JPS6241338U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例に係わるヒユーズ内蔵
ダイオードを示す平面図、第２図は第１図のダイ
オードチツプを示す断面図、第３図は第１図の等
価回路図、第４図は第１図のヒユーズ内蔵ダイオ
ードを使用した回路を示す回路図、第５図は本考
案の別の実施例に係わるヒユーズ内蔵整流装置を
示す平面図、第６図は第５図の整流装置を使用し
た回路を示す回路図、第７図は従来のヒユーズ内
蔵ダイオードを示す平面図である。 １１……第１の接続導体、１２……第２の接続
導体、１３……第３の接続導体、１４……第１の
内部接続部、１５……第２の内部接続部、１５ａ
……第１の部分、１５ｂ……第２の部分、１５ｃ
……幅狭部分、１６……第３の内部接続部、１７
……第１の外部リード、１８……第２の外部リー
ド、１９……第３の外部リード、２０……ダイオ
ードチツプ、２２……内部リード、２３……電流
ヒユーズ、２５……封止樹脂。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第１の内部接続部と第１の外部リードとを
   有する第１の接続導体と、 第２の内部接続部と第２の外部リードとを有す
   る第２の接続導体と、 第３の内部接続部と第３の外部リードとを有す
   る第３の接続導体と、 前記第３の内部接続部内の第１の部分にその一
   方の主面側の電極が固着された半導体素子と、 その一端が前記第１の内部接続部に接続され、
   その他端が前記半導体素子の他方の主面側の電極
   に接続された内部リードと、 その一端が前記第３の内部接続部内の第２の部
   分に接続され、その他端が前記第２の内部接続部
   に接続された渦電流保護ヒユーズと、 前記第１、第２及び第３の内部接続部、前記半
   導体素子、前記内部リード及び前記ヒユーズを包
   囲する包囲体と、 を少なくとも有し、且つ前記第３の内部接続部の
   前記第１の部分と前記第２の部分との間に前記第
   １の部分よりも幅狭の部分が設けられていること
   を特徴とする過電流保護機能を有する半導体装置
   。 (2) 前記幅狭の部分は、前記第３の内部接続部
   に溝を形成することによつて幅狭にされた部分で
   ある実用新案登録請求の範囲第１項記載の過電流
   保護機能を有する半導体装置。 (3) 前記半導体素子はダイオードチツプである
   実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項記載の
   過電流保護機能を有する半導体装置。 (4) 前記包囲体は、合成樹脂である実用新案登
   録請求の範囲第１項又は第２項又は第３項記載の
   過電流保護機能を有する半導体装置。