JPS6215822A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6215822A JPS6215822A JP15412285A JP15412285A JPS6215822A JP S6215822 A JPS6215822 A JP S6215822A JP 15412285 A JP15412285 A JP 15412285A JP 15412285 A JP15412285 A JP 15412285A JP S6215822 A JPS6215822 A JP S6215822A
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- JP
- Japan
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- substrate
- pattern
- film
- silicon
- sio2
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子形成において、マスク材により被
覆されていない領域をエツチングし、パターン形成をす
る方法に関する。
覆されていない領域をエツチングし、パターン形成をす
る方法に関する。
近来、半導体デバイスの高集積化にともない、半導体素
子形成のだあの微細加工は、パターン幅が狭くかつ深い
溝を形成する技術が要求されている。とりわけシリコン
基板に深い溝を堀り、その領域をデバイスの分離領域と
したり、容量蓄積素子として用いる等、高密度化に対し
有効とされている。
子形成のだあの微細加工は、パターン幅が狭くかつ深い
溝を形成する技術が要求されている。とりわけシリコン
基板に深い溝を堀り、その領域をデバイスの分離領域と
したり、容量蓄積素子として用いる等、高密度化に対し
有効とされている。
シリコン基板に狭くて深い溝を形成する方法として例え
ば、１９８５年（昭和６０年）春季第３２回応用物理学
関係連合講演会、講演予稿集３３６ページ、３０ａ−に
−２においては、第２図に示すように塩素ガスにより５
ｉｎ２膜パターン２２をマスク材としてシリコン基１ｆ
２１を反応性イオンエツチングすると、Ｓ ｓ ０２膜
パターン２２が基板２１に対しテーパ角をもつ、すなわ
ちシリコン基板２１に向かって先細りとなったテーパ形
状を有する場合、基板２１に対し垂直に入射する反応性
をもった塩素イオン２３が前記テーパー角をもったＳｉ
ｎ、パターン側面で反射あるいは散乱し、シリコン基板
２１に深い溝２４を形成するとマスク材近傍にアンダー
カットを生じる−ことが報告されている。このようなエ
ツチング形状では微細化の支障となり、しかもデバイス
の信頼性や歩留りを低下させる原因となる。
ば、１９８５年（昭和６０年）春季第３２回応用物理学
関係連合講演会、講演予稿集３３６ページ、３０ａ−に
−２においては、第２図に示すように塩素ガスにより５
ｉｎ２膜パターン２２をマスク材としてシリコン基１ｆ
２１を反応性イオンエツチングすると、Ｓ ｓ ０２膜
パターン２２が基板２１に対しテーパ角をもつ、すなわ
ちシリコン基板２１に向かって先細りとなったテーパ形
状を有する場合、基板２１に対し垂直に入射する反応性
をもった塩素イオン２３が前記テーパー角をもったＳｉ
ｎ、パターン側面で反射あるいは散乱し、シリコン基板
２１に深い溝２４を形成するとマスク材近傍にアンダー
カットを生じる−ことが報告されている。このようなエ
ツチング形状では微細化の支障となり、しかもデバイス
の信頼性や歩留りを低下させる原因となる。
本発明の目的は、半導体素子形成においてパターン形成
する際に、反応性イオンエツチングした際のマスク材近
傍にアンダーカットを生じることなく垂直形状をもった
まま狭くて深い溝を形成することのできるパターン形成
方法を提供することにある。
する際に、反応性イオンエツチングした際のマスク材近
傍にアンダーカットを生じることなく垂直形状をもった
まま狭くて深い溝を形成することのできるパターン形成
方法を提供することにある。
本発明は、基板あるいは基板上に堆積された膜にマスク
パターンを形成し、前記マスクパターンによって被覆さ
れていない基板あるいは基板上に堆積された膜を異方性
エツチングし、狭くて深い溝を形成するパターン形成方
法において、マスクとなるパターンを、その断面が基板
あるいは基板上に堆積された膜に向かって広がる逆テー
パ形状になるように形成することを特徴としている。
パターンを形成し、前記マスクパターンによって被覆さ
れていない基板あるいは基板上に堆積された膜を異方性
エツチングし、狭くて深い溝を形成するパターン形成方
法において、マスクとなるパターンを、その断面が基板
あるいは基板上に堆積された膜に向かって広がる逆テー
パ形状になるように形成することを特徴としている。
本発明は上記の構成をとることにより従来技術の問題点
を解決した。すなわち、基板あるいは基板上に堆積され
た膜を異方性エツチングする際に、被エツチング材に対
し選択比の小さなマスクとなるパターンを被エツチング
材に向かって広がる逆テーパー形状とすることで、垂直
に入射するイオンがマスクパターン側壁で反射すること
を防ぎ、マスク近傍にアンダーカットの生じないパター
ンが形成可能となる。
を解決した。すなわち、基板あるいは基板上に堆積され
た膜を異方性エツチングする際に、被エツチング材に対
し選択比の小さなマスクとなるパターンを被エツチング
材に向かって広がる逆テーパー形状とすることで、垂直
に入射するイオンがマスクパターン側壁で反射すること
を防ぎ、マスク近傍にアンダーカットの生じないパター
ンが形成可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明を説明するための主な製造工程における
断面構造を示した模式図である。まずシリコン基板１上
に熱酸化により２００人のシリコン酸化膜２を形成し、
つづいて減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコン膜３を８０
００人堆積する。次にリソグラフィ一工程でレジストパ
ターン４を形成すると第１図（ａ）の構造が得られる。
断面構造を示した模式図である。まずシリコン基板１上
に熱酸化により２００人のシリコン酸化膜２を形成し、
つづいて減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコン膜３を８０
００人堆積する。次にリソグラフィ一工程でレジストパ
ターン４を形成すると第１図（ａ）の構造が得られる。
レジストパターン４をマスクに多結晶シリコン膜３のテ
ーパーエツチングを行った後レジストを除去し、ＣＶＤ
５ ｉ○２膜５を８００〇八堆積する。
ーパーエツチングを行った後レジストを除去し、ＣＶＤ
５ ｉ○２膜５を８００〇八堆積する。
次に約２μｍの有機膜６をスピンコードし、平坦化する
と、第１図（ｂ）の構造が得られる。
と、第１図（ｂ）の構造が得られる。
次に有機膜６とＣＶＤ５ｉＣｈ膜５のエツチング比が１
＝１の条件でエッチバックすると第１図（Ｃ）の構造が
得られる。
＝１の条件でエッチバックすると第１図（Ｃ）の構造が
得られる。
多結晶シリコン、つづいて５ｉ０２膜５を湿式エツチン
グして、シリコン基板１に向かって広がる逆テーパー形
状の８１０２パターン７を得た後、この５１０２パター
ンをマスクにＳｉＣβ、ガスをもちいて基板シリコンを
約５μｍ反応性イオンエツチングしてシリコン溝８を形
成すると第１図（ｄ）の構造が得られる。この場合、Ｓ
ｉＯ□パターン７は、逆テーパー形状となっているので
、基板１に対し垂直に入射する反応性イオンが８１０２
パターン７の側面で反射あるいは散乱することがない。
グして、シリコン基板１に向かって広がる逆テーパー形
状の８１０２パターン７を得た後、この５１０２パター
ンをマスクにＳｉＣβ、ガスをもちいて基板シリコンを
約５μｍ反応性イオンエツチングしてシリコン溝８を形
成すると第１図（ｄ）の構造が得られる。この場合、Ｓ
ｉＯ□パターン７は、逆テーパー形状となっているので
、基板１に対し垂直に入射する反応性イオンが８１０２
パターン７の側面で反射あるいは散乱することがない。
最後に、マスク材のＳｉＯ２膜を湿式エツチングすると
、第１図（ｅ）に示すようにアンダーカットのないシリ
コン溝が得られる。
、第１図（ｅ）に示すようにアンダーカットのないシリ
コン溝が得られる。
以上、本発明の一実施例について説明したが、パターン
形成は基板に限らず、基板上に形成された膜に対しても
行えることはもちろんである。また、逆テーパー形状の
マスクパターンの形成は、本実施例と異なる工程によっ
て行ってもよいことは言うまでもない。
形成は基板に限らず、基板上に形成された膜に対しても
行えることはもちろんである。また、逆テーパー形状の
マスクパターンの形成は、本実施例と異なる工程によっ
て行ってもよいことは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば逆テーパー形状の
マスクパターンを形成するようにしているので、従来方
法によるマスク近傍におけるアンダーカットが防止でき
、矩形断面形状を有するシリコン溝を形成することがで
きる。
マスクパターンを形成するようにしているので、従来方
法によるマスク近傍におけるアンダーカットが防止でき
、矩形断面形状を有するシリコン溝を形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によりシリコン溝を形成する
製造工程を順を追って示した断面模式図、第２図は従来
方法で得られるシリコン溝の形状を示す断面模式図であ
る。 １．２１． ・・・・・・シリコン基板２．２２．
・・・・・・シリコン酸化膜３・・・・・・・・・・
・・・・・多結晶シリコン膜４−・・・・・・・・・・
・・・・・ レジストパターン５・・・・・・・・・・
・・・・・ＣＶＤ５ｉＯ□膜６・・・・・・・・・・・
・・・・有機膜７ ・・・・・・・・・・・・・・・逆
テーパ−ＳｉＯ。ノ櫂ターン８・・・・・・・・・・・
・・・・シリコン溝２３・・・・・・・・・・・・・・
・塩素イオン代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 ２シリコン除化膿 （１））（ｅ） ζ （Ｃ） 第１図
製造工程を順を追って示した断面模式図、第２図は従来
方法で得られるシリコン溝の形状を示す断面模式図であ
る。 １．２１． ・・・・・・シリコン基板２．２２．
・・・・・・シリコン酸化膜３・・・・・・・・・・
・・・・・多結晶シリコン膜４−・・・・・・・・・・
・・・・・ レジストパターン５・・・・・・・・・・
・・・・・ＣＶＤ５ｉＯ□膜６・・・・・・・・・・・
・・・・有機膜７ ・・・・・・・・・・・・・・・逆
テーパ−ＳｉＯ。ノ櫂ターン８・・・・・・・・・・・
・・・・シリコン溝２３・・・・・・・・・・・・・・
・塩素イオン代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 ２シリコン除化膿 （１））（ｅ） ζ （Ｃ） 第１図
Claims (1)
- （１）基板あるいは基板上に堆積された膜にマスクパタ
ーンを形成し、前記マスクパターンによって被覆されて
いない基板あるいは基板上に堆積された膜を異方性エッ
チングし、狭くて深い溝を形成するパターン形成方法に
おいて、マスクとなるパターンを、その断面が基板ある
いは基板上に堆積された膜に向かって広がる逆テーパ形
状になるように形成するこを特徴とするパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15412285A JPS6215822A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15412285A JPS6215822A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215822A true JPS6215822A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15577398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15412285A Pending JPS6215822A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0962U (ja) * | 1993-11-26 | 1997-01-28 | 松太郎 星山 | インジケーター付光力調整ヘッドランプ |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15412285A patent/JPS6215822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0962U (ja) * | 1993-11-26 | 1997-01-28 | 松太郎 星山 | インジケーター付光力調整ヘッドランプ |
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