JPS62150856A - セラミツク多層基板材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、セラミック多層基板材料に係り、特に高密度
の内部配線を有し、電気信号の入出力のためのピンを取
り付けたり、半導体部品を搭載して機能モジュールを構
成するために好適なセラミック多層基板材料に関する。

〔発明の背景〕

近年、ＬＳＩ等の集積回路は、高速化、高密度化にとも
なって、放熱や素子の高速化を計るためにセラミック基
板上に直接半導体素子を実装する方式が用いられるよう
になってきている。しかしながら、この実装方式におい
ては、ＬＳＩ等の集積回路のサイズが大きくなるにつれ
て、ＬＳＩ等の半導体素子材料とセラミック多層基板材
料との間で、実装時の温度変化によって生ずる応力が大
きくなるという問題があった。すなわち、従来より一般
にセラミック多層基板の絶縁材料に使用されているアル
ミナの熱膨張係数は７５　Ｘｌ０−７／”Ｃ（室温〜５
００℃）であり、この値は、ＬＳＩ等の半導体素子材料
であるシリコンの熱膨張係数３５Ｘ１０−’／”Ｃ（室
温〜５００℃）に比べて２倍以上大きいため、実装時の
温度変化により生ずる応力が大きくなり、接続部の断線
等が生じ、信頼性が低下するという問題があった６また
。アルミナ系材料の焼成温度は１５００〜１６５０℃で
あり、配線回路をセラミックスの焼成と同時に形成する
ために適用できる導体材料は、タングステンまたはモリ
ブデンなどの高融点金属材料である。しかしながらタン
グステンまたはモリブデンの熱膨張係数が、それぞれ４
５　Ｘ　１０−７／”Ｃ，５４ＸｌＯ−’／’Ｃ（室温
〜５００℃）であり、アルミナ系材料と同時焼成すると
、これらの熱膨張係数の差により、多層基板の内部にク
ラックが発生する問題があった。また、アルミナを主成
分とする焼結体を絶縁材料に使った基板の問題は、電気
信号の伝播速度が遅いということであり、この原因とし
ては、アルミナ自身の比誘電率が９．５　（ＩＭＨ，）
　　と大きいためである。従って、セラミック材料の熱
膨張係数が半導体素子であるシリコンのそれに近く、ま
た、比誘電率が小さい基板が開発されている。

その−例が特開昭５５−１３９７０９号公報「ムライト
基板の製造方法」である、この公報の記事によれば、コ
ージェライトをムライト主結晶間に生成させることによ
り、コージェライトの熱膨張係数が１０〜２０Ｘ１０−
’／’Ｃ（室温〜５００℃）である事を利用してムライ
ト基板の熱膨張係数をムライト単体より下げる事により
シリコンに近い熱膨張係数３８〜３９　Ｘ　１０−’／
’Ｃを得ている。しかし、このような利点があるにもか
かわらず、セラミック材料と導体材料を交互に積層し、
同時焼成してなるセラミック多層基板とできないのは、
コージェライト相が存在する１５００℃以下の温度で焼
成しなければならないため、焼結しにくい導体材料であ
るタングステンまたはモリブデンと同時焼成できない。

そのため、この公報では、焼成したムライト地に蒸着法
または印刷法により回路を形成し。

そのメタライズ部に半導体素子であるシリコンを実装す
る方式をとっている。

従来、一般的に市販゛されてりるムライト原料は、合成
ムライトと呼ばれている純然たる窯業手法によって作製
された純度９６〜９７％程度までのムライト原料と、電
融ムライトと呼ばれている純度９７％以上のムライト原
料である。しかしながら。

ムライト原料を作製する際に使用するアルミナ、シリカ
原料中に存在する不純物成分を完全に除去することは非
常に困難である。特に、不純物成分としてガラスを生成
する元素（Ｎａ。

Ｆｅ等）が混入すると焼結体の強度が低下する可能性が
ある。また、Ｎａ等の元素が焼結体中にあると、比誘電
率が大きくなる可能性がある。

また、ムライト原料のみを成形、焼成してムライト焼結
体を得ようとすると、１７５０℃以上の温度においても
、ち密な焼結体を得ることは困難である。そこで、ムラ
イト原料に、焼結助剤成分として、アルミナ、シリカ、
マグネシアを主成分とする原料を混合し、成形、焼成す
ることを考えた。

焼結助剤成分の配合量は、１５５０〜１６８０℃の温度
範囲でち密な焼結体が得られるようにする。

また、高性能のモジュール基板とするためには内部配線
導体中に、抵抗体を設ける必要がある。

このためには、セラミック絶縁材料の焼結温度と同等の
温度で焼結できる抵抗材料でなければならない。この温
度で焼結できる金属材料は、タングステン、モリブデン
等で、抵抗材料として使用するためには、導体の厚さを
薄くするか、配線の長さを長くするしかない。そこで、
高抵抗をもち、しかも、この温度で焼結できる可能性が
あるものに、導電性セラミックスがある。高抵抗の抵抗
材料とすることにより、配線の長さを短くでき、高密度
配線が可能となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、セラミック多層基板を構成する絶縁層
中に含有する不純物成分、特にＮａとＦｅの量を限定し
、高強度、低誘電率で低熱膨張係数のセラミック多層基
板材料を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の要旨とするところは、絶縁層と導体層を交互に
積層してなる多層基板において、絶縁層としてアルミナ
：シリカニ１：１〜２：１なるアルミノシリケート結晶
（ムライト）を主成分とし、絶縁層中に含有するＮａと
Ｆｅを低減し、高強度、低誘電率で低熱膨張係数のセラ
ミック多層基板材料にある。

現在開発が進んでいるセラミック多層基板としては、電
気信号の伝播速度を速くするために、低誘電率のセラミ
ック絶縁材料を使用したセラミック多層基板の開発が望
まれている。また、ピン付などをする時の熱応力に耐え
うる強度が必要である。しかし、従来から行われている
ようなアルミナなどの高強度材料の上に厚膜技術等で多
層化させる方法では、多数の層を形成することは困難で
ある。そこで、セラミック多層基板を作製するのに、導
体配線材料を印刷したグリーンシートを多数枚積層する
方法により、高密度に配線されたセラミック多層基板が
作製される。しかし、内部配線導体を高密度に配線しよ
うとすると、セラミック絶縁材料と配線導体材料との熱
膨張係数差によりクラックが発生する。セラミック絶縁
材料としてアルミナを用い、配線導体材料としてタング
ステンを用いて高密度に配線した場合には、アルミナの
熱膨張係数７５Ｘ１０−”／”Ｃ（室温〜５００℃）と
タングステンの熱膨張係数４５　Ｘ　１０−’／”Ｃ（
室温〜５００℃）の差による熱応力のために。

基板内部にクラックが発生するという問題が生じた。そ
こで、内部配線導体材料に用いるタングステンまたはモ
リブテンの熱膨張係数４５Ｘ１０−’／℃、　５４　Ｘ
　１０−’／’Ｃに近いセラミック絶縁材料を開発する
必要がある。また、セラミック多層基板に直接はんだ等
で搭載する半導体素子の熱膨張係数にも近いセラミック
絶縁材料が要求される。

アルミナを主成分としたセラミック絶縁材料の熱膨張係
数は７５Ｘ１０−’／℃（室温〜５００℃）であるため
、シリコン半導体素子の熱膨張係数３５Ｘ１０−’／”
Ｃ（室温〜５００℃）の２倍以上異る。そのため、実装
時の温度変化により生ずる熱応力が大きくなり、接続部
の信頼性が低下し、断線等が生じる問題があった。また
、近年、ガリウムーヒ素半導体素子が用いられつつある
。この素早導体素子の熱膨張係数は、６５　ｘ　１０−
７／”Ｃ（室温〜５００℃）である、そのためシリコン
半導体素子とガリウムーヒ素半導素子を同一基板上に搭
載する場合には、これらの半導体素子の熱膨張係数に近
いセラミック絶縁材料である必要がある。セラミック絶
縁材料としては、膨張係数が３５〜６５　Ｘ　１０−’
／”Ｃであること、好ましくは４０〜６０　Ｘ　１０−
’／’Ｃであることが必要である。

この値は、内部配線導体材料に用いるタングステンまた
はモリブデンの熱膨張係数に近い。このような熱膨張係
数をもつセラミック絶縁材料としては、　３５〜７５　
ｘ　ｌ　ｏ−’／”ｃノ熱膨張係数をもつアルミノシリ
ケート結晶（ムライト）がある、アルミノシリケート結
晶（ムライト）は、アルミナ：シリカニ１：１〜２：１
なる組成比である。このような結晶相を主成分とした焼
結体が得られれば熱膨張係数４０〜６０　Ｘ　１０”’
／”Ｃのセラミック絶縁材料が得られる。一方、アルミ
ナを主成分とする焼結体をセラミック絶縁材料に用いた
セラミック多層基板は、アルミナの比誘電率が９．５（
ＩＭＨ工）と大きいために、電気信号の伝播速度が遅い
という問題がある。比誘電率を低くするためには、セラ
ミック絶縁材料を構成する結晶相の比誘電率を低くする
必要がある。配線導体材料として用いられるタングステ
ンまたはモリブデン導体材料と同時に焼成できる可能性
があり、しかも比誘電率が小さいアルミノシリケート材
料として、ＡＱ２０．・Ｓｉｏ、〜２ＡＱ２Ｏ，・Ｓｉ
ｏ２なる組成物がある。これらのセラミック絶縁材料は
、それ自信の比誘電率は６〜７　（ＩＭＨ工）である。

これらの結晶相からなるセラミック絶縁材料ができれば
、比誘電率が小さく、電気信号の伝播速度が速いセラミ
ック多層基板が得られる。

そこで、アルミノシリケート材料（ムライト）に、アル
ミナ、シリカ、マグネシアからなる焼結助剤成分を添加
して焼結する系を考えた。しかし、これらの原料中には
、原料製造時にわずかに混入した不純物成分が存在する
。この不純物成分中にガラスを形成するようなＮａ、Ｆ
ｅ等が存在すると、焼結後のセラミック絶縁材料の強度
が低下する。また、Ｎａは、比誘電率を高くする可能性
があるため望ましくない。使用する原料としては、でき
るだけ高純度のものが好ましいが、不純物成分を完全に
除去することは困難であった。そこで、焼結体中に含有
したＮａとＦｅについて湿式化学分析を行い、含有量と
曲げ強さ及び比誘電率の関係について測定した。その結
果、ＮａがＮａ、０に、換算して０．２ｗｔ％、Ｆｅが
Ｆｅ２Ｏ，に換算して０．０５ｗｔ％より多いと、焼結
後のセラミック絶縁材料中にガラスが形成され１曲げ強
さが１８０ＭＰａより弱くなった。また、ＮａがＮａ２
Ｏに換算して０．２ｗｔ％より多いものは、比誘電率が
６．５より大きくなった。

ムライト原料としては、熱的に安定なものであれば良い
。すなねち、ムライト原料中に、クリストバライト結晶
やコランダム結晶等が存在すると、加熱時まは冷却時に
、ムライトとの熱膨張係数の差による熱応力が発生し安
定した焼結体を得ることができない。ムライト原料とし
ては、アルミナ：シリカがモル比で１＝１〜２：１であ
れば良い。

アルミナ：シリカがモル比で１＝１よりアルミナが少な
いと、熱膨張係数が異常に大きいクリストバライト結晶
が析出する。一方、アルミナ：シリカがモル比で２＝１
よりアルミナが多いと熱膨張係数の大きいコランダム結
晶が析出する。クリストバライト結晶及びコランダム結
晶が析出しないムライト原料〔アルミナ：シリン＝１：
１〜２：１（モル比）〕であれば良い。

また、高性能で、高密度のモジュール基板とするために
、内部配線導体中に、高抵抗体を設ける必要がある。高
抵抗体としては、導電性セラミックスがある。導電性セ
ラミックスとしては、ジルコニウム硼化物、チタン硼化
物、ハフニウム硼化物、ニオブ硼化物、タンタル硼化物
、チタン窯化物等がある。しかし、これらの導電性セラ
ミックスは、これらのみでは、１５５０〜１６８０’Ｃ
で焼成できない。そこで、セラミック絶縁材料として使
用するムライト系材料にこれらの導電性セラミックスを
添加し、　１５５０〜１６８０’Ｃで焼成することによ
り高抵抗をもつ抵抗体とすることができた。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を説明する。なお、以下の記載
中、特に断らない限り、部とあるのは重量部を、％とあ
るのは重量％を意味する。

実施例１ 平均粒径２μｍのムライト粉末７２部、平均粒径１μｍ
の石英粉末２５．３部、平均粒径０．４μｍのアルミナ
粉末１．９部及び平均粒径０．３μｍの炭酸マグネシウ
ムをＭｇＯに換算して０．８部に、樹脂として平均重合
度１０００のポリビニルブチラール６．５部をボールミ
ルに入れ、３時間軸式混合した。ムライト粉末は、電融
法により作製した純度９８％以上のムライト原料を用い
た。石英粉末及びアルミナ粒末は、純度９９％以上とし
た。

また、炭酸マグネシウムは、大気中で安定なＭｇｓ　（
ＣＯ３）４　（○Ｈ）、４Ｈ，Ｏとした。原料粉末中に
含有するＮａ及びＦｅを、Ｎａ２Ｏに換算して最大０．
５％及びＦｅ２Ｏ□に換算して最大。。

１％とし、Ｎａ及びＦｅが種々含有した原料を作製した
。さらに、可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブ
チル２．１ｍＱ、溶媒としてトリクロルエチレン５１．
４ｍＱ、テトラクロルエチレン２５．５ｍＱｎ−ブチル
アルコール２２．７ｍＱを加え、２０時時間式混合しス
ラリを作製した。

次に、真空脱気処理にょリスラリがらボールミルにより
混入した気泡を除去すると共に、粘度調整を行う。次い
で、粘度１００ポイズのスラリをドクターブレードを用
いて、シリコーン処理したポリエステルフィルム支持体
上に塗布し、炉に通して乾燥し、厚さ０．２３部ｗｎの
グリーンシートを作製した。このグリーンシートをシリ
コーン処理したポリエステルフィルム支持体より取りは
ずし、５０ｍ＋ａ’に切断した。このグリーンシートを
２５枚積み重ね、温度１２０℃で、７０ｋｇ／ｃｎ！の
圧力で加圧して積層し、積層板を作製した。この積層板
を焼成炉内に入れ、最高温度１６２０℃で１時間保持し
て焼成した。作製した焼結体は、蛍光Ｘ線分析及び湿式
化学分析を行い、焼結体中に含有しているＮａ及びＦｅ
量を測定した。また、ＪＩＳ−Ｒ１６０１に従い、４点
曲げ試験により曲げ強さを測定した。さらに、ＩＭＨ，
における比誘電率を測定した。焼結体中のＮａ及びＦｅ
量、焼結体の曲げ強さ及び比誘電率を第１表に示す。焼
結体中のＮａ及びＦｅは、それぞれＮａ２Ｏ及びＦｅ２
Ｏ，に換算して示した。焼結体に含有したＮａが、Ｎａ
２Ｏに換算して０．２％より多く入ると、ＩＭＨ，での
比誘電率が６６５より大きくなるため、セラミック多層
基板に用いるセラミック絶縁材料としては好ましくない
。特に、高密度、高性能モジュールには、比誘電率６．
５以下でなければならない。

また、焼結体中に含有したＦｅが、Ｆｅ２Ｏ，に換算し
て０．０５％より多く入ると、曲げ強さが１８０第１表 Ｍ　Ｐ　ａより弱くなるため、Ｗ１１信号入出力用のコ
バールピンを接着する際に発生する熱応力に耐えること
ができなくなる。また、信頼性の低下ともなるため、曲
げ強さは１８０ＭＰａ以上でなければならない。一方、
熱膨張係数はＮａ及びＦｓが、Ｎａ２Ｏ及びＦｅ、０３
に換算して、第１表のＮ　ｏ　。

１〜２５・に示した量含有しても、４０〜６０×１０−
７部℃（室温〜５００℃）であり、目標とした範囲に入
っていた。

すなわち、焼結体中に含有したＮａ及びＦｓが、Ｎ　ａ
２Ｏに換算して０．２％以下及びＦｅ、０３に換算して
０．０５％以下であれば、比誘電率６．５以下（ＩＭＨ
，）　、曲げ強さ１８０　Ｍ　Ｐ　ａの以上、熱膨張係
数４０〜６０　Ｘ　１０−’／℃であり、セラミック多
層基板に使用するための特性を満たした。

実施例２ 平均粒径２μｍのムライト粉末７２部、平均粒径１μｍ
の石英粉末２５．３部、平均粒径０．４μｍのアルミナ
粉末１．９部及び平均粒径０．３μｍの炭酸マグネシウ
ムをＭｇＯに換算して０．８部に、樹脂として平均重合
度１０００のポリビニルブチラール６．５部をボールミ
ルに入れ、３時間軸式混合した。ムライト粒末は、電融
法により作製した純度９８％以上のムライト原料を用い
た。

石英粉末及びアルミナ粉末は、純度９９％以上とした。

また、炭酸マグネシウムは、大気中で安定なＭ　ｇ　−
（Ｇ　０−）４（ＯＨ）−４Ｈｚ　Ｏトした。原料粉末
中に含有するＮａ及びＦｅは、Ｎａ２Ｏに換算して０．
２％以下及びＦｅ２Ｏｆｆに換算して０．０５％以下と
した。さらに可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸
ブチル２．１ｍＭ、溶媒としてトリクロルエチレン５１
．４ｍ１２、テトラクロルエチレン２５．５ｍＱ、ｎ−
ブチルアルコール２２、’７ｍＱを加え、２０時時間式
混合しスラリを作製した。次に、真空脱気処理によりス
ラリがらボールミルにより混入した気泡を除去すると共
に、粘度調整を行う。次いで、粘度１００ボイズのスラ
リをドクターブレードを用いて、シリコーン処理したポ
リエステルフィルム支持体上に塗布し、炉に通して乾燥
し、厚さ０．２３ｎｖｎのグリーンシートを作製した。

このグリーンシートをシリコン処理したポリエステルフ
ィルム支持体より取りはずし、２１０ｍｍ間隔に切断し
た。切断したグリーンシートをグリーンシートパンチ器
を用いて２００　ｏｖａ”　に切断し、ガイド用の穴を
施こした。

その後、二のガイド用の穴を利用してグリーンシートを
固定し、パンチ法により、φ０．１５ｍｍの穴を所定位
置にあけ、スルーホールとした。さらに、タングステン
（またはモリブデン）粉末二ニトロセルロース：エチル
セルロース：ポリビニルブチラール：トリクロルエチレ
ン＝１００：３：１：２：２３（重量比）の導体ペース
トをグリーンシートにあけたスルーホールに充填し、次
に、スクリーン印刷法により所定回路パターンにしたが
って上記導体ペーストを印刷した。これらのグリーンシ
ートをガイド用の穴の位置を合せて４０枚積み重ね、温
度１２０℃で、’７０ｋｇ／ａｄの圧力で加圧し積層し
た。次に、積層したグリーンシートを所定寸法に外形切
断し、焼成炉内に入れ、水素３〜７容量％を含み、且つ
微量の水蒸気を含む窒素雰囲気中で、１２００℃まで５
０℃／ｈの昇温速度で昇温し、グリーンシートを作製す
る際に使用した樹脂分を除去した。その後、１００℃／
ｈの昇温速度で昇温し、最高温度１６２０℃で１時間保
持して焼成した。最高温度１６２０℃になった際に、雰
囲気中への水蒸気混入を停止した。このようにしてセラ
ミック多層基板を作製した。この°セラミック多層基板
に、無電解ニッケルメッキ及び金メッキを施こした後カ
ーボン治具を用いた通常の方法で、電気信号入出力用の
コバール製ピンをろう付けした。また、ＬＳＩチップを
フェースダウンにて直接はんだで接続して搭載した。こ
のようにして機能モジュールとした。

セラミック多層基板に用いたセラミック絶縁材料の熱膨
張係数が４０〜６０Ｘ１０−’／”Ｃ（室温〜５００℃
）であり、内部配線導体材料に用いたタングステン（ま
たはモリブデン）の熱膨張係数４５Ｘ１０−’／”Ｃ（
室温〜５００℃）（モリブデンは５４　ｘ　１０−’／
℃）とほぼ一致しており、セラミック絶縁材料と配線導
体材料の熱膨張係数の差による熱応力がほとんど発生せ
ず、全くクラックが生じなかった。また、スルーホール
ピッチＱ、３ｍｍの高密度配線も可能なことがわかった
。

電気信号入出力用のコバール製ピンの接着部の引張、強
度は４ｋｇ／ピン以上あり、十分実使用に耐えうる強度
であった。また、ＬＳＩチップのはんだ接続部は、−５
５〜１５０℃での２０００サイクル以上の温度サイクル
後にも、全く断線が生じなかった。このように過酷な使
用条件下においても、十分な接続寿命を保証できる材料
強度であった。

これは、セラミック絶縁材料の熱膨張係数が４０〜６０
　Ｘ　１０”’／”Ｃであって、ＬＳＩチップとして使
用するシリコン半導体の熱膨張係数３５Ｘ１（Ｉ’／℃
（室温〜５００℃）に近く、また、ガリウムーヒ素半導
体の熱膨張係数６５Ｘ１０−’／℃にも近いため、加熱
された場合のセラミック多層基板とＬＳＩチップの伸び
量の差が少なく、はんだ接続部に熱応力があまり加わら
ないためである。従来のアルミナ゛を主成分とするセラ
ミック多層基板の場合は、アルミナの熱膨張係数が７５
×１０”’／”Ｃ（室温〜５００℃）であって、現在Ｌ
ＳＩチップとしての主流のシリコン半導体の熱膨張係数
と大きく異なり、このため加熱された場合にはんだ接続
部に熱応力が加わって早期に断線が起こっていた。

一方、内部配線導体による信号の伝播速度は、０．１２
０〜０．１２５ｍ／ｒｕｓであった。この値は、セラミ
ック絶縁材料の比誘電率が５．８〜６．５（ａｔｌＭＨ
，）であったことに対応している。

アルミナを主成分とするセラミック絶縁材料の比誘電率
が約９．５　（ａ　ｔ　ＩＭＨ工）であり、信号の伝播
速度が０．０９８ｍ／ｎｓであるため、本実施例によれ
ば、信号の伝播速度が、約２２〜２８％速くなったこと
になる。

このように、セラミック絶縁材料中に含有したＮａ及び
Ｆｅの量が、Ｎａ２Ｏに換算して０．２ｗｔ％以下及び
Ｆｅ２Ｏ３に換算して０．０５ｗｔ％以下であれば、セ
ラミック多層基板に用いるセラミック絶縁材料に要求さ
れた特性を満たすことができた。

実施例３ 上記実施例２のタングステン（またはモリブデン）の導
体ペーストによる内部導体配線の一部に。

抵抗材料を用いること以外は、全て上記実施例２と同様
にしてセラミック多層基板を作製した。

抵抗材料としては、上記実施例２で用いた、セラミック
絶縁材料の組成粒末（ムライト７２部、石英２５．３部
、アルミナ１．９部、 Ｍｇ５（ｃｏ、Ｌ（ｏＨ）、：４）（、ｏをＭｇ○換算
シテ０．８部）に、第２表中に示した導電性セラミック
材料を、第２表中に示した量配合した。次に、上記実施
例２のタングステン（またはモリブデン）の導体ペース
トを作製した方法と同様にして、抵抗ペーストを作製し
た。この抵抗ペーストを、タングステン（またはモリブ
デン）の導体ペーストによる内部導体配線の一部に、ス
クリーン印刷法により印刷し、所定の抵抗値となるよう
にした。

また、絶縁材料と導電性セラミックスの配合比を変える
ことにより、幅広く抵抗率を変化することができた。こ
のような種々の抵抗率を示す材料を第２表 組み合わせることにより、高性能で、高密度のモジュー
ル基板とすることができた。

【発明の効果〕

本発明によれば、セラミック多層基板を構成するセラミ
ック絶縁材料として、Ａｆｉ２０．・ＳｉＯ□〜２ＡΩ
２０．・Ｓｉｎ、なるムライトを主成分とし。

そのセラミック絶縁材料中に含有するＮａがＮａ２Ｏに
換算して０．２ｗｔ％以下、ＦｅがＦｅ、○、に換算し
て０．０５ｗｔ％以下であれば、曲げ強さが１８０　Ｍ
　Ｐ　ａ以上、比誘電率が６．５以下（ＩＭＨ，）、熱
穂膨張係数が４０〜６０Ｘ１０−’／’Ｃ（室温〜５０
０℃）のセラミック絶縁材料が得られるので、高密度多
層配線を有するセラミック多層基板として、高品質で且
つ高信頼性となる。

また、内部導体配線中に抵抗体を設けることが可能なた
め、高性能のモジュール基板とすることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、絶縁層と導体層が交互に積層してなる多層基板にお
   いて、絶縁層としてムライトを主成分とし、その絶縁層
   中に含有するＮａがＮａ＿２Ｏに換算して０．２ｗｔ％
   以下、ＦｅがＦｅ＿２Ｏ＿３に換算して０．０５ｗｔ％
   以下であることを特徴とするセラミック多層基板材料。