JPS62177927A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPS62177927A JPS62177927A JP1809786A JP1809786A JPS62177927A JP S62177927 A JPS62177927 A JP S62177927A JP 1809786 A JP1809786 A JP 1809786A JP 1809786 A JP1809786 A JP 1809786A JP S62177927 A JPS62177927 A JP S62177927A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に機
械的な信頼性及び樹脂モールドにおける特性の安定化を
図った半導体集積回路装置の製造方法に関する。
械的な信頼性及び樹脂モールドにおける特性の安定化を
図った半導体集積回路装置の製造方法に関する。
一般に半導体集積回路装置では、半導体基板に形成した
素子を外部の機械的な力やガス、水分等から保護するた
めのパッジベージロン膜が形成される。従来、この種の
パンシヘーション膜としては常圧CVD (化学的気相
成長)法によるシリコン酸化膜やリンガラス(PSG)
膜があり、更に最近ではプラズマCVDによるシリコン
窒化膜あるいはこれと前記シリコン酸化膜、PSG膜と
を組み合わせためものが用いられている。
素子を外部の機械的な力やガス、水分等から保護するた
めのパッジベージロン膜が形成される。従来、この種の
パンシヘーション膜としては常圧CVD (化学的気相
成長)法によるシリコン酸化膜やリンガラス(PSG)
膜があり、更に最近ではプラズマCVDによるシリコン
窒化膜あるいはこれと前記シリコン酸化膜、PSG膜と
を組み合わせためものが用いられている。
例えば、第3図に示すように半導体基板11のフィール
ド酸化膜12上に金属配線13を形成した半導体集積回
路装置のバ・ノシヘーション膜として、400℃程度で
5t)It−PH3−02(N2)系の常圧cvD法に
より低濃度PSG膜14を5000人程度0厚さに成長
させている。或いは、このPSG膜1膜上4上に350
℃程度で5in4−NH3−N2系のプラズマCVDに
よりシリコン窒化膜を1000人程度0厚さに成長させ
ることもある。
ド酸化膜12上に金属配線13を形成した半導体集積回
路装置のバ・ノシヘーション膜として、400℃程度で
5t)It−PH3−02(N2)系の常圧cvD法に
より低濃度PSG膜14を5000人程度0厚さに成長
させている。或いは、このPSG膜1膜上4上に350
℃程度で5in4−NH3−N2系のプラズマCVDに
よりシリコン窒化膜を1000人程度0厚さに成長させ
ることもある。
なお、図において15は後述するモールド用の樹脂であ
る。
る。
上述した従来の半導体集積回路装置は、パッシベーショ
ン膜としてのPSG膜14が下地としての金属配線13
の有無に従って凹凸な断面形状とされるため、機械的な
外力によって簡単に傷が生じ易くなり、特に横方向から
の力に弱いという問題がある。
ン膜としてのPSG膜14が下地としての金属配線13
の有無に従って凹凸な断面形状とされるため、機械的な
外力によって簡単に傷が生じ易くなり、特に横方向から
の力に弱いという問題がある。
また、このPSG膜14の表面凹凸によって、装置を樹
脂モールドしたときに四部に樹脂15が存在することに
なるため、金属配線13相互間の容量がモールド前後で
変化し、動作スピード等装置特性の変動を生ずるという
問題もある。
脂モールドしたときに四部に樹脂15が存在することに
なるため、金属配線13相互間の容量がモールド前後で
変化し、動作スピード等装置特性の変動を生ずるという
問題もある。
この後者の問題は、第4図(a)、 (b)に夫々半
導体集積回路装置の一部とその等価回路を示すように、
モールド前では金属配線13間にはPSG膜14と空気
16しか存在していないが、モールド後では第5図(a
)、 (b)に示すように金属配線13間にp s
c”、膜14と樹脂15が存在することが原因とされる
。
導体集積回路装置の一部とその等価回路を示すように、
モールド前では金属配線13間にはPSG膜14と空気
16しか存在していないが、モールド後では第5図(a
)、 (b)に示すように金属配線13間にp s
c”、膜14と樹脂15が存在することが原因とされる
。
即ち、第4図のモールド前における容N c + とモ
ールド後の容量C2は夫々次式で示される。
ールド後の容量C2は夫々次式で示される。
C+ = C’oM+ CA−ε6□ 86z・TOX
/ I )→−ε。・ε。iε4・TA /(−(+、
−12)+ε。、、61□)C2= C’ox + C
H□ ε。・ε6x’ TOX/ 1 +→−ε0・ε
6iεM’ Tll /(縣(+、−1,,)十ε淀x
2)ここで、 εo −8,85X10−6PF/ 、17 m (真
空の誘電率)ε。x*4.0 (低濃度PSG膜
の比誘電率)εA91.0(空気の比誘電率) εMz4.3 (モールド樹脂の比誘電率)したが
って、例えば第4図(a)のように各部の定数1.、+
2.TM 、1”OXを次の値に設定すると、 1、=2.0μm (金属配線間隔)l z
= 12μm (低濃度PSG膜の間隔)T、=
1.0μm (金属配線膜厚)T o x−0
、3μm (低濃度PSGの膜厚)TA =T、4
Tox = 0.7μm第4図及び第5図にお
ける夫々の単位配線当たりの容量は次の値となる。
/ I )→−ε。・ε。iε4・TA /(−(+、
−12)+ε。、、61□)C2= C’ox + C
H□ ε。・ε6x’ TOX/ 1 +→−ε0・ε
6iεM’ Tll /(縣(+、−1,,)十ε淀x
2)ここで、 εo −8,85X10−6PF/ 、17 m (真
空の誘電率)ε。x*4.0 (低濃度PSG膜
の比誘電率)εA91.0(空気の比誘電率) εMz4.3 (モールド樹脂の比誘電率)したが
って、例えば第4図(a)のように各部の定数1.、+
2.TM 、1”OXを次の値に設定すると、 1、=2.0μm (金属配線間隔)l z
= 12μm (低濃度PSG膜の間隔)T、=
1.0μm (金属配線膜厚)T o x−0
、3μm (低濃度PSGの膜厚)TA =T、4
Tox = 0.7μm第4図及び第5図にお
ける夫々の単位配線当たりの容量は次の値となる。
C+ = 9.7 X 1O−6(PF/ p m)C
m =18.2X10−6(PF//jm)これから、
モールド前後で容量が2倍近く変化することが判る。こ
のため、金属配線の多い大規模半導体集積回路装置(ゲ
ートアレイ、論理LSI等)では、前記容量の変動は装
置の縦方向の容量(フィールド酸化膜容量、ゲート酸化
膜容量)に対して無視することができなくなり、装置の
動作スピード低下等のような特性の変動及び安定性の劣
化が生じることになる。
m =18.2X10−6(PF//jm)これから、
モールド前後で容量が2倍近く変化することが判る。こ
のため、金属配線の多い大規模半導体集積回路装置(ゲ
ートアレイ、論理LSI等)では、前記容量の変動は装
置の縦方向の容量(フィールド酸化膜容量、ゲート酸化
膜容量)に対して無視することができなくなり、装置の
動作スピード低下等のような特性の変動及び安定性の劣
化が生じることになる。
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、パッシベー
ション膜が原因とされる機械的な強度の低下や樹脂モー
ルド前後の容量の変動を防止し、信顛性及び安定性の向
上を図るものである。
ション膜が原因とされる機械的な強度の低下や樹脂モー
ルド前後の容量の変動を防止し、信顛性及び安定性の向
上を図るものである。
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、基板上に形
成した配線の膜厚よりも厚く第1の絶縁膜を形成し、こ
の上に表面が平坦になるように塗布膜を形成し、これら
塗布膜と第1の絶縁膜を配線上面よりも低くならない高
さまでエツチングし、しかる上で第2の絶縁膜を形成す
る工程を含むものである。
成した配線の膜厚よりも厚く第1の絶縁膜を形成し、こ
の上に表面が平坦になるように塗布膜を形成し、これら
塗布膜と第1の絶縁膜を配線上面よりも低くならない高
さまでエツチングし、しかる上で第2の絶縁膜を形成す
る工程を含むものである。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例を製造工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
同図(a)はシリコン等の半導体基板1に既に所定の回
路素子が構成され、表面のフィールド酸化膜2上に金属
配線3が形成された場合を示している。なお、通常金属
配線3の膜厚が1.0.c+ m程度で配線幅及び配線
間隔が2μm以下の微細パターンになると、金属配線3
は反応性イオンエツチング(RI E)法によって形成
するため、下地のフィールド酸化膜2も1ooo人程度
エツチングされる。
路素子が構成され、表面のフィールド酸化膜2上に金属
配線3が形成された場合を示している。なお、通常金属
配線3の膜厚が1.0.c+ m程度で配線幅及び配線
間隔が2μm以下の微細パターンになると、金属配線3
は反応性イオンエツチング(RI E)法によって形成
するため、下地のフィールド酸化膜2も1ooo人程度
エツチングされる。
次いで、同図(b)のように、400℃程度の温度テ5
iH4−PH3−(h(Nz)系の常圧CVD法により
4mo1%の低濃度PSG膜4を前記金属配線3の膜厚
よりも厚い1.5μmの厚さに成長し、第1の絶縁膜を
形成する。更に、このPSG膜4の上にフォトレジスト
5を2.0μm程度の厚さに塗布し、表面を平坦化する
。
iH4−PH3−(h(Nz)系の常圧CVD法により
4mo1%の低濃度PSG膜4を前記金属配線3の膜厚
よりも厚い1.5μmの厚さに成長し、第1の絶縁膜を
形成する。更に、このPSG膜4の上にフォトレジスト
5を2.0μm程度の厚さに塗布し、表面を平坦化する
。
その上で、フォトレジスト5とPSG膜4とを選択比の
等しい条件でエツチングし、同図(C)のように金属配
線3の表面上にPSG膜4が僅かに残る厚さまで、換言
すれば金属配線3の上面よりも低くならない高さ位置ま
でエツチングを行う。
等しい条件でエツチングし、同図(C)のように金属配
線3の表面上にPSG膜4が僅かに残る厚さまで、換言
すれば金属配線3の上面よりも低くならない高さ位置ま
でエツチングを行う。
このエツチングとしては、例えばCHF3+CzF6+
Heに02を添加したガスを用いればよい。また、ここ
では金属配線3上にPSG膜4を1000〜2000人
の厚さに残している。
Heに02を添加したガスを用いればよい。また、ここ
では金属配線3上にPSG膜4を1000〜2000人
の厚さに残している。
その後、350℃程度で5iH4−Nus−Nz系のプ
ラズマCVD法によりシリコン窒化膜6を3000人程
度0厚さに全面に成長させて第2の絶縁膜を形成し、パ
ッシベーション膜を完成させる。
ラズマCVD法によりシリコン窒化膜6を3000人程
度0厚さに全面に成長させて第2の絶縁膜を形成し、パ
ッシベーション膜を完成させる。
なお、このようにして完成した後、装置を樹脂7によっ
てモールドすることは勿論である。
てモールドすることは勿論である。
このようにして製造した半導体集積回路装置では、金属
配線3間は低濃度PSG膜4のみが存在することになる
。このため、この部分を第2図(a)、 (b)に等
価的に示すと、金属配線3間の単位配線光たりの容量C
8は次のようになる。
配線3間は低濃度PSG膜4のみが存在することになる
。このため、この部分を第2図(a)、 (b)に等
価的に示すと、金属配線3間の単位配線光たりの容量C
8は次のようになる。
C5=C8X=ε。・ε。8・TM / 1 +−17
,7xlO−6(PF/、c+ m)ここで、 εo =8.85X10−6(PP//j m)(真空
の誘電率)ε。Xe4.0 (低濃度PSG膜の比
誘電率)11=2.0μm (金属配線間隔)
T11 = 1.0μm (金属配線膜厚)そ
して、この構成では樹脂モールドを行っても金属配線3
間に樹脂が存在することがないため、容量が変化される
ことはなく、特性の安定化を達成できる。また、パッシ
ベーション膜は表面が平坦化されているので、機械的な
外力、特に横方向の力に対する強度が向上し、信頼性が
向上できる。
,7xlO−6(PF/、c+ m)ここで、 εo =8.85X10−6(PP//j m)(真空
の誘電率)ε。Xe4.0 (低濃度PSG膜の比
誘電率)11=2.0μm (金属配線間隔)
T11 = 1.0μm (金属配線膜厚)そ
して、この構成では樹脂モールドを行っても金属配線3
間に樹脂が存在することがないため、容量が変化される
ことはなく、特性の安定化を達成できる。また、パッシ
ベーション膜は表面が平坦化されているので、機械的な
外力、特に横方向の力に対する強度が向上し、信頼性が
向上できる。
ここで、前記第1及び第2の絶縁膜の材質は適宜他の材
質のものに変えることができる。また、フォトレジスト
は塗布可能であれば他の材質のものを用いることもでき
る。更に、配線は例えば多結晶シリコンのように金属以
外の導電性材料で構成する場合にも適用できる。
質のものに変えることができる。また、フォトレジスト
は塗布可能であれば他の材質のものを用いることもでき
る。更に、配線は例えば多結晶シリコンのように金属以
外の導電性材料で構成する場合にも適用できる。
またー、樹脂モールド以外の半導体集積回路装置に適用
しても機械的強度の向上の利益を得ることができる。
しても機械的強度の向上の利益を得ることができる。
以上説明したように本発明は、配線の膜厚よりも厚く第
1の絶縁膜を形成し、この上に表面が平坦になるように
塗布膜を形成し、これら塗布膜と第1の絶縁膜を配線上
面よりも低くならない高さまでエツチングし、しかる上
で第2の絶縁膜を形成しているので、配線上におけるパ
ッシベーション膜表面を平坦化して機械的な強度を増大
して信頼性を向上でき、かつ樹脂モールド前後における
容量の変動を防止して特性の安定化を達成することがで
きる。
1の絶縁膜を形成し、この上に表面が平坦になるように
塗布膜を形成し、これら塗布膜と第1の絶縁膜を配線上
面よりも低くならない高さまでエツチングし、しかる上
で第2の絶縁膜を形成しているので、配線上におけるパ
ッシベーション膜表面を平坦化して機械的な強度を増大
して信頼性を向上でき、かつ樹脂モールド前後における
容量の変動を防止して特性の安定化を達成することがで
きる。
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を製造工程順
に示す断面図、第2図(a)、 (b)は要部の断面
図と等価回路図、第3図は従来における装置の断面図、
第4図(a)、 (b)は樹脂モールド前における従
来の一部断面図と等価回路図、第5図(a)、 (b
)は樹脂モールド後における一部断面図と等価回路図で
ある。 ■、11・・・半導体基板、2,12・・・フィールド
酸化膜、3.13・・・金属配線、4・・・低濃度PS
G膜(第1の絶縁膜)、5・・・フォトレジスト(塗布
膜)、6・・・シリコン窒化膜(第2の絶縁膜)、7・
・・樹脂、14・・・PSG膜、15・・・樹脂、16
・・・空気。 へ の 寸塚
塚 塚 ″ 区− Iフ 派
に示す断面図、第2図(a)、 (b)は要部の断面
図と等価回路図、第3図は従来における装置の断面図、
第4図(a)、 (b)は樹脂モールド前における従
来の一部断面図と等価回路図、第5図(a)、 (b
)は樹脂モールド後における一部断面図と等価回路図で
ある。 ■、11・・・半導体基板、2,12・・・フィールド
酸化膜、3.13・・・金属配線、4・・・低濃度PS
G膜(第1の絶縁膜)、5・・・フォトレジスト(塗布
膜)、6・・・シリコン窒化膜(第2の絶縁膜)、7・
・・樹脂、14・・・PSG膜、15・・・樹脂、16
・・・空気。 へ の 寸塚
塚 塚 ″ 区− Iフ 派
Claims (2)
- (1)所定の素子を有する半導体基板上に形成した配線
上にこの配線の膜厚よりも厚く第1の絶縁膜を形成する
工程と、この上に表面が平坦になるように塗布膜を形成
する工程と、これら塗布膜と第1の絶縁膜を前記配線の
上面よりも低くならない高さまでエッチングする工程と
、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程を
含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - (2)第1の絶縁膜を低濃度PSG膜とし、塗布膜をフ
ォトレジスト膜とし、第2の絶縁膜をシリコン窒化膜と
してなる特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1809786A JPS62177927A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1809786A JPS62177927A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62177927A true JPS62177927A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11962121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1809786A Pending JPS62177927A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62177927A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0759635A2 (en) * | 1995-08-23 | 1997-02-26 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
EP1387394A2 (en) * | 1997-04-15 | 2004-02-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Process of final passivation of integrated circuit devices |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1809786A patent/JPS62177927A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0759635A2 (en) * | 1995-08-23 | 1997-02-26 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
EP0759635A3 (en) * | 1995-08-23 | 1999-03-24 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
US6376911B1 (en) | 1995-08-23 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
KR100327721B1 (ko) * | 1995-08-23 | 2002-07-27 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 최종패시베이션구조물 |
EP1387394A2 (en) * | 1997-04-15 | 2004-02-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Process of final passivation of integrated circuit devices |
EP1387394A3 (en) * | 1997-04-15 | 2004-04-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Process of final passivation of integrated circuit devices |
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