JPS62166546A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
- Publication number
- JPS62166546A JPS62166546A JP934086A JP934086A JPS62166546A JP S62166546 A JPS62166546 A JP S62166546A JP 934086 A JP934086 A JP 934086A JP 934086 A JP934086 A JP 934086A JP S62166546 A JPS62166546 A JP S62166546A
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- film
- wiring
- wirings
- laser light
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路あるいは、光集積回路の配線、
及び接合部分の界面状態の制御方法に関するものである
っ （ロ）従来の技術 従来、半導体基板上に多１＠配線を３〒うときはＡｌ！
等の下層配線上に５ｉ０２等の層間絶縁膜を設け、その
上に上層の配線を行っていた。このような配線方法は例
えば「最折ＬＳＩプロセス技術」工業調査会、曲田和大
著に示されている。
及び接合部分の界面状態の制御方法に関するものである
っ （ロ）従来の技術 従来、半導体基板上に多１＠配線を３〒うときはＡｌ！
等の下層配線上に５ｉ０２等の層間絶縁膜を設け、その
上に上層の配線を行っていた。このような配線方法は例
えば「最折ＬＳＩプロセス技術」工業調査会、曲田和大
著に示されている。
（ハ）発明が解決しようとする間預点
ところで、このような配線方法では下層配線と上層配線
のコンタクトを採る部分や、下層配線と上層配線がクロ
スする部分で段差のため断線が生じると云う問題があっ
几。
のコンタクトを採る部分や、下層配線と上層配線がクロ
スする部分で段差のため断線が生じると云う問題があっ
几。
に）問題点を解決するための手段
基板上に絶縁性を示す金属化合物膜を設け、この金属化
合物膜に適宜レーザ光を照射して当該部分の化学組成を
導電性を示すよう変化させて、配線を形成している。
合物膜に適宜レーザ光を照射して当該部分の化学組成を
導電性を示すよう変化させて、配線を形成している。
（ホ）作用
単一の層内に絶縁部と、導電部が形成されるので、配線
形成時に生じていた段差が発生することがなく、断線の
発生する心配はない。
形成時に生じていた段差が発生することがなく、断線の
発生する心配はない。
（へ）実施例
第１図乃至＠５図は本発明配線方法の一実施例を示し、
配線間のコンタクトラ採るものである。
配線間のコンタクトラ採るものである。
まず最初シリコン基板（！１上にＴｉＯ２層（２）をス
パッタ法により２０００Ａ厚堆積する（第１図）。
パッタ法により２０００Ａ厚堆積する（第１図）。
続いて、ＡＩ！暎を１μ程度堆積しレジストパターニン
グ及びエツチングを行って折望のＡｔ配線（３）を行う
（第２図）。次に、レーザ光照射により導電性を示す材
質に変質する絶縁材料、例えばＧａＰｔ−スパッタリン
グ法で積んで２０００Ａ厚のＧａＰ膜（４）を形成する
（第３図）。さらに、ＷＯＳ等の透明電極（５）を１μ
厚に形成し、その上に１μ厚の５ｉ０２膜（６）をＣＶ
Ｄ法で設ける（’！４図）。
グ及びエツチングを行って折望のＡｔ配線（３）を行う
（第２図）。次に、レーザ光照射により導電性を示す材
質に変質する絶縁材料、例えばＧａＰｔ−スパッタリン
グ法で積んで２０００Ａ厚のＧａＰ膜（４）を形成する
（第３図）。さらに、ＷＯＳ等の透明電極（５）を１μ
厚に形成し、その上に１μ厚の５ｉ０２膜（６）をＣＶ
Ｄ法で設ける（’！４図）。
次いで、光学マスク（図示せず）を通して凸レンズ（図
示せず）で絞られた波長４００ｎｍ程度のレーザ光を透
明電極（５）下部のＧａＰ膜（４）へは約ＩＪ／ｃｍの
割合で、上記アルミ配ａ＋３１端のＧａＰ膜へは孜Ｊ／
ｃｍの割合で与える。これにより、透明電極（６）下及
びアルミ配＠（３）端部に位置するＧａＰ膜（４）は部
分的にその化学的組成状態が変化され、導電性を有する
コンタクト部（７）（８１となる。これと同時に、アル
ミ配線（３）端部下のＴｉＯ２層（２）は部分的にチタ
ン；シリサイド（９）化され、導電性を有するようにな
る（第５図）。これによって、シリコン基板＋＋Ｈはシ
リサイド（９）、導電ｍ＋ｓ＋、アルミ配線（３）及び
導電部（））を介して透明電極（６）に結ばれる。この
ときの上面図を第６図に示す。尚、本実施例においては
ＴｉＯ２層（２）は酸化モリブデン、酸化タングステン
等のシリサイドが形成可能的に変えることも出来る。
示せず）で絞られた波長４００ｎｍ程度のレーザ光を透
明電極（５）下部のＧａＰ膜（４）へは約ＩＪ／ｃｍの
割合で、上記アルミ配ａ＋３１端のＧａＰ膜へは孜Ｊ／
ｃｍの割合で与える。これにより、透明電極（６）下及
びアルミ配＠（３）端部に位置するＧａＰ膜（４）は部
分的にその化学的組成状態が変化され、導電性を有する
コンタクト部（７）（８１となる。これと同時に、アル
ミ配線（３）端部下のＴｉＯ２層（２）は部分的にチタ
ン；シリサイド（９）化され、導電性を有するようにな
る（第５図）。これによって、シリコン基板＋＋Ｈはシ
リサイド（９）、導電ｍ＋ｓ＋、アルミ配線（３）及び
導電部（））を介して透明電極（６）に結ばれる。この
ときの上面図を第６図に示す。尚、本実施例においては
ＴｉＯ２層（２）は酸化モリブデン、酸化タングステン
等のシリサイドが形成可能的に変えることも出来る。
第７図乃至第１４図は本発明の他の実施例であって、本
実施例では、ＣａＰの積層とレーザによる所望部分の導
電性化を、操り返して多層配線を形成したものである。
実施例では、ＣａＰの積層とレーザによる所望部分の導
電性化を、操り返して多層配線を形成したものである。
本実施例で埴まず、不純物領域ｔ１０１（Ｉｌ＋が形成
されたシリコン基板１１２１上に２０００Ａ厚の第１の
ＧａＰ嘆０萄をスパッタリング法により設け（＠７図）
、不純物＠Ｍ、 ＋１０１ （Ｉ １１上にレーザを照
射して該当箇所のＧａＰ膜（１匈を導電化して、コンタ
クト部！、＋４）（＋５）を形成する（第８図）。その
後、同様に第２のＧａＰ膜（＋６１を２０００Ａ厚形成
しく第９図）、この第２のＧａＰ膜（１６）の所望の領
域にのみレーザ照射をして導電化を図り、配線Ｑη（１
８１ＩＩ俤を形成する（第１０図）。続いて、第３のＧ
ａＰ膜彌を設け（第１１図）、レーザ照射により、上記
配線α７）（国土のＦｆｒ望位置を導電化して、コンタ
クト領域２１１（２２を形成する（第１２図）。次に、
上述と同じ手法で、第４のＧａＰ膜（葵を設け（！！５
１３図）、この第４のＧａＰ膜（ハ）内に上記コンタク
ト領域ｇｌ＋固を結ぶ配線例をレーザ照射により形成す
る（第１４図）つこうし之ことを繰り返すことにより表
面がフラットな状態でイ呵層にでも多層配線が行われる
。
されたシリコン基板１１２１上に２０００Ａ厚の第１の
ＧａＰ嘆０萄をスパッタリング法により設け（＠７図）
、不純物＠Ｍ、 ＋１０１ （Ｉ １１上にレーザを照
射して該当箇所のＧａＰ膜（１匈を導電化して、コンタ
クト部！、＋４）（＋５）を形成する（第８図）。その
後、同様に第２のＧａＰ膜（＋６１を２０００Ａ厚形成
しく第９図）、この第２のＧａＰ膜（１６）の所望の領
域にのみレーザ照射をして導電化を図り、配線Ｑη（１
８１ＩＩ俤を形成する（第１０図）。続いて、第３のＧ
ａＰ膜彌を設け（第１１図）、レーザ照射により、上記
配線α７）（国土のＦｆｒ望位置を導電化して、コンタ
クト領域２１１（２２を形成する（第１２図）。次に、
上述と同じ手法で、第４のＧａＰ膜（葵を設け（！！５
１３図）、この第４のＧａＰ膜（ハ）内に上記コンタク
ト領域ｇｌ＋固を結ぶ配線例をレーザ照射により形成す
る（第１４図）つこうし之ことを繰り返すことにより表
面がフラットな状態でイ呵層にでも多層配線が行われる
。
従って、このような配線方法を用いると、コンタクト部
や、配線同士の交差部に発生していた段差がなくなり、
断線等の心配がなくなるとともに、配線形成後の表面が
常にフラットになるので、三次元構造の実現が容易にな
る。
や、配線同士の交差部に発生していた段差がなくなり、
断線等の心配がなくなるとともに、配線形成後の表面が
常にフラットになるので、三次元構造の実現が容易にな
る。
また、これ等の実施例で、金属化合物としてはＧａＰを
用いたが、これはガリウムヒ素や塩化銀を用いることに
よっても実施可能である。
用いたが、これはガリウムヒ素や塩化銀を用いることに
よっても実施可能である。
（ト）発明の効果
以上述べたａｎ ＜ 、本発明配尽形成方法は、絶縁性
金示す金・萬化合物膜を設け、この金属化合物膜に適宜
レーザ光全照射してその化学組成を導電性を示すよう変
化させて配線を形成しているので、配線形成時に生じて
いた段差がなくなり、多層配線時に断線が生じる一伊れ
がなく、信頼性の高い装置が提供される。
金示す金・萬化合物膜を設け、この金属化合物膜に適宜
レーザ光全照射してその化学組成を導電性を示すよう変
化させて配線を形成しているので、配線形成時に生じて
いた段差がなくなり、多層配線時に断線が生じる一伊れ
がなく、信頼性の高い装置が提供される。
第１図乃至第６図は本発明配線方法の一実施例を工程順
に示した断面図、第７図乃至第１４図は本発明配線方法
の他の実施例を工程順に示した断面図である。 ＋１！０謁・・・シリコン基板、（２）・・・ＴｉＯ２
膜、（３）・・・Ａｌ配線、（４１（１３）（１６１（
２１）（２３）−Ｇ ａ Ｐ膜、＋５＋ ・・・透明電
極、！６）・−３ｉ ０２膜、ｉ７） ＋８）ｆ１４１
Ｑ５）（２１）固・・・コンタクト部、（９１−＆リ
サイド、１ｌｏｌ ＋１１）・・・不純物領域、α７１
ｕ８１１９）ｔ２４＋−・・配線。
に示した断面図、第７図乃至第１４図は本発明配線方法
の他の実施例を工程順に示した断面図である。 ＋１！０謁・・・シリコン基板、（２）・・・ＴｉＯ２
膜、（３）・・・Ａｌ配線、（４１（１３）（１６１（
２１）（２３）−Ｇ ａ Ｐ膜、＋５＋ ・・・透明電
極、！６）・−３ｉ ０２膜、ｉ７） ＋８）ｆ１４１
Ｑ５）（２１）固・・・コンタクト部、（９１−＆リ
サイド、１ｌｏｌ ＋１１）・・・不純物領域、α７１
ｕ８１１９）ｔ２４＋−・・配線。
Claims (1)
- （１）基板上に絶縁性を示す金属化合物膜を形成し、こ
の金属化合物膜に適宜レーザ光を照射して当該照射部の
化学組成を導電性を示すよう変化させて、配線を形成す
ることを特徴とした配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP934086A JPS62166546A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP934086A JPS62166546A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166546A true JPS62166546A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11717740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP934086A Pending JPS62166546A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489541A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Multilayer interconnection semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP934086A patent/JPS62166546A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489541A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Multilayer interconnection semiconductor device |
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