JPS62156826A - 電子構成部品の封入方法 - Google Patents

電子構成部品の封入方法

Info

Publication number
JPS62156826A
JPS62156826A JP61299007A JP29900786A JPS62156826A JP S62156826 A JPS62156826 A JP S62156826A JP 61299007 A JP61299007 A JP 61299007A JP 29900786 A JP29900786 A JP 29900786A JP S62156826 A JPS62156826 A JP S62156826A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
polymerization
mold
encapsulation
final coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61299007A
Other languages
English (en)
Inventor
シルビ・ボイニ
スジュール・ニジボァー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS62156826A publication Critical patent/JPS62156826A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、活性デバイス（ａｃｔｉｖｅ　ｄｅｖｉｃｅ
）を金属環体に固定しおよび電気的に接続した後、少な
くとも１つの被覆段階を合成（封詣で行い、導体をこの
被覆から部分的に浮き上らせる電子構成部品の封入方法
に関する。
大部分の電子構成部品、特に半導体構成部品は、非制御
雰囲気に連続的に曝される間に、満足に作動しない活性
素子を保護することが要求される。
それ故、一般に構成部品は保護エンベロープからなり、
このエンベロープには標準化値（ｓｔａｎｄａ−ｒｄｉ
ｚｅｄ　ｖａｌｕｅｓ）の間で選択する寸法および相対
距離を有する出力ピンの形状の導体の標準化配置を設け
ている。
ある場合には、電子構成部品を金属および／またはセラ
ミック　タイプのエンベロープに封入（ｅｎｃａｐｓｕ
ｌａｔｉｏｎ）すると共に、これらのエンベロープを電
気はんだ付、ろう付またはソフト　ガラス融解の使用に
よって封鎖できる。しかしながら、このタイプの技術は
経費を要し、このために極めて重い環境荷重に耐えうる
ようにする製品に限られる。
ある場合には、一般に合成（財詣で被覆する段階を行う
封入方法を用いることができ、この場合この樹脂を活性
構成部品のまわりに流込み、その（封脂が凝固後、構成
部品のエンベロープを構成し、樹脂により部分的に包囲
された導体は電気接続に・関して外部に突出する。
光学電子構成部品を除けば、半導体デバイスは望ましく
ない光電流が作動中止じないようにするために周囲光か
ら保護するようにする。それ故、これらのデバイスは光
に不透過性の樹脂で封入する必要がある。
これに対して、発光ダイオード、フォトダイオニド、フ
ォトトランジスターおよびフォトカプラーの如き光学電
子デバイスは輻射線に対して少なくとも部分的に透過す
る封入を必要とし、この場合デバイスをエンベロツブの
外部に関してまたは光学的結合を得る（フォトカプラー
の場合）デバイスの内部においてだけ作動するように設
計する。
本発明の目的は上述する封入方法を提供するもので、特
に光学電子デバイスに適用する場合、封入が米国特許第
４０３４４６６号明細書に記載されている方法による単
一ステップまたは二三のステップに作用する。
発光ダイオードおよび他の光学電子構成部品の被覆の特
定要件は、一般的要件、すなわち、被覆の表面の光学特
性の保全性（ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）　に関する要件に加
えることであり、かかる保全性は構成部品をはんだ付は
段階およびこの目的のために用いるある種の溶剤におい
てゆすぐ段階において生ずるおよび段階中のすべての環
境下で維持する必要がある。
同じような要件は、例えば露光の影響下における樹脂の
老化に関係し、この場合［封脂は光学透過率（ｏｐｔｉ
ｃａｌ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）の損失を生ずる任
意の黄変を示さないようにする。
本発明は光学電子デバイスに関して示される広範囲にわ
たる困難さに対して少なくとも解決する封入方法を提供
することである。
また、本発明の目的は簡単で、かつ経済的な任意の電子
構成部分の封入手段を提供することである。
本発明の電子構成部品の封入方法は、塩基性合成樹脂と
して光開始剤成分を添加し、光切断（ｐｈｏｔ−ｓｃｉ
ｓｓｉｏｎ）によって、または０．２〜３重量％の範囲
の濃度における水素の分子間抽出（ｉｎｔｅｒｍｏｌｅ
ｃｕ−１ａｒ　ａｂｓｔｒａｃｔｉｏｎ）によって基を
生ずるエポキシビフェノールＡジメタクリレートの種類
の樹脂を用い、この樹脂を紫外線で照射して被覆の重合
を得ることを特徴とする。
封入方法に使用できる多数の光重合性樹脂のうち、エポ
キシビフニエルＡジメククリレートの種類の樹脂は、特
に（１）重合中、制限作用を低下させる反応性稀釈剤（
単量体）なしで使用するのに十分な流体であること、お
よび（２）顕著な光学的特性および化学的安定性を有し
ている利点がある。
光重合による方法によれば、（耐相の重合を達成するの
に生成物の温度を著しく高くする必要がなく、これに反
して温度を任意に実質的に高めるのを避けることができ
る。それ故、最終生成物内に生ずる熱負荷を避けること
ができる。更に、使用前における樹脂および開始剤の混
合物の安定性は、熱活性である既知の混合物で観察され
るように、粘度における漸進的変化からスクリーニング
するのに使用しやすい。
混合物は実質的分量の紫外線を含有する周囲光に曝すの
を単に十分に回避する。
上述する（耐相に少量割合で混合できる。例えば接着剤
の如き二次添加物は別として、上述するタイプの光開始
剤成分は０．２〜３％の範囲の濃度で塩基性値（脂に添
加する。
この事は樹脂の望ましい重合が得られると共に、高い濃
度（１０〜２５％）は保護または装飾フェスまたは印刷
インキの如き比較的に薄いフィルムを得る光重合性樹脂
の既知の適用に対して推薦することができる。
最後に、塩基性樹脂は優れた化学的中性を有し、周囲湿
気に関して特に安定に維持する。この湿気は封入デバイ
スの結果として伴って生ずる劣化に対して良好な補償を
する。
封入プロセスが活性デバイスに直接に適用する予備被覆
（ｐｒｅｃｏａｔｉｎｇ）段階およびこの予備被覆の容
積を含む封入の外部を生成する最終被覆（ｆｉｎａｌｃ
ｏａｔｉｎｇ）段階からなる本発明の特定の例によれば
、被覆方法は予備被覆段階のために最終被覆に使用する
と同じ性質の塩基性樹脂を用い、この場合最終被覆段階
を行う前に紫外線で照射する。
この事は許容される実施からはずれるけれども、予備被
覆段階は最終被覆に用いる樹脂より堅くない樹脂で行う
のが好ましく、この実施は順次被覆にふいて互いに良好
な接着が得られ、かつ既知技術の場合に得られる大きい
荷重が存在しない極めて良好な結果が辱られる。
更に、２つの被覆の屈折率間に差が存在しないことは相
当するジオプターにより生ずる困難さを抑制する。
再生および制御形の輪郭の少なくともある特定部分にお
いて封入の外部を得るのに型を用いる場合には、本発明
による方法では特に紫外線を透過する壁を有する型を用
い、適当なそれぞれの部分を固定した後、デバイスにそ
の導体を設け、型に適当な分量の樹脂を設け、樹脂に選
択する優先方向に型を通して紫外線を照射させて封入の
外部輪郭上の重合を開始させ、その形状を条件を維持す
る最高の適合性に関係させ、このためにｉ’［ｒ進重合
の前面を上記（を先方向への移行によって樹脂内に置き
替える。
このように行う場合、また液体状態の樹脂部分は重合の
制限結果として物質が不足するとただちに補償できる。
分離する型の壁の物質の危険を避け、プラスチック封入
内のトラクション荷重（ｔｒａｃｔｉｏｎ　１ｏａｄｓ
）を最小に制限する。封入の外部輪郭部分の形は最大可
能な適合性！こ関係させて重合させる。この部分により
重合による制限は最小の影響となる。
このために、発光ダイオードの封入の場合には、結晶の
光学軸にダイオードの光学ドーム（ｏｐｔｉｏｎａｌｄ
ｏｍｅ）を収縮させて紫外線を照射する方向を選択する
ことによって、成形後型の輪郭に完全に一致するこのド
ーム環よびダイオードの光学性能を著しく再生できた。
必要に応じて、本発明によれば、最終被覆段階に使用す
る樹脂と同じ種類の光重合性樹脂の比較的に薄いフィル
ムをデバイスにこの段階前に被着でき、また導体の部分
を最終被覆で被覆し；次いで上記フィルムを、最終被覆
段階を行う前に完全に重合するまで、フィルムに紫外線
を照射する。
績（脂フィルムのこの適用は、例えば硬化によって行う
ことができる。
この補足的段階は金属導体のまわりの封入の接着性を改
善し、特に導体または他の腐食種の侵入の危険性を除去
する。実際上、この界面は合成（Ｍ］１旧こよる封入の
欠点の１つ吉考えられる。
また、フィルムの最終被覆の（耐脂に対する接着性が侵
れており、このために最終成分の不連続性は見出されな
かった。
更に、本発明は光学電子半導体デバイス、特に発光ダイ
オードを被覆する上述する方法を利用することに関する
。
次に、本発明を添付図面により具体的に説明する。
第１図は導電１生金属トラツク１２および１３を有する
絶イ号基１ｆｌｌの断面を示している。基板１１および
導電性トラック１２および１３の組立体は、例えばプリ
ント回路または、いわゆる電子ハイブリッド回路用のセ
ラミック材料の基板を示す。
半導体結晶の形態の電子構成部品１５を導電性トラック
１２に固定し、電気的に接続する。また、構成部品１５
の活性区域を導電性トラック１３にワイヤー１４で接続
する。構成部品１５を保護するために、光開始剤を添加
したエボキン　ビスフェニルへジメタクリレート　タイ
プの１針脂のドロップ１６を、これにより形成されたメ
ニスカスによ−、てワイヤー１４が包囲されるように構
成部品１５上に位置する。
光開始剤は光切断により、または水素の除去による分子
間抽出による基を生ずるタイプからなる。
この光開始剤は塩基性［Ｍ脂に０．２〜３重量％、好ま
しくは１％近くの濃度で導入する。
電子構成部品の封入に特によく適用する上述する種類の
樹脂は、例えば商品名「ジアクリル１２１（Ｄｉａｃｒ
ｙｌ１２）　　Ｊ　（八ＫＺ（ｌ　Ｃｈｅｍｉｅ社製）
を示すコトカできる。
この樹脂はアクリル単量体を添加しないで使用できる程
度の流体で、しかも極めて砕けにくく、かつ最小収縮を
有する利点を持っている。
塩基性樹脂に１％の投与量で添加して使用するのに極め
て適当な、光切断によって基を生ずるタイプの光開始剤
化合物は、例えば２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニル　プロパン−１オンであり、この化合物は商品名
［ダロキュア１１７３（Ｄａｒｏｃｕｒ　１１７３）　
Ｊ　□、４ｅｒｃｋ社製）で販売されている。
また、他の光開始剤化合物としては、上記塩基性樹脂に
添加剤として使用できる。例えば商品名ｒ　Ｐ　１０４
Ｊ　（Ｕｎｉｏｎ　Ｃｈｉｍｉｑｕｅ　Ｂｅｌｇｅ社製
）で販売されているようなアミノ−アクリレートと結合
したベンゾフェノンの如き水素の分子間抽出による活性
化を有するタイプの化合物である。
次いで、樹脂のドロップを適度の強さの紫外線に曝し、
３０秒〜１分間程度で完全に重合させる。
一層すみやかに重合することは、物質が加熱され、封入
電子構成部品に望ましくない荷重を誘導する欠点がある
。
特に半導体構成部品に関する場合には、しばしば構成部
品に周囲光の浸透するのを避けるようにする必要がある
。必要に応じて、樹脂ドロップ１６を第１図に示すよう
に適当な不透明フィルム１８で被覆することができる。
フィルム１８はその不透明度によって外側を光線から保
護するが、しかし特に臨界的な性質はない。また、フィ
ルムは吸収性顔料を充填した光重合性樹脂で構成するこ
とができる。このフィルムを、例えばパッドで薄く被着
する場合には、このフィルムの完全重合が高′ハ光吸収
力にもかかわらず得ることができる。
第２図において、デバイスを予備被覆する段階は封入の
外部を形成する最終被覆段階に先立って比較的に小さい
容積で行っている。第２図は、組立でき、かつ商品名「
コンブ（Ｃｏｍｂ）　Ｊで知られている金属カットテー
プから構成する導体線状組立（図に示していない）の２
つの金属導体２１および２２の端部を示している。発光
ダイオードの半導体結晶２４を既知の技術による導電性
にかわをもって金属導体２１の端部に支持する反射キャ
ビティ２５の中心に固定する。また、導線２３は結晶の
活性部を導体２２に接続する。
樹脂ドロップ２６を反射キャビティ２５に針２７により
堆積する。
樹脂ドロップ２６の容積は、キャピテイ２５が樹脂で実
際的に充満し、かつ半導体結晶２４が被覆されるように
選択する。
本発明によれば、予備被覆段階で使用する樹脂は最終被
覆に用いる樹脂と同じ性質（すなわち、同じ（Φ類）に
し、好ましくは同じにする。
次いで、キャビティ２５に堆積したドロップ２６で構成
された予備被覆樹脂は、最終被覆する前に、完全に重合
するまで、約１分間にわたって紫外線を照射する。
第３ａおよび３ｂ図は最終被覆段階前に実施する本発明
による中間段階を示している。これらの図において、導
体は長いタップに組立てた同じ素子の数倍反復する複数
の位置に金属くしの部分を形成するけれども、発光ダイ
オードに泪当するただ１対の導体３．３２のみを示して
いる。光重合性樹脂３３の浴において、活性デバイス３
４、および導体３１および３２の１部を硬化する段階を
行う。
樹脂３３の浴の収縮後、前に浸漬した構成部品の部分を
第３ｂ図に示すように樹脂の比較的に薄いフィルム３５
で被覆し、次いでこのフィルムを完全に重合するまで紫
外線で照射する。矢印３６で示すように、この操作にお
いて多方向からフィルム３５を放射収縮により照射して
比較的に短い照射時間後フィルムを完全に重合する。
’ｌ’：？　！こ７１算屓」、−とは、（・１（脂フィ
ルム３５て被覆した導体３１および３２の１部分と上記
フィルムで被覆されない同じ導体の部分との間の第３ｂ
図において線３７で示している境界を選択して、次の最
終被覆の境界に極めて正確に一致させるようにすること
である。
あるいは、また硬化浴において用いる光重合位（脂３３
のタイプを最終被覆に用いたｆｉ＋脂のタイプに一致さ
せるようにする。
この手段を行う場合、構成部品がフィルム３５と最終被
覆の（聞（脂との界面のレベルで完成する時に、被覆材
料に顕著な不連続性が存在しないようにする。
樹脂の比較的に薄いフィルムを被覆する構成部品の部分
に適用することは、第２図に示す予備被覆段階を補充す
ることができ、しかる後に行う。
しかし・ながら、必要に応じて、またこの適用は、例え
ば真空で処理する場合、封入構成部品の光学品質に特に
有害な反射キャビティ２５（第２図）に含まれる気泡を
回避する条件での予（１１打被覆段階に置きトドえるこ
止ができるっ必要ｊ二応じて、第３ａおよび３ｂ図に示
ず樹脂の薄いフィルムの適用は、溶剤の浸透試験中、か
ように試験された構成部品の例外的な堅固さを示してい
る。特に、金属導体に沿う浸透は観察されなかった。こ
の試験的指示は重合収縮中樹脂フィルムの僅かな収縮に
よってこのフィルムが導電体に著しく粘着するものと思
われる。
第４図は最終被覆の方法を示しており、この場合型を用
い輪郭のある特定部分において、少なくとも再生しうる
、かつ制御される形状を有する封入の外部を寿でいる。
第２，３ａおよび３ｂ図の場合のように、第４図に示す
具体例は半導体結晶４３に電気的に接続した金属導体４
１および４２から発光ダイオードの封入に関する。特に
、紫外線を透過する壁を有する型４５はキャビティ４６
からなり、この形状は被覆すべき完成構成部品を再現す
る。封入の輪郭のもっとも臨界的な部分は構成部品の前
面で終る光学ドーム４６ａの部分であり、このドームか
ら先はドーム形状に関して与えられた角度分配：二元、
てダイオードより放射され、この形状は成形中忠実度に
関係する。
型４５を形成する材料としては高密度のポリエチレンの
ような重合材料またはガラスを用いることができる。
型４５には与えられた分量の液体状態の光重合性樹脂４
７を与え、その導体４１および４２を設けたデバイスを
型内に導入し、示していない固定手段により型の適当な
位置に固定する。次いで１、樹脂４７を矢５０により示
される方向から型４５を通して紫外線を照射させ、この
ために重合は光学ドーム４６ａに沿って実質的に始まる
。紫外線の照射方向と図中破線で示している重合前面５
１が照射のために選択される愛児的方向から確保される
垂直転移（ｖｅｒ−ｔｉｃａｌ　ｔｒａｎｓｌａｔｉｏ
ｎ）による推移中に置換する。このように行う場合、”
ｔＪＥＥｆの外部輪郭は忠実度に関係し、および重合収
縮による荷重が最小になることを確めた。
第４図に示すように、型４５はその上部をふさがず、最
初の世の侍（脂４７はメニスカス５２を形成する。
このメニスカスはすべて最後に重合する液体状態の過剰
量の物質から形成されている。
プロセス中、重合収縮に対する？ｉｆｆ　（Ｕを与える
ことがなく、このために操作の終りにおいてメニスカス
５２は実質的に平坦な表面に置き替えられる。
導体４１および４２を埋置する封入の上部は、正確な形
状が特定な幾何学的要件を満たす必要のない部分である
。更に、光学ドームに対向して位置させ、この光学ドー
ムは矢５０て示す紫外線による照射の方向の選択と一致
させる。
第５八および５Ｂ図は、本発明の方法をフォトカプラー
の場合に用いた状態を示している。
第５Ａ図は、６つの導体からなる金属＜シロ０の１部を
示しており、これらの自由部分はモチイブ（ｍｏｔｉｖ
ｅ）の中心の方向に向け、互いに対向するために３つの
列になる。発光ダイオードの結晶６３は導体６１に固定
し、またこのダイオードの接合はワイヤーを介して導体
６２に接続する。光検出器の半導体結晶６４をこれらの
素子が導体６５上に対向するように固定し、またワイヤ
ーを介して導体６６に接続する。
既知の技術によれば、２つの活性半導に！子間の光学結
合は組立体上に適当な形状の光学ドームを置換して得ら
れ、発光ダイオードの結晶６３により放射される光は光
検出器の結晶６４の方向にこのドームの壁に反射する。
第５Ａ図において、光学ドームのベースの輪郭を破線６
Ｂで示している。
第５Ｂ図は上述するタイプの光重合性値（脂により光学
ドームを成形する操作中におけるＶＢ線上における＜シ
ロ０の１部分を示している。
この目的のために、ある量の液体状態の位（脂であらか
じめ適当に形成したキャビティ７１を有する透明な型７
０を＜シロ０に対向させて置換する。
＜シロ０は、半導体結晶６３および６４が型７０のキャ
ビティ７１に向けるように位置させる。
樹脂７２は＜シロ０の導体上に形成する分量で使用する
。紫外線による照射は矢印７６で示される方向から行い
、このために重合はキャビティ７１の前部の付近から始
まる。次いで、重合は垂直に上方に向いその正面の移行
によって実質的に連続する。
まだ液体状態のメニスカス７５は自由に変形し、ここに
含有する樹脂は重合の結果としての収縮に対して補償す
る。紫外線に曝された樹脂部分が重合した場合、型７０
を取り除く。必要に応じて、くし６０の上部の方向に紫
外線で追加照射して方向７６に主照射する間に、紫外線
に対してマスクする樹脂部分の重合を完了させることが
できる。
次いで、型を取り除いて得た光学くしを白色顔料の含む
フィルムで被覆する。
この操作は任意の既知技術で行うことができるが、しか
し第５図について記載する類似方法により、すなわち、
型７０に類似する型により装填した感光性樹脂の成形に
より行うことができ、しかもこのキャビティ７１はフィ
ルムにより要する厚さを有する人払輪郭を有しているよ
うにできる。
上記フィルムは紫外線に対して僅かに透過するけれども
、それにもかかわかず適当な重合がその薄い厚さのため
に得られる。有利なことには、光学ドームに形成された
フィルムの（耐相は、例エバ酸化チクン扮末の如き顔゛
科を含む以外：まドームについて使用したと同じ性質を
有している。
最後に、封入を第５Ｂ図に示すように規定された輪郭を
有するように形成するが、しかし活性デバイスの支持は
第１図において１１で示すように、すなわち、平坦支持
のようにし、少なくとも１つの穿孔を活性デバイスの近
（の支持体に形成する。
第５Ｂ図に示すように行う場合、および最終封入容積に
関して過剰量の樹脂を型のキャビティに設ける場合、穿
孔に浸透する液体樹脂の容■は重合プロセス中、および
重合の収縮による容積の減少のためのｉ漸進内袖（賞中
、自由に置き替えることができる。この結果、適当な穿
孔直径は過剰量の樹脂を操作の初期に含有できるように
選択する。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の方法によって得た封入を具えた電子半
導体構成部品の断面図、 第２図は本発明の方法により反射キャビティを具えた発
光ダイオードの予備被覆段階を示す説明用線図、 第３，１図および第３ｂ図は本発明の方法に１吏用でき
る最終被覆段階前の予備的段階を示す説明用線図、第４
図は発光ダイオードの場合における型を使用する最終被
覆段階を示す説明用線図、第５八図は本発明において他
の具体例を示すフォトカプラーの平面図、および 第５Ｂ図は第５八図の断面図である。 １１・・・進縁基板 １２、１３・・・金属トラック　（導電性トラック）１
４・・・ワイヤー　　　　　１５・・・電子構成部品１
６、２６・・・樹脂ドロップ（ドロップ）１８・・・不
透明フィルム ２１、２２．３１．３２．４１．４２．６１．６２．６
５．６６・・・導体（金属導体）２３・・・導！　　　
　　　　　２４．４３・・・半導体結晶２５・・・反射
キャビティ　　２７・・・針３３、４７・・・光重合性
樹脂　３４・・・活性デバイス３５・・・フィルム（Ｉ
Ｉ脂フィルム）４５、７０・・・２　　　　　　４６．
７１・・・キャビティ４６ａ・・・光学ドーム　　　５
１・・・重合前面５２、７５　　・・メニスカス　　６
０・・・＜シ（金属＜シ）６３、６４・・・結晶（半導
体結晶） ７２・・・樹脂 特許出願人　　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン ＦＩＧ、５Ａ Ｆｌｏ、５Ｂ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、活性デバイスを合成樹脂により金属導体に固定し、
    電気的に接続した後、少なくとも１つの被覆段階を行い
    、導体をこの被覆に１部分埋置する電子構成部品を封入
    する方法において、基本合成樹脂としてエポキシビスフ
    ェノールＡジメタクリレートの種類の樹脂を使用し、こ
    れに光切断によって、または０．２〜３重量％の範囲の
    濃度で水素を分子間抽出することによって基を生ずる光
    開始剤化合物を添加し、次いで前記樹脂を被覆の重合が
    得られる程度に紫外線で照射することを特徴とする電子
    構成部品を封入する方法。 ２、封入プロセスは活性デバイスに直接に作用する予備
    被覆段階、および予備被覆容積を含む封入の外部を形成
    する最終被覆段階からなり、予備被覆段階において基本
    樹脂としては最終被覆段階前に紫外線で照射する最終被
    覆において使用すると同じ性質の樹脂を使用する特許請
    求の範囲第１項記載の方法。 ３、型を用いて、輪郭のある少なくとも特定部分に制御
    および反復しうる形を有する封入の外部を得、紫外光を
    特に透過する壁を有する型を用い、個々の適当な位置に
    固定した後、デバイスにその導体を設け、型に適当量の
    樹脂を設け、樹脂に封入の輪郭の外部において重合を開
    始させるように選択した優先方向に型を介して紫外線を
    照射させ、その形は条件を維持して最大可能な限り忠実
    にし、このために漸進する重合の面を前記優先方向に移
    動させて樹脂内に転置させる特許請求の範囲第１または
    ２項記載の方法。 ４、封入の輪郭の前記外部は別として、形を関係させ、
    過剰量の樹脂を重合状態における封入によって表わされ
    る容積に関係させ、この過剰量を維持して重合プロセス
    中自由に置換させ、樹脂の過剰量を漸進的に減少するの
    に重合の収縮により補償する特許請求の範囲第３項記載
    の方法。 ５、最終被覆段階前に、同じ性質の光重合性樹脂の比較
    的に薄いフィルムをデバイスに被着し、導体の部分を最
    終被覆によって被着し、前記フィルムに、最終被覆する
    前に完全に重合するまで、紫外線を照射する特許請求の
    範囲第１〜４項のいずれか一つの項記載の方法。
JP61299007A 1985-12-20 1986-12-17 電子構成部品の封入方法 Pending JPS62156826A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8518922A FR2592221B1 (fr) 1985-12-20 1985-12-20 Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique
FR8518922 1985-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62156826A true JPS62156826A (ja) 1987-07-11

Family

ID=9326015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61299007A Pending JPS62156826A (ja) 1985-12-20 1986-12-17 電子構成部品の封入方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4822536A (ja)
EP (1) EP0230078B1 (ja)
JP (1) JPS62156826A (ja)
KR (1) KR870006646A (ja)
DE (1) DE3678699D1 (ja)
FR (1) FR2592221B1 (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3702999C2 (de) * 1987-02-02 2003-03-06 Siemens Ag Vorrichtung zur Verarbeitung von UV-härtbaren Reaktionsharzmassen und deren Anwendung
US4843036A (en) * 1987-06-29 1989-06-27 Eastman Kodak Company Method for encapsulating electronic devices
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
FR2620374B1 (fr) * 1987-09-11 1990-03-09 Framatome Sa Procede de realisation d'une piece en resine par photopolymerisation et applications de ce procede
US5219795A (en) * 1989-02-07 1993-06-15 Fujitsu Limited Dual in-line packaging and method of producing the same
IT1234027B (it) * 1989-03-14 1992-04-24 Gd Spa Macchina incartatrice continua
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
US5173220A (en) * 1991-04-26 1992-12-22 Motorola, Inc. Method of manufacturing a three-dimensional plastic article
JPH05290669A (ja) * 1992-01-22 1993-11-05 Fujikura Ltd 照光スイッチ
US5482658A (en) * 1993-08-13 1996-01-09 Motorola, Inc. Method of making an optoelectronic interface module
DE4340862C2 (de) * 1993-12-01 2002-04-11 Vishay Semiconductor Gmbh Vergießvorrichtung zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen
DE4340864C2 (de) * 1993-12-01 1996-08-01 Telefunken Microelectron Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen
US5389578A (en) * 1994-01-04 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Optical coupler
US5382310A (en) * 1994-04-29 1995-01-17 Eastman Kodak Company Packaging medical image sensors
KR100377981B1 (ko) * 1994-06-07 2003-05-27 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 성형화합물큐어링방법
US6254815B1 (en) * 1994-07-29 2001-07-03 Motorola, Inc. Molded packaging method for a sensing die having a pressure sensing diaphragm
US5614131A (en) * 1995-05-01 1997-03-25 Motorola, Inc. Method of making an optoelectronic device
US5851449A (en) * 1995-09-27 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a surface-mounted type optical semiconductor device
DE19701855C1 (de) * 1997-01-21 1998-09-24 Telefunken Microelectron Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente
US6523803B1 (en) 1998-09-03 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Mold apparatus used during semiconductor device fabrication
FR2793069B1 (fr) * 1999-04-28 2003-02-14 Gemplus Card Int Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible
DE10129785B4 (de) 2001-06-20 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20060105483A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Leatherdale Catherine A Encapsulated light emitting diodes and methods of making
DE102005034166A1 (de) 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005059524A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
TWI481064B (zh) * 2007-02-13 2015-04-11 3M Innovative Properties Co 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法
TW200910648A (en) * 2007-08-31 2009-03-01 Isotech Products Inc Forming process of resin lens of an LED component
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
WO2010005294A1 (en) 2008-06-15 2010-01-14 Stichting Administratiekantoor Vomgroup A method for manufacturing a lens to be added to a led, and a lens obtained with that method
US7794633B2 (en) * 2008-11-26 2010-09-14 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for fabricating lens masters

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219781A (ja) * 1982-06-15 1983-12-21 Showa Denko Kk 発光ダイオ−ド素子の封止方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3980483A (en) * 1972-04-24 1976-09-14 Nippon Oil Seal Industry Co., Ltd. Photocurable composition
US4034466A (en) * 1974-09-03 1977-07-12 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
US4203792A (en) * 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
NL7904113A (nl) * 1979-05-25 1980-11-27 Philips Nv Optisch uitleesbare informatieschijf, werkwijze voor de vervaardiging ervan alsmede een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze.
DE3019239A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Umhuellung fuer halbleiterbauelement
JPS5771154A (en) * 1980-10-21 1982-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JPS59213779A (ja) * 1983-04-22 1984-12-03 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 紫外線硬化型ソルダ−レジストインキ
JPS609663A (ja) * 1983-06-27 1985-01-18 Kanai Hiroyuki 不織布研摩材

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219781A (ja) * 1982-06-15 1983-12-21 Showa Denko Kk 発光ダイオ−ド素子の封止方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3678699D1 (de) 1991-05-16
EP0230078A1 (fr) 1987-07-29
FR2592221B1 (fr) 1988-02-12
US4822536A (en) 1989-04-18
FR2592221A1 (fr) 1987-06-26
KR870006646A (ko) 1987-07-13
EP0230078B1 (fr) 1991-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62156826A (ja) 電子構成部品の封入方法
US3622419A (en) Method of packaging an optoelectrical device
US9252341B2 (en) Optoelectronic chip-on-board module
US5516727A (en) Method for encapsulating light emitting diodes
US7541658B2 (en) Optically interactive device package array
CN103858230B (zh) 光电子模块和用于制造该光电子模块的方法
US6806658B2 (en) Method for making an LED
JPH06503683A (ja) 光学電子装置構成要素パッケージ及び該パッケージを製造する方法
CN1035563A (zh) 光纤连接器组件及其制造方法
JP3355122B2 (ja) 光モジュールの封止方法
TWI435469B (zh) 光電部件的罩蓋
GB1376770A (en) Dielectric optical waveguides
US10727382B2 (en) Method of forming one or more three-dimensional objects
EP0592746A1 (en) Encapsulated light emitting diode and method for encapsulating the same
US5414293A (en) Encapsulated light emitting diodes
EP0681334A1 (en) Packaging medical image sensors
JP2874420B2 (ja) 樹脂封止電子部品
RU2534453C1 (ru) Светоизлучающий диод и способ его изготовления
JPH0529663A (ja) 光半導体装置およびその樹脂封止方法
CN209401975U (zh) 一种用于半导体激光器系统中的光纤固定结构
JPH0462188B2 (ja)
JPH08248274A (ja) 光半導体モジュール
CN100431181C (zh) 光学元件的密封结构体、光耦合器及光学元件的密封方法
JPS60103650A (ja) 発光ダイオ−ド
JPH06291215A (ja) 半導体装置