JP2008515226A - 半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するための方法及び装置 - Google Patents

Abstract

半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するために、半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す。半導体ウエハに対して光パルスを照射すると、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する。光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値へ向かう変化速度を測定する。この変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度が測定される。

Description

発明の分野
本発明は、半導体ウエハのテスト、特に、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の相対密度の測定、に関する。

関連技術の説明
集積回路をその上に形成するための半導体ウエハの処理中、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度が許容範囲（単数又は複数）内であるか否かを調べるために半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の相対密度を測定することが多くの場合望ましい。この目的のために、集積回路を形成するために利用される処理工程によって半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度に変化が生じつつあるか否か判定することが多くの場合望ましい。

これまで、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度の測定は、コロナ式および／又はＣＶ式測定を利用していたが、これらは、半導体ウエハの半導体材料上に比較的厚みの大きな誘電層が存在していることを必要とする。この前提条件がある為、これらの道具によって、半導体材料自身の上で測定を行うことや、比較的厚みの小さな誘電層、即ち、約３０Å以下の厚みの誘電層を有する半導体ウエハ上で測定を行うことは出来なかった。

従って、必要とされ、かつ、従来技術に開示されていないのは、半導体ウエハの半導体材料上に誘電層を持たない半導体ウエハ、又は、半導体ウエハの半導体材料上に比較的厚みの小さな、即ち、３０Å以下の厚みの誘電層を有する半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の相対密度を測定するための方法と装置である。

発明の要旨
本発明は、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するための方法に関する。この方法は、（ａ）半導体材料の基材を有する半導体ウエハを提供する工程と、（ｂ）前記半導体ウエハの上表面との電気的コンタクトを形成する工程と、（ｃ）前記電気的コンタクトを介して前記半導体ウエハ中に第１の値の電流を流す工程と、（ｄ）前記半導体ウエハに対して、前記工程（ｂ）において形成された前記電気的コンタクトの下方又は近傍で光を照射し、これによって、第２の値の電流を前記半導体ウエハに流す工程と、（ｅ）前記光の照射を終わらせる工程と、（ｆ）前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定する工程と、そして（ｇ）前記工程（ｆ）にて測定された前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程と、を有する。

前記半導体ウエハの前記上表面は、前記半導体ウエハの半導体材料の上表面、又は、前記半導体ウエハの半導体材料の前記上表面上に位置する誘電層の上表面とすることができる。好ましくは、前記誘電層は３０Å以下の厚みを有する。

工程（ｇ）は、工程（ｆ）での変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それに等しい、または、それの所望範囲内かを決定する工程を含むことができる。

前記電気的コンタクトは、それが前記半導体ウエハの上表面に接触したときに、その弾性限界内において変形するが、前記半導体ウエハの前記上表面を損傷することのない、弾性変形可能な導電性チップを備えるプローブ、又は、半導体ウエハの上表面上に置かれた液体水銀の小滴、として構成することができる。

前記方法は、更に、（ｈ）前記半導体ウエハ上において少なくとも１つの集積回路処理工程を実行する工程と、（ｉ）前記半導体ウエハの前記上表面上に別の電気的コンタクトを形成する工程と、（ｊ）前記別の電気的コンタクトを介して前記半導体ウエハに第３の値の電流を流す工程と、（ｋ）前記半導体ウエハに対して、前記工程（ｉ）において形成された前記別の電気的コンタクトの下方又は近傍で光を照射し、これによって、第４の値の電流を前記半導体ウエハに流す工程と、（ｌ）前記光の照射を終わらせる工程と、（ｍ）前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定する工程と、（ｎ）前記工程（ｍ）にて測定された前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程と、そして（ｏ）前記工程（ｎ）で決定された密度と前記工程（ｇ）で決定された密度との間の変化が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定する工程、とを有することができる。

好ましくは、前記半導体ウエハは、前記工程（ｄ）と工程（ｋ）とにおいて同じ強度の光を照射される。前記電流の第１の値と第３の値との間の差は、前記電流の第２の値と第４の値との間の差に等しいものとすることができる。

本発明は、更に、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定する方法であって、（ａ）半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す工程と、（ｂ）前記半導体ウエハに対して光パルスを照射し、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する工程と、（ｃ）光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定する工程と、そして（ｄ）この変化速度の関数として、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程、とを有する方法にも関する。

工程（ｄ）は、工程（ｃ）での変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それに等しい、または、それの所望範囲内かを決定する工程を含むことができる。

前記方法は、更に、（ｅ）その上に集積回路を形成するべく前記半導体ウエハ上において少なくとも１つの処理工程を実行する工程と、（ｆ）半導体材料の基材を有する半導体ウエハに第３の値の電流を流す工程と、（ｇ）前記半導体ウエハに対して別の光パルスを照射し、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第４の値へと増大させる工程と、（ｈ）前記別の光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定する工程と、（ｉ）工程（ｈ）での変化速度の関数として前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物密度を決定する工程と、そして（ｊ）前記工程（ｄ）で決定された密度と前記工程（ｉ）で決定された密度との間の変化が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定する工程、とを有することができる。

最後に、本発明は、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するシステムに関する。このシステムは、半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流すための手段と、前記半導体ウエハに対して光パルスを照射し、前記半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第２の値へと増大させる手段と、前記光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定するための手段と、そして、前記第２の値の電流から前記第１の値の電流への前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定するための手段、とを有する。

好ましくは、前記密度を測定するための手段は、前記変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それと等しい、または、それの所望範囲内かを決定する。

前記システムは、更に、その上に集積回路を形成するために必要な少なくとも１つの処理を前記半導体ウエハ上において実行した後、前記半導体ウエハに第３の値の電流を流すための手段と、前記半導体ウエハに対して別の光パルスを照射し、前記半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第４の値へと増大させる手段と、前記別の光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定するための手段と、前記第４の値の電流から前記第３の値の電流への前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定するための手段と、そして、前記第４の値の電流から前記第３の値の電流への前記変化速度から決定された前記密度と、前記第２の値の電流から前記第１の値の電流への前記変化速度から決定された前記密度との間の差が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定するための手段と、を有することができる。

図面の簡単な説明
図１は、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するための装置の真空チャック上に受けられた半導体ウエハの、ブロック図と側方断面図との組み合わせ、そして、
図２は、光パルスに応答して図１の半導体ウエハ中に流れる電流中の変化を図示する電流−時間のグラフである。

発明の詳細な説明
本発明を、貼付の図面を参照して説明するが、これら図面において類似の部材は類似の参照番号によって示されている。

図１を参照すると、半導体ウエハテストシステム２は、導電性真空チャック４とコンタクト６とを備える。尚、図１中においてコンタクト６は長手プローブとして図示されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、このコンタクト６は、半導体ウエハ１０のテストに適した任意の形状又は形態のものとすることが可能である。或いは、プローブとして構成する代わりに、このコンタクト６を、液体水銀（Ｈｇ）又はその他の導電性液体の小滴から構成することも可能である。本発明の説明の目的で、以下、コンタクト６を図１に図示するプローブの形態のものと見なす。

チャック４は、半導体ウエハ１０の裏面８を支持するように構成されている。半導体ウエハ１０は、半導体材から成る基材１２を備え、これが真空装置（図示せず）によってチャック４と接触状態に保持される。半導体ウエハ１０は、基材１２の上表面１６上に位置する誘電層１４を備えることができるが、これは必須ではない。

好ましくは、コンタクト６は、基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には前記誘電層１４の上面２２、と接触するための部分球状導電性表面２０を少なくとも備える。なお、このような部分球状導電性表面２０が好ましいものであるが、半導体ウエハ１０をテストするために適したその他の形状の表面（図示せず）も利用可能である。従って、図１において表面２０が部分球状に図示されていることによって本発明は限定されるものではない。

周知の接触形成手段２６によって、図中矢印２８によって示される方向でのチャック４および／又はコンタクト６の垂直移動を制御して、コンタクト６と半導体ウエハ１０を互いに接近移動させ、これにより、コンタクト６の表面２０が、基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２、に対して押し付けられ接触する。

半導体ウエハ１０がチャック４上に受けられ、コンタクト６の表面２０が基材１２の上面１６又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２、に対して押し付けられ接触する時に、これらコンタクト６と半導体ウエハ１０とに対して適当な電気刺激を与えるために電気刺激付与手段３０を電気接続することができる。

前記電気刺激付与手段３０によって付与された電気的テスト刺激に対する半導体ウエハ１０の反応を測定するために測定手段３２を電気接続することができる。好ましくは、チャック４は基準接地（reference ground）に接続される。但し、チャック４は、適当なＡＣ又はＤＣ基準バイアスに接続することも可能であるので、これによって本発明は限定されるものではない。

半導体ウエハ１０、特に、半導体ウエハ１０の、コンタクト６の表面２０が基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２、に対して押し付けられ接触するポイントの下方の部分、に光３６を向けるように、キセノンランプなどの光源３４が配置されている。

図２と、図１を引き続き参照すると、適当な時間に、接触形成手段２６によって、コンタクト６の表面２０が、基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には、誘電層１４の上面２２に、押し付けられ接触する。好ましくは、前記コンタクト６がプローブとして構成される場合は、少なくとも表面２０は、基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２、に対して押し付けられ接触する時に、その弾性限度内において変形する弾性変形可能な導電性材料から形成される。コンタクト６が液体水銀の小滴（図示せず）である場合は、表面２０を形成するこの液体水銀の小滴は、単に、基材１２の上面１６、又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２、上に配置される。いずれの場合でも、一旦、この電気コンタクトが半導体ウエハ１０の上表面と形成されると、電気刺激付与手段３０によって、表面２０と半導体ウエハ１０を介してコンタクト６に第１の値４０の電流Ｉを流す。

この第１の値４０の電流Ｉが半導体ウエハ１０を流れている状態で、光源３４によって、半導体ウエハ１０に対して、前記表面２０と、基材１２の上面１６又は、それが設けられる場合には誘電層１４の上面２２との間の前記コンタクトの下方又は近傍において光パルス３６を照射する。この光パルス３６は、半導体ウエハ１０の基材１２中に、プローブ６を流れる電流Ｉの値を、時間ｔ１と時間ｔ２との間において第１の値４０から第２の値４２へと増加させる電子正孔対を発生させる。

前記光パルス３６の照射の終了後、前記電子正孔対は再結合を開始し、これにより、プローブ６中を流れる電流Ｉの値は、第２の値４２から前記第１の値４０へと戻り変化する。プローブ６中の流れる電流Ｉの時間ｔ２での第２の値４２から時間ｔ３での第１の値への変化中に、測定手段３２は、プローブ６中を流れる電流Ｉを複数回サンプリングする。これらのサンプルを利用して、測定手段３２は、時間ｔ２と時間ｔ３との間の電流Ｉの変化の傾きＳ又は速度、を測定する。傾きＳは、半導体ウエハ１０中の欠陥および／又は不純物の密度の正確な指標を提供すると考えられる時間ｔ２とｔ３との間の任意の適当な間隔中に得られたサンプルについて測定することができる。そして、このようにして測定された傾きＳの値を、既知のおよび／又は所望の密度の欠陥および／又は不純物を有する半導体ウエハから得られた基準傾き値と比較して、傾きＳが、基準傾きより大きいか、より小さいか、それに等しいか、又は、それの所望範囲内であるかを決定することができる。

誘電層１４が存在する場合、それは、前記光パルス３６の照射の終了に応答する電流Ｉの傾きの測定に対して実質的に影響を与えることなく、最大３０Åの厚みを有することができる、と考えられる。この測定が可能であるのは、誘電層１４があまり厚みの大きなものでない場合に、この誘電層１４を通って流れることが可能な所謂トンネル電流による。

その上に集積回路を形成するための半導体ウエハ１０の処理中に、この半導体ウエハ１０中に欠陥および／又は不純物が取り込まれる可能性がある。処理制御の補助として、どの処理工程がそのような半導体ウエハ１０中の欠陥および／又は不純物の導入に寄与しているかを調べることが望ましいであろう。従って、第１の値４０の電流Ｉを、プローブ６を介して半導体ウエハ１０に流す工程と、半導体ウエハ１０に対して光パルス３６を照射する工程と、前記電流Ｉが第２の値４２から第１の値４０に向けて変化している時に、時間ｔ２とｔ３との間の適当な間隔で、電流Ｉの傾きＳを測定する工程と、傾きＳの関数として半導体ウエハ１０中の欠陥および／又は不純物の密度を測定する工程とを有する上述の処理を、欠陥および／又は不純物の密度が変化しつつあるか否かを判断するために、その上に集積回路を形成するための半導体ウエハ１０の処理中に、二回以上繰り返すことができる。例えば、図２中の傾きＳのような第１の傾きＳ１を決定するためのデータの取得を、同様に図２中の傾きＳのような第２の傾きＳ２を決定するためのデータの取得と、単数又は複数の集積回路処理工程によって時間的に分離することができる。そして、傾きＳ１に関連する欠陥および／又は不純物の密度を、傾きＳ２に関連する欠陥および／又は不純物の密度と比較して、その欠陥および／又は不純物の密度の変化が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定することができる。

好ましくは、光源３４は、それぞれの回において、同じ強度の光３６を出力する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。

以上から理解されるように、本発明は、半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の相対密度を実験に基づいて決定するための方法と装置を提供するものである。

以上、本発明をその好適実施例を参照して説明した。しかし、以上の詳細説明を読み理解することによって様々な改造及び改変が想到されるであろう。本発明は、そのような改造及び改変が貼付の特許請求の範囲又はそれらの均等物に含まれる限りにおいて、それらすべてを含むものである。

半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するための装置の真空チャック上に受けられた半導体ウエハの、ブロック図と側方断面図との組み合わせ 光パルスに応答して図１の半導体ウエハ中に流れる電流中の変化を図示する電流−時間のグラフ

Claims (19)

1. 半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するための方法であって以下の工程を含む、
   （ａ）半導体材料の基材を有する半導体ウエハを提供する工程、
   （ｂ）前記半導体ウエハの上表面との電気的コンタクトを形成する工程、
   （ｃ）前記電気的コンタクトを介して前記半導体ウエハ中に第１の値の電流を流す工程、
   （ｄ）前記半導体ウエハに対して、前記工程（ｂ）において形成された前記電気的コンタクトの下方又は近傍で光を照射し、これによって、第２の値の電流を前記半導体ウエハに流す工程、
   （ｅ）前記光の照射を終わらせる工程、
   （ｆ）前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定する工程、及び、
   （ｇ）前記工程（ｆ）にて測定された前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程。
2. 請求項１の方法であって、前記半導体ウエハの前記上表面は、前記半導体ウエハの半導体材料の上表面、又は、前記半導体ウエハの半導体材料の前記上表面上に位置する誘電層の上表面である。
3. 請求項２の方法であって、前記誘電層は約３０Å以下の厚みを有する。
4. 請求項１の方法であって、前記工程（ｇ）は、前記工程（ｆ）での変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それに等しい、または、それの所望範囲内かを決定する工程を含む。
5. 請求項１の方法であって、前記電気的コンタクトは、それが前記半導体ウエハの上表面に接触したときに、その弾性限界内において変形するが、半導体ウエハの上表面を損傷することのない、弾性変形可能な導電性チップを備えるプローブ、及び
   前記半導体ウエハの前記上表面上に置かれた液体水銀の小滴、のいずれかで構成されている。
6. 請求項１の方法であって、更に以下の工程を有する、
   （ｈ）前記半導体ウエハ上において少なくとも１つの集積回路処理工程を実行する工程、
   （ｉ）前記半導体ウエハの前記上表面上に別の電気的コンタクトを形成する工程、
   （ｊ）前記別の電気的コンタクトを介して前記半導体ウエハに第３の値の電流を流す工程、
   （ｋ）前記半導体ウエハに対して、前記工程（ｉ）において形成された前記別の電気的コンタクトの下方又は近傍で光を照射し、これによって、第４の値の電流を前記半導体ウエハに流す工程、
   （ｌ）前記光の照射を終わらせる工程、
   （ｍ）前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定する工程、
   （ｎ）前記工程（ｍ）にて測定された前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程、及び、
   （ｏ）前記工程（ｎ）で決定された密度と前記工程（ｇ）で決定された密度との間の変化が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定する工程。
7. 請求項６の方法であって、前記半導体ウエハは、前記工程（ｄ）と前記工程（ｋ）とにおいて同じ強度の光を照射される、及び、
   前記電流の第１の値と第３の値との間の差は、前記電流の第２の値と第４の値との間の差に等しい、の少なくともいずれか１つを特徴とする。
8. 半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定する方法であって、以下の工程を有する、
   （ａ）半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す工程、
   （ｂ）前記半導体ウエハに対して光パルスを照射し、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する工程、
   （ｃ）前記光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定する工程、及び、
   （ｄ）前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定する工程。
9. 請求項８の方法であって、前記半導体ウエハの上表面は、前記半導体ウエハの半導体材料の上表面、又は、前記半導体ウエハの半導体材料の前記上表面上に位置する誘電層の上表面である。
10. 請求項９の方法であって、前記誘電層は約３０Å以下の厚みを有する。
11. 請求項８の方法であって、前記工程（ｄ）は、前記工程（ｃ）での変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それに等しい、または、それの所望範囲内かを決定する工程を含む。
12. 請求項８の方法であって、更に以下の工程を有する、
    （ｅ）その上に集積回路を形成するべく前記半導体ウエハ上において少なくとも１つの処理工程を実行する工程、
    （ｆ）半導体材料の基材を有する半導体ウエハに第３の値の電流を流す工程、
    （ｇ）前記半導体ウエハに対して別の光パルスを照射し、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第４の値へと増大させる工程、
    （ｈ）前記別の光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定する工程、
    （ｉ）工程（ｈ）での変化速度の関数として前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物密度を決定する工程、及び、
    （ｊ）前記工程（ｄ）で決定された密度と前記工程（ｉ）で決定された密度との間の変化が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定する工程。
13. 請求項１２の方法であって、前記半導体ウエハは、前記工程（ｄ）と工程（ｋ）とにおいて同じ強度の光を照射される、及び、
    前記電流の第１の値と第３の値との間の差は、前記電流の第２の値と第４の値との間の差に等しい、の少なくともいずれか１つを特徴とする。
14. 半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するシステムであって、以下を有する、
    半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流すための手段、
    前記半導体ウエハに対して光パルスを照射し、前記半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第２の値へと増大させる手段、
    前記光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値への変化速度を測定するための手段、及び、
    前記第２の値の電流から前記第１の値の電流への前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定するための手段。
15. 請求項１４のシステムであって、前記半導体ウエハの前記上表面は、前記半導体ウエハの半導体材料の上表面、又は、前記半導体ウエハの半導体材料の前記上表面上に位置する誘電層の上表面である。
16. 請求項１５のシステムであって、前記誘電層は約３０Å以下の厚みを有する。
17. 請求項１４のシステムであって、前記密度を決定するための手段は、前記変化速度が、基準変化速度より大きい、より小さい、それと等しい、または、それの所望範囲内かを決定する。
18. 請求項１４のシステムであって、更に以下を有する、
    その上に集積回路を形成するために必要な少なくとも１つの処理を前記半導体ウエハ上において実行した後、前記半導体ウエハに第３の値の電流を流すための手段、
    前記半導体ウエハに対して別の光パルスを照射し、前記半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流を第４の値へと増大させる手段、
    前記別の光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第４の値から前記第３の値への変化速度を測定するための手段、
    前記第４の値の電流から前記第３の値の電流への前記変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を決定するための手段、及び、
    前記第４の値の電流から前記第３の値の電流への前記変化速度から決定された前記密度と、前記第２の値の電流から前記第１の値の電流への前記変化速度から決定された前記密度との間の差が許容範囲（単数又は複数）内にあるか否かを決定するための手段。
19. 請求項１８のシステムであって、各光パルスは同じ強度を有する、及び、
    前記電流の第１の値と第３の値との間の差は、前記電流の第２の値と第４の値との間の差に等しい、の少なくともいずれか１つを特徴とする。

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