥ低下、リーク電流増大等を生じて非
常に信頼性が悪いものであった。
そこで、第１図に示す従来構造の半導体装置の致命的欠
点を補うために第２図に示す構造が提案された。これは
、第１図に示す従来構造の外部からの重金属汚染に弱い
という欠点を解消するために、１熱酸化膜２の表面を全
て減圧気相級長時等によシ成長させた窒ざヒ膜３で覆い
、重金属汚染による特性変動を抑えるようにしたもので
ある。
点を補うために第２図に示す構造が提案された。これは
、第１図に示す従来構造の外部からの重金属汚染に弱い
という欠点を解消するために、１熱酸化膜２の表面を全
て減圧気相級長時等によシ成長させた窒ざヒ膜３で覆い
、重金属汚染による特性変動を抑えるようにしたもので
ある。
この構造に・よると、確かに重金属汚染による特性変動
は無舊できる程に小さいが、他のもう一つの問題を生じ
る。それは、電極５のアルミニウム腐食による耐湿性の
悪化である。その原因に、減圧気相成長法によシ窒化膜
を成長させると、その反応過程に塩素を含むことが挙げ
られる。即ち、下記の化学式によシ、減圧気相成長にょ
シ窒化膜の成長時に塩素が生じる。
は無舊できる程に小さいが、他のもう一つの問題を生じ
る。それは、電極５のアルミニウム腐食による耐湿性の
悪化である。その原因に、減圧気相成長法によシ窒化膜
を成長させると、その反応過程に塩素を含むことが挙げ
られる。即ち、下記の化学式によシ、減圧気相成長にょ
シ窒化膜の成長時に塩素が生じる。
８１Ｈ，ＣＪ！−１（３→８ｉ、Ｎ、＋ＨＣＡｉ 十Ｈ
，・・・■このように、減圧気相級長時に生成した塩素
が窒化膜３上に残存し、水分等の浸入により塩素イオン
となシ、この塩素イオンが電極５のアルミニウムと反応
し、アルミニウムが溶解腐食するものである。従って、
第２図に示す従来構造も電極腐食という致命的ガ信頼性
上の問題点があシ更に改善することが必要である。
，・・・■このように、減圧気相級長時に生成した塩素
が窒化膜３上に残存し、水分等の浸入により塩素イオン
となシ、この塩素イオンが電極５のアルミニウムと反応
し、アルミニウムが溶解腐食するものである。従って、
第２図に示す従来構造も電極腐食という致命的ガ信頼性
上の問題点があシ更に改善することが必要である。
（実施例）
次に、本発明の一実施例を第３図に示す。なお、第１図
、第２図と同一番号は同じ構成要素を示している。この
実施例で紘、第２図の従来構造に対し、更に減圧気相成
長法によシ成長された窒化膜３０表面を他の手法によシ
成長したシリコン窒化膜４で覆うようにしたものである
。シリコン窒化膜４としては、成長時の反応系に塩氷を
含まないプラズマＣＶＤ法による窒化膜等が適している
。
、第２図と同一番号は同じ構成要素を示している。この
実施例で紘、第２図の従来構造に対し、更に減圧気相成
長法によシ成長された窒化膜３０表面を他の手法によシ
成長したシリコン窒化膜４で覆うようにしたものである
。シリコン窒化膜４としては、成長時の反応系に塩氷を
含まないプラズマＣＶＤ法による窒化膜等が適している
。
この窒化膜４は組成、誘電率２曲折率等窒化膜３とは全
く異なっておシ、特に塩素を含まないものが用いられる
。
く異なっておシ、特に塩素を含まないものが用いられる
。
（発明の効果）
本発明によれば、重金属汚染による特性変動は減圧ＣＶ
Ｄ法によシ成長したシリコン窒化膜３で防ぎ、塩素によ
る電極腐食はプラズマＣＶＤ法等によシ成長した塩素を
含まないシリコン窒化膜４によシ防ぐことができるので
非常に信頼性の高い半導体装置を実現することができる
。
Ｄ法によシ成長したシリコン窒化膜３で防ぎ、塩素によ
る電極腐食はプラズマＣＶＤ法等によシ成長した塩素を
含まないシリコン窒化膜４によシ防ぐことができるので
非常に信頼性の高い半導体装置を実現することができる
。
なお、プラズマＣＶＤ法によシ成長したシリコン窒化膜
４は反応系に塩素を含まないので生成したシリコン窒化
膜にも塩素を含んでおらず、このため電極腐食を防ぐこ
とができるが、減圧ＣＶＤ法によシ成長したシリコン窒
化膜３も必要である。
４は反応系に塩素を含まないので生成したシリコン窒化
膜にも塩素を含んでおらず、このため電極腐食を防ぐこ
とができるが、減圧ＣＶＤ法によシ成長したシリコン窒
化膜３も必要である。
何となれば、プラズマＣＶＤ法によシ成長した窒化膜４
は重金属汚染防止に対しての効果が弱いからである。
は重金属汚染防止に対しての効果が弱いからである。
なお、上記実施例では、コンタクトホール６において第
１のシリコン窒化膜３の端部は第２のシリコン窒化膜４
に覆われずに露出しているが、窒化膜３の端部も窒化膜
４で覆うように形成するのが好ましい。
１のシリコン窒化膜３の端部は第２のシリコン窒化膜４
に覆われずに露出しているが、窒化膜３の端部も窒化膜
４で覆うように形成するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は夫々従来例を示す断面図、第３図
は本発明の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・熱
酸化膜、３・・・・・・減圧ＣＶＤ法によるシリコン窒
化膜、４・・・・・・プラズマＣＶＤ法によるシリコン
窒化膜、５・・・・・・アルミニウム電極、６・・・・
・・コンタクト開口領域。 ６ 第３図 １
は本発明の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン半導体基板、２・・・・・・熱
酸化膜、３・・・・・・減圧ＣＶＤ法によるシリコン窒
化膜、４・・・・・・プラズマＣＶＤ法によるシリコン
窒化膜、５・・・・・・アルミニウム電極、６・・・・
・・コンタクト開口領域。 ６ 第３図 １
Claims (2)
- （１） シリコン半導体基板の主表面にシリコン酸化膜
を有し、前記シリコン酸化膜の上部の一部または全部に
第一のシリコン窒化膜を有し、前記第一のシリコン窒化
膜上に前記第一のシリコン窒化膜と組成の異なる第二の
シリコン窒化膜を有し、前記第二のシリコン窒化膜上に
延在形成された電極を有することを特徴とする半導体装
置。 - （２）前記第一の窒化膜と前記第二の窒化膜とは、前記
酸化膜のないシリコン半導体基板の主表面のコンタクト
開口領域上の一部を被服することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054905A JPS60198731A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054905A JPS60198731A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198731A true JPS60198731A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=12983618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054905A Pending JPS60198731A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265834U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | ||
| US5098860A (en) * | 1990-05-07 | 1992-03-24 | The Boeing Company | Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers |
| JP2017034245A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 感受性材料上にハロゲン化物含有ａｌｄ膜を統合する方法 |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP59054905A patent/JPS60198731A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265834U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | ||
| US5098860A (en) * | 1990-05-07 | 1992-03-24 | The Boeing Company | Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers |
| US5436504A (en) * | 1990-05-07 | 1995-07-25 | The Boeing Company | Interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers |
| JP2017034245A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 感受性材料上にハロゲン化物含有ａｌｄ膜を統合する方法 |
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