JPS62153700U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62153700U JPS62153700U JP4118686U JP4118686U JPS62153700U JP S62153700 U JPS62153700 U JP S62153700U JP 4118686 U JP4118686 U JP 4118686U JP 4118686 U JP4118686 U JP 4118686U JP S62153700 U JPS62153700 U JP S62153700U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit line
- line pair
- control circuit
- row address
- sense amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
第1図は本考案の実施例を示すブロツク図、第
2図は従来例を示すブロツク図である。 11,12……メモリセルアレイ、13……セ
ンスアンプ、14,15……第1のビツト線対、
16……第1の分離トランジスタ、17,18…
…第2のビツト線対、19……第2の分離トラン
ジスタ、20……カラムアドレスデコーダ、21
……選択トランジスタ、22,23……ローアド
レスデコーダ、24……ワード線、26……スペ
アワード線、28……冗長制御回路、29……タ
イミング制御回路、30……ローアドレスバツフ
ア。
2図は従来例を示すブロツク図である。 11,12……メモリセルアレイ、13……セ
ンスアンプ、14,15……第1のビツト線対、
16……第1の分離トランジスタ、17,18…
…第2のビツト線対、19……第2の分離トラン
ジスタ、20……カラムアドレスデコーダ、21
……選択トランジスタ、22,23……ローアド
レスデコーダ、24……ワード線、26……スペ
アワード線、28……冗長制御回路、29……タ
イミング制御回路、30……ローアドレスバツフ
ア。
Claims (1)
- 選択されたメモリセルの電位に従つた論理状態
を発生するセンスアンプと、該センスアンプの入
力端から第1の分離トランジスタを介して一方向
に延在された第1のビツト線対と、前記センスア
ンプの入力端から第2の分離トランジスタを介し
て他方向に延在された第2のビツト線対と、前記
第1のビツト線対の末端にカラムアドレスデコー
ダで制御される選択トランジスタを介して接続さ
れた入出力信号線と、前記第1のビツト線対及び
第2のビツト線対と直交する複数のワードライン
と、該ワードラインを選択駆動するローアドレス
デコーダと、該ローアドレスデコーダに従つて前
記第1及び第2の分離トランジスタ及びセンスア
ンプの動作を制御するタイミング制御回路と、欠
陥のあるローアドレスを記憶し印加されたローア
ドレスが欠陥のあるローアドレスであることを検
出し前記タイミング制御回路のタイミング出力を
制御する冗長制御回路と、該冗長制御回路によつ
て選択され前記入出力線側に延在する第1のビツ
ト線対に直交する複数のスペアワード線とを備え
、前記第2のビツト線対側に発生した欠陥セルも
前記スペアワード線で救済することを特徴とする
半導体メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4118686U JPS62153700U (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4118686U JPS62153700U (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62153700U true JPS62153700U (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=30855953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4118686U Pending JPS62153700U (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62153700U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0218796A (ja) * | 1988-05-13 | 1990-01-23 | Samsung Electron Co Ltd | スペアコラムの選択装置 |
JP2008217984A (ja) * | 1998-06-09 | 2008-09-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS563499A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
JPS57100689A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor storage device |
JPS57198592A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
JPS5873095A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | ダイナミツク型メモリ装置 |
JPS6226695A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nec Corp | 半導体メモリ |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP4118686U patent/JPS62153700U/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008217984A (ja) * | 1998-06-09 | 2008-09-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
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