JPS62157043A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アモルファスシリコン粉末をバインダー樹脂
中に分散させてなる光導電層を有する感光体に関する。

従来の技術 従来、感光体の光導電層に用いられる光導電性物質とし
て、種々の無機物、有機ポリマー、及び低分子の有機化
合物が知られているか、その中でもアモルファスシリコ
ンは機械的強度、耐熱性、耐湿性、耐コロナイオン性等
の点て優れており、近年感光体への応用が進められてい
る。グロー放電分解法やスパッタリング法により生成さ
れる薄膜状アモルファスシリコンの感光体は、無公害で
あり、耐熱性、耐摩耗性に浸れており、光感度が高く、
分光感度領域が全可視光領域を覆い、光応答性が速いと
いう特徴を有する。しかしアモルファスシリコンは暗抵
抗か低いという欠点かあるため、酸素や炭素をアモルフ
ァスシリコンの層に含有させて暗抵抗の上昇を図ること
が提案されているが、酸素や炭素の含有により暗抵抗は
上昇するものの光感度は低下するという問題かある。ま
た光導電層として薄膜状アモルファスシリコンの層厚は
一般に５乃至１００μ必要であるが、薄膜の成長速度が
０．５乃至５μ／ｈと遅く膜の形成に時間がかかる。し
かも層形成時の支持体温度は高温であり、温度によって
形成された層の暗抵抗と光感度か変わるため、支持体温
度を必要な温度で均一に且つ一定に保たなければならな
いという製造面での困ｆｆｉ性もある。

一方、アモルファスシリコンを光導１ｉ　性材料ニ利用
した別形態の感光体として、アモルファスシリコンを粉
末状として用いた感光体が近年注目されている。粉末状
のアモルファスシリコンはグロー放電分解法やスパッタ
リング法により容易に製造することかでき、この粉末状
アモルファスシリコンをバインダー樹脂中に分散して光
導電層とした感光体が提案されている。この様な感光体
ではバインダー樹脂そのものの抵抗値が高いために、光
導電層全体としても薄膜状のアモルファスシリコンの感
光体と比・Ｘると暗抵抗が高くなる。また製造面におい
ても、薄膜状アモルファスシリコンは薄膜形成に時間が
かかり高温を長時間広範囲に且つ均一に維持することを
必要としていたが、粉末状アモルファスシリコンは、粉
末形成速度が薄膜形成より速く、容易に製造できる等数
多くの利点を有する。この様な感光体は例えば特開昭５
５−７７６１号公報、特開昭５５−１６６６４７号公報
、特開昭５７−８４５８号公報等に記載されている。し
かしこれらの感光体を実際製造して重子写真の各プロセ
スを行うと、いずれの感光体においても感度が低く、十
分な暗抵抗が得られず帯電能が悪く、更に光疲労しやす
いという欠点を存する。

発明が解決しようとする問題点 前述のように粉末状アモルファスシリコンをバインダー
樹脂中に分散して光導電層とした感光体は薄膜状アモル
ファスシリコン感光体と比べて暗抵抗は高くなるものの
電子写真用感光体として用いるには光感度の面から含有
される粉末状アモルファスシリコンについである程度の
量と粒径が必要となる。その結果やはりアモルファスシ
リコン粒子中で熱励起キャリアか発生し、充分な暗抵抗
が得られず帯電能が悪くなる。またプラズマＣＶＤ法で
作られるアモルファスシリコン粒子は表面が活性である
ため感光体製造過程において空気と接触することにより
絶縁性の酸化層が形成され、この酸化層が障壁層として
機能しアモルファスシリコン粒子内で発生したキャリア
の注出を妨げ感度が悪くなる。更に従来のアモルファス
シリコン粒子を用いた樹脂分散型の感光体ではアモルフ
ァスシリコンの光吸収係数が大きく表面でほとんどの光
が吸収されるため繰り返し使用を行うとバルク領域に多
数存在する捕獲中心によりキャリアがトラップされ、こ
のトラップされた電荷が解放されず層と導電性支持体間
の境界に電場を形成し、これにより帯電電位が低下する
いわゆる光疲労が発生する。

問題点を解決するための手段 度で光疲労が少なく暗抵抗が高く、帯電能の優れた感光
体を提供することを目的とする。具体的ｌこは、導電性
支持体上に光導電性アモルファスシリコン粒子をバイン
ダー樹脂中に分散させてなる光導電層を有する感光体に
おいて、前記光導電性アモルファスシリコン粒子は透光
性乃至半透光性及び耐熱性を有する高抵抗微粒子と、該
微粒子を被覆スるアモルファスシリコン層と、該アモル
ファスシリコン層を被覆し少くとも炭素または窒素を含
む被覆層から構成されている感光体を特徴とする。

以下本発明について詳細に説明する。

第１図に示すように本発明に係るアモルファスシリコン
粒子は透光性乃至半透光性及び耐熱性を有する高抵抗微
粉子（１）を核として光導電体であるアモルファスシリ
コン層に）が形成されており、更に前記アモルファスシ
リコン層（２）全体を覆って炭素または窒素を含む被覆
層（３）が形成され三層構造を有する。

曲芸２宜涌汁届を古ヱ１１１ｒ→イ専ヅ又礒（ハ　に　
−１凸、カブ七　ｈｉ抗が１ｏ１２Ω・ｃ！ｎ以上であ
ることに加えて耐熱性及び透光性乃至半透光性を有する
物質ならば原則的にどのような物質でも使用することが
できる。

詳しくは後述するがこのような物質としては例えばアル
ミナ、酸化硅素、炭化硅素、窒化硅素、炭素等の微粒子
があげられる。

該高抵抗微粒子（１）は光導電体として機能するアモル
ファスシリコン層（２）の核となる。このことｌこより
熱励起キャリアの発生が従来のアモルファスシリコン粒
子より著しく減少するとともに更にアモルファスシリコ
ン粒子の暗抵抗を高いものにする。アモルファスシリコ
ン粒子の暗抵抗特性については高抵抗微粒子（１）を核
としてアモルファスシリコン層ｅ２１が形成されている
ことに加えて炭素または窒素を含む被覆層（３１で覆わ
れ該被覆層（３１は抵抗値が高いことから本発明のアモ
ルファスシリコン粒子は暗抵抗特性が著しく改善される
。従って本発明アモルファスシリコン粒子ラバインター
樹脂中に分散してなる光導電層はその暗抵抗が充分高く
帯電能が向上される。また上述したように微粒子（１）
が耐熱性を有することにより声アモルファスシリコン層
（２）形成時に微粒子（１）を１００〜４００°Ｃに加
熱することかできるため、グロー放電分解法等により微
粒子（１）を核として、良好な光導電性を有スるアモル
ファスシリコン層（２）が形成される。

更に本発明に係るアモルファスシリコン粒子は透光性乃
至半透光性の高抵抗微粒子（１１を咳としているため光
吸収領域は全層ｌこわたる。したかってバルク領域に存
在する捕獲中心によりトラップされた電荷はイレーサー
光により容易に解放されるため繰り返し使用においても
光疲労はほとんど発生せず良好な特性を示す。尚高抵抗
微粒子（１）の粒径を０．５μ〜１０μとするのは光感
度の面からアモルファスシリコンを母体とする光導電膜
は最低０．１μ被覆する必要があり、そうした場合、高
抵抗微粒子中の粒径が０．５μより小さくなると光導電
性アモルファスシリコン粒子全体番こ占める高抵抗微粒
子−の割合が小さくなり、熱励起キャリアの発生を抑え
るという効果が低下し、１０μより大きくなるとバイン
ダー樹脂への分散性が低下するからである。

Ｃυ 具体的には高抵抗微粒子十に用いられる物質としては前
述したようＣζアルミナ、酸化硅素、炭化硅素、窒化硅
素、炭素等があげられる。これらの高抵抗微粒子として
は、市販されているものを用いてもよいし、またアルミ
ナ以外のものはグロー放電分解法・スパッタリング法等
により形成したものを用いてもよい。例えば酸化硅素、
炭化硅素、窒化硅素及び炭素の高抵抗微粒子を形成する
には、微粒子形成用の原料ガスをＨ２、Ｈｅ　、　Ａｒ
等のキャリアーガスと共に減圧可能な反応室内に送り込
み、高周波電力印加してグロー放電分解させればよい。

微粒子の形成に用いられる原料ガスとしては、硅素を含
むときはＳｉＨ４，５ｉ２Ｈａ、５１３８ｇ等の水素化
硅素ガス、酸素を含むときは０２１０３　、Ｎ０ＩＮＯ
２、Ｎ２０等のガス、炭素を含むときは（ＩＴ（４、Ｃ
２Ｈ２、Ｃ２［−１４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３［−Ｉ６　。

Ｃ３Ｈ８等のガス、窒素を含むときはＮ２　、Ｎ［−１
３、Ｎ２Ｈ４。

［−１Ｎ３　、Ｎ１−Ｉ４Ｎ３　等のガスが挙げられる
。なお、硅素化合物における酸素、炭素、窒素の含有量
は透光性乃至半透光性を有するように適宜設定される。

いずれにしてもこれらの微粒子は１０１２Ωσ以上の抵
抗をもち、耐熱性及び透光性乃至半透光性を有するもの
である。

前記の高抵抗微粒子（１）を被覆するアモルファスシリ
コン層は）はグロー放電分解法やスパッタリング法によ
り０．１〜２，０μに形成される。

具体的には、アモルファスシリコン層に）は例えばＳｉ
Ｈ４，５ｉ２Ｈａ等のシラン系のガスとともにｌ−１２
゜Ｈｅ・Ａｒガス等をキャリアーガスとして減圧された
反応槽に導入してグロー放電分解することにより０．１
〜２．０μに形成される。この様にして形成されるアモ
ルファスシリコン層（２）は可視光領域を含んだ分光感
度に優れた光導電性を有する光導電体として働く。

前記アモルファスシリコン層（２）の表面を覆って形成
される被覆層（３）はやはりグロー放電法やスパッター
リング法等によって厚さ１０入〜５μに形成され、少な
くとも炭素または窒素を含有する。この被覆層（３）は
アモルファスシリコン層（２）の形成に引き続き減圧中
で形成されるため、アモルファスシリコン層（２）で発
生したキャリアの注出をさまたげる酸化層の形成を防止
する。またこの被覆層（３）は、透光性乃至半透光性、
電荷輸送性を有し耐環境性に優れているため、アモルフ
ァスシリコン層（２）か本来有する優れた光感度特性を
保証する。即ち被覆層（３）は電子写真プロセスにおい
て照射された光を被覆層中を透過させてアモルファスシ
リコン”Ｍ　（２）に到達させる。アモルファスシリコ
ン層（２）に到達した光はそこで吸収されて電荷担体発
生に利用される。更にアモルファスシリコン層（２）で
発生した両極性の電荷担体を被覆層（３）はアモルファ
スシリコン層（２＋からアモルファスシリコン粒子外部
へ被覆層中でトラップされることなく効率よく輸送する
。尚被覆層（３）の層厚を１０′Ａ〜５μとするのは、
１０′Ａ以下であれば全面被覆が困離となり、５μ以上
では透光性が低下し、アモルファスシリコン層（２）が
光吸収しにくくするとともにキャリアが注出されにくく
なるからである。

被覆層（３）を構成する膜としては例えば結晶及び非晶
質炭素膜、炭素または窒素を含むアモルファスシリコン
膜等があげられる。

被覆層（３）が炭素膜である場合、アモルファスシリコ
ン層（２）の形成に引き続き炭素膜は、上述したグロー
放電分解法をはじめとしてイオン化蒸着、イオンビーム
蒸着、直流または高周波またはマイクロ波プラズマ法、
真空蒸着法、スパッタリング法等から形成されるか、ま
たはこれらの組み合わせで形成されてもよい。炭素膜を
形成する炭素源としては、ＣＨ４、Ｃ２Ｈｚ　、ＣｚＬ
１４．Ｃ２Ｈ６、Ｃ３ｔ−１６，Ｃ３Ｈ１等があけられ
る。この様にして得られた炭素膜の被ａ量（３）は電荷
を効果的に輸送し、加えて暗抵抗が高く透光性、耐湿性
もよい。

一方、被覆層（３）が窒素または１：及−び炭素を含有
するアモルファスシリコン膜である場合、アモルファス
シリコン膜の形成はアモルファスシリコン層伝）の形成
に引き続きやはりグロー放電分解法やスパッタリング法
によって行われる。具体的には例えばグロー放電分解法
で上記被覆層（３）の形成を行う時は、Ｓ　ｉＨ４，Ｓ
　ｉ　２Ｈ６、Ｓ　ｉ　３Ｈ８等のシラン系のガスと平
行して炭素または窒素源となる物質がＨ２ガス、　Ｈｅ
ガス、　Ａｒガス等をキャリアーガスとして導入される
。炭素源としてはＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２１
−Ｉ６　。

Ｃ３Ｔ（６等が、窒素源としてはＨ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ
４、）ｌＮ３　。

ＮＨ４Ｎ　３等があげられる。窒素または炭素を含有す
るアモルファスシリコン膜は硅素の含有ニヨリ被覆層（
３）の電荷輸送性を向上させるものの照射波長によって
は透光性を低下させるため、炭素または１及−ひ窒素の
含有量を調整し、被覆層（３）の透光性を良好なものに
する必要がある。そのため含有する炭素または窒素は３
０ａｔｍ％以上にすることが好ましい。そうすることに
より被覆層（３）の電荷輸送性のみならす透光性乃至半
透光性、耐湿性、高抵抗か確保される。

ｍｊ記被覆層につ）はそれ自体でも電荷輸送性を有する
か、％＋こ導電性支配物質を含有してホール及びエレク
トロンの両電荷担体を効率的に輸送する。

被覆層（３）への導電性支配物質の含有は、被覆層（３
）を構成する物質とともに含有する導電性支配物質をプ
ラズマ雰囲気中に導入することにより行なわれる。含有
する導電性支配物質としては例えば周期律表第■Ａ族の
硼素、ＶＡ族の燐が好ましく、含有量は被覆層僻を構成
する物質、種々の製造条件等により異るか全体としては
、硼素は１〜２００ｐｐｍ１燐は１〜５０ｐｐｍが好ま
しい。なお、硼素の原料ガスとしてはＢ２Ｈ６，燐の原
料ガスとしてはＰＨｓが使用される。

以上のようにいずれの物質で構成された膜でも得られた
被覆層（３）は電荷輸送性、透光性乃至半透光性を有し
、暗抵抗特性、耐湿性に優れたものである。

こうして得られた光導電性アモルファスシリコン粒子を
バインダー樹脂を溶解した溶液中に分散させ、これを導
電性支持体上に塗布、乾燥して５〜５０μの光導電層を
形成し、感光体を得る。光導電層中のアモルファスシリ
コン粒子の蛍は、樹脂１重量部に対して０．４〜１．５
重量部が好ましい。

本発明におけるバインダーに使用できる例としては、こ
れに限定されるものではないが、飽和ポリエステル樹脂
、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニ
ル共重合体、イオン架橋オレフィン共重合体（アイオノ
マー〕、スチレン−ブタジェンブロック共重合体、ボリ
アリレート、ボポリカーボネート、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、セルロースエステル、ポリイミド、スチ
ロール樹脂等の熱可塑性結着剤；エポキシ樹脂、ウレタ
ン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、熱硬化性アクリル
樹脂等の熱硬化結着剤；光硬化性樹脂、ポＩＪ　　Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン等の光導電性樹脂等である。これらは単独で
、または組み合わせて使用することができる。

次に本発明に係る感光体の光導電層を形成するアモルフ
ァスシリコン粒子を製造する装置について説明する。第
２図において示される製造装置は高抵抗微粒子（１）を
形成する反応室（４）と前記高抵抗微粒子（１）の表面
全一モルファスシリコン層伐）を形成し、更に該アモル
ファスシリコン層（２）の表面全体に被覆層（３）を形
成する反応室（５）とからなり、反応室（４，１と（５
）の間は開閉自在にゲートバルブ（６）で区切られてい
る。反応室（４）下部には圧力調整を行う真空排気口−
が設けられている。また反応室（４）内には互いに平行
に配置された板状の電極板（１０）及び（１１）が設け
られており、その一方の電極板（１０）は高周波電源（
１２）に接続されており、対面する電極板（１１）は電
気的に接地されている。高抵抗微粒子（１）の原料ガス
即ち、炭素、窒素、酸素、硅素等の原料ガスノホンベと
接続されている第１主管（９１カラＨ２ガス、Ｈｅガス
、Ａｒガス等をキャリアーガスとして反応室（４）内に
導入されるガスは電極板（１０）及び（１１）の間でグ
ロー放電され、プラズマ状態あるいはイオン状態等を経
て炭素、炭化硅素、窒化硅素、酸化硅素の高抵抗微粒子
（１）が形成される。反応室（４）下部には電極板（１
０１及び（１１）の間で形成される高抵抗微粒子（１）
をすべて収集できるように構成された溜部（１４Ｊが設
けられ、その下端はゲートバルブ（６）を介して反応室
（５）と連結されている。

反応室（４）内で形成された高抵抗微粒子（１１の表面
にアモルファスシリコン層（２１を形成する反応室（５
］下部には圧力調整を行う真空排気口（８）及び外部に
は反応室（５）内を加熱する加熱源（図示せず）が設け
られている。また反応室（５）内には互いに平行に上下
に配置された板状の電極板（２０）及び（２１＋が設け
られており、上部の電極板（２０）は高周波電源＠に接
続され、下部の電極板（２１）は電気的に接地されてい
る。

尚上部電極板（２０）は反応室４内で形成された高抵抗
微粒子（１）の反応室曇への導入口例と絶縁部材（２３
）を介して接続されている。電極板（２０）及び（２１
）の間にゲートバルブ（６）を開くことにより高抵抗微
粒子（１）が導入される導電性の凹状粉体受皿（１３）
が設けられており、アモルファスシリコン層（２）を構
成する物質即ちシラン系のガスのボンベと接続されてい
る第２主管（１９）からＨ２ガス、Ｈｅガス、Ａｒガス
等をキャリアーガスとして導入される原料ガスを電極板
（２０）及び（２１）の間でグロー放電を行うことによ
り高抵抗微粒子（１１の表面にアモルファスシリコン層
（２１７））　形成される。第２主管（１９）は被覆層
（３）を構成する物質即ち炭素、窒素、Ｉ［Ａ族元素等
の原料ガスのボンベとモ接続されており、アモルファス
シリコン層（２１の形成が終了すると引き続き被覆層（
３）を構成する物質の原料ガスをＨ２２ガスＩ−Ｉｅガ
ス、Ａｒガス等をキャリアーガスとして反応室（５）内
に一導入し、電極板（１０）と（１１）の間でグロー放
電を行うことによりアモルファスシリコン層（２）の表
面に被ｆｆ　Ｊｆｉ　（３１が形成される。前記凹状粉
体受皿（１３１は支持部材０６）によって支持されると
ともに、一部の支持部材（１６１には振動部材（１５１
が連結されており、該振動部材■は一端に永久磁石（１
７］が設けられ、該永久磁石＋１７１と対向して交流電
源に接続されている電磁石（１８）か設けられている。

この様に振動部材１５１を介して電磁石（１８）磁石（
１７１の作用により凹状粉体受皿（１３）が振動して高
抵抗微粒子（１）が粉体対流するように構成されている
。

これにより高抵抗微粒子（１）は確実にアモルファス”
！Ｊ−”層（２１によってまたアモルファスシリコン層
（２）は被覆層（３）によって全面が覆われる。

以上の構成の装置においてまず高抵抗微粒子（１）子（
１）の原料ガス即ち炭素、窒素、硅素等の原料ガスを導
入し電極板σ０）及び（１１）の間でグロー放電を行う
ことによりプラズマ状態を経て粒子状に形成される。電
極板（１０１へ印加される高周波電力は１０〜ｂ された炭素、炭化硅素、窒化硅素等の高抵抗微粒子（１
）は反応室（４１下部の溜部側に溜められ、両反応室間
を一定の真空度に保った状態でゲートバルブ（６）をオ
ープンにして凹状粉体受皿（１３）上に導入される。ア
モルファスシリコン層（２１は高抵抗微粒子（１）を図
示しない装置により反応室外部より加熱し、凹状粉体受
皿（１３）により振動して粉体対流させながら第２主管
（１９１よりシラン系のガスを導入し電極板（２０）に
高周波電力を印加して電極板舛と（２１）の間でグロー
放電を行うことにより、高抵抗微粒子（１）の要素、窒
素、硅素、硼素等の被覆層（３）を構成する物質の原料
ガスを導入し電極板■に高周波電力を印加して電極板■
と（２１）の間でグロー放電を行うことによりアモルフ
ァスシリコン層（２）の表面全て覆って被覆層（３）が
形成される。こうすることによりアモルファスシリコン
層（２）は空気中に露出されることなく被覆層（３）に
よ１で表面全体を覆われる。電極板■に印加される高周
波電力はアモルファスシリコン層（２）及び被覆層（３
）形成時も電極板００）に印加される高周波電力と同じ
である。またグロー放電は電極板■と凹状粉体受皿（１
３）との間で行ってもよい。この際凹状粉体受皿（］３
）は接地する必要がある。

尚市販またはあらかじめ製造しておいた高抵抗微粒子（
１１を使用する時は該微粒子（１）を凹状粉体受皿（１
３１上に導入し加熱してアモルファスシリコン層（２）
を形成させ、引き続き被覆層（３）を形成させる。

また本発明に係る感光体の光導電層中に分散するアモル
ファスシリコン粒子は第３図に示される製造装置を使用
して製造することもできる。

第３図において示される装置は互いに平行に上下に配置
された電極板（５と非磁性金属受皿（玉及び該非磁性金
属受皿の下に回転自在な板状の磁性体筒か設けられてお
り、上部の電極板（２５）は高周波電源例に接続され、
下部の非磁性金属受皿（２６）は電気的に接地されてい
る。非磁性金属受皿のには高抵抗微粒子（１）の他に磁
性及び非磁性の微粒子をあらかじめ導入しておき、上部
の電極板■と非磁性金属受皿■の間でシラン系のガスを
グロー放電して高抵抗微粒子（１）の表面を覆ってアモ
ルファスシリコン層（２）を形成させる際、板状の磁性
体−も回転させる。こうすることにより非磁性金属受皿
固止の磁性体の微粒子が板状の磁性体の回転とともに回
転しアモルファスシリコン層（２１が高抵抗微粒子（１
）の表面全てを覆って形成されるようにするみ磁性の微
粒子とともに非磁性の微粒子を導入するのは磁性の微粒
子同士が相互磁力により結合するこ層（３）がアモルフ
ァスシリコン層（２１の表面全て覆って形成させるよう
にする。

発明の効果 本発明に係る感光体は導電性支持体上に光導電性アモル
ファスシリコン粒子をバインター４Ｈ中に分散させてな
る光導電層を有する感光体において、前記光導電性アモ
ルファスシリコン粒子は透光性乃至半透光性及び耐熱性
を有する高抵抗微粒子と、該微粒子を被覆するアモルフ
ァスシリコン層と、該アモルファスシリコン層を被覆し
少くとも炭素または窒素を含む被覆層から構成されてい
ルコとを特徴とするのでアモルファスシリコン層の光導
電性が維持されて熱励起キャリアの発生が少なくなって
暗抵抗及び帯電能が向上し光疲労も少なくなる。

実施例１ 第２因で示した装置において凹状粉体受皿（１３）上に
平均粒径１μのＡ１２０３（アルミナ）粉末をのせ、ゲ
ートバルブ（６）をクローズにしてから真空排気口（８
）によりＩＱ　’　Ｔｏｒｒ程度まで真空排気しながら
粉末を反応室（５）外部より２５０℃に加熱した。

次にあらかじめ２５０℃に加熱された５ｉｔ（４ガス１
０１００５ｃとＨ２ガス２００　ＳＣＣｍの混合ガスを
第２主管（１９１より反応室（５１内に導入し、圧力を
ｌ、ＱＴｏｒｒに調整した。反応室（５）内の電極板舛
に５０ｍ■佃の高周→電力（周波数１３．５５ＭＨｚ）
を供給し１時間放電を行って凹状粉体受皿（１３）上の
Ａｌ２Ｏ５粉末の表面に約５ｏｏｏ′Ａのアモルファス
シリコン層（２）を形成させた。

更にあらかじめ２５０℃に加熱されたＳｉＨ４ガス５０
ｓｃｃｍ　１Ｃ２Ｈ４ガスＩＱＱ　ｓｃｃｍ　、　Ｈ２
ガス５０　ｓｃｃｍの混合ガスを第２主管（１９）より
反応室（５）内に導入し、圧力を１．ＱＴｏｒｒに調整
した。反応室（５）内の電極板アモルファスシリコン層
（２）の表面に約１０００＾の炭化硅素の被覆層を形成
させた。但しアモルファスシリコン層韻形成時はＡｌ２
Ｏ３粉体の表面を全て覆って形成されるように、また被
覆層形成時はアモルファスシリコン層の表面゛を全で覆
って形成されるように凹状粉体受皿（１３）の振動によ
り夫々の粉体を振動して粉体対流させた。

こうして得られた粒子３０重量部を熱硬化性アクリル樹
脂（犬日本インキ■製Ａ４０５）５０重量部、メラミン
樹脂（犬日本インキ■製スーパーベッカミンＪ８２０）
２０重量部とセロソルブアセテートとメチルイソブチル
ケトンを同量に混合した混合溶剤８０重量部からなる組
成物をボールミルポットに入れて２時間混練して光導電
性塗料を調整した。この塗料をアルミニウム基体上に層
厚が１５μになるように塗布、乾燥させて感光体を作成
した。

こうして得られた感光体を静電特性試験機で評価したと
ころ、コロナ帯電を行うと３５０ｖ以上の帯電電位を有
し、光照射を行うと可視光に対して充分な光感度を有す
るものであり、繰り返し使用を行っても電子写真特性が
安定しており、鮮明な画像を得ることができた。更に３
０℃８０％という高温高湿の条件下でも初期電位及び感
度を含む電子写真特性は、常温常湿条件下とほとんど変
化はなかった。

実施例２ 第２図に示した装置においてゲートバルブ（６）をオー
プンにして真空排気口（７）及び（８）により反応室（
４＋及び（５）内をＩＱ　’　Ｔｏｒｒ程度まで真空排
気した後ゲートバルブ（６）をクローズにした。次に、
あらかじめ２５０’Ｃに加熱されたＳｉＨ４ガス５Ｑ　
ｓｃｃｍ　、　Ｈ２ガた。反応室（４）内の電極板αα
に５０ｍＷ／ｉの高周波電力（周波数１３．５６　ＭＨ
２）を供給し、３０分間放電を行った。こうして粒径が
０．５μ〜２．０μの炭化硅素の高抵抗微粒子を得、得
られた微粒子は反応室（４）下部の溜部（１４）に溜め
られた。反応室（４）へのガスの供給を停止し、真空排
気口（７）により反応室（４）内の真空排気を行い、反
応室（４１内の圧力が反応室（５）内の圧力と等しくな
ってからゲートバルブ（６］をオープンにし前記高抵抗
微粒子を反応室（５１内の凹状粉体受皿（１３）上に導
入し、ゲートバルブ（６）をクローズにした。

以下実施例１と同様の方法で同一の構成のもの、但し被
覆層形成時に用いるガスをＣ２Ｈ４ガス１５０ｓｃｃｍ
１Ｈ２ガス２００　ＳＣＣｍの混合ガスとし、被覆層が
炭素膜で形成されている感光体を作成した。

こうして得られた感光体を静電特性試験機で評価したと
ころコロナ帯電を行うと３５０Ｖ以上の帯っても電子写
真特性が安定しており、鮮明な画像を得ることができた
。更に３０℃、８０％という高温高湿の条件下でも初期
電位及び感度を含む電子写真特性は常温常温下とほとん
ど変化はなかった。

実施例３ 実施例２の感光体と同様の方法で同一の構成のもの、但
し高抵抗微粒子形成時に用いる原料ガスをＣ２Ｈ４１５
Ｑ　５ｃｃｒｒ、Ｈ２１ＱＱ　ｓｃｃｍとして炭素の高
抵抗微粒子を形成させ、被覆層形成時に用いる原料ガス
を５ｉＨ４５Ｑ　ｓｃｃｍ、　ＮＨ３１５Ｑ　ｓｃｃｍ
ｌＨｚ　ＩＱＱｓｃｃｍとして窒化硅素の被覆層を形成
させてアモルファスシリコン粒子を得、感光体を作製し
た。

こうして得られた感光体を静電特性試験機で評価したと
ころ、コロナ帯電を行うと３５０ＶＵ上の帯電電位を有
し、光照射を行うと可視光に対して充分な光感度を有す
るものであり、繰り返し使用を行っても電子写真特性が
安定しており、鮮明な画像を得ることができた。更に３
０℃、８０％という高温高湿の条件下でも初期電位及び
感度を含む電子写真特性は常温常湿下とほとんど変化は
なかった。

実施例４ 実施例１の感光体と同様の方法で同一の構成のもの但し
被覆層形成時に用いる物質を５ｉｔ（４ガス５Ｑｓｃｃ
ｍ　、　　Ｃ２Ｈ４ガス１０１００５ｃ　、ｌＨ２ガス
１５Ｑｓｃｃｍ　。

及び水素希釈された２００　ｐｐｍのＢ２Ｈ６ガス２５
ｓｃｃｍの混合ガスとし硼素を１００　ｐｐｍ含む被覆
層からなるアモルファスシリコン粒子を用いた感光体を
作成した。

こうして得られた感光体を静電特性試験機で評価したと
ころ、コロナ帯電を行うと３５０Ｖ以上の帯電電位を有
し、光照射を行うと可視先番こ対して充分な光感度を有
するものであり、繰り返し使用を行っても電子写真特性
が安定しており、酵明な画像を得ることができた。更に
３０℃８０％という高温高湿の条件下でも初期電位及び
感度を含む電子写真特性は、常温常湿条件下とほとんど
変化はなかった。

比較例１ 第２図に示した装置においてゲートバルブ（６）をクロ
ーズにして真空排気口（６）により反応室（４）内を１
０　’　Ｔｏｒｒ程度まで真空排気し、あらかじめ２５
０℃に加熱された５ｉｎ４ガス１５Ｑ　ＳＣＣｍ　、　
Ｈ２ガフ、３００ｓｃｃｍの混合ガスを第１主管（９１
より反応室（４）内に導入し、圧力をｌ、ＱＴｏｒｒに
調整した。反応室（１）内の電極板（９）に５０ｍＷ／
ｍの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ　）を供給し
、１時間放電を行って粒径が０．０１〜１０μのアモル
ファスシリコン粒子を得た。得られたアモルファスシリ
コン粒子を使用して実施例１と同様の方法で感光体を作
製した。

こうして得られた感光体を静電特性試験機で評価したと
ころコロナ帯電を行うと帯電能が悪く繰り返し使用を行
うと残留電位が上昇し実質上実用が不可能であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るアモルファスシリコン粒子の模式
図、第２図及び第３図は本発明に係るアモルファスシリ
コン粒子を生成するためのグロー放電分解装置の概略図
である。 （１）・・・高抵抗微粒子（２１・・・アモルファスシ
リコン層（３）・・・被覆層　　（４１、（５１・・・
反応室１０）　、　（Ｉｌｌ　、　囚、　（２１）・・
・電極板　　ｆ１２）　、■・・・高周波電源（１３１
・・・凹状粉体受皿。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に光導電性アモルファスシリコン粒
   子をバインダー樹脂中に分散させてなる光導電層を有す
   る感光体において、前記光導電性アモルファスシリコン
   粒子は透光性乃至半透光性及び耐熱性を有する高抵抗微
   粒子と、該微粒子を被覆するアモルファスシリコン層と
   、該アモルファスシリコン層を被覆し少くとも炭素また
   は窒素を含む被覆層から構成されていることを特徴とす
   る感光体。 ２、前記被覆層は更に導電性支配物質を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光体。 ３、前記被覆層は更にアモルファスシリコンを含有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の感光体。