JPS6216466B2 - - Google Patents
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- JPS6216466B2 JPS6216466B2 JP54146566A JP14656679A JPS6216466B2 JP S6216466 B2 JPS6216466 B2 JP S6216466B2 JP 54146566 A JP54146566 A JP 54146566A JP 14656679 A JP14656679 A JP 14656679A JP S6216466 B2 JPS6216466 B2 JP S6216466B2
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- chip
- bubble memory
- plasma ashing
- organic matter
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラスチツクパツケージ（以後単に
パツケージとよぶ）を用いた磁気バブルメモリデ
バイスの電気的接続の信頼性向上に関する。
パツケージとよぶ）を用いた磁気バブルメモリデ
バイスの電気的接続の信頼性向上に関する。
近年、原価低減のため、磁気バブルメモリデバ
イスにプラスチツクパツケージを採用し、バブル
メモリチツプをパツケージに固定する際、銀ペー
ストその他有機物を含有した接着剤を使用するこ
とが広く行なわれるようになつて来た。しかしこ
の様なバブルメモリデバイスの信頼性は必ずしも
満足すべき状態ではなかつた。
イスにプラスチツクパツケージを採用し、バブル
メモリチツプをパツケージに固定する際、銀ペー
ストその他有機物を含有した接着剤を使用するこ
とが広く行なわれるようになつて来た。しかしこ
の様なバブルメモリデバイスの信頼性は必ずしも
満足すべき状態ではなかつた。
第１図は、プラスチツクパツケージに磁気バブ
ルメモリチツプ（以後単にチツプとよぶ）を銀ペ
ーストにより固定し、150℃で２時間キユアした
後、チツプのボンデイングパツドとパツケージの
導体パターン間を、直径35μｍの金線により超音
波ボールボンデイング法により結線したサンプル
に対し、金線を引張つてワイヤボンデイング部分
の接続強度を測定した結果を示す。この剥離強度
分布図（ヒストグラフ）にはＡ、B2個所のピー
クがあり、Ｂピークの端部は剥離強度１ｇまで延
びており、強度０ｇすなわち不完全接続もしくは
接続不良のものもある。（試料母集団の大きさが
関係するのでヒストグラフ縦軸の個数は特に示さ
なかつたが、ピークの生ずる強度、ヒストグラフ
のピーク形状等については常に同様であつた。）
この様な接続強度の弱い物が生ずる原因は、銀ペ
ースト中に含有される有機物溶剤などが蒸発し、
この蒸気がチツプやパツケージのボンデイングパ
ツド部分に結露して、これらの部分の表面を有機
物薄膜で被覆することにある。前記接続強度試験
を、チツプをパツケージに固定した後、洗じよう
してからワイヤボンデイングを行なつた試料につ
いて行うと、Ｂのピークが下がりＡのピークは上
がる。洗じようを良く行うほどＢのピークは下が
つて行くが、このピークを完全に消滅させること
は、ほとんど不可能に近かつた。また刃物を使用
して有機物膜を除去することはできるが、通常ワ
イヤボンデイングを行うボンデイングパツド部分
表面の金めつた層の厚さは数μｍに過ぎず、金線
を超音波ボールボンデイングするために必須のこ
の金めつき層を残して有機物膜を完全に削り去る
のは至難の業である。いずれにせよ従来はワイヤ
ボンデイングの対象となるボンデイングパツド表
面の有機物薄膜を除去して完全な電気的接続を行
うのに適した量産的方法がなく、したがつて良心
的な品質管理を行つても、ある程度は、第１図の
ピークＢに該当する製品が混入して出荷される恐
れがあるという問題があつた。
ルメモリチツプ（以後単にチツプとよぶ）を銀ペ
ーストにより固定し、150℃で２時間キユアした
後、チツプのボンデイングパツドとパツケージの
導体パターン間を、直径35μｍの金線により超音
波ボールボンデイング法により結線したサンプル
に対し、金線を引張つてワイヤボンデイング部分
の接続強度を測定した結果を示す。この剥離強度
分布図（ヒストグラフ）にはＡ、B2個所のピー
クがあり、Ｂピークの端部は剥離強度１ｇまで延
びており、強度０ｇすなわち不完全接続もしくは
接続不良のものもある。（試料母集団の大きさが
関係するのでヒストグラフ縦軸の個数は特に示さ
なかつたが、ピークの生ずる強度、ヒストグラフ
のピーク形状等については常に同様であつた。）
この様な接続強度の弱い物が生ずる原因は、銀ペ
ースト中に含有される有機物溶剤などが蒸発し、
この蒸気がチツプやパツケージのボンデイングパ
ツド部分に結露して、これらの部分の表面を有機
物薄膜で被覆することにある。前記接続強度試験
を、チツプをパツケージに固定した後、洗じよう
してからワイヤボンデイングを行なつた試料につ
いて行うと、Ｂのピークが下がりＡのピークは上
がる。洗じようを良く行うほどＢのピークは下が
つて行くが、このピークを完全に消滅させること
は、ほとんど不可能に近かつた。また刃物を使用
して有機物膜を除去することはできるが、通常ワ
イヤボンデイングを行うボンデイングパツド部分
表面の金めつた層の厚さは数μｍに過ぎず、金線
を超音波ボールボンデイングするために必須のこ
の金めつき層を残して有機物膜を完全に削り去る
のは至難の業である。いずれにせよ従来はワイヤ
ボンデイングの対象となるボンデイングパツド表
面の有機物薄膜を除去して完全な電気的接続を行
うのに適した量産的方法がなく、したがつて良心
的な品質管理を行つても、ある程度は、第１図の
ピークＢに該当する製品が混入して出荷される恐
れがあるという問題があつた。
本発明は上記の様な問題のない、ワイヤボンデ
イングが確実に行なわれたバブルメモリデバイス
及びその製造方法を提供することを目的とする。
イングが確実に行なわれたバブルメモリデバイス
及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明においては、
チツプをパツケージに固定してから、まず有機物
を灰化する能力のあるプラズマ灰化装置の放電箱
に入れて放電プラズマによつてボンデイングパツ
ド表面に付着した有機物薄膜を灰化して除去し、
清浄な金属面を露出させた後、ワイヤボンデイン
グを行うこととした。
チツプをパツケージに固定してから、まず有機物
を灰化する能力のあるプラズマ灰化装置の放電箱
に入れて放電プラズマによつてボンデイングパツ
ド表面に付着した有機物薄膜を灰化して除去し、
清浄な金属面を露出させた後、ワイヤボンデイン
グを行うこととした。
以下本発明実施例につき更に詳しく説明する。
チツプをパツケージに従来と同様に銀ペーストで
固定して150℃で２時間キユアしてから、プラズ
マ灰化装置の放電箱内に入れ、放電プラズマを発
生させる。この時の放電箱内雰囲気は、通常プラ
ズマ灰化装置で使用するアルゴンや酸素は勿論、
減圧した空気でも差支えない。プラズマ発生用高
周波出力は約700Wであつたが、放電箱の容積に
応じて加減すればよい。またプラズマ中に試料を
置く時間は当初20分間としたが、この実験の場
合、５分間以上プラズマ中で灰化処理を行えば、
十分有機物層を除去する効果が現れることがわか
つた。上記の如き条件でプラズマ中で有機物質層
を灰化させた試料を純水の流水中でスクラビング
を行つた。これは、やわらかな合成樹脂繊維を植
毛したブラシで、パツケージ及びチツプの全面を
こすり、これらの表面上の灰化された有機物残渣
を除去する作業で、量産工程向けに機械化するこ
とは容易である。この後スピナで水切りしてから
ワイヤボンデイングを行なつた。第２図は、この
様にして製作した試料について、第１図に示した
場合同様に金線を引張つて接続強度を測定した結
果を示すヒストグラフであるが、第１図の場合に
見られたピークＢは消滅し、剥離強度12ｇ近辺を
中心とするピークＡのみが現れた。金線の太さが
変ればピークの生ずる剥離強度も変ることは言う
までもないが、ピークは常に１個所しか現れな
い。
チツプをパツケージに従来と同様に銀ペーストで
固定して150℃で２時間キユアしてから、プラズ
マ灰化装置の放電箱内に入れ、放電プラズマを発
生させる。この時の放電箱内雰囲気は、通常プラ
ズマ灰化装置で使用するアルゴンや酸素は勿論、
減圧した空気でも差支えない。プラズマ発生用高
周波出力は約700Wであつたが、放電箱の容積に
応じて加減すればよい。またプラズマ中に試料を
置く時間は当初20分間としたが、この実験の場
合、５分間以上プラズマ中で灰化処理を行えば、
十分有機物層を除去する効果が現れることがわか
つた。上記の如き条件でプラズマ中で有機物質層
を灰化させた試料を純水の流水中でスクラビング
を行つた。これは、やわらかな合成樹脂繊維を植
毛したブラシで、パツケージ及びチツプの全面を
こすり、これらの表面上の灰化された有機物残渣
を除去する作業で、量産工程向けに機械化するこ
とは容易である。この後スピナで水切りしてから
ワイヤボンデイングを行なつた。第２図は、この
様にして製作した試料について、第１図に示した
場合同様に金線を引張つて接続強度を測定した結
果を示すヒストグラフであるが、第１図の場合に
見られたピークＢは消滅し、剥離強度12ｇ近辺を
中心とするピークＡのみが現れた。金線の太さが
変ればピークの生ずる剥離強度も変ることは言う
までもないが、ピークは常に１個所しか現れな
い。
なおセラミツクパツケージに銀ペーストでチツ
プを固定し、キユア温度を200℃近くまで高めた
場合も、プラスチツクパツケージの材質がフエノ
リツク系の場合、ガラス繊維入りエポキシ系の場
合でも同様の効果があつた。またプラスチツクパ
ツケージにGGG基板を用いた磁気バブルチツプ
を固定する場合に限らず、プラスチツクにSi半導
体チツプを接着剤で固定した場合にも、プラズマ
灰化処理によつて、ワイヤボンデイング強度に関
する限り、磁気バブルメモリチツプの場合同様な
効果が得られた。
プを固定し、キユア温度を200℃近くまで高めた
場合も、プラスチツクパツケージの材質がフエノ
リツク系の場合、ガラス繊維入りエポキシ系の場
合でも同様の効果があつた。またプラスチツクパ
ツケージにGGG基板を用いた磁気バブルチツプ
を固定する場合に限らず、プラスチツクにSi半導
体チツプを接着剤で固定した場合にも、プラズマ
灰化処理によつて、ワイヤボンデイング強度に関
する限り、磁気バブルメモリチツプの場合同様な
効果が得られた。
以上説明した如く本発明によれば、磁気バブル
メモリチツプを、プラスチツクパツケージに、安
価な銀ペーストその他有機接着剤を用いて固定し
た際、プラズマ灰化処理を主とする簡単な有機物
層除去工程を追加するだけで、高い信頼度でワイ
ヤボンデイングを行うことができるという効果が
ある。
メモリチツプを、プラスチツクパツケージに、安
価な銀ペーストその他有機接着剤を用いて固定し
た際、プラズマ灰化処理を主とする簡単な有機物
層除去工程を追加するだけで、高い信頼度でワイ
ヤボンデイングを行うことができるという効果が
ある。
第１図は従来の方法を用いた場合のワイヤボン
デイング強度分布を示すヒストグラフ、第２図は
本発明実施例に対するボンデイング強度分布を示
すヒストグラフである。
デイング強度分布を示すヒストグラフ、第２図は
本発明実施例に対するボンデイング強度分布を示
すヒストグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バブルメモリチツプを有機物含有材料を用い
てパツケージに固定してから、該チツプのボンデ
イングパツドと該パツケージの導体パターン間の
結線作業に先立つて、有機物を灰化する能力を有
するプラズマ灰化装置の放電箱内でプラズマ灰化
処理した後、前記結線作業を行なつたことを特徴
とするバブルメモリデバイス。 ２ バブルメモリチツプを有機物含有材料を用い
てパツケージに固定してから、該チツプのボンデ
イングパツドと該パツケージの導体パターン間の
結線作業に先立つて、有機物を灰化する能力を有
するプラズマ灰化装置の放電箱内でプラズマ灰化
処理したのち、前記結線作業を行うようにしたこ
とを特徴とするバブルメモリデバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14656679A JPS5671872A (en) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | Bubble memory device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14656679A JPS5671872A (en) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | Bubble memory device and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5671872A JPS5671872A (en) | 1981-06-15 |
| JPS6216466B2 true JPS6216466B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=15410566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14656679A Granted JPS5671872A (en) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | Bubble memory device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5671872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01144854U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028761A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 |
-
1979
- 1979-11-14 JP JP14656679A patent/JPS5671872A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028761A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01144854U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5671872A (en) | 1981-06-15 |
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