JPS6214935U - - Google Patents

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JPS6214935U
JPS6214935U JP10472185U JP10472185U JPS6214935U JP S6214935 U JPS6214935 U JP S6214935U JP 10472185 U JP10472185 U JP 10472185U JP 10472185 U JP10472185 U JP 10472185U JP S6214935 U JPS6214935 U JP S6214935U
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external lead
semiconductor device
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例に係わるヒユーズを有
するダイオードの平面図、第２図は第１図の装置
の回路図、第３図は第１図の装置の使用例を示す
回路図、第４図は本考案の別の実施例のヒユーズ
を有するダイオードを示す平面図、第５図は本考
案の更に別の実施例の全波整流器を示す平面図、
第６図は第５図の装置の使用例を示す回路図、第
７図は従来のヒユーズを有するダイオードを示す
平面図である。 １４…第１の外部リード、１５…第２の外部リ
ード、１６…第３の外部リード、１７…ダイオー
ドチツプ、１９…ヒユーズ、２１…樹脂。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 単数又は複数の半導体素子と過電流保護ヒ
    ユーズとを直列に接続したものを同一包囲体内に
    収容し、前記半導体素子の一端を外部回路に接続
    するための第１の外部リードと、前記半導体素子
    の他端を前記ヒユーズを介して外部回路に接続す
    るための第２の外部リードと、前記半導体素子と
    前記ヒユーズとの間を外部に導出するための第３
    の外部リードとを少なくとも設けたことを特徴と
    する過電流保護機能を有する半導体装置。 (2) 前記半導体素子はダイオードである実用新
    案登録請求の範囲第１項記載の過電流保護機能を
    有する半導体装置。 (3) 前記半導体素子は、全波整流回路を構成す
    る複数のダイオードである実用新案登録請求の範
    囲第１項記載の過電流保護機能を有する半導体装
    置。 (4) 前記包囲体は封止樹脂である実用新案登録
    請求の範囲第１項又は第２項又は第３項記載の過
    電流保護機能を有する半導体装置。
JP10472185U 1985-07-09 1985-07-09 Pending JPS6214935U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012513078A (ja) * 2008-12-22 2012-06-07 オーストリアマイクロシステムズ アクチエンゲゼルシャフト 半導体チップのパッケージおよびこの製造方法
WO2018079409A1 (ja) * 2016-10-26 2018-05-03 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58218139A (ja) * 1982-06-14 1983-12-19 Toshiba Corp ヒユ−ズ切断回路

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