JPS62149864A - 電子ビ−ムの照射方法 - Google Patents

電子ビ−ムの照射方法

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JPS62149864A
JPS62149864A JP28916985A JP28916985A JPS62149864A JP S62149864 A JPS62149864 A JP S62149864A JP 28916985 A JP28916985 A JP 28916985A JP 28916985 A JP28916985 A JP 28916985A JP S62149864 A JPS62149864 A JP S62149864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
evaporation material
current
scanning
beam spot
Prior art date
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Pending
Application number
JP28916985A
Other languages
English (en)
Inventor
Joshi Shinohara
篠原 譲司
Koji Takashima
耕司 高嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62149864A publication Critical patent/JPS62149864A/ja
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子ビームの照射方法に係り、特に真空蒸着装
置あるいはイオンブレーティング装置においてルツボ内
の材料に電子ビームを照射して加熱蒸発させるための電
子ビームの照射方法に関するものである。
[従来の技術] 真空中で金属等の蒸発材料を加熱蒸発させて基板上に被
膜を形成する方法として、真空蒸着法。
イオンブレーティング法がある。
一般的なイオンプレーディング装置の一例を第5図によ
り説明する。
蒸着室a内に、イオンブレーティングするための蒸発材
料すが接地されたルツボC内に収容され、この蒸発材料
すと対向して回転する単板ホルダdに支持された!、!
板eが配;こされる。単板Cはホルダdを介して0の電
圧(数にV)を印加すべく直流電源fのQ)〜に接続さ
れ、蒸発ルツボCが接地された正極に接続される。
一方、ルツボCの下方には電子銃G /J<設けられ、
そのフィラメントhから電子ビーム1が発生する。
この電子ビーム1は嘔向コイルjの間を通過した後、矢
印のように蒸発材料すに照射される。
蒸着室aには、蒸着室a内を真空にするだめの排気口k
及びそのバルブpが1シ続され、また3前室a内にアル
ゴンガスなどの不活性ガス史活性ガスを導入する導入管
m及びそのバルブnが接続される。
qffjeにイオンブレーティングでるにJ3いて、先
ず蒸着室a内を排気して10−’ Torr台に保持し
た状態でフィラメントhより図のように電子ビームiを
蒸発材料すに照射すると蒸発材料すは溶解及び蒸発され
、蒸発した粒子は、電子ビームiとの衝突によりイオン
化され正電荷を帯びる。この正電荷を帯びた蒸発粒子は
、基板eと蒸発材料す間に形成される電界により加速さ
れて基板eに衝突し、基板eの表面に被膜を形成する。
ところで、ルツボCの模式的な平面図を第6図に示ずよ
うに、偏向コイルjは電子ビームiをX方向に偏向させ
るための一対のX方向偏向コイルjXとY方向に偏向さ
せるための一対のY方向偏向コイルJYとから構成され
ている。そして、×方向偏向コイルjXおよびY方向偏
向コイルjYにそれぞれ例えば第7図に示すような偏向
電流IX、IYを流づことにより、蒸発材料すに照射さ
れる電子ビームiを周期的に偏向ざぜて蒸発材料すの表
面中心部に第8図に示ず電子ビームスポットpを形成し
、蒸発材料すを加熱溶解J3よび蒸発させていた。
[発明が解決しようとする問題点1 この電子ビームスポットpはそのスポットサイズDを大
きくする程、パワー密度が低下してしまうので、ある程
度以上は大きくすることができず、通常20〜30 m
mの小さな電子ビームスポットが形成される。
従って、大きなルツボを用いて大量の蒸発材料を蒸発し
ようとすると、蒸発材料の一部だけが加熱されることに
なり、その結果、蒸発が不安定になって基板上に形成さ
れる被膜が不均質になるという問題があった。
また、大量の蒸発材料を蒸発させるために小さなルツボ
を用いて蒸発材料を供給しながら電子ビーム照射を行な
う方法もあるが、この供給方式では異常放電が生じ蒸発
速度が不安定になってしまう。
さらに、反応性蒸着の場合には電子ビームスポットが照
射されない周辺部の蒸発材料の溶湯表面に反応生成物が
発生して特に蒸発の不安定性が増ずという問題があつl
こ。
[発明の目的] 本発明の目的は前記した従来技術の問題点を解消し、大
量の蒸発材料を安定性よく蒸発さじるど共に反応性蒸着
の場合でも蒸発の安定性を損うことのない電子ビームの
照射方法を提供することにある。
[発明の概要] 本発明は上記目的を達成するために、電子ビームを蒸発
材料表面の所定の範囲内で微細にIL杏して電子ビーム
スポットとづると共にこの電子ビームスポットを蒸発材
料の表面全域に走査させる電子ビームの照射方法である
[実施例] 1ス下、本発明の実施例を添イ・4図面に従って説明す
る。
第1図は本発明の一実施例に係る電子ビームの照射方法
にJ、る電子ビームの軌道を示す説明図である。まず、
電子ビームを偏向させてルツボ1内に収容された蒸発材
料2の周辺部で微細に走査することにより、ここに従来
例と同様の幅20〜30Mの電子ビームスポット3を形
成する。次に、この電子ビームスポット3を形成しなが
らこれを蛇行させて蒸発材料2の表面全域を走査する。
以上のような照射方法は例えば第2図に示ず装置によっ
て実施される。図中、4Xおよび4yはそれぞれ従来例
に用いられたX方向偏向コイルjxおよびY方向偏向コ
イルjYと同様にイオンブレーティング装置内に設置さ
れたX方向偏向コイル、Y方向隔向コイルである。これ
らの−向コイル4X、4Yに電子ビームスポット形成用
の走査電流発生部5と電子ビームスポット昂引用の僅引
電流発生部6とが接続されている。走査電流発生部5は
第3図に示すような波形を右し且つ周期T^が数十分の
1秒の走査用’a I AXおよびIへYを発生する。
一方、■、■引電流発生部6は周期TBが士数分である
極低周波の置引電流IBXおよびIBYを発生する。
そして、第5図に示した従来例のイオンブレーティング
装置と同様にしてルツボ内に収容された蒸発材料に電子
銃から電子ビームを照射りると共に、X方向漏向コイル
4Xには走査電流発生部5から発生された走査電流IA
Xと掃引電流光1部6から発生された掃引電流IBXと
を型骨してこれをXlll1ll側偏向電流として供給
し、一方Y方向偏向コイル4Yには走査電流I八Yと掃
引電流IBYとを重畳してこれをY軸側偏向電流として
供給覆る。
すると、掃引電流iBX、18Yより走査電流I AX
JAYの方が周期が短いので、まず第1図に示す電子ビ
ームスポット3が形成されて、この部分の蒸発材料2が
加熱される。そして、蒸発材料2が溶解蒸発すると共に
電子ビームスボッh 3が掃引電流■BX、IBYの波
形に基づいて蒸発材料2の表面上を蛇行する。このよう
にして、電子ビームスポット3は蒸発材It 2の表面
全域にわたって走査され、且つこの走査が周期TBで繰
り返される。
その結果、ルツボ1内の蒸発材料2はムラなく蒸発し、
基板上に均質性の高い被膜が形成される。
なJ3、lfi引電流発生部6から発生される]l’j
3引゛電流IBX、IBYの波形を制ネ11シて、第4
図のよう(ご電子ビームスボッ1−3を蒸発材ネ:12
の表面全域にわたって渦呑状に走査ざぜてしよい。
実際には、11M引電流発生部6をコンピュータ等から
構成づることににつて電子ビームスボッh 3の軌道を
任意に選択し117るようにすることができる。
[5′l明の効果] 以上説明したように本発明によれば、次のどとき1・署
れた効果を発揮する。
(1)  電子ビームスポットを蒸発材料の表面全域に
わたって走査させるので、蒸発材料に基づく加熱蒸発の
最適条件を満たすことが容易であり、ルツボ内の蒸発材
料をムラなく蒸発させることができる。従って、蒸発材
わtの有効利用d3よび形成される被膜の均質化が達成
される。特に、大きなルツボを用いることができるので
、人格の蒸発材料を蒸発しようとする場合に有効である
(2)  電子ビームが蒸発材料全域に照射されるので
、反応性蒸着の場合でも溶湯表面に反応生成物が生じに
くく安定した蒸発を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電子ビームの照射方法による電子ビー
ムの軌道の一例を示V説明図、第2図は本発明の方法を
実施するための装置の概略構成図、第3図は第2図の装
置で用いられる走査電流および掃引電流の波形図、第4
図は電子ビームの軌道の他の例を示す説明図、第5図は
−rm的なイオンブレーティング装置の構成図、第6図
ないし第8図は従来の問題点を承りだめの説明図である
。 図中、1はルツボ、2は蒸発材11.3は電子ビームス
ポットである。 特 許 出 願 人  石川島播磨重工業株式会社代理
人弁理士 絹  谷  信  雄 第3図 第4図 第6図 第7図 N5図 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空中のルツボ内に収容された蒸発材料に電子ビームを
    照射して上記蒸発材料を加熱蒸発させる電子ビームの照
    射方法において、電子ビームを上記蒸発材料表面の所定
    の範囲内で微細に走査して電子ビームスポットとすると
    共に該電子ビームスポットを上記蒸発材料の表面全域に
    走査させることを特徴とする電子ビームの照射方法。
JP28916985A 1985-12-24 1985-12-24 電子ビ−ムの照射方法 Pending JPS62149864A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62207860A (ja) * 1986-03-07 1987-09-12 Jeol Ltd 真空蒸着装置
JPH042764A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Sharp Corp 薄膜el素子の製造方法
US5372837A (en) * 1990-05-30 1994-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing thin film EL device utilizing a shutter

Cited By (4)

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