DE3019239A1 - Umhuellung fuer halbleiterbauelement - Google Patents
Umhuellung fuer halbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE3019239A1 DE3019239A1 DE19803019239 DE3019239A DE3019239A1 DE 3019239 A1 DE3019239 A1 DE 3019239A1 DE 19803019239 DE19803019239 DE 19803019239 DE 3019239 A DE3019239 A DE 3019239A DE 3019239 A1 DE3019239 A1 DE 3019239A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- layers
- embedded
- soft material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000007779 soft material Substances 0.000 title claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 title description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
-
- Umhüllung für Halbleiterbauelement
- Die Erfindung betrifft eine Umhüllung für -Halbleiterbauelement aus zwei Schichten, von denen eine Schicht aus einem harten Kunststoff besteht.
- Häufig sind insbesondere Halbleiterbauelemente gegen Einwirkungen von mechanischen Drücken empfindlich, was gelegentlich zu einer Verschlechterung der elektrischen Parameter oder Eigenschaften und sogar zu einer vollständigen Zerstörung der Halbleiterbauelemente führen kann. Um dies zu vermeiden, werden bisher beispielsweise Leuchtdioden zum Schutz gegen äußere Einflüsse mit einem harten Medium umgeben. Dies hat aber den Nachteil, daß derartige Medien im elektrischen Betrieb oft zu einer starken Alterung der aktiven Halbleiterelemente beispielsweise Leuchtdioden-Chips, führen.
- Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine insbesondere für Leuchtdioden geeignete Umhüllung anzugeben, die einerseits optimal gegen äußere Einflüsse schützt und andererseits keine negativen Auswirkungen auf die Degradation von Halbleitern hat.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Halbleiter in die äus einem weichen Material bestehende zweite Schicht eingebettet ist.
- Eine Weiterbildung der Erfindung-besteht darin, daß die erste Schicht aus Silikon oder Epoxidharz und die zweite Schicht aus Silikon, Epoxidharz oder Thermoplasten bestehen.
- Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Wärmeau-sdehnungskoeffizienten der beiden Schichten auch verschieden voneinander wählbar sind.
- Die erfindungsgemäße Umhüllung ist insbesondere vorteilhaft bei Leuchtdioden und allgemein bei Halbleiterbauelementen einsetzbar.
- Bei der Erfindung wird also das Halbleiterbauelement mit einer weichen Abdeckung, wie beispielsweise Silikon oder Epoxidharz, umgeben und anschließend mit einem -harten.
- Medium umhüllt; Damit werden mechanische Druckeinwirkungen, beispielsweise auf Grund der Wärmeausdehnung des Halbleitermaterials, vom aktiven Teil des Bauelements ferngehalten.
- Nachfolgend wird die Erfindung an Hand der Zeichnung näer erläutert, in derer einziger Figur eine Leuchtdiode im Schnitt dargestellt ist.
- Der Halbleiterkörper 1 einer Leuchtdiode ist in eine weiche durchsichtige Umhüllung 2 als erste Schicht aus Silikon oder Epoxidharz eingebettet. Der Halbleiterkörper 1 liegt dabei auf einem auch zur Wärmeableitung dienenden Kontakt-Träger 4, an dem ein Anschlußstift 5 befestigt ist. Durch die Metallplatte 4 ist von dieser elektrisch isoliert ein weiterer Anschlußstift 6 geführt, der über einen Draht 7 mit der Oberfläche des Halblefterkörpers 1 verbunden ist. Die Umhüllung 2 wird von einer weiteren Schicht 3 aus einem harten durchsichtigen Kunststoff umgeben.
- Bei diesem Aufbau nimmt also die Umhüllung 2 Druckschwankungen auf, während die Schicht 3 aus hartem Kunststoff den Halbleiterkörper 1 vor Umwelteinflüssen schützt.
- 1 Figur 4 Patentansprüche L e e r s e i t e
Claims (4)
- Fatentansprüche 01. Umhüllung für Halbleiterbauelement aus zwei Schichten, von denen eine Schicht aus einem harten Kunststoff besteht, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Halbleiter (1) in die aus einem weichen Material bestehende zweite Schicht (2) eingebettet ist.
- 2. Umhüllung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die erste Schicht (3) aus Silikon oder Epoxidharz und die zweite Schicht (2) aus Silikon, Epoxidharz oder Thermoplasten bestehen.
- 3. Umhüllung nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Wärmeausdehnungskoeffizienten der beiden Schichten (2, 3) auch verschieden voneinander wählbar sind.
- 4. Verwendung der Umhüllung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leuchtdioden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803019239 DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803019239 DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3019239A1 true DE3019239A1 (de) | 1981-11-26 |
DE3019239C2 DE3019239C2 (de) | 1990-07-12 |
Family
ID=6102860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803019239 Granted DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3019239A1 (de) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0100837A2 (de) * | 1982-06-18 | 1984-02-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von umhüllten Halbleiterbauelementen |
DE3415446A1 (de) * | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Gegossene harz-halbleitervorrichtung |
EP0169403A2 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Umhülltes elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
FR2592221A1 (fr) * | 1985-12-20 | 1987-06-26 | Radiotechnique Compelec | Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique |
DE3805490A1 (de) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung |
EP0294190A2 (de) * | 1987-06-05 | 1988-12-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Mit Harz eingekapselte Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
US5452190A (en) * | 1993-07-19 | 1995-09-19 | Priesemuth; Wolfgang | Optoelectronic component |
WO1999016132A2 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers sowie kunststoffverbundkörper |
WO2004075305A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Halbleiterbautelement mit verkapselung aus einem elastischen material |
EP1684363A2 (de) * | 2005-01-20 | 2006-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mit Silikon versiegelte Leuchtdiode |
EP1249874A3 (de) * | 2001-04-09 | 2008-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lichtemittierende Vorrichtung |
US7405433B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
WO2008145718A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Wacker Chemie Ag | Leuchtkörper-silicon-formteil |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4223795A1 (de) * | 1992-07-20 | 1994-02-03 | Priesemuth W | Optoelektronisches Bauelement |
US5514627A (en) * | 1994-01-24 | 1996-05-07 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1240414A (fr) * | 1958-11-14 | 1960-09-02 | Sarkes Tarzian | Diode |
US3566208A (en) * | 1968-02-02 | 1971-02-23 | Fairchild Camera Instr Co | Pin socket |
DE1589938B2 (de) * | 1966-04-14 | 1971-11-18 | International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. (V.StA.) | Halbleiteranordnung mit einem gehaeuse |
DE2347049A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-02-27 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum einkapseln von miniaturisierten schaltungen, insbesondere hybridschaltungen, und danach hergestellte eingekapselte miniaturisierte schaltungen |
DE2649688A1 (de) * | 1975-10-31 | 1977-05-05 | Thomson Brandt | Einrichtung zur ermittlung der fokussierung eines lichtbuendels und damit ausgeruesteter optischer leser |
US4032963A (en) * | 1974-09-03 | 1977-06-28 | Motorola, Inc. | Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device |
DE2804956A1 (de) * | 1977-02-08 | 1978-08-10 | Philips Nv | Halbleiteranordnung und verfahren zum umhuellen der halbleiteranordnung |
-
1980
- 1980-05-20 DE DE19803019239 patent/DE3019239A1/de active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1240414A (fr) * | 1958-11-14 | 1960-09-02 | Sarkes Tarzian | Diode |
DE1589938B2 (de) * | 1966-04-14 | 1971-11-18 | International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. (V.StA.) | Halbleiteranordnung mit einem gehaeuse |
US3566208A (en) * | 1968-02-02 | 1971-02-23 | Fairchild Camera Instr Co | Pin socket |
DE2347049A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-02-27 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum einkapseln von miniaturisierten schaltungen, insbesondere hybridschaltungen, und danach hergestellte eingekapselte miniaturisierte schaltungen |
US4032963A (en) * | 1974-09-03 | 1977-06-28 | Motorola, Inc. | Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device |
DE2649688A1 (de) * | 1975-10-31 | 1977-05-05 | Thomson Brandt | Einrichtung zur ermittlung der fokussierung eines lichtbuendels und damit ausgeruesteter optischer leser |
DE2804956A1 (de) * | 1977-02-08 | 1978-08-10 | Philips Nv | Halbleiteranordnung und verfahren zum umhuellen der halbleiteranordnung |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0100837A2 (de) * | 1982-06-18 | 1984-02-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von umhüllten Halbleiterbauelementen |
EP0100837A3 (de) * | 1982-06-18 | 1985-09-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von umhüllten Halbleiterbauelementen |
DE3415446A1 (de) * | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Gegossene harz-halbleitervorrichtung |
EP0169403A2 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Umhülltes elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0169403A3 (de) * | 1984-07-26 | 1987-09-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Umhülltes elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
FR2592221A1 (fr) * | 1985-12-20 | 1987-06-26 | Radiotechnique Compelec | Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique |
EP0230078A1 (de) * | 1985-12-20 | 1987-07-29 | Philips Composants | Verfahren zur Einkapselung eines elektronischen Bauelementes mit einem Kunstharz |
US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
DE3805490A1 (de) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung |
EP0294190A2 (de) * | 1987-06-05 | 1988-12-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Mit Harz eingekapselte Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
EP0294190A3 (en) * | 1987-06-05 | 1990-11-14 | Nippondenso Co., Ltd. | A resin sealed semiconductor device and a method for making the same |
US5452190A (en) * | 1993-07-19 | 1995-09-19 | Priesemuth; Wolfgang | Optoelectronic component |
WO1999016132A2 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers sowie kunststoffverbundkörper |
WO1999016132A3 (de) * | 1997-09-22 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers sowie kunststoffverbundkörper |
EP1249874A3 (de) * | 2001-04-09 | 2008-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lichtemittierende Vorrichtung |
WO2004075305A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Halbleiterbautelement mit verkapselung aus einem elastischen material |
US7838117B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone-sealed LED |
EP1684363A3 (de) * | 2005-01-20 | 2009-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mit Silikon versiegelte Leuchtdiode |
EP1684363A2 (de) * | 2005-01-20 | 2006-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mit Silikon versiegelte Leuchtdiode |
US7405433B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
US8778705B2 (en) | 2005-02-22 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
US9236537B2 (en) | 2005-02-22 | 2016-01-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor light emitting device |
DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
WO2008145718A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Wacker Chemie Ag | Leuchtkörper-silicon-formteil |
DE102007025749A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Wacker Chemie Ag | Leuchtkörper-Silicon-Formteil |
CN101680639B (zh) * | 2007-06-01 | 2012-03-21 | 瓦克化学股份公司 | 包含发光体的硅模制品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3019239C2 (de) | 1990-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3019239A1 (de) | Umhuellung fuer halbleiterbauelement | |
DE68908940T2 (de) | Plastikumhüllung einsetzendes Gehäuse für eine integrierte Schaltung. | |
EP0107061B1 (de) | Informationskarte und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69312358T2 (de) | Chipträger für optische Vorrichtung | |
DE69305012T2 (de) | Chipträger mit einer Schutzschicht für die Schaltungsoberfläche | |
DE3877544T2 (de) | Halter fuer elektronische komponenten, insbesondere fuer speicherkarten und auf solche weise hergestelltes produkt. | |
DE69129668T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer bei niederer Temperatur ausgehärteten Epoxy-Vergussmasse | |
EP1160887A2 (de) | Halleffekt-Sensorelement mit integrierten Kondensatoren | |
WO1983000408A1 (en) | Optoelectronic component | |
DE19518753A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4334123A1 (de) | Drucksensor | |
DE68913053T2 (de) | Persönliche Datenkarte und Verfahren zu ihrer Konstruktion. | |
DE102011078906A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauteils mittels spritzpressens | |
DE69620026T2 (de) | Oberflächenmontierte alphanumerische led anzeige | |
DE102017210901A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Fertigung derselben | |
DE4232637C2 (de) | Lumineszenzdiode mit Reflektor, der einen abgestimmtem Elastizitätsmodul besitzt | |
DE4238113A1 (de) | Anordnung zur spannungsfreien Chipmontage | |
EP0472766A1 (de) | Verfahren zum Abdecken eines kontaktierten Halbleiterchips | |
WO2022248570A1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements | |
DE102006045415A1 (de) | Bauelementanordnung mit einem Träger | |
WO2004109813A2 (de) | Lumineszenzdiode | |
CH616277A5 (en) | Semiconductor diode device for generating or for receiving radiation. | |
DE3123036A1 (de) | Halbleitermodul | |
DE4408176A1 (de) | Verfahren zur flächen- und höhenkontrollierten Verkapselung von auf einem Substrat angeordneten Bauelementen | |
WO1997002601A1 (de) | Verfahren zum verpacken einer druckempfindlichen elektronischen schaltung mit einer allseitig abdichtenden schutzumhäusung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |