JP3330632B2 - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
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- JP3330632B2 JP3330632B2 JP14666192A JP14666192A JP3330632B2 JP 3330632 B2 JP3330632 B2 JP 3330632B2 JP 14666192 A JP14666192 A JP 14666192A JP 14666192 A JP14666192 A JP 14666192A JP 3330632 B2 JP3330632 B2 JP 3330632B2
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- thin film
- film deposition
- deposition apparatus
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸発槽内にフィラ
メントからの放射光を遮断する遮蔽板を設けた薄膜蒸着
装置に関する。
メントからの放射光を遮断する遮蔽板を設けた薄膜蒸着
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜蒸着装置として、特公平１−５３３
５１号公報に記載の図４のものが知られている。この薄
膜蒸着装置には、蒸発源４の蒸発金属等がプラズマ雰囲
気を通過するため、この蒸発物質がイオン化又は活性化
され、室温でも緻密で密着性のよい薄膜を形成でき、従
って、耐熱性に劣る物質、例えばプラスチック等をも被
蒸着基板として用いることができるという利点がある。
なお図４において、１はベースプレート、２は真空槽
（ベルジャー）、３、５、７、１１は電極の支持体、４
は蒸発源、６はフィラメント、８は正電極（グリッ
ド）、１２は対電極、１３は被蒸着基板、１４は蒸発源
用電源、１５はフィラメント用電源、１６は直流電圧電
源である。
５１号公報に記載の図４のものが知られている。この薄
膜蒸着装置には、蒸発源４の蒸発金属等がプラズマ雰囲
気を通過するため、この蒸発物質がイオン化又は活性化
され、室温でも緻密で密着性のよい薄膜を形成でき、従
って、耐熱性に劣る物質、例えばプラスチック等をも被
蒸着基板として用いることができるという利点がある。
なお図４において、１はベースプレート、２は真空槽
（ベルジャー）、３、５、７、１１は電極の支持体、４
は蒸発源、６はフィラメント、８は正電極（グリッ
ド）、１２は対電極、１３は被蒸着基板、１４は蒸発源
用電源、１５はフィラメント用電源、１６は直流電圧電
源である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記薄膜蒸着
装置では、フィラメント６からの熱電子を利用してプラ
ズマを発生させるものであるため、フィラメント６を加
熱する必要がある。従って被蒸着基板１３は、成膜中フ
ィラメント６からの輻射熱により温度が上昇する。実験
条件により多少異なるが、フィラメント６〜被蒸発基板
１３（ガラス製）間距離が４０ｃｍ、成膜時間５分とい
う条件下において、被蒸着基板１３は５０°Ｃ程度の温
度上昇が見られる。
装置では、フィラメント６からの熱電子を利用してプラ
ズマを発生させるものであるため、フィラメント６を加
熱する必要がある。従って被蒸着基板１３は、成膜中フ
ィラメント６からの輻射熱により温度が上昇する。実験
条件により多少異なるが、フィラメント６〜被蒸発基板
１３（ガラス製）間距離が４０ｃｍ、成膜時間５分とい
う条件下において、被蒸着基板１３は５０°Ｃ程度の温
度上昇が見られる。
【０００４】また、フィラメント材料もフィラメント６
自身の温度上昇により蒸発するため、フィラメント材料
が被蒸着基板１３に混入するおそれがあった。
自身の温度上昇により蒸発するため、フィラメント材料
が被蒸着基板１３に混入するおそれがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の薄膜蒸
着装置は、活性ガス、不活性ガスまたはこれら両者の混
合ガスが導入される真空槽内に、蒸発源と、被蒸着源
と、この被蒸着源を蒸発源に対向保持する対電極と、前
記蒸発源と前記対電極との間に設けた熱電子発生用フィ
ラメントと、これら蒸発源、対電極、フィラメントに対
し正電位とした正電極とを備えた薄膜蒸着装置におい
て、前記フィラメントは前記正電極と前記対電極の間に
配置され、前記フィラメントに対し前記対電極側に前記
フィラメントからの放射光遮蔽板を設けたことを特徴と
する。
着装置は、活性ガス、不活性ガスまたはこれら両者の混
合ガスが導入される真空槽内に、蒸発源と、被蒸着源
と、この被蒸着源を蒸発源に対向保持する対電極と、前
記蒸発源と前記対電極との間に設けた熱電子発生用フィ
ラメントと、これら蒸発源、対電極、フィラメントに対
し正電位とした正電極とを備えた薄膜蒸着装置におい
て、前記フィラメントは前記正電極と前記対電極の間に
配置され、前記フィラメントに対し前記対電極側に前記
フィラメントからの放射光遮蔽板を設けたことを特徴と
する。
【０００６】
【作用】請求項１に記載の発明においては、フィラメン
トからの放射光遮蔽板を設けたことにより、被蒸着基板
がフィラメントからの輻射熱により温度上昇するのが防
止され、また被蒸着基板へのフィラメント材料の混入が
防止される。
トからの放射光遮蔽板を設けたことにより、被蒸着基板
がフィラメントからの輻射熱により温度上昇するのが防
止され、また被蒸着基板へのフィラメント材料の混入が
防止される。
【０００７】
【実施例】以下本発明を、比較例及び実施例などにより
説明する。比較例薄膜蒸着装置の従来例を図４に示す。
この装置は、真空槽２内に、対電極１２、正電極８、及
び熱電子発生用のフィラメント６を有する。真空槽２内
には活性ガス、不活性ガスまたはこれら両者の混合ガス
が導入される。対電極１２は真空槽２内に配備し、これ
により被蒸着基板１３を蒸発源４と対向させた状態で保
持する。蒸発源４と対電極１２とは同電位におかれてい
る。
説明する。比較例薄膜蒸着装置の従来例を図４に示す。
この装置は、真空槽２内に、対電極１２、正電極８、及
び熱電子発生用のフィラメント６を有する。真空槽２内
には活性ガス、不活性ガスまたはこれら両者の混合ガス
が導入される。対電極１２は真空槽２内に配備し、これ
により被蒸着基板１３を蒸発源４と対向させた状態で保
持する。蒸発源４と対電極１２とは同電位におかれてい
る。
【０００８】正電極８を真空槽２、蒸発源４及びフィラ
メント６に対して正電位にすることによりフィラメント
６から放出された熱電子が加速され、真空槽２内のガス
がイオン化することによりプラズマが発生する。このと
き、蒸発源４から蒸発物質が飛来すると、その一部はプ
ラズマ中でイオン化または活性化されるため、緻密で密
着性の良い薄膜が形成される。
メント６に対して正電位にすることによりフィラメント
６から放出された熱電子が加速され、真空槽２内のガス
がイオン化することによりプラズマが発生する。このと
き、蒸発源４から蒸発物質が飛来すると、その一部はプ
ラズマ中でイオン化または活性化されるため、緻密で密
着性の良い薄膜が形成される。
【０００９】この薄膜蒸着装置では、フィラメント６か
らの電子が正電極８に吸収されるため、被蒸着基板１３
には電子が到達しない。従って、被蒸着基板１３は、電
子衝突による加熱がないため、プラスチックのような耐
熱性の劣るものでも材質として選択することができる。
らの電子が正電極８に吸収されるため、被蒸着基板１３
には電子が到達しない。従って、被蒸着基板１３は、電
子衝突による加熱がないため、プラスチックのような耐
熱性の劣るものでも材質として選択することができる。
【００１０】しかし、この薄膜蒸着装置では、フィラメ
ント６が被蒸着基板１３に対して露出しているため、成
膜中フィラメント６からの輻射熱で被蒸着基板１３の温
度が上昇する欠点がある。
ント６が被蒸着基板１３に対して露出しているため、成
膜中フィラメント６からの輻射熱で被蒸着基板１３の温
度が上昇する欠点がある。
【００１１】実施例 図１に放射光遮蔽板を設置した本発明の薄膜蒸着装置を
示す。従来の薄膜蒸着装置において、被蒸着基板１３の
温度上昇を抑えるためには、フィラメント６と被蒸着基
板１３の間にフィラメント６からの放射光遮蔽板を設置
すればよい。しかし、図４に示した従来の薄膜蒸着装置
の構造では、フィラメント６上に放射光遮蔽板を設置す
ると、放射光遮蔽板が正電極８への電子供給を妨げるた
め、安定なプラズマ状態が得られない。
示す。従来の薄膜蒸着装置において、被蒸着基板１３の
温度上昇を抑えるためには、フィラメント６と被蒸着基
板１３の間にフィラメント６からの放射光遮蔽板を設置
すればよい。しかし、図４に示した従来の薄膜蒸着装置
の構造では、フィラメント６上に放射光遮蔽板を設置す
ると、放射光遮蔽板が正電極８への電子供給を妨げるた
め、安定なプラズマ状態が得られない。
【００１２】そこで、図１の薄膜蒸着装置では、フィラ
メント６を正電極８の上に配置し、フィラメント６の直
上、すなわち被蒸着基板１３側に放射光遮蔽板９を設置
した。フィラメント６を正電極８と対電極１２の間に配
置し、フィラメント６に対し対向電極１２側に放射光遮
蔽板９を配置したのである。
メント６を正電極８の上に配置し、フィラメント６の直
上、すなわち被蒸着基板１３側に放射光遮蔽板９を設置
した。フィラメント６を正電極８と対電極１２の間に配
置し、フィラメント６に対し対向電極１２側に放射光遮
蔽板９を配置したのである。
【００１３】この薄膜蒸着装置では、安定なプラズマ状
態が得られ、かつ被蒸着基板１３の温度上昇を抑えるこ
とができる。なお、図１では電極の支持体、蒸発源用電
極、フィラメント用電源、直流電源、配線等（図４中の
符号３、５、７、１１、１４、１５、１６等に相当す
る）を省略してある。また、フィラメント６は紙面垂直
方向に配置してあり、１はベースプレートを示してい
る。
態が得られ、かつ被蒸着基板１３の温度上昇を抑えるこ
とができる。なお、図１では電極の支持体、蒸発源用電
極、フィラメント用電源、直流電源、配線等（図４中の
符号３、５、７、１１、１４、１５、１６等に相当す
る）を省略してある。また、フィラメント６は紙面垂直
方向に配置してあり、１はベースプレートを示してい
る。
【００１４】参考例１ 図２に、正電極８を蒸発源４の直上かつ垂直に配置した
薄膜蒸着装置を示す。図４の薄膜蒸着装置及び図１の薄
膜蒸着装置では、正電極８は蒸発源４に対向させて配置
しているため、蒸発物質またはその反応生成物が絶縁体
の場合、正電極８が絶縁体で覆われ、電極としての役割
を果たさなくなってしまうおそれがある。そこで、図２
に示す薄膜蒸着装置では、正電極８を蒸発源４及び対電
極１２に対して垂直に配置している。
薄膜蒸着装置を示す。図４の薄膜蒸着装置及び図１の薄
膜蒸着装置では、正電極８は蒸発源４に対向させて配置
しているため、蒸発物質またはその反応生成物が絶縁体
の場合、正電極８が絶縁体で覆われ、電極としての役割
を果たさなくなってしまうおそれがある。そこで、図２
に示す薄膜蒸着装置では、正電極８を蒸発源４及び対電
極１２に対して垂直に配置している。
【００１５】この薄膜蒸着装置では、蒸発物質またはそ
の反応生成物が絶縁体の場合、正電極８には絶縁体が僅
かながら付着するが、正電極８はプラズマ中にさらされ
るため、プラズマ電位により正イオンで叩かれ、即ちス
パッタリングされ、正電極８が絶縁体で覆われることが
ないため、絶縁体の成膜を可能にする。
の反応生成物が絶縁体の場合、正電極８には絶縁体が僅
かながら付着するが、正電極８はプラズマ中にさらされ
るため、プラズマ電位により正イオンで叩かれ、即ちス
パッタリングされ、正電極８が絶縁体で覆われることが
ないため、絶縁体の成膜を可能にする。
【００１６】図４の薄膜蒸着装置及び図１の薄膜蒸着装
置では、正電極８を蒸発源４の直上に配置しているた
め、蒸発物質が通過しやすいように正電極８を網状とし
ていた。しかし、図２の薄膜蒸着装置では、正電極８が
網状である必要はなく、例えば板状等であってもよい。
置では、正電極８を蒸発源４の直上に配置しているた
め、蒸発物質が通過しやすいように正電極８を網状とし
ていた。しかし、図２の薄膜蒸着装置では、正電極８が
網状である必要はなく、例えば板状等であってもよい。
【００１７】参考例２ 図３は蒸発源４、フィラメント６及び正電極８をそれぞ
れ複数後設置し、フィラメント６と正電極８を交互に配
置している薄膜蒸着装置を示している。この薄膜蒸着装
置では、広範囲にわたって高密度でしかも均一なプラズ
マを発生させることができる。また、各フィラメント６
Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄの電流値を独立に制御することに
より、フィラメントの消耗や真空槽２内の場所の違いに
よるプラズマ密度の差を調整できる。
れ複数後設置し、フィラメント６と正電極８を交互に配
置している薄膜蒸着装置を示している。この薄膜蒸着装
置では、広範囲にわたって高密度でしかも均一なプラズ
マを発生させることができる。また、各フィラメント６
Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄの電流値を独立に制御することに
より、フィラメントの消耗や真空槽２内の場所の違いに
よるプラズマ密度の差を調整できる。
【００１８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、放射光遮
蔽板を設置することにより、フィラメントからの輻射熱
による被蒸着基板の温度上昇及びフィラメント材料の被
蒸着基板への混入を防ぐことができる。
蔽板を設置することにより、フィラメントからの輻射熱
による被蒸着基板の温度上昇及びフィラメント材料の被
蒸着基板への混入を防ぐことができる。
【図１】放射光遮蔽板を設置した、本発明の真空蒸着装
置の実施例を示す概略断面図えある。
置の実施例を示す概略断面図えある。
【図２】正電極を蒸発源の直上かつ垂直に配置した、参
考例１を示す断面図である。
考例１を示す断面図である。
【図３】蒸発源、正電極及びフィラメントをそれぞれ複
数個設置した、参考例２を示す概略断面図である。
数個設置した、参考例２を示す概略断面図である。
【図４】真空蒸着装置の従来例を示す概略断面図であ
る。
る。
１ ベースプレート ２ 真空槽（ベルジャー） ４ 蒸発源 ６、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ フィラメント ８ 正電極 ９ 放射光遮蔽板 １２ 対電極 １３ 被蒸着基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−310962（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−72061（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−153323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−65067（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−73961（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−134164（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−175220（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−32562（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】活性ガス、不活性ガスまたはこれら両者の
混合ガスが導入される真空槽内に、蒸発源と、被蒸着源
と、この被蒸着源を蒸発源に対向保持する対電極と、前
記蒸発源と前記対電極との間に設けた熱電子発生用フィ
ラメントと、これら蒸発源、対電極、フィラメントに対
し正電位とした正電極とを備えた薄膜蒸着装置におい
て、前記フィラメントは前記正電極と前記対電極の間に
配置され、前記フィラメントに対し前記対電極側に前記
フィラメントからの放射光遮蔽板を設けたことを特徴と
する薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14666192A JP3330632B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14666192A JP3330632B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311410A JPH05311410A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3330632B2 true JP3330632B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=15412771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14666192A Expired - Fee Related JP3330632B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330632B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP14666192A patent/JP3330632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05311410A (ja) | 1993-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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