JPH11150180A

JPH11150180A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11150180A
Application number: JP9314700A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Yoshida; 和由吉田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-11-17
Filing date: 1997-11-17
Publication date: 1999-06-02
Anticipated expiration: 2017-11-17
Also published as: JP3063710B2

Abstract

(57)【要約】【課題】削減した工程数でしかも簡略化されたプロセ
スで製造することができる素子分離用トレンチを有する
半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１面に素子分離用の溝を形成
するに際して、半導体基板１上に順次形成した酸化膜
２、窒化膜３を、窒化膜３、酸化膜２の順にドライエッ
チングする工程と、表出した前記半導体基板１にドライ
エッチングにより所定の開口部角度と深さの浅い第１溝
５ａを形成する工程と、全面にデポジション膜を形成し
た後、異方性エッチングにより素子分離用の溝形成部５
の前記デポジション膜６、シリコン基板１を除去して前
記溝を形成する工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、さらに詳細には、シリコン基板に素子分離用
トレンチつまり分離様溝を形成する工程を含む半導体装
置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の微細化がますます進
み、例えば、１ＧＢｉｔＤＲＡＭではデザインル−ルが
０．１８μｍ以下となり、サブクォ−タ−ミクロンの加
工を高精度に再現性よく行なう技術が必要になってきて
いる。半導体装置には素子を電気的に分離する素子分離
領域が存在し、この様なサブクォ−タ−ミクロン領域の
素子分離方法としては、これまでの選択酸化による素子
分離領域の形成では困難である。

【０００３】そのため、図５の（Ａ）〜（Ｄ）に示す素
子分離用トレンチ形成プロセスフロ−が必要である。す
なわち、図５（Ａ）のように、シリコン基板１０上に酸
化膜１２、シリコン窒化膜１３を形成してパタ−ニング
後、シリコン窒化膜１３をマスクとしてエッチングして
シリコン基板１０に深さ２００〜５００ｎｍ程度のトレ
ンチ１４（トレンチ角部Ａは後に図６で説明する）を形
成し、図５（Ｂ）のように全面を酸化して酸化膜１５を
形成し、要すれば適宜の素子領域５３を形成した後、図
５（Ｃ）のように、さらに上面に埋め込み酸化膜１６を
埋め込み化学機械研磨（ＣＭＰ）で平坦化し、図５
（Ｄ）のようにトレンチ埋め込みによる分離領域を形成
するトレンチ分離法が、半導体装置のサブクォ−タ−ミ
クロン領域の素子分離に必要になる。

【０００４】上記図５（Ａ）に示した素子分離トレンチ
を形成するドライエッチング方法では、図６および図７
で説明するように、後工程で丸み形成を容易にするため
トレンチ開口部の角（図５（Ａ）のＰ部）は、図６
（Ａ）のＰで示すように略直角（開口部垂直状）とはせ
ずに、図７（Ａ）のＱに示すように約４５度のテーパー
状形態が要求されている。

【０００５】なぜならばこのトレンチ開口部の角はトラ
ンジスタ等のデバイスを作成した場合、図６（Ｂ）に示
した角Ｐ部が電界集中等により電気的特性を著しく劣化
させるためである。この為、トレンチ形成後、酸化（丸
め酸化）を行い、開口部の角を丸める異によって、上記
電気特性の劣化を防止している。

【０００６】しかし、トレンチエッチング後の開口部の
角の角度は丸め酸化に大きく影響し、開口部の角がより
テーパーである程丸め酸化が容易となる。係る観点か
ら、特にトレンチ開口部の順テーパー形状が必要とされ
ている。つまり、図７（Ｂ）のテーパー形状Ｑの様に構
成うる事によって、上記劣化が改善される。なお図で１
６は酸化膜、１７はシリコン基板である。

【０００７】特開昭６３−１１１６６２号には、このよ
うなトレンチの角に丸みを持たせるトレンチ形成のドラ
イエッチング方法が開示されている。図８の（Ａ）〜
（Ｄ）を用いてそのプロセスフロ−を説明する。先ず、
図８（Ａ）に示すように、シリコン基板２１上に厚さ２
００〜４００ｎｍの酸化膜２２、厚さ１００〜２００ｎ
ｍのシリコン窒化膜２３を順次形成し、リソグラフィー
技術とドライエッチング工程によりレジストパターン
（図示せず）をマスクとしてシリコン窒化膜２３と酸化
膜２２をパタ−ニングする。

【０００８】次にレジストパターンを除去した後、本ト
レンチ作成工程のマスクとなるシリコン窒化膜２３、被
エッチング部のシリコン基板を表出させる。その後、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）等の溶液を用いた異方性ウェッ
トエッチングによりシリコン基板２１をテーパー角６０
度のＶ字形トレンチ２４を形成する。この場合のシリコ
ン基板２１として面方位が｛１００｝のシリコンを利用
する。

【０００９】次に、厚さ１００〜３００ｎｍ程度のＣＶ
Ｄ−ＳｉＯ₂を全面に形成し、通常のＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）法によりエッチバックを行ない、図８
（Ｂ）に示すようにＶ字形トレンチ２４の側面にＳｉＯ
₂のサイドウォ−ル２５を形成する。次に、図８（Ｃ）
に示すように、表出しているシリコン窒化膜２３とサイ
ドウォ−ル２５をマスクとし、ハロゲン系のガスを用い
たＲＩＥ法によりＶ字形トレンチ２４の底部に例えば約
１μｍ程度の深さのトレンチ２６を形成する。

【００１０】最後に図８（Ｄ）に示すように、サイドウ
ォール２５をウェットエッチング等により除去し、サイ
ドウォ−ル２５が除去された部分である上部のみがテー
パー角６０度のトレンチ２６が形成されることになり、
トレンチ開口部の角の酸化による丸めが容易となる。ま
た、図９の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、上記ＫＯ
Ｈ溶液による異方性ウェットエッチングの代わりにＦ
（フッ素）系ガスを使用した等方性ドライエッチ、ウェ
ットエッチを行ない浅い溝２８を形成し、その後、シリ
コントレンチエッチングを行いトレンチ２９を形成する
第２の方法でも上記第１の方法と同様にトレンチ開口部
の角の丸めが容易となる。図で２１はシリコン基板、２
２は酸化膜、２３はシリコン窒化膜、２７はレジストパ
ターンである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の第１の方法
では、フォトリソグラフィ−技術によるレジストパター
ン（マスク）を形成後、（１）シリコン窒化膜２３、酸
化膜２２のドライエッチング、（２）レジストマスクの
除去、（３）ＫＯＨ溶液によるシリコン基板２１のウェ
ットエッチング、（４）ＣＶＤ−ＳｉＯ₂の成膜、
（５）ＣＶＤ−ＳｉＯ₂エッチバックによるサイドウォ
ール形成、（６）シリコントレンチ異方性エッチング、
その後のシリコントレンチ開口部の丸め酸化等、少なく
とも６工程を必要とする。従って、工程数が多く、プロ
セスが複雑となる。またＦ系ガスを使用する第２の方法
も複雑である。

【００１２】このような方法を素子分離用シリコントレ
ンチ形成に適用した場合、等方性ドライエッチングを使
用するためシリコン窒化膜マスク直下の拡散層形成部の
幅はマスクの幅より小さくなり、その幅の制御が困難に
なる。従って、本発明の目的は、上記した従来技術の欠
点を改良し、削減した工程数でしかも簡略化されたプロ
セスで製造することができる素子分離用トレンチを有す
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、半導体基板面に素子分離用の溝を
形成するに際して、当該半導体基板上に酸化膜及び窒化
膜をこの順に形成する第１の工程、当該酸化膜及び窒化
膜をフォトリソグラフィー技術を利用してパターン形成
したフォトレジスト層をマスクとして、所定の部位の当
該酸化膜及び窒化膜を除去すると共に、当該半導体基板
表面をドライエッチングする事により当該半導体基板表
面に所定の深さを有し且つ縁部に所定の傾斜面を有する
凹陥部を形成する第２の工程、当該半導体基板の全面に
デポジションを行う第３の工程、及び当該酸化膜及び窒
化膜の側壁部に形成されたデポジションのサイドウォー
ルをマスクとして当該半導体基板にエッチングによるト
レンチ部を形成する第４の工程とから構成された半導体
装置の製造方法である。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法は、上記した様な技術構成を採用していることから、
具体的には、半導体基板面に素子分離用の溝を形成する
に際して、前記半導体基板上に順次形成した酸化膜、窒
化膜を、前記窒化膜、前記酸化膜の順にドライエッチン
グする工程と、表出した前記半導体基板にドライエッチ
ングにより所定の開口部角度と深さの第１溝を形成する
工程と、全面にデポジション膜を形成した後、異方性エ
ッチングにより素子分離用の溝形成部の前記デポジショ
ン膜、前記シリコン基板を除去して前記溝を形成する工
程を含むことを特徴とするものであり、更に、本発明に
係る半導体装置の製造方法の他の態様としては、半導体
基板面に素子分離用の溝を形成するに際して、前記半導
体基板上に順次形成した酸化膜、窒化膜を、前記窒化
膜、前記酸化膜およびの表出した前記半導体基板を順次
ドライエッチングして所定の開口部角度と深さの第１溝
を形成する工程と、全面にデポジション膜を形成した
後、異方性エッチングにより素子分離用の溝形成部の前
記デポジション膜、前記シリコン基板を除去して前記溝
を形成する工程を含むことを特徴とするものである。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法では、上記
方法によって、シリコン基板上方にリソグラフィ−技術
によるレジストパターンを形成後のシリコン窒化膜のエ
ッチングから素子分離用溝（トレンチ）のエッチングま
でを同一のエッチング装置で連続的に行なうことができ
るため、工程数が削減でき、プロセスが簡略化できる。

【００１６】更には、本発明に於いては、シリコン基板
をテーパー角度が４５度若しくは４５度以下にすると共
に、その凹陥状部の深さを５０ｎｍ程度となる様にエッ
チングを行った後に、続いてフロロカーボン系ガスを含
むガスプラズマにより厚さ１０〜２０ｎｍ程度のデポジ
ションを行うステップを設けているので、シリコントレ
ンチ上部のみ４５度程度のテーパー角のトレンチ形成が
可能となる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照
して詳細に説明する。図１と図２は、本発明に係る半導
体装置の製造方法の第１実施例を説明するためのそれぞ
れ前半工程断面図および後半工程断面図である。図中、
半導体基板面に素子分離用の溝を形成するに際して、当
該半導体基板１上に酸化膜２及び窒化膜３をこの順に形
成する第１の工程、当該酸化膜２及び窒化膜３をフォト
リソグラフィー技術を利用してパターン形成したフォト
レジスト層４をマスクとして、所定の部位の当該酸化膜
２及び窒化膜３を除去すると共に、当該半導体基板１表
面をドライエッチングする事により当該半導体基板表面
に所定の深さを有し且つ縁部に所定の傾斜面を有する凹
陥部５ａを形成する第２の工程、当該半導体基板の全面
にデポジションを行う第３の工程、及び当該酸化膜２及
び窒化膜３の側壁部に形成されたデポジションによるサ
イドウォール６をマスクとして当該半導体基板にエッチ
ングによるトレンチ部７を形成する第４の工程とから構
成された半導体装置の製造方法の手順が示されている。

【００１８】本発明に係る半導体装置の製造方法の具体
例をより詳細に説明するならば、先ず、図１（Ａ）に示
すように、シリコン基板１上に厚さ２０ｎｍ程度の酸化
膜２、厚さ２００ｎｍ程度のシリコン窒化膜３を順次形
成し、リソグラフィー技術によりレジストパターン４を
形成する。その後、シリコン窒化膜のエッチングから素
子分離用のトレンチ（溝）エッチングまでを、低圧高密
度プラズマエッチング装置の１つである誘導結合型プラ
ズマエッチング装置を用いて連続して行なう。

【００１９】そのエッチングは、図１（Ｂ）に示すよう
に、先ず、第１のエッチングステップにおいて、レジス
トパターン４をマスクとしてシリコン窒化膜３と酸化膜
２をドライエッチングして素子分離用のトレンチ形成部
５のシリコン基板を表出させる。このステップのエッチ
ングガスとしてはＨＢｒガスとＣＦ4ガスの混合ガスを
使用する。ドライエッチング条件としてはＨＢｒガス流
量２５ｓｃｃｍ、ＣＦ4ガス流量２５ｓｃｃｍ、圧力５
ｍＴｏｒｒ、ソ−スパワ−４００Ｗ、バイアスパワ−７
５Ｗとし、シリコン窒化膜３と酸化膜２を垂直にエッチ
ングする。エッチング均一性向上のために必要であれば
Ｈｅガスを上記ガスに添加して使用してもよい。

【００２０】次に、第２のエッチングステップにおい
て、図１（Ｃ）に示すように、表出したシリコン基板
（トレンチ形成部）５をテーパー角α（シリコン基板面
と水平面とでなす角度）を４５度以下、深さＨを５０ｎ
ｍ程度に浅く等方性ドライエッチングして浅い溝５ａを
形成する。このテーパー角αが最終的に得られるトレン
チング条件としては、ＣＦ4ガスとＡｒガスの混合ガス
を使用し、ＣＦ4ガス流量５ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１
００ｓｃｃｍ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、ソ−スパワ−４０
０Ｗ、バイアスパワー５０Ｗであった。なおテーパー角
４５度はトレンチの開口部の丸み酸化に好適な角度であ
る。

【００２１】次に、図２（Ａ）に示すように、フロロカ
−ボン系ガスを含んだプラズマにより厚さ１０〜２０ｎ
ｍ程度のデポジションを行なう。使用するガスとして
は、デポジション性の強い、水素を含まないフロロカー
ボン系ガス、例えばＣ4Ｆ8ガスと、ＣＯガスの混合ガス
を使用する。このときの条件としては、Ｃ4Ｆ8ガス流量
２０ｓｃｃｍ，ＣＯガス流量１００ｓｃｃｍ，圧力２０
ｍＴｏｒｒ，ソースパワー１０００Ｗ、バイアスパワー
０Ｗである。これによりレジスト側壁、シリコン窒化
膜、酸化膜側壁を含む全面（浅い溝５ａ上も）にデポジ
ション膜６が形成される。

【００２２】次に、第２図（Ｂ）に示すように、シリコ
ントレンチの異方性エッチングを行なう。この時に上記
のようにトレンチ形成部５にも前ステップによりデポジ
ション膜６が形成されているが、異方性の強いエッチン
グを行なうことによりトレンチエッチングと同一条件で
このトレンチ形成部５のデポジション膜６のエッチング
も可能である。

【００２３】また、前ステップのデポジション膜６がサ
イドウオ−ルの役割を果たし、トレンチ上部（開口部）
では第２のエッチングステップにおいて形成した４５度
のテーパー角が保持される。この時のエッチング条件
は、例えばＨＢｒガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス流
量３ｓｃｃｍ、圧力５ｍＴｏｒｒ、ソースパワー６００
Ｗ、バイアスパワ−１５０Ｗである。

【００２４】最後に、図２（Ｃ）に示すように、マスク
であるレジスト膜４およびサイドウオールのデポジショ
ン膜を除去することによりトレンチ開口部のみに、テー
パー角４５度（７ａ）のトレンチ形状７が得られる。そ
の後、次工程において酸化を行ないトレンチ開口部の丸
めを行なうが、この丸めが低温で容易に行なうことがで
きる。

【００２５】以上説明したように、トレンチ開口部のみ
４５度程度テーパーを有したトレンチ形状が同一装置内
で連続に行なうことが可能となった。上記した説明から
明かな様に、本発明に於射手は、上記した当該第２の工
程は、等方性のドライエッチング工程であり、当該第４
の工程は、異方性ドライエッチング工程であるが特徴と
なっている。

【００２６】そして、更に本発明に係る半導体装置の製
造方法は、上記第２の工程以降は、ガスを主体にした処
理操作を連続的に実行するものであり、それによって、
工程の短縮化、低コスト化、処理操作の効率化等が向上
する。又、本発明に於いては、当該第２の工程では、単
一の工程でシリコン基板に、前記した凹陥状部５ａを形
成する様に設計する事も可能であり、その場合には、Ｃ
Ｆ４ガス、ＣＨＦ３ガス及びＡｒガスからなる混合ガス
が使用されるものである事が望ましい。

【００２７】又、当該第２の工程は、当該酸化膜及び窒
化膜をエッチングする第１のエッチングステップと、該
半導体基板の表面に所定の深さを有し且つ縁部に所定の
傾斜面を有する凹陥部を形成する第２のエッチングステ
ップで構成されている事も可能であり、その場合には、
当該第１のエッチングステップは、ＨＢｒガス及びＣＦ
４ガスを含む混合ガスが使用され、当該第２のエッチン
グステップではＣＦ４ガス及びＡｒガスを含む混合ガス
が使用されるものである。

【００２８】一方、本発明に係る半導体装置の製造方法
に於いては、当該第３の工程に於ける該デポジション工
程に於いては、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣＯガスを含む混合ガ
スが使用されるものである事が好ましい。更には、当該
本発明に於ける半導体装置の製造方法に於いては、当該
第４の工程に於けるドライエッチング工程に於ては、Ｈ
Ｂｒガスが使用されるものである事が望ましい。

【００２９】又、本発明に於ける当該第４の工程に於け
るドライエッチング工程に於ては、ＨＢｒガスとＯ２ガ
スの混合ガスを使用する事も可能である。上記した様
に、本発明においては、当該各エッチング工程およびデ
ポジション工程が同一のエッチング装置内で連続的に行
なわれることが特徴であり、その場合、当該エッチング
工程に於て使用されるエッチング装置が低圧高密度プラ
ズマ処理装置であることが好ましい。

【００３０】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法
の第２の具体例について第３図を参照しながら説明す
る。まず、図３（Ａ）に示したように、第１の具体例の
図１（Ａ）と同様に、シリコン基板１上に酸化膜２、シ
リコン窒化膜３、レジストパターン４を形成する。次
に、図３（Ｂ）に示したように、第１のエッチングステ
ップにおいてシリコン窒化膜３、酸化膜２の異方性エッ
チングおよび表出したシリコン基板４のテーパーエッチ
ングを同一ステップにて行なう。

【００３１】この時のガス系にはＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガ
ス、Ａｒガスの混合ガスを使用する。ＣＨＦ3ガスのシ
リコン上でのデポジションの効果により、この混合ガス
系でシリコンエッチングを行なうと図３（Ｂ）に示すよ
うに４５度程度のテーパー形状８が得られる。このよう
なエッチングにより、第１の実施例における第２のエッ
チングステップが削除できる。この時のエッチング条件
は、例えばＣＦ4ガス流量１０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3ガス流
量２０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量２００ｓｃｃｍ、圧力５
０ｍＴｏｒｒ、ソースパワー４００Ｗ、バイアスパワ−
１００Ｗである。後の工程は実施例１と同様に行なうこ
とができるため省略する。

【００３２】さらに図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すよ
うに、これら第１および第２の具体例の最後のエッチン
グステップとしてトレンチ底部を丸めるエッチングステ
ップを追加することで、後工程の丸め酸化はさらに容易
となる。このエッチングステップの条件としては例えば
ＨＢｒガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ₂ガス流量１０ｓｃ
ｃｍ、圧力５ｍＴｏｒｒ、ソ−スパワ−６００Ｗ、バイ
アスパワ−１５０Ｗの条件を使用する。

【００３３】以上述べてきたように、素子分離用のシリ
コントレンチエッチングに本発明の手法を適用すること
により、同一のエッチング装置によりしかも連続ステッ
プにより、トレンチ上部のみ４５度程度のテーパーを有
するトレンチの形成が可能となる。尚、本発明でこれま
で述べてきたガス流量、圧力領域、パワ−等のエッチン
グ条件についてはこれに限るものでなく随意変更可能で
ある。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のエッチング方法を適用すれば、同一のエッチング装置
内で連続ステップにより工程を簡略化、工程数を削減
し、後工程の丸め酸化を容易にする溝（トレンチ）の開
口部形状を形成した半導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の
第１の具体例の構成を説明するための前半工程断面図。

【図２】図２は、本発明の第１の具体例を説明するため
の後半工程断面図。

【図３】図３は、本発明に係る半導体装置の製造方法の
第２の具体例の構成を説明する工程断面図。

【図４】図４は、本発明に係る半導体装置の製造方法の
第３の具体例のを説明するための工程断面図。

【図５】図５は、従来の素子分離用トレンチ形成を説明
するための工程断面図。

【図６】図６は、トレンチ開口部垂直形状説明図。

【図７】図７は、トレンチ開口部テーパー形状説明図。

【図８】図８は、従来の素子分離用トレンチ形成を説明
するための工程断面図。

【図９】図９は、等方性エッチング使用を使用した従来
の素子分離用トレンチ形成を説明するための工程断面
図。

【符号の説明】

１…シリコン基板、２…酸化膜、３…シリコン窒化膜、４…レジストパターン、５…トレンチ形成部（シリコン基板表出部）、５ａ…浅い溝、凹陥状部６…デポジション膜、７…トレンチ形状、８…テーパー形状、

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板面に素子分離用の溝を形成す
るに際して、当該半導体基板上に酸化膜及び窒化膜をこ
の順に形成する第１の工程、当該酸化膜及び窒化膜をフ
ォトリソグラフィー技術を利用してパターン形成したフ
ォトレジスト層をマスクとして、所定の部位の当該酸化
膜及び窒化膜を除去すると共に、当該半導体基板表面を
ドライエッチングする事により当該半導体基板表面に所
定の深さを有し且つ縁部に所定の傾斜面を有する凹陥部
を形成する第２の工程、当該半導体基板の全面にデポジ
ションを行う第３の工程、及び当該酸化膜及び窒化膜の
側壁部に形成されたデポジションのサイドウォールをマ
スクとして当該半導体基板にエッチングによるトレンチ
部を形成する第４の工程とから構成された事を特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項２】当該第２の工程は、等方性のドライエッ
チング工程であり、当該第４の工程は、異方性ドライエ
ッチング工程である事を特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項３】当該第２の工程では、ＣＦ４ガス、ＣＨ
Ｆ３ガス及びＡｒガスからなる混合ガスが使用されるも
のである事を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項４】当該第２の工程は、当該酸化膜及び窒化
膜をエッチングする第１のエッチングステップと、該半
導体基板の表面に所定の深さを有し且つ縁部に所定の傾
斜面を有する凹陥部を形成する第２のエッチングステッ
プで構成されている事を特徴とする請求項１又は２記載
の半導体装置の製造方法。
【請求項５】当該第１のエッチングステップは、ＨＢ
ｒガス及びＣＦ４ガスを含む混合ガスが使用され、当該
第２のエッチングステップではＣＦ４ガス及びＡｒガス
を含む混合ガスが使用されるものである事を特徴とする
請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】当該第３の工程に於ける該デポジション
工程に於いては、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣＯガスを含む混合
ガスが使用されるものである事を特徴とする請求項１乃
至５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】当該第４の工程に於けるドライエッチン
グ工程に於ては、ＨＢｒガスが使用されるものである事
を特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項８】当該第４の工程に於けるドライエッチン
グ工程に於ては、ＨＢｒガスとＯ２ガスの混合ガスが使
用されるものである事を特徴とする請求項７記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項９】当該各エッチング工程およびデポジショ
ン工程が同一のエッチング装置内で連続的に行なわれる
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１０】当該エッチング工程に於て使用される
エッチング装置が低圧高密度プラズマ処理装置であるこ
とを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項１１】当該第２の工程に於て、該半導体基板
の表面に形成される当該凹陥部の縁部に形成されるテー
パー角度は４５度もしくはそれ以下の角度に形成される
事を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１２】当該第２の工程に於て該半導体基板の
表面に形成される当該凹陥部の深さが５０ｎｍ前後とな
る様に形成される事を特徴とする請求項１乃至１１の何
れかに記載の半導体装置の製造方法。