DE4327133B4 - Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums Download PDF

Info

Publication number
DE4327133B4
DE4327133B4 DE4327133A DE4327133A DE4327133B4 DE 4327133 B4 DE4327133 B4 DE 4327133B4 DE 4327133 A DE4327133 A DE 4327133A DE 4327133 A DE4327133 A DE 4327133A DE 4327133 B4 DE4327133 B4 DE 4327133B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
drop
conductor
light
coupling medium
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE4327133A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4327133A1 (de
Inventor
Alexandra Dipl.-Ing. Debray
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vishay Europe GmbH
Original Assignee
VISHAY EUROP GmbH
Vishay Europe GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VISHAY EUROP GmbH, Vishay Europe GmbH filed Critical VISHAY EUROP GmbH
Priority to DE4327133A priority Critical patent/DE4327133B4/de
Publication of DE4327133A1 publication Critical patent/DE4327133A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4327133B4 publication Critical patent/DE4327133B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums zum optischen Koppeln eines lichtemittierenden Halbleiterchips mit einem lichtdetektierenden Halbleiterchip,
die auf zwei voneinander getrennten Leiterbändern, die Teile eines Leadframes sind, aufgebracht und koplanar zueinander angeordnet sind,
bei dem die mit den Chips (1, 2) versehenen Seiten der Leiterbänder (3, 4) nach unten gedreht werden, und
bei dem ein Tropfen eines transparenten, aushärtbaren Kunststoffes von oben her in einem Tropfvorgang auf die koplanare Chipanordnung so aufgebracht wird, dass der Tropfen sich auf der Leiterbandoberseite und auf der Leiterbandunterseite verteilt und dass auch die beiden Chips (1, 2) auf der Unterseite der Leiterbänder (3, 4) gleichmäßig tropfenförmig eingehüllt werden,
wobei der Tropfen (5) auf die Leiterbänder (3, 4) ohne darunter befindliche Unterlage für die Tropfenbildung aufgebracht wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums zum optischen Koppeln eines lichtemittierenden Halbleiterchips mit einem lichtdetektierenden Halbleiterchip, die auf zwei voneinander getrennte Leiterbahnen aufgebracht und koplanar zueinander angeordnet sind, bei dem ein Tropfen eines transparenten, aushärtbaren Kunststoffes auf die koplanare Chipanordnung aufgebracht wird.
  • Es ist bekannt, bei optoelektronischen Koppelelementen bzw. Optokopplern beispielsweise eine Lichtemissionsdiode (LED) und einen Photodetektor auf getrennten Leiterbahnen zu montieren und so anzuordnen, daß ein möglichst großer Teil der Emissionsstrahlung auf die Empfängerfläche des Photodetektors fällt. Die optische Kopplung kann durch eine Kunststoffzwischenschicht als Koppelmedium, die zugleich eine höhere Isolierung bewirkt, verbessert werden. Das Koppelmedium zwischen den beiden Optohalbleiterbauelementen kann beispielsweise durch Umpressen, Vergießen, aber auch durch Tröpfeln hergestellt werden. Anstelle von zwei Leiterbändern, die es erlauben, Sender- und Empfängerchip einander gegenüberliegend aufzubauen, können auch Reflexoptokoppler mit koplanarem Aufbau von Sender- und Empfängerchip hergestellt werden. Das beispielsweise aus einem für das von der LED emittierte Licht transparenten Kunststoff bestehende Koppelmedium wird dabei in Form eines Tropfens auf die Chips, die zugehörigen Leiterbahnteile und die Kontaktverbindungen (Bonddrähte) aufgebracht, so daß diese Teile in das Koppelmedium eingebettet sind. Das Koppelmedium kann noch mit einer reflektierenden Schicht überzogen und das gesamte Bauelement außen mit Kunststoff umpreßt und konfektioniert werden.
  • Beim tropfenförmigen Aufbringen des Koppelmediums auf die Halbleiterchips besteht das Problem, daß die Tropfenform durch Verfließen nur schwer reproduzierbar ist. Dieses Problem ist insbesondere dann gravierend, wenn an die Form des Koppelmediums als Reflektor zum Erzielen eines hohen Koppelwirkungsgrades besonders hohe Anforderungen gestellt werden.
  • Um dem Problem des Verfließens von Abdecktropfen beizukommen, hat man bereits aufwendige Formstempel verwendet. Dabei tritt u.a. allerdings ein nachteiliges Fädenziehen auf. Eine andere Möglichkeit, die Reproduzierbarkeit der Form der Abdeckung zu verbessern, besteht in der allerdings relativ aufwendigen Verwendung hochthixotroper Vergußmassen. Auch durch die Verwendung eines UV-Gels mit entsprechender Steuerung kann die Reproduzierbarkeit ebenfalls verbessert werden.
  • Die für den Zweck der Lichtkopplung in Reflexoptokopplern verwendeten Kunstharze und Silicone, insbesondere weiche, klebrige Gele, bereiten bei der Herstellung eines definierten Tropfens Probleme bzw. erfordern einen hohen Aufwand bei der Tropfenbegrenzung und Dosierung.
  • Es ist auch bereits bekannt, den Koppelmediumstropfen von oben auf die mit den Chips versehene Seite der Leiterbänder aufzubringen. Das Leiterband liegt zu diesem Zweck auf einer mit Teflon beschichteten, beheizten Unterlage. Der rückseitige Tropfen wird dann in einem zweiten Verfahrensschritt von unten aufgebracht. Allerdings ist auch mit diesen relativ aufwendigen Verfahren eine definierte, reproduzierbare Tropfenform nicht gewährleistet.
  • Die JP 62-204582 A beschreibt ein Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums zum optischen Koppeln von zwei Halbleiterchips, die auf zwei voneinander getrennten Leiterbahnen aufgebracht und koplanar zueinander angeordnet sind, wobei die mit den Chips versehenen Seiten der Leiterbänder nach unten gedreht sind und ein transparentes Harz von oben auf die koplanare Chipanordnung aufgebracht wird. Unterhalb der Chipanordnung ist eine Gießform angeordnet, die dem Koppelmedium eine Tropfenform verleiht.
  • Die JP 03-293781 A beschreibt die Ausbildung einer optischen Kopplung zwischen einem lichtemittierenden Element und einem lichtdetektierenden Element mit einem transparenten Harz einer niedrigen Viskosität. Dieses Harz wird mittels einer Injektionsnadel zwischen die Kontaktierungsbereiche eingebracht. Um einen großen Isolierungsabstand zwischen den beiden Elementen zu erreichen, werden die Leiterbänder, nachdem das Harz zeitweise ausgehärtet worden ist, auseinanderbewegt, so dass das zeitweise ausgehärtete Harz verteilt wird.
  • Die US 3,976,877 betrifft eine optoelektronische Fotokoppelvorrichtung, bei der ein Lichtemitter und ein Lichtempfänger mittels eines Lichtleiters optisch gekoppelt sind. Dieser Lichtleiter ist durch einen Tropfen eines ersten transparenten Harzes gebildet, das in ein zweites, ebenfalls transparentes Harz eingebettet ist.
  • Die DE 24 31 375 B2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Koppelelements, bei dem ein lichtaussendendes und ein lichtempfindliches Halbleiterbauelement in einer Ebene auf in definiertem Abstand benachbarten Teilen eines zusammenhängenden, strukturierten Kontaktierstreifens befestigt werden, wobei dann über die beiden Bauelemente ein Kunststoff-Reflektor gestülpt und der Zwischenraum zwischen den Bauelementen und dem Reflektor mit einem lichtdurchlässigen Kunststoff aufgefüllt wird.
  • Aus der US 5,329,131 ist ein Optokoppler bekannt, bei dem ein Tropfen einer transparenten umhüllenden Substanz auf einem Leadframe vorgesehen ist, so dass ein Sender und ein Empfänger darin eingebettet sind.
  • Die JP 63-185075 beschreibt einen Optokoppler, bei dem die Spitze eines einen Lichtsender tragenden Leiterbandes und die Spitze eines einen Fotodetektor tragenden Leiterbandes jeweils schräg gebogen sind. Ein transparenter Harzfilm und ein reflektierender Film werden zwischen den Lichtsender und den Photodetektor eingebracht, und es wird ein Lichtleiter gebildet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile zu vermeiden und ein Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums zu schaffen, bei dem die Reproduzierbarkeit einer definierten Tropfenform gewährleistet ist und das dadurch insbesondere zum Herstellen von Reflexoptokopplern geeignet ist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1.
  • Als Kunststoff für das Koppelmedium kann vorteilhaft ein klebriges Gel verwendet werden. Es kann auch zweckmäßig sein, einen UV-härtbaren Kunststoff zu verwenden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist zum Herstellen von Optokopplern besonders geeignet.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß durch die einfach zu handhabende Maßnahme, daß die Chipseite des Leiterbandes nach unten gedreht und von oben getröpfelt wird, folgendes erreicht wird:
    • – Optimale Tropfengeometrie auf der Chipseite,
    • – optimale Tropfenform auf der Unterseite, und zwar in einem Verfahrensschritt,
    • – Positionierung der Tropfnadel zum Leadframe (Leiterbändern) unkritisch,
    • – Reproduzierbarkeit entscheidend verbessert,
    • – mit dieser Technik auch die Verarbeitung klebriger Gele möglich, da keine Unterlage erforderlich ist,
    • – Möglichkeit der Verwendung UV-härtbarer Gele.
  • Anhand eines in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung im folgenden weiter erläutert. Es zeigen
  • 1 eine Seitenansicht des Aufbringens des Koppelmediums,
  • 2 eine Seitenansicht des Koppelmediums und
  • 3 eine Draufsicht auf das Koppelmedium.
  • Bei dem in 1 dargestellten Verfahren zum Aufbringen eines Koppelmediums zum Koppeln eines lichtemittierenden Halbleiterchips 1, beispielsweise einer Lichtemissionsdiode (LED), mit einem lichtdetektierenden Halbleiterchip 2, beispielsweise einer Fotodiode oder einem Fototransistor, sind diese beiden Halbleiterbauelemente auf zwei voneinander getrennten Leiterbahnen 3, 4 aufgebracht und koplanar zueinander angeordnet. Die Leiterbahnen 3, 4 können dabei Teile eines sogenannten Leadframes sein, der eine Serienfertigung derartiger Koppelelemente ermöglicht. Auf die koplanare Anordnung von Sende- und Empfangschip 1, 2 wird mittels einer Dosiernadel 7 ein Tropfen 5 eines transparenten, aushärtbaren Kunststoffs aufgebracht. Zum Aufbringen des beispielsweise aus einem Gel oder Harz bestehenden Kunststofftropfens 5 werden die beiden mit ihren Chips 1, 2 versehenen Leiterbänder 3, 4 nach unten gedreht, so daß sich die Chips 1, 2 beim Tröpfeln auf der der Dosiernadel 7 abgewandten Seite der Leiterbänder 3, 4 befinden. Der Tropfen 5 wird von oben her auf die Leiterbandzwischenräume so getropft, daß er sich auf der Leiterbandoberseite und auf der Leiterbandunterseite gleichmäßig verteilt und auch die beiden Chips 1, 2 auf der Unterseite der Leiterbänder 3, 4 tropfenförmig bzw. kalottenförmig einhüllt. Nach Verfestigen des das Koppelmedium bildenden Tropfens 5 entsteht das in 2 dargestellte, im Idealfall einem Ellipsoid entsprechende Gebilde, wobei die beiden aktiven Flächen der Optohalbleiter 1, 2 im Idealfall die Brennpunkte des Ellipsoids bzw. Reflektors bilden sollten.
  • Aus der Draufsicht gemäß 3 ist die in diesem Beispiel diagonale Anordnung von Lichtsendechip 1 und Lichtempfängerchip 2 ersichtlich. Sowohl Sendechip 1 als auch Empfängerchip 2 sind mit den ihnen zugeordneten Leiterbahnen 3, 4 nicht nur mechanisch, sondern auch elektrisch verbunden, d.h. kontaktiert. Den im Falle der Verwendung von Dioden als Chip 1 und 2 benötigten zweiten Kontakt bilden jeweils zu den ersten Leiterbahnen 3, 4 in diesem Beispiel parallele, entsprechende zweite Leiterbahnen 3, 4 zu denen die Kontaktverbindungen 6 beispielsweise in Form von Bonddrähten hergestellt sind.

Claims (4)

  1. Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums zum optischen Koppeln eines lichtemittierenden Halbleiterchips mit einem lichtdetektierenden Halbleiterchip, die auf zwei voneinander getrennten Leiterbändern, die Teile eines Leadframes sind, aufgebracht und koplanar zueinander angeordnet sind, bei dem die mit den Chips (1, 2) versehenen Seiten der Leiterbänder (3, 4) nach unten gedreht werden, und bei dem ein Tropfen eines transparenten, aushärtbaren Kunststoffes von oben her in einem Tropfvorgang auf die koplanare Chipanordnung so aufgebracht wird, dass der Tropfen sich auf der Leiterbandoberseite und auf der Leiterbandunterseite verteilt und dass auch die beiden Chips (1, 2) auf der Unterseite der Leiterbänder (3, 4) gleichmäßig tropfenförmig eingehüllt werden, wobei der Tropfen (5) auf die Leiterbänder (3, 4) ohne darunter befindliche Unterlage für die Tropfenbildung aufgebracht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Kunststoff ein klebriges Gel verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Kunststoff ein UV-härtbarer Kunststoff verwendet wird.
  4. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zum Herstellen von Optokopplern.
DE4327133A 1993-08-12 1993-08-12 Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums Expired - Lifetime DE4327133B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4327133A DE4327133B4 (de) 1993-08-12 1993-08-12 Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4327133A DE4327133B4 (de) 1993-08-12 1993-08-12 Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4327133A1 DE4327133A1 (de) 1995-02-16
DE4327133B4 true DE4327133B4 (de) 2006-07-13

Family

ID=6495052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4327133A Expired - Lifetime DE4327133B4 (de) 1993-08-12 1993-08-12 Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4327133B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19509262C2 (de) * 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19812008A1 (de) * 1998-03-19 1999-09-23 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronische Bauelementanordnung
DE102004056449A1 (de) * 2004-01-16 2005-08-25 Continental Teves Ag & Co. Ohg Integriertes Bauelement
CN113808965A (zh) * 2021-09-23 2021-12-17 华东光电集成器件研究所 一种耐高冲击引线组装方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3976877A (en) * 1974-02-22 1976-08-24 U.S. Philips Corporation Opto-electronic photocoupling device and method of manufacturing same
DE2431375B2 (de) * 1974-06-29 1977-07-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen koppelelementes
JPS63185075A (ja) * 1987-01-28 1988-07-30 Nec Corp 半導体光結合装置およびその製造方法
JPH03293781A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Sharp Corp 光結合素子の製造方法
US5329131A (en) * 1991-05-17 1994-07-12 U.S. Philips Corporation Opto-electronic coupler having improved moisture protective housing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3976877A (en) * 1974-02-22 1976-08-24 U.S. Philips Corporation Opto-electronic photocoupling device and method of manufacturing same
DE2431375B2 (de) * 1974-06-29 1977-07-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen koppelelementes
JPS63185075A (ja) * 1987-01-28 1988-07-30 Nec Corp 半導体光結合装置およびその製造方法
JPH03293781A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Sharp Corp 光結合素子の製造方法
US5329131A (en) * 1991-05-17 1994-07-12 U.S. Philips Corporation Opto-electronic coupler having improved moisture protective housing

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Abstract & JP 62204582 A *
Abstract z JP 62-204 582 (A)

Also Published As

Publication number Publication date
DE4327133A1 (de) 1995-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69838597T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
DE10223850B4 (de) Verfahren zum Verbinden eines optoelektrischen Moduls mit einem Halbleitergehäuse
DE102008003670B4 (de) Lichtquelle mit mehreren LED-Chips
DE102016119002B4 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE19918370B4 (de) LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE69909667T2 (de) Optisches Modul
DE19919381A1 (de) Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen
WO2014060355A2 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE202008018130U1 (de) Baugruppe mit einer lichtemittierenden Vorrichtung
EP1914814A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
DE102007021904A1 (de) Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
WO2015071109A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und optoelektronisches halbleiterbauelement
EP1622237A1 (de) Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3810899C2 (de)
DE19723202A1 (de) Rißfestes Halbleiterbauteil sowie Herstellungsverfahren und Herstellungsgerät hierfür
DE102008011153A1 (de) Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
DE112018000656T5 (de) LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102005034793B3 (de) Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
WO2016202609A1 (de) Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung
DE112016002425B4 (de) Herstellungsverfahren für eine Licht emittierende Vorrichtung
WO2018158091A1 (de) Verfahren zur herstellung von leuchtdioden und leuchtdiode
DE4327133B4 (de) Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums
WO2001015242A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements mit linse
DE2062139A1 (de) Festkörper Lampe und faseroptische Vorrichtung
DE102018122571A1 (de) VORRICHTUNG ZUR TEMPORÄREN BEGRENZUNG EINES FLIEßFÄHIGEN MATERIALS AUF EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: VISHAY EUROPE GMBH, 95100 SELB, DE

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right
R071 Expiry of right