JPS62164291A - イオン注入方式バブル転送路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 イオン注入方式のバブル転送路であって、バブルの転送
方向に沿って転送路の幅を変える場合、その変化部をカ
スプ部より少し離れたティップ部近傍とすることにより
転送特性の改善を可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はイオン注入磁気バブルメモリ素子におけるバブ
ル転送路に関するものである。

磁気バブルメモリ素子は、従来そのバブル転送路として
パーマロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられて来たが
、最近では記憶密度の高度化に伴ってパターンが微細化
し、その形成が光りソグラフィでは困難となって来てい
る。このためパターン間にギャップを必要としないイオ
ン注入方式によるバブル転送路が注目されている。

このイオン注入方式のバブルメモリ素子では直線伝搬部
以外のところを構成する場合、例えばバブル発生部ある
いはバブル検出部あるいはゲート近傍等では、しばしば
直線伝搬部の転送路よりも太いパターン幅をもった転送
路が必要とされる。

〔従来の技術〕

従来のバブル発生部のパターン形状を第５図に、ゲート
近傍のパターン形状を第６図にそれぞれ示す。両図にお
いて符号１はイオン注入領域、２はバブル転送路、３は
コンダクタパターン、４はバブルであり、矢印ａ、ｂは
バブルの転送方向を示している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記、従来例では、それぞれ領域Ａ及びＢにパターン幅
が太い部分から細い部分へ移るつなぎがある。そして両
者ともにパターン幅の変化が転送路のカスブ（凹部）に
生じているため、このつなぎ部のマージンがカスブトラ
ップにより駆動磁界が増大するという欠点があった。

本発明はこのような点に鑑みて案出されたもので、パタ
ーン幅の太い部分から細い部分へのつなぎ部分のマージ
ンを改善したイオン注入方式のバブル転送路を擢供する
ことを目的としている。

を問題点を解決するための手段〕 このため本発明においては、イオン注入法によって形成
されるバブル転送路において、その転送方向に沿って幅
の太い転送路から幅の細い転送路へと変化する場合、そ
の太さの変化が転送にかかわるカスブ部ではなく、カス
ブ部より少し離れたティップ部近傍で生じていることを
特徴としている。

〔作　用〕

幅の太い転送路から幅の細い転送路へ変化するつなぎの
部分をティップ部近傍に配置することにより、つなぎ部
分から始まる幅の細い転送路の最初のカスブのバブルト
ラップ力が弱くなるため、カスブからのバブルの引出し
が容易となり、マージンの改善が可能となる。

〔実施例〕

第１図及び第２図は本発明の実施例を示す図であり、第
１図はバブル発生部付近のパターン、第２図はゲート近
傍のパターンをそれぞれ示している。同図において、１
０はイオン注入領域、１１はイオン注入転送路、１２は
コンダクタパターンである。

本実施例は第１図、第２図に示すように、バブル転送路
１１の矢印ａ、ｂで示すバブル転送方向に沿って太い部
分から細い部分に変化する位置ＰがカスブＣではなくテ
ィップＴの近傍に位置するように形成したものである。

このように構成された本実施例の転送路の太い部分から
細い部分に移る部分のマージンは第３図の特性図に曲線
Ａで示す如くなり、曲線Ｂで示す従来例に比してマージ
ンの最小駆動力は大きく改善される。

このマージン改善の理由を第４図により説明する。同図
は外径８μｍのパターンａと、外径８μｍ、内径４μｍ
（幅２μｍ）のパターンｂと外径８μｍ、内径６μｍ（
幅１μｍ）のパターンＣの各パターンについてバブル（
０，６μψ）をトラップしたときのポテンシャルを測定
したもので、横軸には駆動磁界の角度、縦軸にはポテン
シャルをとり、曲ｉＡでパターンａの、曲線Ｂではパタ
ーンｂの、曲線ＣでパターンＣのポテンシャルを示して
いる。

図から分かるようにパターン幅とバブルをトランブする
力とは相関性があり、パターン幅を太くするにつれてト
ラップ力は増大する。従って従来技術におけるバブルト
ラップのエラーはパターン幅の太いカスブからパターン
幅の細いティップへ引出すために生じたものと考えられ
る。従って本発明においてはカスブからバブルを引出す
側の辺のみ太いパターンとし、ティップからカスブへは
強い駆動力を必要としないことからティップ部近傍でパ
ターン幅を細くしたのである。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、イオン注入磁
気バブルメモリ素子のバブル転送路において、幅の太い
部分から細い部分へ変化する位置をティップ部近傍とす
ることにより、核部でのマージンの改善をすることがで
き、実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のバブル発生部付近のパターン
を示す図、 第２図は本発明の実施例のゲート付近のパターンを示す
閏、 第３図は本発明の実施例のマージンを従来例と比較して
示した図、 第４図はパターン幅によるポテンシャルの違いを示した
図、 第５図及び第６図はイオン注入方式バブル転送路の従来
例を示す図である。 第１図、第２図において、 １０はイオン注入領域、 １１はバブル転送路、 １２はコンダクタパターン、 Ｃはカスブ、　　　　　　Ｔはティップである。 本発明の実施例のバブル発生部 付近のパターンを示す図 第１図 １０・・・イオン注入領域 １１　・・・バブル転送路 １２・・・コンダクタノやターン 本発明の実施例のダート付近の パターンを示す図 第２図 １０・・・イオン注入領域 １１　　・・・バブル転送路 １２・・・　コンダクタノやターン 駆動磁界（○ｅ） 本発明の実施例のマージンを従来例 と比較して示した図 第３図 駆動磁界の角度（’） パターン幅によるポテンシャルの違いを示した図 第４図 従来のバブル発生部伺近の ・９ターン形状を示す図 ３・・・　コンダクタノやターン ４・・・　パズル

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、イオン注入法によって形成されるバブル転送路にお
   いて、その転送方向に沿って、幅の太い転送路から幅の
   細い転送路へと変化する場合、その太さの変化が転送に
   かかわるカスプ部ではなく、カスプ部より少し離れたテ
   ィップ部近傍で生じていることを特徴とするイオン注入
   方式バブル転送路。