JPS62165963A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents

半導体集積回路の製造方法

Info

Publication number
JPS62165963A
JPS62165963A JP61008251A JP825186A JPS62165963A JP S62165963 A JPS62165963 A JP S62165963A JP 61008251 A JP61008251 A JP 61008251A JP 825186 A JP825186 A JP 825186A JP S62165963 A JPS62165963 A JP S62165963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
blocks
chips
polygonal shape
function
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61008251A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Uno
宇野 正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP61008251A priority Critical patent/JPS62165963A/ja
Publication of JPS62165963A publication Critical patent/JPS62165963A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路の製造方法に関するものである
従来の技術 従来の半導体集積回路ICチップは、長方形あるいは正
方形の形状、一般的には規則性のある四辺形を有してい
た。捷だ、ICの機能をいくつかの機能ブロックに分割
して作った場合にも、それぞれの機能を満足するブロッ
クの形状は長方形徒たは正方形であった。
発明が解決しようとする問題点 この従来例では、機能ブロックのどれか一つに不良が発
生すると、全体のチップは不良と判定され良品の歩留υ
が悪くなっていた。たとえば、所定機能回路が4つの機
能ブ07りに分けて配置された従来の長方形又は正方形
のチップの場合には、第2図に示すように×印の機能ブ
ロックに不良があると、単一ウェハ上でのチップ良品は
5個しかとれない。
本発明はこれらの欠点?改良する方法を提供することを
目的とする。
問題点を解決するための手段 同一ウェーハからとれる良品チップの採れ率を良くする
ために、ICチップをいくつかの機能ブロックに分け、
各ブロック間に分割の領域を設け、正しく動作する機能
ブロックを全て含む任意の多角形の形状を有するチップ
に切り出す工程をそなえたものである。
作用 本発明によれば、不良機能ブロックを隣接の正しく動作
する機能をブロックを選択してチップ内に取り込めるの
で、良品の採れ率を著しく改善することができる。
実施例 第1図に一実施例として、4ブロツク構成のICを考え
る。X印で示すような位置に不良ブロックが存在すると
仮定すると、多角形のチップの場合には良品が8個とれ
る。これは第2図の従来例の場合の1.6倍の良品率と
なる。
なお、第1図の多角形状の切出しには、レーザスクライ
ブにより少し出力をアップさせるか、又はウェーハ厚み
を裏面エッチによりや\薄目に形成することにより実現
可能となる。又、良品不良品のチップ判別はX−Yマ)
 IJワックスおける位置に関してパターン認識技術を
併用することにより可能となる。
発明の効果 任意の多角形のチップにすることにより、良品の採れ率
が著しく改善される。
【図面の簡単な説明】
第1図はABCD4ブロックからなるICチップの本実
施例における良品の形状を示す平面図、第2図は第1図
と同一の不良ブロック発生時における従来形状の良品チ
ップの状況を示す平面図である。 1〜8・・・・・・良品チップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所要の機能を有する回路部を複数の機能ブロックに分割
    して半導体基板上に反復的に配置し、不良機能ブロック
    を隣接の正しく動作する機能ブロックで置換して、全て
    の機能ブロックを含む任意の多角形の形状を有するチッ
    プに切り出すことを特徴とする半導体集積回路の製造方
    法。
JP61008251A 1986-01-17 1986-01-17 半導体集積回路の製造方法 Pending JPS62165963A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61008251A JPS62165963A (ja) 1986-01-17 1986-01-17 半導体集積回路の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61008251A JPS62165963A (ja) 1986-01-17 1986-01-17 半導体集積回路の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62165963A true JPS62165963A (ja) 1987-07-22

Family

ID=11687914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61008251A Pending JPS62165963A (ja) 1986-01-17 1986-01-17 半導体集積回路の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62165963A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134844A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Nec Corp 半導体ウェハのダイシング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134844A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Nec Corp 半導体ウェハのダイシング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5340772A (en) Method of increasing the layout efficiency of dies on a wafer and increasing the ratio of I/O area to active area per die
US5451801A (en) Adaptive configurable gate array
US5003374A (en) Semiconductor wafer
US5096855A (en) Method of dicing semiconductor wafers which produces shards less than 10 microns in size
US5659189A (en) Layout configuration for an integrated circuit gate array
JPH0621188A (ja) 半導体ウェハ
US6713843B2 (en) Scribe lines for increasing wafer utilizable area
JP2874682B2 (ja) 半導体装置
JPS62165963A (ja) 半導体集積回路の製造方法
JP2007227883A (ja) ベース半導体チップ、半導体集積回路装置及びその製造方法
JPS59220947A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04287369A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH04177818A (ja) 半導体集積回路
JPH01220843A (ja) マスタースライス集積回路
JPH03139862A (ja) 半導体装置
JPS6034016A (ja) 半導体集積回路ウェ−ハ及びその製造に用いるマスク
JPH022164A (ja) 集積回路
JPS58137209A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100223806B1 (ko) 웨이퍼 네이밍 패턴방법
JPS58207653A (ja) 半導体集積回路用マスタ・ウェ−ハ
JPH09139328A (ja) レーザーマーク付きウエハ
KR20070005841A (ko) 마스크와 반도체 장치의 제조 방법
JPS62188241A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0817150B2 (ja) 半導体製造装置の位置合わせ方法
JPS61287244A (ja) 半導体素子