KR20050042977A - 프로브 핀 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 집적회로 장치를 테스트하기 위한 프로브 핀(probe pin) 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 프로브 핀 제조방법은, 반도체의 전기적 특성을 조사하는 프로브 카드에 설치되는 프로브 핀을 제조하는 방법으로서, (c) 프로브 핀을 소정의 절연물질 용액에 침적하는 단계; (d) 프로브 핀을 소정의 속도로 인상시켜, 프로브 핀의 외부에 절연막을 형성하는 단계; (e) 소정의 용해제를 이용하여 프로브 핀의 소정 부위의 절연막을 박리시키는 단계; 및 (f) 프로브 핀을 소정의 프로브 카드에 설치하는 단계를 포함한다.

Description

프로브 핀 및 이를 제조하는 방법 {Prove pin and manufacturing method thereof}

본 발명은 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 집적회로 장치를 테스트하기 위한 프로브 핀(probe pin) 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 반도체칩 및 각종 미세회로를 갖는 부품의 회로의 이상유무를 측정에 이용되는 프로브 카드에 설치되어 반도체 칩의 전극과 접속하는 프로브 핀 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 상에 반도체 칩으로서 제작된 반도체 회로는, 웨이퍼를 복수의 독립적인 칩으로 분리하기 전에 프로브 카드 및 회로 테스터로 전기적 특성에 관한 제품 테스트를 거친다.

이 프로브 카드에는 예를 들면, IC 웨이퍼 위의 각 칩에 형성된 전극패드(pad)에 대응하는 프로브 핀이 설치되어 있고, 이 프로브 핀을 전극패드에 눌러 패드의 전기적인 결선상태, 예를들면 오픈(open) 검사 및 쇼트 검사 등을 행할 수 있다.

한편, 최근에는 메모리 디바이스의 대용량화와 패키지(package)의 소량화 등에 따라 IC 웨이퍼 위에 형성된 전극 패드의 간격이 협소화 되어지고 있다. 또한 이 전극 패드의 간격이 좁아짐에 따라 전극 패드 자체도 소형화되고 있다.

이러한 전극 패드 간격의 협피치화에 의해, 전극 패드의 결선 상태를 측정하는 프로브 카드에 있어서도, 프로브 핀의 협피치화가 요구되어 지고 있으며, 이에 따라서, 프로브 핀 자체의 직경 및 프로브 핀간의 간격도 작아질 것이 요구된다.

도 1 은 종래기술에 따른 반도체 테스트에 이용되는 다양한 프로브 카드들 중 일 예의 단면을 도시한 도면이다. 도 1 을 참조하면, 도면 부호 10으로 지정된 프로브 카드는, 내부에 중앙 애퍼쳐 (12)가 있는 카드 플레이트 (14) 및 카드 플레이트 (14) 의 저부 표면의 외주 영역에 부착되고 그 외주 영역에서 카드 플레이트 (14) 의 중앙 애퍼쳐 (12) 쪽으로 경사 방향으로 하방으로 연장하는 복수의 프로브 핀(프로브 핀)들을 포함한다. 각 프로브 핀 (16) 의 팁은 중앙 애퍼쳐 (12) 의 직하부에 위치한다.

각 프로브 핀 (16) 의 기단부는, 카드 플레이트 (14)를 관통하는 비어 플러그 (22) 의 저부와 접촉하며, 비어 플러그 및 결속선 (26) 을 통해 카드 터미널 (28) 에 연결된다. 카드 터미널 (28) 은 도시되지 않은 회로 테스터에 전기적으로 연결한다. 프로브 핀 (16)은, 거의 수직방향으로 유도된 팁부를 가지며, 에폭시 수지로 이루어지고, 카드 플레이트 (14) 상의 중앙 애퍼쳐 (12) 의 외주 근처에 형성된 핀 서포트 (24) 에 의해 그 팁 부 주변에서 지지된다.

일반적으로, 프로브 핀 (16)의 팁이 반도체 웨이퍼 (20) 에서 테스트 중인 반도체 칩의 칩 전극 (18) 상을 미끄러져 가는 동안, 프로브 카드 (10) 로 반도체 칩을 테스트한다.

프로브 핀 (16)은, 텅스텐 (W), 텅스텐을 함유한 레늄 (ReW), 베릴늄 구리 (BeCu) 등과 같은 강철로 이루어지며, 우수한 기능성 및 우수한 탄성을 갖는다. 프로브 핀 (16) 의 제작을 위해서, 원형 단면을 가진 미소 직경의 금속선을 형성하도록, 강 철 잉곳을 인장시킨다. 큰 탄성, 우수한 내마모성, 및 우수한 기능성 또는 수십 마이크로미터의 직경을 가진 금속선으로 형성시키기에 적합한 성질 때문에, ReW가 프로브 핀 (16) 의 재료로서 가장 적합하다.

도 2a 및 도 2b 는 도 1 의 프로브 핀 부분을 도시한 상세도이다. 도 2a 및 도 2b 를 참조하면, 각 프로브 핀은 핀 서포트(24)에 의해서 소정의 간격으로 고정된다. 그 후, 핀 서포트(24)에서부터 PCB 기판인 카드 플레이트(14)에 접속되는 부분까지는 서로 인접한 각 프로브 핀간의 접촉 및 단락을 방지하기 위해서 소정의 지름을 갖는 필름 튜브를 수작업으로 끼워서 카드 플레이트(14)에 접속시키게 된다.

그러나, 반도체 칩이 고집적화되어 감에 따라서 프로브 핀도 고밀도로 배열될 것이 요구되나, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 바와 같이, 각 프로브 핀간에 접촉 및 단락을 방지하기 위해서 프로브 핀의 지름보다 더 큰 지름을 갖는 필름 튜브를 끼워서 각 프로브 핀을 절연하는 경우에는 필름 튜브의 두께(10 미크론 이상)로 인해서 프로브 핀을 고밀도로 배열하는 것이 어려울 뿐 아니라 사람의 수작업으로 필름 튜브를 각 프로브 핀에 삽입할 것이 요구되므로, 삽입을 용이하게 하기 위한 여유 공간을 설치해야 하므로 프로브 핀간의 간격을 수십 미크론 이내로 줄일 수 없고, 필름 튜브의 사용을 억제하기 위해서 프로브 핀간의 간격을 크게 하는 경우에도 또한 고밀도 배열이 어려워 고밀도로 집적된 반도체 칩의 테스트에는 적합하지 않는 문제가 있다.

또한, 각각의 프로브 핀에 사람이 수작업으로 필름 튜브를 삽입함으로 인해서 튜브 피복의 파손 발생 및 생산 능률이 떨어지는 문제점이 발생한다.

본 발명의 목적은 프로브 핀과 프로브 핀사이의 간격(pitch)을 최소화하면서도 프로브 핀간의 단락을 방지할 수 있는 프로브 핀을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 이러한 프로브 핀을 만드는 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상술한 프로브 핀을 포함하는 프로브 카드를 제공하는 것이다.

본 발명은 프로브 핀을 미세 절연막으로 코팅한 후, 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 부분을 선택적으로 박리함으로써, 각 프로브 핀간에 단락이 발생하는 문제, 및 종래의 프로브 핀간의 고밀도 배열을 할 수 없는 문제점을 해결하였다.

상술한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 프로브 핀 제조 방법은, 반도체의 전기적 특성을 조사하는 프로브 카드에 설치되는 프로브 핀을 제조하는 방법으로서, (c) 프로브 핀을 소정의 절연물질 용액에 침적하는 단계; (d) 프로브 핀을 소정의 속도로 인상시켜, 프로브 핀의 외부에 절연막을 형성하는 단계; (e) 소정의 용해제를 이용하여 프로브 핀의 소정 부위의 절연막을 박리시키는 단계; 및 (f) 프로브 핀을 소정의 프로브 카드에 설치하는 단계를 포함한다.

또한, 상술한 프로브 핀 제조 방법의 (c) 단계 이전에, (a1) 프로브 핀을 소정의 용제에 침적하여 프로브 핀에 부착된 오염물을 제거하는 단계; 및 (a2) 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상술한 프로브 핀 제조 방법의 (c) 단계 이전에, (b1) 프로브 핀을 접착력 증진 물질을 포함하는 용액에 침적하는 단계; 및 (b2) 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상술한 프로브 핀 제조 방법의 (a) 단계 이전에, (a1) 프로브 핀을 소정의 용제에 침적하여 프로브 핀에 부착된 오염물을 제거하는 단계; (a2) 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계; (b1) 접착력 증진 물질을 포함하는 용액에 프로브 핀을 침적하는 단계; 및 (b2) 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 절연 물질이 posi 타입의 감광성 물질인 경우에, 상술한 프로브 핀 제조 방법의 (e) 단계는, (e1) 소정의 필름 막으로 박리할 소정 부위 이외의 프로브 핀을 마스킹하는 단계; (e2) 프로브 핀에 소정 파장의 광을 노광하는 단계; 및 (e3) 소정의 용해제를 이용하여, 노광된 소정 부위를 박리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 절연 물질이 nega 타입의 감광성 물질인 경우에, 상술한 프로브 핀 제조 방법의 (e) 단계는, (e1) 소정의 필름 막으로 박리할 소정의 부위를 마스킹하는 단계; (e2) 프로브 핀에 소정 파장의 광을 노광하는 단계; 및 (e3) 소정의 용해제를 이용하여, 노광되지 않은 소정 부위를 박리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

한편, 상술한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 프로브 카드 제조 방법은, 상술한 프로브 핀 제조 방법에 의해서 제조된 복수의 프로브 핀을 소정의 틀에 소정의 간격으로 배열하는 단계; 용융 상태의 에폭시 수지를 틀에 주입하고 에폭시 수지를 복수의 프로브 핀과 함께 경화시켜, 프로브 핀 지지부를 생성하는 단계; 및 프로브 핀 지지부를 소정의 인쇄회로 기판에 장착하고, 프로브 핀을 인쇄회로 기판에 접속하는 단계를 포함한다.

한편, 상술한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 프로브 핀은, 반도체 칩의 전기적 특성을 테스트하는데 이용되는 프로브 카드에 설치되는 프로브 핀으로서, 프로브 핀은 프로브 핀 주위에 소정의 절연막이 형성되고, 프로브 핀의 말단부 중 어느 하나는 반도체 칩의 전극 패드와 접속되도록 절연막이 제거된 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

도 3 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 핀 제조 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 먼저, 프로브 핀 모재를 유기 용제에 넣고 초음파 세정을 통해 오염물과 프로브 핀 모재 표면의 입자들을 제거한다(S310). 프로브 핀에 존재하는 입자는 후술하는 공정에 따라서 프로브 핀을 액상 유기물에 침적 코팅할때, 표면장력에 의해 액적(bead) 으로 형성된다. 이러한 액적으로 인해, 프로브 핀을 등간격으로 배열하기 어려워 질 뿐만 아니라, 입자가 단단한 물질일 경우 절연층을 형성한 후에도, 해당 프로브 핀은 물론이고, 인접한 프로브 핀의 피복을 파손시켜 단락을 초래할 가능성이 높다.

따라서, 이를 제거하기 위하여 아세톤(acetone)과 같은 용제에 프로브 핀 모재를 침적한 후 초음파 세정을 하거나, 이소프로필알콜(IPA;Isopropylalcohol)과 같은 용제에 모재를 침적한 후 초음파 세정을 한다.

그 후, DI (증류수)로 프로브 핀 모재를 씻어 낸 후, 입자를 제거하기 위해 사용된 용제, 또는 증류수에서 세척 후 잔존 액체 (용제 또는 증류수)를 제거하기 위해 50℃~100℃에서 1~5 분간 건조한다(S315).

입자가 제거되고 건조된 모재에 절연막 코팅에 이용되는 유기 물질에 적합한 접착력 증진 물질(adhesion promotor)을 코팅한다(S320). 이 때 사용되는 대부분의 접착력 증진 물질 (adhesion promotor)은 실란(silane)기가 포함되어 있는 유기물로 구성되고, HMDS (hexamethyldisilazane)가 이러한 접착력 증진 물질의 대표적인 예이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 절연막 코팅에 이용되는 유기 물질로서 감광성 절연성 유기물질인 BCB (bisbenzocyclobutene)가 이용되는 경우에, 이에 적합한 접착력 증진 물질로서 vinyltriacetoxysilane 또는 aminopropyltriethoxysilane을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 절연막 코팅에 이용되는 유기 물질이 비감광성 물질인 경우에도, 각각의 비감광성 물질에 대응되는 접착력 증진 물질이 이용될 수 있음이 당업자에게 자명할 것이다.

한편, 접착력 증진 물질을 프로브 핀 전체에 침적 코팅한 후, 소정의 온도(예컨대, 50℃~100℃)에서 약 1 내지 5 분간 건조시켜, 접착력 증강을 위한 고형분 (solid)만 남기고 용제 성분을 증발시켜 제거한다(S325).

그 후, 접착력 증진 물질의 고형분이 침착된 프로브 핀을 절연성 유기물질이 용해된 용액에 수직으로 침적하고, 프로브 핀을 인상시키면서 코팅을 수행한다(S330). 도 4a 내지 도 4c 에 도시된 바와 같이, 소정의 고정부(400)에 복수개의 프로브 핀(416)을 장착하고, 유기물질 용액(430)에 수직으로 서서히 소정의 깊이까지 침적한 후, 침적된 프로브 핀(416)을 필요한 두께에 대응되는 속도로 인상하여 코팅을 수행한다.

고정부(400)에 설치된 프로브 핀은 크게 핀 서포트(24)의 외부에서 반도체의 전극 패드에 접하는 접점부(416a), 핀 서포트(24)에 의해서 고정되는 지지부(416b), 및 핀 서포트(24)의 외부에서부터 PCB 기판에 접속되는 부분까지인 기판 연결부(416c)의 세 부분으로 구성된다.

프로브 핀(416)의 침적시에는 필요에 따라서 전부 또는 일부만을 침적하여 코팅할 수 있는데, 이때, 접점부(416a) 및 지지부(416b)의 전부가 침적될 것이 요구되고, 기판 연결부(416c)는 인접하는 프로브 핀(416)간의 절연을 유지할 수 있을 정도의 길이만큼 침적한다(S332).

그 후, 프로브 핀을 소정의 속도로 인상시키면서 액체의 표면 장력과 중력을 이용하여 코팅을 수행한다(S334). 이때 코팅되는 절연막의 두께는 인상 속도 및 액체의 점도에 따라서 결정되는데, 인상 속도가 빠르면 코팅되는 절연막의 두께는 두꺼워지고, 인상 속도가 느리면 코팅되는 절연막의 두께는 얇아진다.

또한, 액상인 유기 물질의 점도가 높을수록 코팅되는 절연막 두께는 두꺼워지며, 점도가 낮을수록 코팅되는 절연막의 두께가 얇아진다. 만약, 점도가 낮은 물질로 프로브 핀을 코팅할 경우에는 제 S322 단계 내지 후술하는 제 S340 단계를 복수회 반복하여 필요로 하는 두께의 절연막을 얻을 수 있다.

이때, 코팅에 이용되는 절연성 유기 물질로서는, 비감광성 물질뿐 아니라, 해당 폴리머의 내부에 특정한 파장의 빛에 반응하는 감광기를 갖는 폴리머로서 자외선 또는 X 선과 같은 광원을 이용하여 노광한 후, 현상제 (developer)를 이용하여 미세한 부분을 선택적으로 가공 할 수 있는 감광성 폴리머가 이용될 수 있다.

또한, 코팅에 이용되는 절연성 유기 물질로서, polyimimde 계, epoxy를 기본으로 하는 열경화성 폴리머, 및 siloxane을 포함한 열경화성 폴리머와 같은 비감광성 물질과, 감광성 물질로는 이 물질들에 감광기를 결합시킨 물질이 이용될 수 있고, 이러한 물질들을 이용하는 경우에는 절연막간의 내마모성, 밀착성, 및 전기적 특성이 양호하게 나타남을 실험을 통해서 알 수 있다.

이 밖에도, 절연물로서 polyurethane계, polyester계, PMMA (Polymethyl methacryate), PA(polyamide), PC (polycarbonate), 등을 사용 할 수 있다.

한편, 프로브 핀 주위에 코팅된 유기 물질은 GEL 상태이므로, 후 공정 처리를 위해서 일정한 경도를 갖도록 소정의 온도(예컨대, 50℃~150℃)에서 약 1 내지 5 분간 건조하는 소프트 베이크(soft bake) 과정을 수행한다(S340). 제 S330 단계가 수행된 직후의 절연막은 다량의 용제가 포함된 sol 또는 gel 상태로서, 주변의 자극에 막이 손상될 수 있는 매우 취약한 상태이므로, 노광과 같은 후공정 진행시 접촉에 의한 손상을 받을 수 있기 때문에, 코팅된 프로브 핀을 건조시킴으로써 절연막내 포함된 용제를 증발시켜 막을 견고하게 한다.

소프트 베이크 과정을 거친 프로브 핀은 반도체의 전극에 접속될 수 있도록, 접점부(416a)의 절연막을 박리시킨다(S350). 절연막으로 감광성 폴리머가 코팅된 경우의 접점부 박리 방법을 설명하면, 감광성 절연 물질이 posi 타입인 경우에는 프로브 핀을 일정 간격으로 나열할 수 있는 평면 기구에 올려놓고, 절연막을 유지할 부분을 소정의 필름 막으로 마스킹한 후, 박리할 부분(접점부)에 자외선을 조사한다.

한편, 감광성 절연 물질이 nega 타입인 경우에는 프로브 핀을 일정 간격으로 나열할 수 있는 평면 기구에 올려놓고, 절연막을 제거할 부분을 소정의 필름 막으로 마스킹한 후, 절연막을 유지할 부분에 자외선을 조사한다. 이 경우에 노광기는 일반 반도체 공정용 노광기 (exposure)를 사용 하거나, 임의로 제작하여 사용할 수 있다.

절연막이 형성된 프로브 핀에 대해서 일정 부분을 노광(exposure)한 후, 현상(develop)하는 공정을 거쳐, 현상제(developer)를 사용하여 접점부(416a)를 제거한다. 절연 물질에 따라서 solvent, remover, developer, 또는 알코올을 이용하여 박리하고자 하는 부위의 절연막을 용해시킬 수도 있다. 한편, 감광성(?) 폴리머 사용시 절연성 유기 박막을 형성 후 소프트 베이크(soft bake)를 하거나 bake를 하지 않은 상태에서 박리제 (remover) 만을 사용하여 접점부를 제거할 수 있다(?).

접점부의 박리가 수행된 프로브 핀은 코팅된 절연 물질별로 최적의 특성을 나타낼 수 있는 열처리 조건을 적용하여 열처리(hard bake 또는 curing)를 수행한다(S360).

동일한 polyimide 계의 절연 물질이라도 용도 및 종류가 다양하고, 이에 따라 열처리 온도(curing temperature)가 다르나, polyimide는 대략 300도 내지 350도에서 열처리가 수행되고, BCB 같은 물질 또한 그 종류가 다양하나 대략 250도 정도의 온도에서 열처리가 수행된다. 한편, polyester계, PMMA (Polymethyl methacryate), PC (polycarbonate)의 물질은 단순히 절연만 되도록 절연막을 형성하는 경우에는 상온에서 코팅 처리만 할 수도 있다.

한편, 반도체 칩의 전극패드와 전기적으로 소통될, 상술한 과정을 수행하여 생성된 프로브 핀의 접점부(416a)는 박리되고, 그 외의 지지부(416b)와 기판 연결부(416c)는 소정의 두께로 절연막으로 코팅된 구조를 갖는다. 이 프로브 핀(416)은 테스트할 반도체 칩의 전극패드 간격에 대응되는 간격으로 소정의 틀속에 배열되고, 그 속에 에폭시 수지를 주입하여 도 1 의 지지부(24)를 형성한 후, 형성된 지지부(24)와 프로브 핀들로 구성된 구조체를 플레이트 기판에 실장하고, 프로브 핀의 기판 연결부(416c)를 플레이트 기판에 접속시켜 프로브 카드를 생성한다(S370).

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따라서 생성된 프로브 핀을 이용하면, 각 프로브 핀은 미세한 절연막으로 코팅되어, 인접한 프로브 핀간의 절연성이 우수할 뿐만 아니라, 프로브 핀간의 간격을 최소화 할 수 있어 고밀도 배열이 가능하므로, 고집적된 반도체 칩의 테스트에 적합하다.

아울러, 핀 서포트 내부에 포함되는 프로브 핀의 부위에 절연막이 이미 형성되어 있으므로, 에폭시 수지를 이용하여 핀 서보트 생성과정에서 핀 서포트 내부에서 프로브 핀간의 단락을 예방할 수 있다.

도 1 은 종래기술에 따른 반도체 테스트에 이용되는 프로브 카드의 단면을 도시한 도면이다.

도 2a 및 도 2b 는 도 1 의 프로브 핀 부분을 도시한 상세도이다.

도 3 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 핀 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.

도 4a 내지 도 4c 는 프로브 핀에 절연막을 코팅하는 과정을 설명하는 도면이다.

Claims (18)

1. 반도체의 전기적 특성을 조사하는 프로브 카드에 설치되는 프로브 핀을 제조하는 방법으로서,

   (c) 프로브 핀을 소정의 절연물질 용액에 침적하는 단계;

   (d) 상기 프로브 핀을 소정의 속도로 인상시켜, 상기 프로브 핀의 외부에 절연막을 형성하는 단계;

   (e) 소정의 용해제를 이용하여 상기 프로브 핀의 소정 부위의 절연막을 박리시키는 단계; 및

   (f) 상기 프로브 핀을 소정의 프로브 카드에 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계 이전에

   (a1) 상기 프로브 핀을 소정의 용제에 침적하여 상기 프로브 핀에 부착된 오염물을 제거하는 단계; 및

   (a2) 상기 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계 이전에

   (b1) 상기 프로브 핀을 접착력 증진 물질을 포함하는 용액에 침적하는 단계; 및

   (b2) 상기 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에

   (a1) 상기 프로브 핀을 소정의 용제에 침적하여 상기 프로브 핀에 부착된 오염물을 제거하는 단계;

   (a2) 상기 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계;

   (b1) 접착력 증진 물질을 포함하는 용액에 상기 프로브 핀을 침적하는 단계; 및

   (b2) 상기 프로브 핀을 소정의 온도에서 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
5. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 (a1) 단계는

   상기 프로브 핀을 소정의 용제에 침척한 후, 초음파를 이용하여 상기 프로브 핀을 세정하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 소정의 용제는

   아세톤 또는 이소프로필알코올인 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
7. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 (a2) 단계는

   상기 프로브 핀을 50℃ 내지 100℃ 의 온도에서 1분 내지 5분간 건조시키는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
8. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

   상기 접착력 증진 물질은 상기 소정의 절연물질에 따라서 선택되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
9. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 접착력 증진 물질은

   실란(silane)기가 포함되어 있는 유기물인 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
10. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

    상기 소정의 절연 물질은 감광성 유기물질인 BCB (bisbenzocyclobutene)이고, 상기 접착력 증진 물질은 vinyltriacetoxysilane 또는 aminopropyltriethoxysilane인 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
11. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는

    상기 프로브 핀을 50℃ 내지 100℃ 의 온도에서 1분 내지 5분간 건조시키는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연물질은

    특정 파장의 광원에 반응하는 감광기를 갖는 감광성 물질인 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조방법.
13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계는

    상기 절연 물질 용액의 점도를 고려하여 인상 속도를 결정하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
14. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계는

    상기 외부에 절연막이 형성된 프로브 핀을 소정의 온도에서 소정의 시간동안 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
15. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연 물질이 posi 타입의 감광성 물질인 경우에, 상기 (e) 단계는,

    (e1) 소정의 필름 막으로 상기 박리할 소정 부위 이외의 프로브 핀을 마스킹하는 단계;

    (e2) 상기 프로브 핀에 소정 파장의 광을 노광하는 단계; 및

    (e3) 상기 소정의 용해제를 이용하여, 상기 노광된 상기 소정 부위를 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
16. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연 물질이 nega 타입의 감광성 물질인 경우에, 상기 (e) 단계는,

    (e1) 소정의 필름 막으로 상기 박리할 소정의 부위를 마스킹하는 단계;

    (e2) 상기 프로브 핀에 소정 파장의 광을 노광하는 단계; 및

    (e3) 상기 소정의 용해제를 이용하여, 상기 노광되지 않은 상기 소정 부위를 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀 제조 방법.
17. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 제조 방법을 이용하여 제조된 복수의 프로브 핀을 소정의 틀에 소정의 간격으로 배열하는 단계;

    용융 상태의 에폭시 수지를 상기 틀에 주입하고 상기 에폭시 수지를 상기 복수의 프로브 핀과 함께 경화시켜, 프로브 핀 지지부를 생성하는 단계; 및

    상기 프로브 핀 지지부를 소정의 인쇄회로 기판에 장착하고, 상기 프로브 핀을 상기 인쇄회로 기판에 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
18. 반도체 칩의 전기적 특성을 테스트하는데 이용되는 프로브 카드에 설치되는 프로브 핀으로서,

    상기 프로브 핀은 프로브 핀 주위에 소정의 절연막이 형성되고, 상기 프로브 핀의 말단부 중 어느 하나는 상기 반도체 칩의 전극 패드와 접속되도록 상기 절연막이 제거된 것을 특징으로 하는 프로브 핀.