DE19701855C1 - Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente - Google Patents

Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente

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Vishay Semiconductor GmbH
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    • B29C31/04—Feeding of the material to be moulded, e.g. into a mould cavity
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente, insbesondere optoelektronischer Halbleiterbauelemente, wobei in einer Ausgangslage aus einem Vorratsbehältnis Gießharz an die zu vergießenden Stellen über Mittel gelangt.
Aus der US 48 22 536 ist ein Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Komponenten mit einer synthetischen Vergußmasse bekannt.
Dabei wird als Vergußmasse ein Produkt auf der Basis von Ethoxy-Biphenol-A- Dimethacrylat verwendet. Das zu vergießende Bauelement wird durch die Vergußmasse gemoldet, indem die Vergußmasse über eine Nadel in eine entsprechende Aussparung des elektronischen Bauelements gelangt. Dem Ausgangskunstharz wird ein Photoinitiatoranteil hinzugefügt, der durch Lichtspaltung oder durch intermolekulare Entziehung von Wasserstoff mit einer bestimmten Konzentration Radikale erzeugt. Das genannte Harz wird danach zum Polimerisieren der Bedeckung mit UV-Strahlen bestrahlt.
Der Dosiervorgang ist für eine Vielzahl von derartig hergestellten optoelektronischen Bauelementen kompliziert und unpräzise.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente anzugeben, durch das gleichzeitig mit hoher Genauigkeit eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Mittel aus einem Stempel bestehen, der von einer Vorrichtung geführt wird, und
in das Gießharz eingetaucht wird,
aus dem Gießharz herausgezogen wird, wodurch adhäsiv Gießharztröpfchen den Stempelkopf umgeben,
der Stempel auf die zu vergießende Stelle abgesenkt wird, sodaß das Gießharz die zu vergießende Stelle benetzt,
der Streifen mit den optoelektronischen Bauelementen bzw. optoelektronischen Halbleiterbauelementen in Durchlaufrichtung kurz verschoben wird zum Abscheren der Gießharztröpfchen in die Mulde, und
der Stempel wieder in die Ausgangslage zurückkehrt.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, daß das Herausziehen des Stempels aus dem Gießharz und das Absenken desselben auf die zu vergießende Stelle sowie das Verschieben des Streifens in Durchlaufrichtung ruckartig erfolgt.
Zur adhäsiven Aufnahme von Gießharz aus dem Vorratsbehältnis und zur Abgabe des Gießharzes an die zu vergießenden Stellen ist der Stempel an seinem unteren Ende mit einem verbreiterten Stempelkopf versehen.
Das Verfahren ist so ausgestaltet, daß am Vergießvorgang zugleich mehrere Stempel mit Stempelköpfen vermittels einer Teilung beteiligt sind, die auf der Vorrichtung konstruktiv angeordnet sind.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zum Vergießen von Leuchtdioden, Optokopplern, Photodetektoren und Photodioden.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den wesentlichen Vorteil, daß in einem Produktionsschritt zugleich mehrere optoelektronische Bauelemente wohldosiert vergossen werden können.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Figuren dargestellt.
Kurze Beschreibung der Figuren:
Fig. 1: zeigt die Ausgangslage des Verfahrens.
Fig. 2: zeigt die Gießharztröpfchenbildung durch ruckartiges Herausziehen aus dem Vorratsbehältnis.
Fig. 3: zeigt das Schwenken der Vorrichtung samt Stempel an die zu vergießenden Stellen.
Fig. 4: zeigt das Absenken der Vorrichtung samt Stempel zur Benetzung der Vergießstellen mit Gießharz.
Das in Fig. 1 dargestellte Verfahren zeigt mit dem Bezugszeichen 1 eines oder mehrere mit Gießharz 3 zu vergießende optoelektronische Bauelemente 1, insbesondere optoelektronische Halbleiterbauelemente 1'. In der Ausgangslage gemäß Fig. 1 gelangt aus dem Vorratsbehältnis 2 Gießharz 3 an die zu vergießenden Stellen über die Mittel 4. In der bevorzugten Ausführungsform bestehen die Mittel 4 aus dem Stempel 5 mit dem unten verbreiterten Stempelkopf 6, der von der Vorrichtung 7 mit dem Balken 8 geführt wird. Die Mittel 4 bzw. der Stempel 5 samt Stempelkopf 6 werden in das Vorratsbehältnis 2 mit dem Gießharz 3 eingetaucht. Im nächsten Verfahrensschritt wird der Stempel 5 aus dem Gießharz 3 herausgezogen, wodurch adhäsiv Gießharztröpfchen 3' den Stempelkopf 6 umgeben. Der Stempel 5 samt Stempelkopf 6 und den adhäsiv benetzenden Gießharztröpfchen 3' werden sodann auf die zu vergießende Stelle abgesenkt, sodaß das Gießharz 3 die zu vergießende Stelle benetzt. Anschließend wird der Stempel 5 wieder in die Ausgangslage zurückbewegt. Dabei wird zum Abscheren der Gießharztröpfchen 3' der Streifen 9 mit den optoelektronischen Bauelementen 1 bzw. optoelektronischen Halbleiterbauelementen 1' in Durchlaufrichtung 10 kurz verschoben.
Dieses Verfahren wird dadurch effektiver, daß das Herausziehen des Stempels 5 aus dem Gießharz 3 und das Absenken desselben auf die zu vergießenden Stellen sowie das Verschieben des Streifens 9 in Durchlaufrichtung 10 ruckartig erfolgen.
Zur adhäsiven Aufnahme von Gießharz 3 aus dem Vorratsbehältnis 2 und zur Abgabe des Gießharzes 3 an die zu vergießenden Stellen, läuft der Stempel 5 an seinem unteren Ende in einen verbreiterten Stempelkopf 6 aus.
Am Vergießvorgang sind zugleich mehrere Stempel 5 mit Stempelköpfen 6 vermittels einer Teilung auf dem Balken 8 der Vorrichtung 7 beteiligt.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zum Vergießen von Leuchtdioden, Optokopplern, Photodetektoren und Photodioden.
Die Fig. 2 zeigt die Bildung der Gießharztröpfchen 3' durch ruckartiges Herausziehen der Stempel 5 samt Stempelkopf 6 aus dem Gießharz 3 mittels der Vorrichtung 7.
Die Fig. 3 zeigt das Schwenken der Vorrichtung 7 mit den zwischenzeitlich gebildeten Gießharztröpfchen 3' an die zu vergießenden Stellen.
Die Fig. 4 zeigt das Absenken der Vorrichtung 7 samt Stempel 5 zur Benetzung der Vergießstellen mit Gießharz 3.

Claims (4)

1. Verfahren zum Vergießen optoelektronischer Bauelemente (1), insbesondere optoelektronischer Halbleiterbauelemente (1'), wobei in einer Ausgangslage aus einem Vorratsbehältnis (2) Gießharz (3) an die zu vergießenden Stellen über Mittel (4) gelangt, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel (4) aus einem Stempel (5) bestehen, der von einer Vorrichtung (7) geführt wird und
  • 1. a) in das Gießharz (3) eingetaucht wird,
  • 2. b) aus dem Gießharz herausgezogen wird, wodurch adhäsiv Gießharztröpfchen 3' den Stempelkopf 6 umgeben,
  • 3. c) der Stempel (5) auf die zu vergießende Stelle abgesenkt wird, sodaß das Gießharz (3) die zu vergießende Stelle benetzt,
  • 4. d) der Streifen (9) mit den optoelektronischen Bauelementen (1) bzw. optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1') in Durchlaufrichtung (10) kurz verschoben wird zum Abscheren der Gießharztröpfchen (3') in die Mulde (11), und
  • 5. e) der Stempel (5) wieder in die Ausgangslage zurückkehrt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Herausziehen des Stempels (5) aus dem Gießharz (3) und das Absenken desselben auf die zu vergießende Stelle sowie das Verschieben des Streifens in Durchlaufrichtung ruckartig erfolgt.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur adhäsiven Aufnahme von Gießharz (3) aus dem Vorratsbehältnis (2) und zur Abgabe des Gießharzes (3) an die zu vergießenden Stellen der Stempel (5) an seinem unteren Ende in einen verbreiterten Stempelkopf (6) ausläuft.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß am Vergießvorgang zugleich mehrere Stempel (5) mit Stempelköpfen (6) vermittels einer Teilung beteiligt sind.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104085069A (zh) * 2014-06-23 2014-10-08 绍兴市灵耐挂具厂 一种塑胶粉自动上胶设备及其使用方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822536A (en) * 1985-12-20 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Method of encapsulating an electronic component with a synthetic resin

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822536A (en) * 1985-12-20 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Method of encapsulating an electronic component with a synthetic resin

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104085069A (zh) * 2014-06-23 2014-10-08 绍兴市灵耐挂具厂 一种塑胶粉自动上胶设备及其使用方法

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