KR100674995B1 - 레이저를 이용한 소켓 클리닝 방법 - Google Patents

레이저를 이용한 소켓 클리닝 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저를 이용한 소켓 클리닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사 장치가 복수개의 접촉핀들이 설치된 소켓으로부터 소정 거리 이격된 곳에 위치하는 단계, (b) 상기 레이저 조사 장치가 상기 접촉핀들에 레이저를 조사하는 단계, 및 (c) 상기 레이저 빔이 상기 접촉핀들에 조사될 때 상기 접촉핀들에 공기를 불어주어 상기 접촉핀들에 붙어있는 오염물질을 제거하는 단계를 포함함으로써 반도체 패키지의 테스트 수율이 향상된다.

Description

레이저를 이용한 소켓 클리닝 방법{Method for cleaning socket by using laser}
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 반도체 패키지 테스트용 소켓의 접촉핀이 오염된 상태를 보여준다.
도 2는 본 발명을 적용하기 위한 반도체 패키지 테스트용 소켓들이 다수개 설치된 하이픽스 보드(Hi-Fix board)의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 소켓의 일부를 보여준다.
도 4는 도 3에 도시된 접촉핀들에 반도체 패키지가 접촉된 상태를 보여준다.
도 5는 도 2에 도시된 소켓에 레이저 빔을 조사하는 방법을 보여준다.
도 6은 도 5에 도시된 레이저 빔의 모양을 보여준다.
도 7은 도 5에 도시된 레이저 빔이 소켓에 조사되는 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 소켓을 클리닝할 때 접촉핀에 공기를 불어주고, 오염물질을 흡입하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 소켓들을 클리닝하는 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 소켓 클리닝 방법을 도시한 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
211; 하이픽스 보드, 221; 소켓(들)
231; 접촉핀(들), 235; 돌기들
311; 지지대, 321; 스토퍼
411; 반도체 패키지, 415; 외부 단자들
511; 레이저 발진기, 521; 레이저 전송관
531; 레이저 조사 장치, 541; 레이저 빔
815; 공기 발사 장치, 825; 흡입 장치
본 발명은 반도체 패키지의 전기적 성능을 테스트하는데 사용되는 소켓을 클리닝하는 방법에 관한 것으로, 특히 레이저를 이용하여 소켓의 오염된 접촉핀들을 클리닝하는 방법에 관한 것이다.
전기 회로가 구현된 집적회로 칩이 몰딩(molding)되어 반도체 패키지로 조립이 완료되면, 반도체 패키지는 전기적 성능을 테스트하는 공정을 거치게 된다. 반도체 패키지를 테스트하기 위해서는 테스트 장비가 있어야 하며, 테스트 장비는 하이픽스 보드를 통해 반도체 패키지에 전기적으로 연결된다. 하이픽스 보드에는 다수개의 테스트용 소켓들이 설치되고, 소켓들은 다수개의 접촉핀들을 구비한다. 반도체 패키지를 테스트할 때 다수개의 접촉핀들은 반도체 패키지의 외부 단자들과 접촉된다.
반도체 패키지의 외부 단자들은 주석납과 같은 전도성 물질로 도금되어 있으며, 테스트가 진행되는 동안, 소켓의 접촉핀들은 다수개의 반도체 패키지의 외부 단자들에 반복해서 접촉된다. 이 과정에서, 외부 단자들에 도금된 전도성 물질이 접촉핀들에 묻어서 접촉핀들이 오염된다. 접촉핀들이 오염되면, 접촉핀들과 외부 단자들 사이의 접촉 저항이 증가하게 되어 반도체 패키지의 성능을 정확하게 테스트할 수가 없게 된다.
도 1은 반도체 패키지 테스트용 소켓의 접촉핀이 오염된 상태를 보여준다. 도 1을 참조하면, 접촉핀(101)은 전도성 물질(111)로 오염되어 있다. 이와 같은 오염 물질(111)은 반도체 패키지(도 4의 411)에 대한 테스트가 반복되는 과정에서 반도체 패키지의 외부 단자(도 4의 415)에 도금되어 있던 전도성 물질이 접촉핀(101)에 옮겨 붙어서 생긴 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 접촉핀(101)이 오염되면 반도체 패키지(도 4의 411)를 테스트할 때 접촉핀(101)과 외부 단자(도 4의 415) 사이의 접촉 저항이 증가하게 된다. 상기 접촉 저항이 증가하면, 접촉핀(101)과 외부 단자(도 4의 415) 사이에 흐르는 전류가 감소하게 되며, 이에 따라 반도체 패키지(도 4의 411)는 불량이 아님에도 불구하고 불량으로 판정될 수가 있다. 그 결과, 반도체 패키지(도 4의 411)의 테스트 수율이 낮아지며, 또한, 반도체 패키지(도 4의 411)의 테스트에 대한 신뢰성이 저하된다.
상기와 같이 오염된 접촉핀(101)을 클리닝하기 위해, 종래에는 전기분해 방 법을 이용하거나 아니면 작업자가 사포(sand paper)를 사용하여 접촉핀(101)의 표면을 일일이 연마하는 방법을 사용하고 있다. 그러나, 전기분해 방법으로는 접촉핀(101)의 오염 물질이 완전히 제거되지 않는 단점이 있다. 또한, 사포를 사용하는 경우에는 작업자가 수작업으로 접촉핀(101)을 일일이 연마해야하기 때문에, 오염 물질(111)이 완전히 제거되지 않을 뿐만 아니라, 접촉핀(101)에 도금된 도금 물질이 벗겨지는 경우도 발생한다. 즉, 접촉핀(101)은 외부 단자(도 4의 415)와의 접촉저항을 낮추기 위해 금과 같이 전도성이 높은 물질로 도금이 되어 있는데, 작업자가 수작업으로 접촉핀(101)을 연마할 경우에는 이러한 도금 물질이 벗어질 수가 있으며, 접촉핀(101)의 도금 물질이 벗겨지게 되면 접촉핀(101)과 외부 단자(도 4의 415) 사이의 접촉 저항이 증가하게 되어 테스트 불량을 초래하게 된다.
본 발명의 목적은 수작업이 아닌 기계적인 방법으로 수행되는 소켓 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 패키지 테스트용 소켓의 접촉핀들의 도금 물질이 벗겨지지 않게 하는 소켓 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은
(a) 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사 장치가 복수개의 접촉핀들이 설치된 소켓으로부터 소정 거리 이격된 곳에 위치하는 단계; (b) 상기 레이저 조사 장치가 상기 접촉핀들에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 (c) 상기 레이저 빔이 상기 접촉핀들에 조사될 때 상기 접촉핀들에 공기를 불어주어 상기 접촉핀들에 붙어있는 오염물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법을 제공한다.
바람직하기는, 상기 (c) 단계는 상기 접촉핀들로부터 떨어진 오염물질을 흡입하는 단계를 더 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 2는 본 발명을 적용하기 위한 반도체 패키지 테스트용 소켓들이 다수개 설치된 하이픽스 보드(Hi-Fix board)의 평면도이다. 하이픽스 보드는 반도체 패키지를 테스트할 때 사용되는 보드이다.
도 2를 참조하면, 하이픽스 보드(211)에는 다수개의 소켓들(221), 예컨대, 64개, 128개, 256개 등의 소켓들이 설치된다. 소켓들(221)은 각각 다수개의 접촉핀들(231)을 구비한다.
반도체 패키지(도 4의 411)를 테스트할 때 하나의 소켓(221)에는 하나의 반도체 패키지(도 4의 411)가 장착되며, 반도체 패키지(도 4의 411)의 외부 단자들(도 4의 415)은 접촉핀들(231)에 접촉된다. 다수개의 반도체 패키지(도 4의 411)들을 테스트하기 위해서는 다수개의 반도체 패키지(도 4의 411)들이 하이픽스 보드(211)에 장착된다. 하이픽스 보드(211)에 장착된 반도체 패키지(도 4의 411)들은 동시에 테스트된다. 즉, 다수개의 반도체 패키지(도 4의 411)들에 대한 병렬 테스트 방식이 적용된다.
도 3은 도 2에 도시된 소켓(221)의 일부를 보여준다. 도 3을 참조하면, 소켓(221)은 접촉핀(231), 스토퍼(321) 및 지지대(311)를 구비한다.
접촉핀(231)의 단부는 테스트시 반도체 패키지(도 4의 411)의 외부 단자(도 4의 415)와 접촉하는 부분으로서, 뾰족한 다수개의 돌기들(235)을 구비한다. 다수개의 돌기들(235)에 의해 접촉핀(231)과 반도체 패키지(도 4의 411)의 외부 단자(도 4의 415)의 접촉 저항이 작아지게 된다. 따라서, 반도체 패키지(도 4의 411)의 테스트시 접촉 저항으로 인한 불필요한 전류 소모가 방지된다. 접촉핀(231)은 도전성이 좋은 물질, 예컨대 베릴륨동과 같은 동계 합금재질로 형성되며, 표면은 금과 같이 전도성이 매우 좋은 물질로 도금된다. 접촉핀(231)은 포고 핀(pogo pin)으로 구성하는 것이 바람직하다.
스토퍼(321)는 접촉핀(231)과 연결되어 접촉핀(231)을 지지한다. 접촉핀(231)의 타단에는 탄성 부재(미도시)가 연결되며, 상기 탄성 부재는 스토퍼(321)의 내부에 설치된다. 상기 탄성 부재에 의해 접촉핀(231)은 상하로 움직일 수가 있다. 즉, 접촉핀(231)은 평상시에는 상기 탄성 부재에 의해 들려져셔 하이픽스 보드(도 2의 211)의 회로 패턴과 전기적으로 끊어진 상태이며, 테스트시에는 반도체 패키지(도 4의 411)에 의해 하부로 눌려지면서 하이픽스 보드(도 2의 211)에 형성된 회로 패턴과 전기적으로 연결된다.
지지대(311)는 하이픽스 보드(도 2의 211)에 설치되며, 스토퍼(321)가 움직이지 않도록 지지한다.
도 4는 도 3에 도시된 접촉핀들에 반도체 패키지가 접촉된 상태를 보여준다. 도 4를 참조하면, 반도체 패키지(411)의 외부 단자들(415)에 접촉핀들(231)이 접촉되어 있다.
반도체 패키지(411)는 전기 회로가 구현된 집적회로 칩(미도시)이 몰딩되어 내장된 본체(413)와 상기 집적회로 칩에 연결되며 외부 시스템과 전기 신호를 주고받는 외부 단자들(415)로 구성된다.
반도체 패키지(411)를 테스트하기 위해서는 접촉핀들(231)의 돌기들(235)이 외부 단자들(415)과 직접 접촉된다. 상기 테스트가 반복되는 과정에서 접촉핀들(231)의 돌기들(235)에는 외부 단자들(415)의 도금 물질, 예컨대 주석납(SnPb)이 옮겨 붙어서 접촉핀들(231)이 오염된다. 접촉핀들(231)에 붙어있는 오염 물질(도 1의 111)은 접촉핀들(231)과 외부 단자들(415) 사이의 접촉 저항을 증가시키며, 이러한 접촉 저항은 반도체 패키지(411)와 하이픽스 보드(도 2의 211)의 회로 패턴 사이에 흐르는 전류의 불필요한 소모를 가져온다. 이로 인하여 반도체 패키지(411)가 정상임에도 불구하고 불량으로 처리되어 테스트시 반도체 패키지(411)의 수율을 저하시킨다.
도 5는 도 2에 도시된 소켓(221)에 레이저 빔을 조사하는 방법을 보여준다. 도 5를 참조하면, 레이저 발진기(511)가 레이저광을 생성하여 레이저 전송관(521)을 통해서 전송하면 레이저 조사 장치(531)는 이를 받아서 레이저 빔(541)을 조사한다.
레이저 조사 장치(531)로부터 일정 거리 이격된 곳에 클리닝할 소켓(221)을 정렬시킨다. 예컨대, 레이저 조사 장치(531)의 하부에 소켓(221)을 위치시킨다.
이와 같이, 소켓(221)과 레이저 조사 장치(531)가 정렬된 상태에서 레이저 조사 장치(531)로부터 출력되는 레이저 빔(541)이 접촉핀들(231)에 조사되어 비접촉 방식으로 소켓(221)을 클리닝한다.
도 6은 도 5에 도시된 레이저 빔(541)의 모양을 보여준다.
레이저 발진기(도 5의 511)로부터 발생되어 이송관(도 5의 521)을 통해 전송되는 레이저 빔(541)은 원형(611)이지만, 레이저 조사 장치(도 5의 531)에 의해 직사각형(621)으로 정형화되어 조사된다.
접촉핀들(도 5의 231)은 소켓(도 2의 221)에 2열, 4열 등과 같이 복수개의 열들로 배치된다. 따라서, 레이저 빔(541)이 적어도 2개 이상의 접촉핀들(도 5의 231)에 동시에 조사되기 위해서는 레이저 빔(541)은 직사각형(621)을 이루는 것이 바람직하다. 이 때, 직사각형(621) 내에서는 레이저 빔(541)의 밀도와 세기가 동일하다. 즉, 직사각형(621)의 크기에 따라 레이저 빔(541)의 밀도와 세기가 달라지기 때문에 레이저 빔(541)의 밀도와 세기가 동일한 범위 내에서 직사각형(621)의 크기를 선택해야 한다. 레이저 빔(541)의 모양도 접촉핀들(도 5의 231)의 배열 형태에 따라 다르게 형성할 수가 있다.
도 7은 도 5에 도시된 레이저 빔(541)이 소켓(221)에 조사되는 순서를 설명하기 위한 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 레이저 빔(541)은 복수개의 접촉핀들(231)에 동시에 조사된다.
이와 같이, 레이저 빔(541)이 복수개의 접촉핀들(231)에 동시에 조사됨으로써, 다수개의 소켓들(221)을 클리닝하는 속도가 빨라진다.
도 8은 도 2에 도시된 소켓(221)을 클리닝할 때 접촉핀(231)에 공기를 불어주고, 오염물질을 흡입하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 공기 발사 장치(815)가 접촉핀(231)에 공기(811)를 불어줄 때, 접촉핀(231)의 상부로부터 비스듬하게 불어준다. 이와 같이, 접촉핀(231)의 상부로부터 비스듬한 위치에서 공기(811)를 강하게 불어줄 때, 접촉핀(231)에 붙어있다가 레이저 빔(도 5의 541)에 의해 녹아서 떨어지는 오염물질(111a)이 모두 제거될 수가 있다.
만일, 공기(811)를 접촉핀(231)의 측면으로부터 불어주게 되면, 뒤의 돌기들이 앞의 돌기에 막혀서 공기(811)는 뒤의 돌기들에 강하게 부딪히지 않게 되어, 뒤의 돌기들에 붙어있는 오염물질(111a)이 모두 제거되지 않게 된다. 또한, 공기(811)를 접촉핀(231)에 수직으로 불어줄 경우, 공기 발사 장치(815)가 레이저 빔(도 5의 541)의 일부를 막아서 접촉핀(231)의 클리닝을 방해한다.
도 8을 참조하면, 흡입 장치(825)가 접촉핀(231)으로부터 떨어지는 오염 물질(111a)을 흡입할 때, 상부로부터 비스듬한 위치에서 흡입하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 접촉핀(231)의 상부로부터 비스듬한 위치에서 오염물질(111a)을 흡입할 때, 접촉핀(231)으로부터 떨어지는 오염물질(111a)을 완전하게 흡입할 수가 있다.
만일, 접촉핀(231)의 측면으로부터 흡입하게 되면, 뒤의 돌기들이 앞의 돌기에 막혀서 뒤의 돌기들에 붙어있는 오염 물질(111a)은 앞의 돌기들에 의해 완전히 흡입되지 않게 된다. 또한, 접촉핀(231)의 상부로부터 흡입할 경우, 흡입 장치(825)가 레이저 빔(541)의 일부를 막아서 접촉핀(231)의 클리닝을 방해하게 된다.
상기와 같이, 소켓(도 2의 221)을 클리닝하기 위해 접촉핀(231)에 레이저 빔(도 5의 541)을 조사할 때 접촉핀(231)에 공기를 강하게 불어줌으로써, 접촉핀(231)에 붙어있는 오염물질(도 1의 111)을 완전히 제거할 수가 있으며, 또한, 접촉핀(231)으로부터 떨어지는 오염물질(111a)을 흡입 장치(825)에 의해 모두 흡입함으로써 소켓(도 2의221)은 청결하게 유지될 수가 있다.
도 9는 소켓들(221)을 클리닝하는 순서를 설명하기 위한 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 하이픽스 보드(211)에 다수열로 설치된 소켓들(221)을 클리닝하기 위해서는 첫 번째 열부터 지그재그 식으로 클리닝한다. 따라서, 소켓들(221)에 대한 클리닝 속도가 빨라진다.
도 10은 본 발명에 따른 소켓 클리닝 방법을 도시한 흐름도이다. 도 10을 참조하면, 소켓 클리닝 방법은 제1 내지 제5 단계(1011∼1051)를 포함한다. 도 2 내지 도 9를 참조하여 도 10에 도시된 소켓 클리닝 방법을 설명하기로 한다.
제1 단계(1011)는 레이저 조사 장치(531)로부터 소정 거리 이격된 곳에 소켓(221)을 정렬하는 단계이다. 예컨대, 레이저 조사 장치(531)의 하부에 소켓(221)을 위치시킨다. 이 때, 하이픽스 보드(211)는 고정시키고, 레이저 조사 장치(531)가 이동하여 클리닝할 소켓(221)에 정렬되게 할 수도 있고, 레이저 조사 장치(531)를 고정시킨 상태에서 하이픽스 보드(211)를 이동하여 레이저 조사 장치(531)에 정렬시킬 수도 있다. 레이저 조사 장치(531)나 하이픽스 보드(211)를 이동시켜서 정렬하는 방법은 공지된 기술로 구현이 가능하다.
제2 단계(1021)는 레이저 조사 장치(531)가 소켓(221)에 레이지 빔(541)을 조사하는 단계이다. 이 때, 레이저 빔(541)은 복수개의 접촉핀들(231)에 동시에 조사될 수 있도록 소정 모양, 예컨대 직사각형으로 정형화되어 소켓(221)에 조사된다. 예컨대, 접촉핀들(231)이 2열로 배열되어 있는 소켓(221)을 클리닝할 경우에, 레이저 빔(541)은 양측에 하나씩 적어도 2개의 접촉핀들(231)에 동시에 조사될 수 있도록 직사각형으로 정형화된다. 레이저 빔(541)이 조사되는 모양은 소켓(221)에 설치된 접촉핀들(231)의 배열 형태에 따라 여러 가지 모양으로 정형화될 수 있다.
제3 단계(1031)는 소켓(221)에 공기(811)를 불어주는 단계이다. 레이저 빔(541)이 접촉핀들(231)에 조사되면 접촉핀들(231)에 붙어있는 오염물질(111a)은 일부는 녹아서 없어지기도 하고, 일부는 남아있기도 한다. 이 때, 접촉핀들(231)에 공기(811)를 강하게 불어줌으로써 오염물질(111a)은 접촉핀들(231)로부터 완전히 떨어지게 된다. 여기서, 공기(811)를 접촉핀들(231)의 상부로부터 비스듬하게 하여 접촉핀들(231)에 불어줌으로써 공기(811)가 접촉핀들(231)의 모든 부분에 골고루 가해져서 접촉핀들(231)에 붙어있는 오염물질(111a)이 완전히 제거된다.
제4 단계(1041)는 접촉핀들(231)로부터 떨어진 오염물질(111a)을 흡입하는 단계이다. 레이저 빔(541)에 접촉핀들(231)로부터 떨어진 오염물질(111a)은 공기(811)에 의해 공중에 날리게 되며, 이것을 흡입 장치(825)가 흡입함으로써 소켓(221)이나 하이픽스 보드(211)가 청결하게 유지된다. 만일, 오염 물질(111a)이 소켓(221)이나 하이픽스 보드(211)에 접착되면, 테스트시 오류를 야기시킬 수가 있다.
제5 단계(1051)로써, 다른 소켓들(221)에 대하여 제1 내지 제4 단계(1011∼ 1041)를 반복한다. 즉, 하나의 소켓(221)에 대한 클리닝이 완료되면, 다른 소켓들(221)에 대해서도 동일한 클리닝을 연속적으로 수행함으로써, 하이픽스 보드(211)에 설치된 모든 소켓들(221)이 신속하게 클리닝된다.
이와 같이, 레이저 빔(541)을 접촉핀들(231)에 조사하고, 접촉핀들(231)에 공기를 불어주며, 또한, 접촉핀들(231)로부터 떨어진 오염물질을 흡입함으로써 접촉핀들(231)에 붙어있는 오염물질(111a)을 완전히 제거할 수가 있다.
이에 따라, 반도체 패키지의 테스트 수율이 향상된다. 실제, 본 발명을 적용한 결과 1% 이상의 테스트 수율 향상을 가져왔다. 반도체 패키지의 가격이 높아지고 있는 점을 감안할 때 1%의 테스트 수율 향상은 엄청난 비용 절감을 가져온다.
도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었으며, 여기서 사용된 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능할 것이므로, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 레이저 빔(541)을 소켓들(221)의 접촉핀들(231)에 조사하며, 이 때, 접촉핀들(231)에 공기를 불어주며, 또한, 접촉핀들(231)로부터 떨어진 오염물질(111a)을 흡입함으로써 소켓들(221)이 완전하게 클리닝된다.
이와 같이, 소켓들(221)을 기계적인 방법으로 클리닝함으로써 수작업이 필요없으며, 또한, 접촉핀들(231)의 도금 물질이 벗겨지지 않게 되어 접촉핀들(231)의 접촉저항에 아무런 영향을 주지 않는다.
따라서, 접촉핀들(231)의 오염으로 인한 테스트 오류를 방지하여 반도체 패키지(411)들의 테스트 수율이 향상된다.

Claims (13)

  1. (a) 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사 장치가 복수개의 접촉핀들이 설치된 소켓으로부터 소정 거리 이격된 곳에 위치하는 단계;
    (b) 상기 레이저 조사 장치가 상기 접촉핀들에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및
    (c) 상기 레이저 빔이 상기 접촉핀들에 조사될 때 상기 접촉핀들에 공기를 불어주어 상기 접촉핀들에 붙어있는 오염물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소켓은 평면에 위치하고, 상기 레이저 조사 장치는 상기 소켓의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 상기 복수개의 접촉핀들에 동시에 조사되도록 소정 모양으로 정형화되는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 레이저 빔은 직사각형으로 정형화되는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 접촉핀들에 상기 공기를 불어줄 때 상기 접촉핀들의 상부로부터 비스듬하게 불어주는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 공기를 불어줌에 의해 상기 접촉핀들로부터 떨어진 오염물질을 흡입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 오염 물질을 흡입할 때 상기 접촉핀들의 상부로부터 비스듬한 방향에서 흡입하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 소켓은 보드에 설치되며, 상기 보드에는 복수개의 소켓들이 설치되는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레이저 조사 장치는 이동하면서 상기 복수개의 소켓들에 순차적으로 레이저 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 접촉핀들은 상기 소켓에 복수개의 열들로 배열되는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 접촉핀들은 포고핀들로 구성하는 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 포고핀들의 단부에는 복수개의 뾰족한 돌기들이 형성된 것을 특징으로 하는 소켓 클리닝 방법.
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