KR20180021996A - 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법 - Google Patents

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bonded
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남기중
이만섭
문달성
이대섭
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(주)다원넥스뷰
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Abstract

전극패드의 형태에 따른 레이저 조건 데이터가 입력된 데이터 저장부; 프로브가 본딩되는 기판의 전극 패드 맵(Map) 자료가 입력되는 맵 입력부; 상기 맵 입력부를 통해 입력된 상기 전극패드 맵(Map) 자료와 상기 데이터 저장부에 입력된 상기 레이저 조건 데이터를 비교하여, 각각의 전극 패드별로 레이저의 출력과 조사시간을 결정하는 제어부; 및 상기 제어부에서 결정된 출력의 레이저를 상기 제어부에서 결정된 조사시간 동안 조사하여 각각의 전극패드에 프로브를 솔더링하는 레이저부;를 포함하는 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법을 제공하여, 프로브가 본딩되는 전극패드의 형태 및 디바이스의 종류에 따라서 가장 적합한 레이저 출력으로 최적의 조사시간동안 레이저를 조사하여 프로브를 본딩함으로써 최적의 본딩 품질을 유지할 수 있다.

Description

프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법{Probe Bonding Device and Probe Bonding Method Using the Same}
본 발명은 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 더트(Dut)가 사용되는 디바이스 및 전극패드의 형상에 따라 레이저의 출력과 조사시간을 달리하는 프로브 본딩 장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법에 관한 것이다.
프로브(Probe) 카드는 웨이퍼(Wafer) 상에 형성된 칩(Chip)의 전기적인 특성을 검사하는데에 사용되는 장치이다.
반도체 공정을 통하여 제조된 웨이퍼 상의 칩(Chip)은 칩에 형성된 패드들을 통해 전기적 신호를 입력받아 소정의 동작을 수행한 후 처리 결과를 다시 패드를 통해 웨이퍼 검사 시스템(Wafer Test System)으로 전달하게 되는데, 이와 같이 칩이 올바르게 작동되는지를 판별하기 위하여 프로브 카드가 사용된다.
도 1은 일반적인 프로브 카드(10)를 도시한 도면인데, 도 1을 참조하면, 프로브 카드(10)는 기판(세라믹, 유기 또는 웨이퍼 등)(11), 상기 기판(11)에 형성된 전극패드(12) 및 상기 전극패드(12)에 본딩된 복수의 프로브(13)를 포함한다.
한편, 종래에는 프로브 카드 기판의 프로브 본딩에 있어서, 동일한 레이저 조건, 즉, 동일한 레이저 출력과 조사시간으로 프로브를 본딩하였다.
다른 한편으로, 최근에는 이와 같은 웨이퍼 검사용 프로브 카드 기판들이 점차적으로 전극패드의 폭과 간격이 점차적으로 좁아지면서 전극패드의 형태와 크기도 다양해지고 있다.
이와 같이 전극패드의 형태와 크기가 다양해짐에 따라, 모든 전극 패드에 동일한 레이저 조건으로 프로브를 본딩할 경우, 패드가 타는 등의 본딩 품질이 확보되지 않는 문제점이 있다.
또한, 동일한 이유로 인하여 프로브가 본딩되는 전극 패드가 어떤 디바이스에 사용되는지, 즉, 접지(Ground)가 되는 디바이스인지 전원공급용 디바이스(Vcc)인지에 따라서도 다른 레이저 조건으로 프로브를 본딩해야 할 필요성이 있다.
한국 등록특허 제10-0920847호 (2009.09.30 등록)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 프로브 카드가 적용되는 디바이스의 종류와 전극 패드의 형상에 따라 레이저 조건을 달리하여 프로브를 본딩하는 프로브 본딩 장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법을 제공하는데에 그 목적이 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치는, 전극패드의 형태에 따른 레이저 조건 데이터가 입력된 데이터 저장부; 프로브가 본딩되는 기판의 전극 패드 맵(Map) 자료가 입력되는 맵 입력부; 상기 맵 입력부를 통해 입력된 상기 전극패드 맵(Map) 자료와 상기 데이터 저장부에 입력된 상기 레이저 조건 데이터를 비교하여, 각각의 전극 패드별로 레이저의 출력과 조사시간을 결정하는 제어부; 및 상기 제어부에서 결정된 출력의 레이저를 상기 제어부에서 결정된 조사시간 동안 조사하여 각각의 전극패드에 프로브를 솔더링하는 레이저부;를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치에서, 상기 레이저 조건 데이터는. 전극패드에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드의 형상에 따른 레이저의 출력과 조사시간이 포함된 자료일 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치에서, 상기 전극패드 맵(Map) 자료에는, 기판상에 형성된 각각의 전극패드의 위치, 형상 및 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류가 포함될 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치는, 상기 레이저부에 의해 전극패드에 솔더링된 프로브의 본딩 품질을 검사하는 검사부;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치에서, 상기 제어부는, 상기 검사부에 의해 전극패드에 의해 솔더링된 어느 하나의 프로브의 본딩품질이 불량한 것으로 판명된 경우, 상기 데이터 저장부에 저장된 해당 전극패드의 형태와 본딩되는 프로브가 포함된 디바이스의 종류에 해당하는 레이저 조건 데이터를 수정할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩방법은, 전극 패드의 형태에 따른 레이저 조건 데이터을 입력하는 레이저 조건 데이터 입력단계; 프로브가 본딩되는 기판의 전극 패드 맵(Map) 자료를 입력하는 맵 자료 입력단계; 상기 레이저 조건 데이터를 참조하여 상기 전극 패드 맵(Map) 자료의 각각의 전극패드에 해당하는 레이저 조건을 매칭시켜 작업할 공정 레이저 조건을 생성하는 공정 레이저 조건 생성단계; 및 상기 공정 레이저 조건에 따라 각각의 전극패드에 레이저를 조사하여 프로브를 본딩시키는 프로브 본딩단계;를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩방법에서, 상기 레이저 조건 데이터는. 전극패드에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드의 형상에 따른 레이저의 출력과 조사시간이 포함될 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩방법에서, 상기 전극패드 맵(Map) 자료에는, 기판상에 형성된 각각의 전극패드의 위치, 형상 및 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류가 포함될 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩방법은, 본딩된 프로브의 본딩품질을 검사하는 품질 검사단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩방법은, 상기 품질 검사단계에서, 특정 프로브의 본딩 품질이 불량한 것으로 판명된 경우, 레이저 조건 데이터에서 이에 해당되는 전극패드 형태에 따른 레이저 조건을 변경하는 레이저 조건 데이터 변경단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법에 의하면, 프로브가 본딩되는 전극패드의 형태 및 디바이스의 종류에 따라서 가장 적합한 레이저 출력으로 최적의 조사시간동안 레이저를 조사하여 프로브를 본딩함으로써 최적의 본딩 품질을 유지할 수 있다.
도 1은 일반적인 프로브 카드를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩장치의 개념도.
도 3은 프로브가 본딩되는 기판의 평면도.
도 4는 데이터 저장부에 입력되는 레이저 조건데이터의 일례.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩방법의 순서도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명의 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상의 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
또한 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩장치(100)의 개념도이다
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩장치(100)는 데이터 저장부(110), 맵 입력부(120), 제어부(130), 프로브를 파지하는 그리퍼(140), 프로브가 본딩되는 기판을 고정하는 척유닛(150), 레이저를 조사하여 기판에 프로브를 본딩하는 레이저부(160), 및 프로브의 본딩 품질을 검사하는 검사부(170)을 포함할 수 있다.
한편, 도 3는 프로브가 본딩되는 기판(20)의 평면도를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 기판(20)은 더트(DUT,21)로 구획이 구분되고, 기판(20)의 더트(21)의 상면에는 다양한 형상의 전극패드(22)가 구비될 수 있다.
이때에 프로브는 각각의 상기 전극패드(22)에 본딩될 수 있다.
여기에서 각각의 상기 더트(21)는 별개의 디바이스를 구성할 수 있다. 즉, 상기 전극패드(22)에 프로브가 본딩된 상기 각각의 더트(21)는 접지(Ground), 전원(Vcc) 등 다양한 형태의 디바이스를 구성할 수 있다.
데이터 저장부(110)는, 프로브가 본딩되는 기판(20)상에 형성된 전극패드(22)의 형태에 따른 레이저 조건 데이터가 입력될 수 있다.
도 4는 상기 데이터 저장부(110)에 입력되는 레이저 조건 데이터의 일례이다.
도 4를 참조하면, 상기 레이저 조건 데이터는 전극패드(22)에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드(22)의 형상에 따른 레이저의 출력(P)과 조사시간(T)이 포함될 수 있다.
다시 말해서, 상기 레이저 조건데이터는, 전극패드(22)에 본딩되는 프로브가 접지(Ground), 전원(Vcc) 등 어떤 형태의 디바이스를 구성하게 되는지와 전극패드(22)의 형상에 따른 레이저의 출력(P)과 조사시간(T)을 포함할 수 있다.
맵 입력부(120)는 프로브가 본딩되는 기판의 전극패드 맵(Map) 자료가 입력될 수 있다.
이때에, 상기 전극패드 맵(Map) 자료는, 기판상에 형성된 각각의 전극패드(22)의 위치, 형상 및 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류에 대한 정보를 포함할 수 있다.
다시 말해서, 상기 전극패드 맵(Map) 자료는, 기판(20)에 형성된 각각의 전극패드(22)의 좌표와 형상에 대한 데이터와 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스가 접지(Ground) 부분인지 전원(Vcc) 부분인지 등에 대한 정보를 포함할 수 있다.
이때에, 상기 전극패드 맵(Map) 자료는 도 3에서 도시하는 것과 같은 전극패드(22)가 형성된 기판(20)의 평면도 일 수 있으며, 각각의 더트(21)가 어떤 형태의 디바이스를 구성하는지에 관한 정보를 포함할 수 있다.
제어부(130)는, 상기 맵 입력부(120)를 통해 입력된 상기 전극패드 맵(Map) 자료와 상기 데이터 저장부(110)에 입력된 상기 레이저 조건 데이터를 비교하여, 각각의 전극패드(22)별로 후술하는 레이저부(160)에서 조사되는 레이저의 출력과 조사시간을 결정할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 제어부(130)는, 상기 입력부(120)를 통해 입력된 상기 전극패드 맵(Map) 자료의 각각의 전극패드(22)의 형상과 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스 종류에 일치하는 데이터를 상기 레이저 조건 데이터상에서 찾아, 그에 해당하는 레이저의 출력과 조사시간을 참조하여, 각각의 전극패드(22)에 프로브를 본딩하기 위해 조사되는 레이저의 출력과 조사시간을 결정할 수 있다.
이를 통해, 상기 제어부(130)는 후술하는 레이저부(160)를 제어하여, 각각의 전극패드(22)에 상술한 과정에 의해 결정된 출력으로 결정된 조사시간동안 레이저를 조사하여 프로브를 본딩시킬 수 있다.
그리퍼(140)는 프로브를 파지할 수 있으며, 파지한 프로브를 기판(20) 상의 본딩위치, 즉 전극패드(22)의 상측으로 이송할 수 있다.
또한, 상기 그리퍼(140)는 후술하는 레이저부(160)가 레이저를 조사하여 프로브를 전극패드(220)에 본딩한 이후, 다른 프로브를 파지하기 위해 이동할 수 있다.
척유닛(150)은 상면에 상기 기판(20)을 고정할 수 있다. 이를 통해서, 프로브를 각각의 상기 전극패드(22)에 프로브를 본딩하는 작업중에 상기 기판(20)이 유동하는 것을 방지하여, 안정적인 본딩작업이 가능하도록 할 수 있다.
레이저부(160)는 레이저를 조사하여 전극패드(220)에 프로브를 솔더링할 수 있다.
즉, 상기 레이저부(160)는, 상기 제어부(130)에서 결정된 출력의 레이저를 상기 제어부(160)에서 결정된 조사시간동안 조사하는 솔더링 작업을 통해, 각각의 전극패드(220)에 프로브를 본딩할 수 있다.
검사부(170)는 상기 레이저부(160)에 의해 상기 각각의 전극패드(22)에 솔더링된 프로브의 본딩 품질을 검사할 수 있다.
이때에, 상기 검사부(170)는 비전수단일 수 있으며, 프로브와 상기 각각의 전극패드(22)가 솔더링 된 부분을 촬영하여 영상을 통하여 프로브의 본딩이 제대로 되었는지 검사할 수 있다.
그러나, 이는 하나의 예시일 뿐 상기 검사부(170)가 비전수단에 한정되는 것은 아니고, 솔더링 품질을 검사할 수 있다면, 전기적 특성 검사 등과 같이 당업자에게 알려진 다양한 방법에 의해 프로브 본딩 품질을 검사하는 검사수단일 수 있다.
한편, 상기 제어부(130)는 상기 검사부(170)에 의해 솔더링 품질이 불량한 것으로 판명된 경우, 상기 데이터 저장부(110)에 저장된 해당 전극패드(22) 형태와 본딩되는 프로브가 포함된 디바이스의 종류에 해당하는 레이저 조건 데이터를 수정할 수 있다.
다시 말해서, 레이저에 의해 전극패드(22)에 본딩된 프로브의 일부가 타는 현상 등이 발생한 경우, 해당 전극패드(220)형태와 본딩되는 프로브가 포함된 디바이스 종류에 해당하는 레이저 출력을 더 낮게 조정하거나, 조사시간을 줄이는 수정을 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩장치(100)에 의하면, 전극패드(22)의 형상과 본딩되는 프로브가 포함된 디바이스의 종류에 따라서 레이저 출력과 조사시간을 달리하여 프로브를 본딩함으로써, 최적의 프로브 본딩 품질을 유지할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩방법(S100)에 대하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩방법(S100)의 순서도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩방법(S100)은 레이저 조건 데이터를 입력하는 레이저 조건 데이터 입력단계(S110), 전극패드 맵(Map) 자료를 입력하는 맵 자료 입력단계(S120), 각각의 전극패드에 조사할 레이저조건을 생성하는 공정 레이저 조건 생성단계(S130), 생성된 공정 레이저 조건에 따라 레이저를 조사하여 프로브를 본딩하는 프로브 본딩단계(S140), 본딩된 프로브의 본딩 품질을 검사하는 품질 검사단계(S150), 및 본딩품질이 불량하다고 판단된 경우 해당되는 전극패드 형태에 따른 레이저 조건을 변경하는 레이저 조건 데이터 변경단계(S160)를 포함할 수 있다.
레이저 조건 데이터 입력단계(S110)는, 전극 패드의 형태에 따라 상이한 레이저 조건 데이터를 입력하는 단계일 수 있다.
이때에, 상기 레이저 조건 데이터는, 전극패드(22)에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드(22)의 형상에 따른 레이저의 출력과 조사시간이 포함된 자료일 수 있다.
다시 말하며, 상기 레이저 조건 데이터, 즉 레이저의 출력 및 조사시간 등은 전극패드(22)의 생김새가 어떠한지와 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스가 접지(Ground)인지 전원(Vcc)인지 등에 따라 상이할 수 있다.
맵 자료 입력단계(S120)는 기판(20)상에 형성된 전극패드(22)의 위치, 형상 및 본딩되는 프로부가 포함될 디바이스의 종류가 포함된 전극패드 맵(Map) 자료를 입력하는 단계일 수 있다.
즉, 상기 맵 자료 입력단계(S120)는 작업할 기판(20)의 전극패드(22)에 대한 정보를 입력하는 단계일 수 있다.
공정 레이저 조건 생성단계(S130)는 상기 전극패드 맵(Map) 자료 상의 각각의 전극패드(22)의 형상과 디바이스 종류에 매칭되는 상기 레이저 조건 데이터 상의 레이저 조건을 매칭시켜, 각각의 전극패드(22)에 프로브를 본딩하기 위해 조사할 레이저의 출력과 조사시간을 결정하는 단계일 수 있다.
즉, 상기 공정 레이저 조건 생성단계(S130)는, 상기 레이저 조건 데이터를 참조하여 상기 전극 패드 맵(Map) 자료의 각각의 전극패드에 해당하는 레이저 조건을 매칭시켜 작업할 공정 레이저 조건을 생성하는 단계일 수 있다.
이를 통해서, 전극패드(22)의 형상과 디바이스의 종류에 따라 적합한 출력의 레이저를 적당한 조사시간동안 조사하여 프로브를 본딩할 수 있도록 함으로써, 최적의 본딩품질을 유지할 수 있다.
프로브 본딩단계(S140)는 상기 공정 레이저 조건 생성단계(S130)에서 생성된 공정 레이저 조건에 따라 각각의 전극패드에 레이저를 조사하여 프로브를 본딩하는 단계일 수 있다.
품질 검사단계(S150)은 본딩된 프로브의 본딩 품질을 검사하는 단계일 수 있으며, 카메라와 같은 비전수단을 통한 영상으로 본딩 품질을 검사하는 단계일 수 있다.
그러나, 상기 품질 검사단계(S150)는 이에 한정되는 것은 아니고, 전기 전도도 검사 등 당업자에게 알려진 다양한 방법에 의해 프로브의 본딩 품질을 검사하는 단계일 수도 있다.
레이저 조건 데이터 변경단계(S160)은, 상기 품질 검사단계(S150)에서 프로브의 본딩 품질이 불량한 것으로 판단된 경우, 상기 레이저 조건 입력 단계(S110)에서 입력된 레이저 조건 데이터를 수정하는 단계일 수 있다.
다시 말해서, 상기 레이저 조건 데이터 변경단계(S160)는, 어느 하나의 전극패드(22)에 본딩된 프로브의 본딩품질이 불량이라고 판단된 경우, 해당하는 전극패드(22)의 형상과 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류에 해당하는 레이저 조건을 변경하는 단계일 수 있다.
이를 통하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 프로브 본딩방법(S100)은 최초 레이저 조건 데이터가 잘못 입력되었거나, 오류가 있는 경우, 해당 전극패드(22)의 프로브 본딩에 있어서, 계속적으로 본딩 품질이 불량하게 되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100: 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩장치
110: 데이터 저장부
120: 맵 입력부
130: 제어부
140: 그리퍼
150: 척유닛
160: 레이저부
170: 검사부
20: 기판
21: 더트
22: 전극패드
P: 레이저의 출력
T: 레이저 조사시간
S100: 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 본딩방법
S110: 레이저 조건 데이터 입력단계
S120: 맵 자료 입력단계
S130: 공정 레이저 조건 생성단계(S130)
S140: 프로브 본딩단계
S150: 품질 검사단계
S160: 레이저 조건 데이터 변경단계

Claims (10)

  1. 전극패드의 형태에 따른 레이저 조건 데이터가 입력된 데이터 저장부;
    프로브가 본딩되는 기판의 전극 패드 맵(Map) 자료가 입력되는 맵 입력부;
    상기 맵 입력부를 통해 입력된 상기 전극패드 맵(Map) 자료와 상기 데이터 저장부에 입력된 상기 레이저 조건 데이터를 비교하여, 각각의 전극 패드별로 레이저의 출력과 조사시간을 결정하는 제어부; 및
    상기 제어부에서 결정된 출력의 레이저를 상기 제어부에서 결정된 조사시간 동안 조사하여 각각의 전극패드에 프로브를 솔더링하는 레이저부;를 포함하는 프로브 본딩장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 조건 데이터는. 전극패드에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드의 형상에 따른 레이저의 출력과 조사시간이 포함된 자료인 프로브 본딩 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전극패드 맵(Map) 자료에는, 기판상에 형성된 각각의 전극패드의 위치, 형상 및 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류가 포함된 프로브 본딩 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 레이저부에 의해 전극패드에 솔더링된 프로브의 본딩 품질을 검사하는 검사부;를 더 포함하는 프로브 본딩 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 검사부에 의해 전극패드에 의해 솔더링된 어느 하나의 프로브의 본딩품질이 불량한 것으로 판명된 경우, 상기 데이터 저장부에 저장된 해당 전극패드의 형태와 본딩되는 프로브가 포함된 디바이스의 종류에 해당하는 레이저 조건 데이터를 수정하는 프로브 본딩 장치.
  6. 전극 패드의 형태에 따른 레이저 조건 데이터을 입력하는 레이저 조건 데이터 입력단계;
    프로브가 본딩되는 기판의 전극 패드 맵(Map) 자료를 입력하는 맵 자료 입력단계;
    상기 레이저 조건 데이터를 참조하여 상기 전극 패드 맵(Map) 자료의 각각의 전극패드에 해당하는 레이저 조건을 매칭시켜 작업할 공정 레이저 조건을 생성하는 공정 레이저 조건 생성단계; 및
    상기 공정 레이저 조건에 따라 각각의 전극패드에 레이저를 조사하여 프로브를 본딩시키는 프로브 본딩단계;를 포함하는 프로브 본딩방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 레이저 조건 데이터는. 전극패드에 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류와 전극패드의 형상에 따른 레이저의 출력과 조사시간이 포함된 자료인 프로브 본딩방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전극패드 맵(Map) 자료에는, 기판상에 형성된 각각의 전극패드의 위치, 형상 및 본딩되는 프로브가 포함될 디바이스의 종류가 포함된 프로브 본딩방법.
  9. 제6항에 있어서,
    본딩된 프로브의 본딩품질을 검사하는 품질 검사단계;를 더 포함하는 프로브 본딩 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 품질 검사단계에서, 특정 프로브의 본딩 품질이 불량한 것으로 판명된 경우, 레이저 조건 데이터에서 이에 해당되는 전극패드 형태에 따른 레이저 조건을 변경하는 레이저 조건 데이터 변경단계;를 더 포함하는 프로브 본딩방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220111359A (ko) 2021-02-02 2022-08-09 이만섭 프로브 핀 본딩 방법, 프로브 핀 본딩 유니트 및 듀얼 타입 프로브 핀 본딩 장치
USD998479S1 (en) * 2020-06-30 2023-09-12 Mitsubishi Electric Corporation Infrared sensor

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