JPS62162319A - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
- Publication number
- JPS62162319A JPS62162319A JP456986A JP456986A JPS62162319A JP S62162319 A JPS62162319 A JP S62162319A JP 456986 A JP456986 A JP 456986A JP 456986 A JP456986 A JP 456986A JP S62162319 A JPS62162319 A JP S62162319A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- siloxane
- case
- silicone resin
- low
- cyclic
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は民生用、産業用に使用される各棟トランスなど
の充填用シリコン樹脂を用いた電子機器に関するもので
ある。
の充填用シリコン樹脂を用いた電子機器に関するもので
ある。
従来の技術
第6図はこの種のシリコン樹脂を充填したトランスを示
す構成図で、ボビン1にコイル6.6′を巻線し、磁心
2を組込むことによりコイル本体は構成され、このコイ
ル本体は絶縁ケース3及びシールドケース4に収納され
、それら本体をモールド絶縁するために注型樹脂5が充
填されている。
す構成図で、ボビン1にコイル6.6′を巻線し、磁心
2を組込むことによりコイル本体は構成され、このコイ
ル本体は絶縁ケース3及びシールドケース4に収納され
、それら本体をモールド絶縁するために注型樹脂5が充
填されている。
発明が解決しようとする問題点
このような構成において、注型樹脂5として、従来のシ
リコン樹脂を用いる場合は、注型、硬化後製品において
シリコン樹脂中に含まれると低沸点成分であるガス状環
状低分子量シロキサンが揮発し、トランスを配置した電
気機器内のブラシ付モータの火花等が関与し、環状低分
子量シロキサンは次の化学式で示されるようにC(CH
3)2SiO)n酸化ケイ素5in2が形成されモータ
ーのブラシ部に付着し、接触不良を誘発する問題があっ
た。この種の電子機器は小型軽量化が要求される電気機
器等に使用されるため内部の構成が非常に高密度化とな
っており電気機器内の密閉度も高くなり極めて微少のガ
スにもかかわらず影響を受ける。
リコン樹脂を用いる場合は、注型、硬化後製品において
シリコン樹脂中に含まれると低沸点成分であるガス状環
状低分子量シロキサンが揮発し、トランスを配置した電
気機器内のブラシ付モータの火花等が関与し、環状低分
子量シロキサンは次の化学式で示されるようにC(CH
3)2SiO)n酸化ケイ素5in2が形成されモータ
ーのブラシ部に付着し、接触不良を誘発する問題があっ
た。この種の電子機器は小型軽量化が要求される電気機
器等に使用されるため内部の構成が非常に高密度化とな
っており電気機器内の密閉度も高くなり極めて微少のガ
スにもかかわらず影響を受ける。
本発明はこのような従来の問題点を解決するものでシリ
コン樹脂の精製時にあらかじめ、低沸点成分である環状
低分子量I10キサンを100“C以上の高温かつ減圧
下において揮発除去した低シロキサンシリコン樹脂を充
填した電子機器であり、品質の向上と信頼性の向上を図
ることを目的とする。
コン樹脂の精製時にあらかじめ、低沸点成分である環状
低分子量I10キサンを100“C以上の高温かつ減圧
下において揮発除去した低シロキサンシリコン樹脂を充
填した電子機器であり、品質の向上と信頼性の向上を図
ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、シリコン樹脂内に
残存する低沸点成分である環状低分子量シロキサンを揮
発除去したシリコン樹脂を絶縁物として充填した構成と
するものである。
残存する低沸点成分である環状低分子量シロキサンを揮
発除去したシリコン樹脂を絶縁物として充填した構成と
するものである。
作用
上述のようにシリコン樹脂製造工程に2次精製工程を追
加することにより、通常シリコン樹脂内に残留する低沸
点成分である環状シロキサ/を除去した低シロキサンシ
リコン樹脂を充填した電子機器を使用すると、揮発ガス
による問題がなく、品質及び信頼性の向上を図ることが
できる。
加することにより、通常シリコン樹脂内に残留する低沸
点成分である環状シロキサ/を除去した低シロキサンシ
リコン樹脂を充填した電子機器を使用すると、揮発ガス
による問題がなく、品質及び信頼性の向上を図ることが
できる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面第1図〜第4図を用いて説
明する。
明する。
まず、第1図においてトランスを一実施例として説明す
ると、−次コイル6、二次コイル7を巻回したコイルポ
ビン8に磁心9を組込んで構成したトランス本体を、外
周にシールドケース10を被せた絶縁ケース11内に収
納し、この絶縁ケース11内に精製時にあらかじめ低沸
点成分である環状低分子量シロキサンを100’C以上
の高温でしかも減圧下において揮発除去した低シロキサ
ンのシリコン樹脂12を充填し硬化させて構成されてい
る。
ると、−次コイル6、二次コイル7を巻回したコイルポ
ビン8に磁心9を組込んで構成したトランス本体を、外
周にシールドケース10を被せた絶縁ケース11内に収
納し、この絶縁ケース11内に精製時にあらかじめ低沸
点成分である環状低分子量シロキサンを100’C以上
の高温でしかも減圧下において揮発除去した低シロキサ
ンのシリコン樹脂12を充填し硬化させて構成されてい
る。
また、第2図に示すものは、各種電気機器に利用される
電源装置を示したものであり、トランス13、整流回路
や制御回路を構成する各種電子部品14を組込んだプリ
ント基板15を絶縁ケース16内に収納し、この絶縁ケ
ース16内に上述と同様の環状シロキサンをあらかじめ
揮発除去したシリコン樹脂17を充填して構成されてい
る。
電源装置を示したものであり、トランス13、整流回路
や制御回路を構成する各種電子部品14を組込んだプリ
ント基板15を絶縁ケース16内に収納し、この絶縁ケ
ース16内に上述と同様の環状シロキサンをあらかじめ
揮発除去したシリコン樹脂17を充填して構成されてい
る。
一般ニシリコンm脂u、ベースレジン人とBを重合させ
、これを精製し、これに充填剤を混練したものを漏過し
て製造され、(CH3) 2 S iOで示されるDが
環状に整数個結合されている。
、これを精製し、これに充填剤を混練したものを漏過し
て製造され、(CH3) 2 S iOで示されるDが
環状に整数個結合されている。
このDの数によって環状低分子量シロキサン含有量が第
3図に示すガスクロマトグラフィー分析のように異なる
。このま\のものを用いれば従来のように使用中に低分
子量シロキサンが揮発し悪影響を及ぼすことになる。
3図に示すガスクロマトグラフィー分析のように異なる
。このま\のものを用いれば従来のように使用中に低分
子量シロキサンが揮発し悪影響を及ぼすことになる。
このようなことから、本発明では、ベースレジンA、B
を重合し、これを−次精製した後、100°C以上の高
温でかつ減圧下で二次精製を行い、−次精製時に残留し
た重量比1チ程度の環状低分子量シロキサンの70〜9
0チを除去し、これに充填剤を混練し漏過して製造した
低シロキサンのシリコン樹脂を用いる。このようにして
得たシリコン樹脂の環状低分子量シロキサンのガスクロ
マトグラフィ分析は第4図に示すよってなり、第3図
・に比べD4〜D7の全体がきわめて少ない環状低分子
量シロキサンを含有したものとなっている。
を重合し、これを−次精製した後、100°C以上の高
温でかつ減圧下で二次精製を行い、−次精製時に残留し
た重量比1チ程度の環状低分子量シロキサンの70〜9
0チを除去し、これに充填剤を混練し漏過して製造した
低シロキサンのシリコン樹脂を用いる。このようにして
得たシリコン樹脂の環状低分子量シロキサンのガスクロ
マトグラフィ分析は第4図に示すよってなり、第3図
・に比べD4〜D7の全体がきわめて少ない環状低分子
量シロキサンを含有したものとなっている。
このような低シロキサンのシリコン樹脂12゜17を用
いることによってガス状環状低分子量シロキサンの揮発
が殆んど無くなり、ブラシ付モーターに近接して配置さ
れても火花の発生で環状低分子量シロキサンが分解され
、酸化ケイ素5in2が形成されモーターのフリシ部に
付着して接触不良を誘発するといったことは阻止できる
ことになる。
いることによってガス状環状低分子量シロキサンの揮発
が殆んど無くなり、ブラシ付モーターに近接して配置さ
れても火花の発生で環状低分子量シロキサンが分解され
、酸化ケイ素5in2が形成されモーターのフリシ部に
付着して接触不良を誘発するといったことは阻止できる
ことになる。
発明の効果
以上のように本発明の電子機器は、環状低分子量シロキ
サンを十分揮発させたシリコン樹脂を絶縁物として利用
するため、使用時に環状低分子量シロキサンが揮発する
ことが殆んどなくなり、火花などによって分解されて酸
化ケイ素が形成されて接点などの接触部に付着して導通
不良を発生させるといったことが防止でき、品質面や信
頼性の上で大幅な向上を図ることができ、工業的価値の
大なるものである。
サンを十分揮発させたシリコン樹脂を絶縁物として利用
するため、使用時に環状低分子量シロキサンが揮発する
ことが殆んどなくなり、火花などによって分解されて酸
化ケイ素が形成されて接点などの接触部に付着して導通
不良を発生させるといったことが防止でき、品質面や信
頼性の上で大幅な向上を図ることができ、工業的価値の
大なるものである。
第1図は本発明の電子機器の一実施例を示す断面図、第
2図は他の実施例の断面図、第3図は一般的なシリコン
樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を示す比較図、
第4図は本発明に用いるシリコン樹脂の環状低分子量シ
ロキサンの含有量を示す比較図、第5図は従来の電子機
器を示す断面図である。 6・川・・−次コイル、7・・・・・・二次コイル、8
・・・・・・コイルボビン、9・・・・・・磁心、10
・・・・・・シールドケース、11・・・・・・絶縁ケ
ース、12・・・・・・シリコン樹脂、13・・・・・
・トランス、14・・・・・・電子部品、15・・・・
・・プリント基板、16・・・・・・絶縁ケース、17
・・・・・・シリコン樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 一犬コイlし
2図は他の実施例の断面図、第3図は一般的なシリコン
樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を示す比較図、
第4図は本発明に用いるシリコン樹脂の環状低分子量シ
ロキサンの含有量を示す比較図、第5図は従来の電子機
器を示す断面図である。 6・川・・−次コイル、7・・・・・・二次コイル、8
・・・・・・コイルボビン、9・・・・・・磁心、10
・・・・・・シールドケース、11・・・・・・絶縁ケ
ース、12・・・・・・シリコン樹脂、13・・・・・
・トランス、14・・・・・・電子部品、15・・・・
・・プリント基板、16・・・・・・絶縁ケース、17
・・・・・・シリコン樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 一犬コイlし
Claims (1)
- ケース内に部品本体あるいは各種電子部品を収納する
とともに、環状低分子量シロキサンを充分揮発させた低
シロキサンのシリコン樹脂を充填してなる電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP456986A JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP456986A JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62162319A true JPS62162319A (ja) | 1987-07-18 |
JPH0523488B2 JPH0523488B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=11587670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP456986A Granted JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62162319A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5137786A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Nippon Steel Corp | Shibori shigokikakokanno seizoho |
JPS52138600A (en) * | 1976-04-21 | 1977-11-18 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
JPS5648103A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Daihen Corp | Resin molded coil |
JPS56118313A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Denki Onkyo Co Ltd | High-voltage transformer |
JPS60209507A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-22 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 寸法安定な型組成物 |
JPS614570A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-01-10 | Aisin Seiki Co Ltd | コ−テイング液の液切り方法 |
JPS61209266A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP456986A patent/JPS62162319A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5137786A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Nippon Steel Corp | Shibori shigokikakokanno seizoho |
JPS52138600A (en) * | 1976-04-21 | 1977-11-18 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
JPS5648103A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Daihen Corp | Resin molded coil |
JPS56118313A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Denki Onkyo Co Ltd | High-voltage transformer |
JPS60209507A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-22 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 寸法安定な型組成物 |
JPS614570A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-01-10 | Aisin Seiki Co Ltd | コ−テイング液の液切り方法 |
JPS61209266A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0523488B2 (ja) | 1993-04-02 |
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