JPS62166626U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62166626U JPS62166626U JP5360686U JP5360686U JPS62166626U JP S62166626 U JPS62166626 U JP S62166626U JP 5360686 U JP5360686 U JP 5360686U JP 5360686 U JP5360686 U JP 5360686U JP S62166626 U JPS62166626 U JP S62166626U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cooling mechanism
- flow path
- refrigerant
- perforation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案を上部電極に適用した場合の第
１の実施例の構成説明図、第２図及び第３図は同
様の第２及び第３の実施例の説明図、第４図は本
考案を下部電極に適用した場合の第４の実施例の
構成説明図、第５図は従来のドライエツチング装
置の構成説明図、また第６図は第５図の上部電極
の冷却機構の構成説明図である。 １３，４３……冷媒導出管、１３ａ……冷媒導
入孔、１４……ガス導入孔、１６ａ……ガス流路
、１８……第１の冷媒流路、２０，４０……表面
電極、２０ａ……第２の穿孔（ガス導出細孔）、
２１，４１……第２の冷媒流路、２２，４２……
第１の穿孔（第３の冷媒流路）、２４……チヤン
バ、２５……上部電極、４０ａ……第２の穿孔（
挿着孔）、４４……下部電極、４４ａ……基板支
持体、４５……基板。
１の実施例の構成説明図、第２図及び第３図は同
様の第２及び第３の実施例の説明図、第４図は本
考案を下部電極に適用した場合の第４の実施例の
構成説明図、第５図は従来のドライエツチング装
置の構成説明図、また第６図は第５図の上部電極
の冷却機構の構成説明図である。 １３，４３……冷媒導出管、１３ａ……冷媒導
入孔、１４……ガス導入孔、１６ａ……ガス流路
、１８……第１の冷媒流路、２０，４０……表面
電極、２０ａ……第２の穿孔（ガス導出細孔）、
２１，４１……第２の冷媒流路、２２，４２……
第１の穿孔（第３の冷媒流路）、２４……チヤン
バ、２５……上部電極、４０ａ……第２の穿孔（
挿着孔）、４４……下部電極、４４ａ……基板支
持体、４５……基板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上下位置に対向して配設された半導体装置
の上部電極及び下部電極の冷却機構において、装
置内雰囲気に直接接する表面電極を有し、この電
極主面に沿つて外周部から中心部に通ずる冷媒流
路用の第１の穿孔を一様に多数設けると共に、電
極主面との垂直方向には上記第１の穿孔と交叉し
ないように第２の穿孔を一様に多数設けて構成し
た事を特徴とする電極の冷却機構。 (2) 前記第２の穿孔を上部電極のガス導出細孔
として用いる事を特徴とする実用新案登録請求の
範囲第(1)項記載の電極の冷却機構。 (3) 前記第２の穿孔を下部電極の基板脱着用の
基板支持体の挿着孔として用いる事を特徴とする
実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の電極の冷
却機構。 (4) 冷媒流路用の上記第１の穿孔は、導入され
た冷媒を一旦外周方向に分散させるよう電極の外
周部に設けられた冷却流路及び冷媒を外部へと導
くよう電極の中心部に設けられた冷媒流路とに接
続される事を特徴とする実用新案登録請求の範囲
第(1)項、または第(2)項または第(3)項記載の電
極の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986053606U JPH066505Y2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 電極の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986053606U JPH066505Y2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 電極の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166626U true JPS62166626U (ja) | 1987-10-22 |
| JPH066505Y2 JPH066505Y2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=30879829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986053606U Expired - Lifetime JPH066505Y2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 電極の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066505Y2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794495A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-04-07 | Hughes Aircraft Co | プラズマ補助化学的エッチング処理に使用される電極 |
| JP2003503838A (ja) * | 1999-06-30 | 2003-01-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 温度均一性が改良されたプラズマ反応チャンバ構成部品 |
| JP2008117533A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Kyocera Corp | プラズマ発生体、反応装置及び光源装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014439A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Hitachi Ltd | ウエハ回転式半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP1986053606U patent/JPH066505Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014439A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Hitachi Ltd | ウエハ回転式半導体製造装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794495A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-04-07 | Hughes Aircraft Co | プラズマ補助化学的エッチング処理に使用される電極 |
| JP2003503838A (ja) * | 1999-06-30 | 2003-01-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 温度均一性が改良されたプラズマ反応チャンバ構成部品 |
| JP2008117533A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Kyocera Corp | プラズマ発生体、反応装置及び光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH066505Y2 (ja) | 1994-02-16 |
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