JPH0523488B2 - - Google Patents
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- JPH0523488B2 JPH0523488B2 JP61004569A JP456986A JPH0523488B2 JP H0523488 B2 JPH0523488 B2 JP H0523488B2 JP 61004569 A JP61004569 A JP 61004569A JP 456986 A JP456986 A JP 456986A JP H0523488 B2 JPH0523488 B2 JP H0523488B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- siloxane
- cyclic
- molecular weight
- low molecular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
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Landscapes
- Insulating Of Coils (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は民生用、産業用に使用される各種トラ
ンスなどの充填用シリコン樹脂を用いた電子機器
に関するものである。 従来の技術 第５図はこの種のシリコン樹脂を充填したトラ
ンスを示す構成図で、ボビン１にコイル６，６′
を巻線し、磁心２を組込むことにりコイル本体は
構成され、このコイル本体は絶縁ケース３及びシ
ールドケース４に収納され、それら本体をモール
ド絶縁するために注型樹脂５が充填されている。 発明が解決しようとする問題点 このような構成において、注型樹脂５として、
従来のシリコン樹脂を用いる場合は、注型、硬化
後製品においてシリコン樹脂中に含まれる低沸点
成分であるガス状環状低分子量シロキサンが揮発
し、トランスを配置した電器機器内のブラシ付モ
ータの火花等が関与し、環状低分子量シロキサン
は次の化学式で示されるように
ンスなどの充填用シリコン樹脂を用いた電子機器
に関するものである。 従来の技術 第５図はこの種のシリコン樹脂を充填したトラ
ンスを示す構成図で、ボビン１にコイル６，６′
を巻線し、磁心２を組込むことにりコイル本体は
構成され、このコイル本体は絶縁ケース３及びシ
ールドケース４に収納され、それら本体をモール
ド絶縁するために注型樹脂５が充填されている。 発明が解決しようとする問題点 このような構成において、注型樹脂５として、
従来のシリコン樹脂を用いる場合は、注型、硬化
後製品においてシリコン樹脂中に含まれる低沸点
成分であるガス状環状低分子量シロキサンが揮発
し、トランスを配置した電器機器内のブラシ付モ
ータの火花等が関与し、環状低分子量シロキサン
は次の化学式で示されるように
【式】分解さ
れ酸化ケイ素SiO2が形成されモーターのブラシ
部に付着し、接触不良を誘発する問題があつた。
この種の電子機器は小型軽量化が要求される電気
機器等に使用されるため内部の構成が非常に高密
度化となつており電気機器内の密閉度も高くなり
極めて微小のガスにもかかわらず影響を受ける。 本発明はこのような従来の問題点を解決するも
のでシリコン樹脂の精製時にあらかじめ、低沸点
成分である環状低分子量シロキサンを100℃以上
の高温かつ減圧下において揮発除去した低シロキ
サンシリコン樹脂を充填した電子機器であり、品
質の向上と信頼性の向上を図ることを目的とす
る。 問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明は、部品本体
あるいは各種電子部品を収納したケース内にシリ
コン樹脂内に残存する低沸点成分である環状低分
子量シロキサンを揮発除去したシリコン樹脂を絶
縁物として充填した構成とするものである。 作 用 上述のようにシリコン樹脂製造工程に２次精製
工程を追加することにより、通常シリコン樹脂内
に残留する低沸点成分である環状シロキサンを除
去した低シロキサンシリコン樹脂を充填した電子
機器を使用すると、揮発ガスによる問題がなく、
品質及び信頼性の向上を図ることができる。 実施例 以下、本発明の実施例を図面第１図〜第４図を
用いて説明する。 まず、第１図においてトランスを一実施例とし
て説明すると、一次コイル６、二次コイル７を巻
回したコイルボビン８に磁心９を組込んで構成し
たトランス本体を、外周にシールドケース１０を
被せた絶縁ケース１１内に収納し、この絶縁ケー
ス１１内に精製時にあらかじめ低沸点成分である
環状低分子量シロキサンを100℃以上の高温でし
かも減圧下において揮発除去した低シロキサンの
シリコン樹脂１２を充填し硬化させて構成されて
いる。 また、第２図に示すものは、各種電気機器に利
用される電源装置を示したものであり、トランス
１３、整流回路や制御回路を構成する各種電子部
品１４を組込んだプリント基板１５を絶縁ケース
１６内に収納し、この絶縁ケース１６内に上述と
同様の環状シロキサンをあらかじめ揮発除去した
シリコン樹脂１７を充填して構成されている。 一般にシリコン樹脂は、ベースレジンＡとＢを
重合させ、これを精製し、これに充填剤を混練し
たものを漏過して製造され、（CH3）2SiOで示さ
れるＤが鎖状に複数個結合されている。しかし副
生成物として整数個のＤが環状に結合した環状シ
ロキサンが重量比１％程度生成する。 この環状シロキサンはＤの数によつて含有量が
第３図に示すガスクロマトグラフイー分析のよう
に異なる。このまゝのものを用いれば従来のよう
に使用中に低分子量シロキサンが揮発し悪影響を
及ぼすことになる。 このようなことから、本発明では、ベースレジ
ンＡ，Ｂを重合し、これを一次精製した後、100
℃以上の高温でかつ減圧下で二次精製を行い、一
次精製時に残留した重量比１％程度の環状低分子
量シロキサンの70〜90％を除去し、これに充填剤
を混練し漏過して製造した低シロキサンのシリコ
ン樹脂を用いる。このようにして得たシリコン樹
脂の環状低分子量シロキサンのガスクロマトグラ
フイ分析は第４図に示すようになり、第３図に比
べD4〜D7の全体がきわめて少ない環状低分子量
シロキサンを含有したものとなつている。 このような低シロキサンのシリコン樹脂１２，
１７を用いることによつてガス状環状低分子量シ
ロキサンの揮発が殆んど無くなり、ブラシ付モー
ターに近接して配置されても火花の発生で環状低
分子量シロキサンが分解され、酸化ケイ素SiO2
が形成されモーターのブラシ部に付着して接触不
良を誘発するといつたことは阻止できることにな
る。 発明の効果 以上のように本発明の電子機器は、環状低分子
量シロキサンを十分揮発させたシリコン樹脂を絶
縁物として利用するため、使用時に環状低分子量
シロキサンが揮発することが殆んどなくなり、火
花などによつて分解されて酸化ケイ素が形成され
て接点などの接触部に付着して導通不良を発生さ
せるといつたことが防止でき、品質面や信頼性の
上で大幅な向上を図ることができ、しかも電気機
器の生産時に熱処理を施す必要がなく、生産しや
すいものとなり工業的価値の大なるものである。
部に付着し、接触不良を誘発する問題があつた。
この種の電子機器は小型軽量化が要求される電気
機器等に使用されるため内部の構成が非常に高密
度化となつており電気機器内の密閉度も高くなり
極めて微小のガスにもかかわらず影響を受ける。 本発明はこのような従来の問題点を解決するも
のでシリコン樹脂の精製時にあらかじめ、低沸点
成分である環状低分子量シロキサンを100℃以上
の高温かつ減圧下において揮発除去した低シロキ
サンシリコン樹脂を充填した電子機器であり、品
質の向上と信頼性の向上を図ることを目的とす
る。 問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明は、部品本体
あるいは各種電子部品を収納したケース内にシリ
コン樹脂内に残存する低沸点成分である環状低分
子量シロキサンを揮発除去したシリコン樹脂を絶
縁物として充填した構成とするものである。 作 用 上述のようにシリコン樹脂製造工程に２次精製
工程を追加することにより、通常シリコン樹脂内
に残留する低沸点成分である環状シロキサンを除
去した低シロキサンシリコン樹脂を充填した電子
機器を使用すると、揮発ガスによる問題がなく、
品質及び信頼性の向上を図ることができる。 実施例 以下、本発明の実施例を図面第１図〜第４図を
用いて説明する。 まず、第１図においてトランスを一実施例とし
て説明すると、一次コイル６、二次コイル７を巻
回したコイルボビン８に磁心９を組込んで構成し
たトランス本体を、外周にシールドケース１０を
被せた絶縁ケース１１内に収納し、この絶縁ケー
ス１１内に精製時にあらかじめ低沸点成分である
環状低分子量シロキサンを100℃以上の高温でし
かも減圧下において揮発除去した低シロキサンの
シリコン樹脂１２を充填し硬化させて構成されて
いる。 また、第２図に示すものは、各種電気機器に利
用される電源装置を示したものであり、トランス
１３、整流回路や制御回路を構成する各種電子部
品１４を組込んだプリント基板１５を絶縁ケース
１６内に収納し、この絶縁ケース１６内に上述と
同様の環状シロキサンをあらかじめ揮発除去した
シリコン樹脂１７を充填して構成されている。 一般にシリコン樹脂は、ベースレジンＡとＢを
重合させ、これを精製し、これに充填剤を混練し
たものを漏過して製造され、（CH3）2SiOで示さ
れるＤが鎖状に複数個結合されている。しかし副
生成物として整数個のＤが環状に結合した環状シ
ロキサンが重量比１％程度生成する。 この環状シロキサンはＤの数によつて含有量が
第３図に示すガスクロマトグラフイー分析のよう
に異なる。このまゝのものを用いれば従来のよう
に使用中に低分子量シロキサンが揮発し悪影響を
及ぼすことになる。 このようなことから、本発明では、ベースレジ
ンＡ，Ｂを重合し、これを一次精製した後、100
℃以上の高温でかつ減圧下で二次精製を行い、一
次精製時に残留した重量比１％程度の環状低分子
量シロキサンの70〜90％を除去し、これに充填剤
を混練し漏過して製造した低シロキサンのシリコ
ン樹脂を用いる。このようにして得たシリコン樹
脂の環状低分子量シロキサンのガスクロマトグラ
フイ分析は第４図に示すようになり、第３図に比
べD4〜D7の全体がきわめて少ない環状低分子量
シロキサンを含有したものとなつている。 このような低シロキサンのシリコン樹脂１２，
１７を用いることによつてガス状環状低分子量シ
ロキサンの揮発が殆んど無くなり、ブラシ付モー
ターに近接して配置されても火花の発生で環状低
分子量シロキサンが分解され、酸化ケイ素SiO2
が形成されモーターのブラシ部に付着して接触不
良を誘発するといつたことは阻止できることにな
る。 発明の効果 以上のように本発明の電子機器は、環状低分子
量シロキサンを十分揮発させたシリコン樹脂を絶
縁物として利用するため、使用時に環状低分子量
シロキサンが揮発することが殆んどなくなり、火
花などによつて分解されて酸化ケイ素が形成され
て接点などの接触部に付着して導通不良を発生さ
せるといつたことが防止でき、品質面や信頼性の
上で大幅な向上を図ることができ、しかも電気機
器の生産時に熱処理を施す必要がなく、生産しや
すいものとなり工業的価値の大なるものである。
第１図は本発明の電子機器の一実施例を示す断
面図、第２図は他の実施例の断面図、第３図は一
般的なシリコン樹脂の環状低分子量シロキサンの
含有量を示す比較図、第４図は本発明に用いるシ
リコン樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を
示す比較図、第５図は従来の電子機器を示す断面
図である。 ６……一次コイル、７……二次コイル、８……
コイルボビン、９……磁心、１０……シールドケ
ース、１１……絶縁ケース、１２……シリコン樹
脂、１３……トランス、１４……電気部品、１５
……プリント基板、１６……絶縁ケース、１７…
…シリコン樹脂。
面図、第２図は他の実施例の断面図、第３図は一
般的なシリコン樹脂の環状低分子量シロキサンの
含有量を示す比較図、第４図は本発明に用いるシ
リコン樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を
示す比較図、第５図は従来の電子機器を示す断面
図である。 ６……一次コイル、７……二次コイル、８……
コイルボビン、９……磁心、１０……シールドケ
ース、１１……絶縁ケース、１２……シリコン樹
脂、１３……トランス、１４……電気部品、１５
……プリント基板、１６……絶縁ケース、１７…
…シリコン樹脂。
Claims (1)
- １ 部品本体あるいは各種電子部品を収納したケ
ース内に、あらかじめ100℃以上の高温でかつ減
圧下で環状低分子量シロキサンを揮発除去させた
低シロキサンのシリコン樹脂を充填した電子機
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP456986A JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP456986A JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162319A JPS62162319A (ja) | 1987-07-18 |
| JPH0523488B2 true JPH0523488B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=11587670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP456986A Granted JPS62162319A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62162319A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137786A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Nippon Steel Corp | Shibori shigokikakokanno seizoho |
| JPS52138600A (en) * | 1976-04-21 | 1977-11-18 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
| JPS5648103A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Daihen Corp | Resin molded coil |
| JPS56118313A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Denki Onkyo Co Ltd | High-voltage transformer |
| JPS60209507A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-22 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 寸法安定な型組成物 |
| JPS614570A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-01-10 | Aisin Seiki Co Ltd | コ−テイング液の液切り方法 |
| JPS61209266A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP456986A patent/JPS62162319A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137786A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Nippon Steel Corp | Shibori shigokikakokanno seizoho |
| JPS52138600A (en) * | 1976-04-21 | 1977-11-18 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
| JPS5648103A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Daihen Corp | Resin molded coil |
| JPS56118313A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Denki Onkyo Co Ltd | High-voltage transformer |
| JPS60209507A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-22 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 寸法安定な型組成物 |
| JPS614570A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-01-10 | Aisin Seiki Co Ltd | コ−テイング液の液切り方法 |
| JPS61209266A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62162319A (ja) | 1987-07-18 |
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