JPS5848947A - 半導体装置の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製法、特に半導体素子（主として
半導体集積回路素子）の実装に関するものるにある。

従来、例えば液晶セルを構成する、二枚のガラス板の少
なくとも一方を延長し、この延長部分にＬｓｉチップを
実装したり、或いは各種の回路基板にＬｓｉ　チップが
しばしば実装される。この場合、一般に従来の実装法は
Ｌｓｉ　チップに設けた複数個のパ゛ンプと基板上の配
線導体とを同時にボンディングし、しかる後、Ｌｓｉチ
ップを樹脂封止する方法が採られている。

しかし、特に１枚の基板上へ多数のＬｓｉチンプを実装
する（マルチ・チップ化）場合、不良チップの交換が必
要となり、従来方法では封止樹脂と基板とが接着してい
る為、Ｌｓｉチップの取り換えに際して、ガラス等の基
板や基板上のパーツに対して損傷を与えることが多く、
かつ取換えに時間を要し、Ｌｓｉチップ取換え１後、破
損あるいは亀裂した基板や部品を再度使用することはで
きず、不良チップの場合、基板ごと捨てる結果となり、
基板の少滴りが著しく低下するなどの欠点があった０ 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、特にボンデ
ィング前にバンプ部分を残して半導体素子を樹脂封止す
ることにより、封止樹脂と基板との接着を防止１〜、不
良品半導体素子の交換を容易に行えるようにした半導体
装置の製法を提供せんとするものである。

以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図乃至第４図は本発明による製法に基づいて製造さ
れる半導体装置の一例の製造工程を示している。

第１図はバンプ形成後のＬｓｉチップを示し、ｌはＬｓ
ｉ　チップ、２はチップ上に突出した接続端子であるバ
ンプである。第２図において、上記ＬｓｉチップＩに封
止樹脂４（例えば、エポキシ系等）をはじく物質３、例
えば／リコン系樹脂等をバンプ２の先端部に塗布する上
記Ｌｓｉチップ１を封止樹脂４中にディッピングし、引
きあげ、又はスプレー法により樹脂を塗布するとバンプ
２の先端部分には封止樹脂４は塗布されない（第３９図
）。上記樹脂４に熱等を加えて硬化した後、上記封止樹
脂４をはじく物質３を除去し、基板５上の配線導体６と
バンプ２とを同時にボンディングし、半導体装置を製造
する。なお、物質３の膜が薄い場合は、とくに除去する
ことなくそのままボンディングすることができる（第４
図）。この前記方法はフラントパッケージ、フィルムキ
ャリア一方式等の実装法に比べ小型にでき且つ高密度実
装を可能にする、また通常の雰囲気中でボンディングが
行え、空調設備が不要である。なお、バンプ部分に形成
される封止樹脂と接着しないあるいはしにくい樹脂等の
コーテイング物質をバンプ全体に形成するかバンプの一
部分に形成するかは実験的或いは試験的に決められる。

以上説明したように本発明によれば、基板ヘボンディン
グされる不良半導体素子の交換が極めて容易で且つ基板
の少滴りが向上しコスト低下につながるなどの利点があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明に係わる半導体装置の一例の
製造工程を示す断面図である。 図中、■＝半導体素子、２：バンプ、３：コーテイング
物質、４：封止樹脂、５：基板、６：配線導体、 代理人　弁理士　福　士　愛　彦

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、複数個の電極接続用のバンプを有する半導体素子を
   、配線導体が形成された電極基板上に載置し、上記複数
   個のバンプと配線導体とを同時にボンディングする半導
   体装置の製法において、ポンディング前に上記バンプ部
   分を残して上記半導体素子を樹脂封止することを特徴と
   する半導体装置の製法。