JPS62177923A - アライメント精度評価方法 - Google Patents
アライメント精度評価方法Info
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- JPS62177923A JPS62177923A JP61019631A JP1963186A JPS62177923A JP S62177923 A JPS62177923 A JP S62177923A JP 61019631 A JP61019631 A JP 61019631A JP 1963186 A JP1963186 A JP 1963186A JP S62177923 A JPS62177923 A JP S62177923A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造等に広く用いられるホトリ
ソグラフィ技術における第１層パターンとその上へ重ね
て形成される第２Ｎパターンとのアライメント精度の評
価方法の改良に関するものである。
ソグラフィ技術における第１層パターンとその上へ重ね
て形成される第２Ｎパターンとのアライメント精度の評
価方法の改良に関するものである。
第３図は従来アライメント精度の評価に用いられている
パターンを示す図で、（１）は第１層パターンと同時に
形成される第１の評価パターン、（２）は第２層パター
ンと同時に形成される第２の評価パターンである。第１
及び＠２の評価パターン（１）及び（２）は理想的には
第３図に示したように正しく重ね合うように配置されて
おり、両評価パターン（１）および（２）はそれぞれの
ピッチを少し違えてあり、バーニア尺の原理によって両
者間の位置ずれ量を読みとれるようになっている。第３
図の第１の評価パターン（１）の下段部に形成された数
字パターンはこのバーニア読みの助けとするものである
。
パターンを示す図で、（１）は第１層パターンと同時に
形成される第１の評価パターン、（２）は第２層パター
ンと同時に形成される第２の評価パターンである。第１
及び＠２の評価パターン（１）及び（２）は理想的には
第３図に示したように正しく重ね合うように配置されて
おり、両評価パターン（１）および（２）はそれぞれの
ピッチを少し違えてあり、バーニア尺の原理によって両
者間の位置ずれ量を読みとれるようになっている。第３
図の第１の評価パターン（１）の下段部に形成された数
字パターンはこのバーニア読みの助けとするものである
。
上記従来のアライメント精度の評価方法ではバーニアを
読まねばならず、この作業は作業者による個人差が生じ
るおそれがあり、Ｘ方向及びＸ方向のアライメントの評
価のためには両方向の評価パターンを個々に設けて、そ
れぞれ読み取る必要があり、時間がかかり、作業者に疲
労感を与え、誤ったバーニア読みによる製品の歩留シの
低下ということにもなジかねないという問題点があった
。
読まねばならず、この作業は作業者による個人差が生じ
るおそれがあり、Ｘ方向及びＸ方向のアライメントの評
価のためには両方向の評価パターンを個々に設けて、そ
れぞれ読み取る必要があり、時間がかかり、作業者に疲
労感を与え、誤ったバーニア読みによる製品の歩留シの
低下ということにもなジかねないという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、−目でｘｙ両方向のアライメントの評価が可
能で、パターンの正常な形成状況をも確認できる方法を
提供することを目的としている。
たもので、−目でｘｙ両方向のアライメントの評価が可
能で、パターンの正常な形成状況をも確認できる方法を
提供することを目的としている。
この発明によるアライメント精度評価方法では、重ね合
わせる一方のパターンと同時に形成する第１の評価パタ
ーンにＸ字形パターンを用い、他方のパターンと同時に
形成する第２の評価パターンには所要の微細間隔をへだ
てて、多重をなす直方形枠パターンを用い、アライメン
トが正しくなされたときには、上記第１の評価パターン
と第２の評価パターンとの中心が一致するように重ねる
。
わせる一方のパターンと同時に形成する第１の評価パタ
ーンにＸ字形パターンを用い、他方のパターンと同時に
形成する第２の評価パターンには所要の微細間隔をへだ
てて、多重をなす直方形枠パターンを用い、アライメン
トが正しくなされたときには、上記第１の評価パターン
と第２の評価パターンとの中心が一致するように重ねる
。
この発明では上述のような評価パターンを用いるので、
第１の評価パターンのＸ字形の交点部分が第２の評価パ
ターンの多重直方形枠パターンのどの部分に重なってい
るか全−見するだけでＸ力面及びｙ方向のパターンのず
れの量を知ることができる。
第１の評価パターンのＸ字形の交点部分が第２の評価パ
ターンの多重直方形枠パターンのどの部分に重なってい
るか全−見するだけでＸ力面及びｙ方向のパターンのず
れの量を知ることができる。
第１図はこの発明の一実施例に用いる評価パターンを示
す図で、（ｌａ）は第１層のパターンと同時に形成され
るＸ字形の第１の評価パターン、（２ａ）は第２層のパ
ターンと同時に形成される多重直方形枠の第２の評価パ
ターンである。第２の評価パターン（２ａ）は所要の微
細聞隔全へだてて多重をなし、それぞれ所要幅ヲ有する
直方形の枠パターンからなり、例えば、図示ｔ、 ＝
ｏ、ｏｓμｍ 、 Ｚ２−ｏ、１μｍである。第１及び
第２の評価パターン（ｌａ）、（２ａ）は第１層及び第
２層のパターンのアライメントが理想的なときに、第１
図に示したように、Ｘ字形パターンと多重直方形枠パタ
ーンとの中心が一致するようになっている。
す図で、（ｌａ）は第１層のパターンと同時に形成され
るＸ字形の第１の評価パターン、（２ａ）は第２層のパ
ターンと同時に形成される多重直方形枠の第２の評価パ
ターンである。第２の評価パターン（２ａ）は所要の微
細聞隔全へだてて多重をなし、それぞれ所要幅ヲ有する
直方形の枠パターンからなり、例えば、図示ｔ、 ＝
ｏ、ｏｓμｍ 、 Ｚ２−ｏ、１μｍである。第１及び
第２の評価パターン（ｌａ）、（２ａ）は第１層及び第
２層のパターンのアライメントが理想的なときに、第１
図に示したように、Ｘ字形パターンと多重直方形枠パタ
ーンとの中心が一致するようになっている。
第２図は第２層のパターンが約０．１／ｒｍ左へすれた
場合の評価パターンを示す図で、Ｘ字形の第１の評価パ
ターン（１ａ）の交点が第２の評価パターン（２ａ）の
どの部位に位置するかということと、上に例示したよう
に第２の評価パターン（２ａ）の線条幅及び線条間隔と
から容易にパターンのずれの量全知ることができる。
場合の評価パターンを示す図で、Ｘ字形の第１の評価パ
ターン（１ａ）の交点が第２の評価パターン（２ａ）の
どの部位に位置するかということと、上に例示したよう
に第２の評価パターン（２ａ）の線条幅及び線条間隔と
から容易にパターンのずれの量全知ることができる。
なお、第２図では、図示Ｘ方向のパターンずれの場合を
示したが、ｙ方向のパターンずれについても、この評価
パターンで同時に読みとることができることは容易に理
解できよう。
示したが、ｙ方向のパターンずれについても、この評価
パターンで同時に読みとることができることは容易に理
解できよう。
また、第２の評価パターン（２ａ）は微細間隔のパター
ンであり、第１の評価パターン（ｌａ）の交点近傍は微
細パターンに相当するので、それぞれ同時に形成される
第２層及び第１層のパターンの適正な形成度合（パター
ンの仕上り形状の正確さ）の評価の目安にすることもで
きる。
ンであり、第１の評価パターン（ｌａ）の交点近傍は微
細パターンに相当するので、それぞれ同時に形成される
第２層及び第１層のパターンの適正な形成度合（パター
ンの仕上り形状の正確さ）の評価の目安にすることもで
きる。
なお、この発明の評価パターンはコンパクトであるので
、実用半導体チップパターンに入れることも可能である
。
、実用半導体チップパターンに入れることも可能である
。
細幅の多重直方形枠パターンとを用い、Ｘ字形パターン
の交点部分が多重直方形枠パターンのどの部分に重なる
かによってパターンずれ全知るようにしたので、−目し
てｘ＋ １両方向のアライメント精度の評価が可能であ
り、評価が短時間に正確に行うことができる。
の交点部分が多重直方形枠パターンのどの部分に重なる
かによってパターンずれ全知るようにしたので、−目し
てｘ＋ １両方向のアライメント精度の評価が可能であ
り、評価が短時間に正確に行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例に用いる評価パターンを示
す図、第２図は第１層パターンと第２層パターンとがず
れたときの評価パターン金示す図、第３図は従来アライ
メント精度の評価に用いられているパターンを示す図で
ある。 図において、（１ａ）はＸ字形パターン、（２ａ）は多
重直方形枠パターンである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分金示す０
す図、第２図は第１層パターンと第２層パターンとがず
れたときの評価パターン金示す図、第３図は従来アライ
メント精度の評価に用いられているパターンを示す図で
ある。 図において、（１ａ）はＸ字形パターン、（２ａ）は多
重直方形枠パターンである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分金示す０
Claims (1)
- （１）ホトリソグラフィ技術で互いに重ねて２つのパタ
ーンを形成するに際して、 一方の上記パターンと同時にＸ字形パターンを形成し、 他方の上記パターンと同時に所要微細間隔をへだて微細
幅の多重長方形枠パターンを上記Ｘ字形パターンと重な
るように形成し、 上記Ｘ字形パターンの交点部が位置する上記多重長方形
枠パターン上の部位によつて重ね合わせ精度を評価する
ことを特徴とするアライメント精度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019631A JPS62177923A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | アライメント精度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019631A JPS62177923A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | アライメント精度評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177923A true JPS62177923A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=12004550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61019631A Pending JPS62177923A (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | アライメント精度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474990B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 얼라인 먼트 키 및 그 형성방법 |
| FR2877767A1 (fr) * | 2004-10-18 | 2006-05-12 | Accent Optical Tech Inc | Marque de metrologie de recouvrement et procede de mesure d'erreur de recouvrement dans un dispositif a semiconducteur |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP61019631A patent/JPS62177923A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474990B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 얼라인 먼트 키 및 그 형성방법 |
| FR2877767A1 (fr) * | 2004-10-18 | 2006-05-12 | Accent Optical Tech Inc | Marque de metrologie de recouvrement et procede de mesure d'erreur de recouvrement dans un dispositif a semiconducteur |
| EP1817544A2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-08-15 | Accent Optical Technologies, Inc. | Overlay measurement target |
| EP1817544A4 (en) * | 2004-10-18 | 2011-04-27 | Accent Optical Technologies Nanometrics Inc | TARGET OF RECOVERY MEASUREMENT |
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