JPS62138833A - アクテイブ素子基板 - Google Patents
アクテイブ素子基板Info
- Publication number
- JPS62138833A JPS62138833A JP60279930A JP27993085A JPS62138833A JP S62138833 A JPS62138833 A JP S62138833A JP 60279930 A JP60279930 A JP 60279930A JP 27993085 A JP27993085 A JP 27993085A JP S62138833 A JPS62138833 A JP S62138833A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- substrate
- polymer
- polymer film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、マトリクス型液晶表示装置などに用いられる
アクティブ素子基板に関する。
アクティブ素子基板に関する。
災米技亙
液晶の表示容量を拡大する方法として、各画素毎にアク
ティブ素子を形成する方法が、表示品質の向上と大容量
化を可能にするものとして注目され、小型カラーテレビ
からＯＡ用ドツトマトリクス用表示装置へと発展しつつ
ある。
ティブ素子を形成する方法が、表示品質の向上と大容量
化を可能にするものとして注目され、小型カラーテレビ
からＯＡ用ドツトマトリクス用表示装置へと発展しつつ
ある。
マトリクス素子としては、ＭＩＭ （Ｍｅｔａｌ −Ｉ
ｎｓｕｌａｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ）等の非線形２端子素
子や薄膜トランジスタ（７）１ｉｎＦｉ１ｍ７ｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）等の非線形３端子素子などが知ら
れている。これらのアクティブ素子は、一般的にはガラ
スあるいはシリコン基板上に形成されており、たとえば
、 ＨＩＭの場合はＴａ／Ｔａ２０５／Ｃｒなどから構
成されている。またＴＰＴの場合はゲート電極、ゲート
絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体が積層され
ており、この絶縁膜としてＡ １□０．、 Ｔａ２０５
． Ｓ ｉ、Ｎ４． Ｓ ｉｏ２などが用いられている
。
ｎｓｕｌａｔｏｒ −Ｍｅｔａｌ）等の非線形２端子素
子や薄膜トランジスタ（７）１ｉｎＦｉ１ｍ７ｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）等の非線形３端子素子などが知ら
れている。これらのアクティブ素子は、一般的にはガラ
スあるいはシリコン基板上に形成されており、たとえば
、 ＨＩＭの場合はＴａ／Ｔａ２０５／Ｃｒなどから構
成されている。またＴＰＴの場合はゲート電極、ゲート
絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体が積層され
ており、この絶縁膜としてＡ １□０．、 Ｔａ２０５
． Ｓ ｉ、Ｎ４． Ｓ ｉｏ２などが用いられている
。
一方、液晶表示装置の小型、軽量化に対応するために、
基板として高分子フィルムを用いることが提案され、一
部実用化もされている。高分子フィルム基板にアクティ
ブ素子を形成する場合には、基板の耐熱性が十分でない
ことから低温で形成する必要があり、特開昭６０−３５
５７４号公報などに各種の低温プロセスが提案されてい
る。しかしながら、これらの方法では、絶縁膜が金属酸
化物であるため、高分子フィルム基板と絶縁膜との熱膨
張率の差が大きく、ヒートショックに対して安定性がな
いという欠点があった・ ２ｙ紹口り唯 本発明は、高分子フィルムを基板として用いたアクティ
ブ素子基板の耐熱衝撃性を改善することを目的とする。
基板として高分子フィルムを用いることが提案され、一
部実用化もされている。高分子フィルム基板にアクティ
ブ素子を形成する場合には、基板の耐熱性が十分でない
ことから低温で形成する必要があり、特開昭６０−３５
５７４号公報などに各種の低温プロセスが提案されてい
る。しかしながら、これらの方法では、絶縁膜が金属酸
化物であるため、高分子フィルム基板と絶縁膜との熱膨
張率の差が大きく、ヒートショックに対して安定性がな
いという欠点があった・ ２ｙ紹口り唯 本発明は、高分子フィルムを基板として用いたアクティ
ブ素子基板の耐熱衝撃性を改善することを目的とする。
ｌ匪り盪戎
本発明のアクティブ素子基板は、高分子フィルム基板上
に、絶縁膜を介して電極を形成したアクティブ素子基板
において、前記絶縁膜がプラズマ重合法により形成され
た高分子層であることを特徴とする。
に、絶縁膜を介して電極を形成したアクティブ素子基板
において、前記絶縁膜がプラズマ重合法により形成され
た高分子層であることを特徴とする。
以下、添付図面に沿って、本発明についてさらに詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例について示す概略断面図であ
り、高分子フィルム基板１１上にＴＰＴが形成されてい
る。ＴＰＴは、ゲート電極１３、その上形成されたゲー
ト絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１５上に離間して形成され
たドレイン電極１７およびソース電極１９、ならびに半
導体２１から構成されている。
り、高分子フィルム基板１１上にＴＰＴが形成されてい
る。ＴＰＴは、ゲート電極１３、その上形成されたゲー
ト絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１５上に離間して形成され
たドレイン電極１７およびソース電極１９、ならびに半
導体２１から構成されている。
本発明者らは、耐ヒートシヨツク性を改善するため、高
分子フィルム基板１１との熱膨張率の差の少ない高分子
材料を絶縁膜として利用しえないか検討した結果、プラ
ズマ重合により得られる高分子膜を用いることによりス
イッチング素子として必要な弁形特性が得られることを
見い出した。
分子フィルム基板１１との熱膨張率の差の少ない高分子
材料を絶縁膜として利用しえないか検討した結果、プラ
ズマ重合により得られる高分子膜を用いることによりス
イッチング素子として必要な弁形特性が得られることを
見い出した。
プラズマ重合法は、プラズマＣＶＤ （ｐｌａｓｍａｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｊ、ｔｉｏｎ
）により高分子薄膜を得る方法であり、モノマーガスを
グロー放電によって活性化し、その重合膜を生成させる
ものである。従来のＣＶＤが気体状物質を高温にして化
学反応を行わせる熱分解反応を通して薄膜を作成するの
に対し、プラズマＣＶＤはプラズマ状態にして化学的に
励起した活性なラジカル等を利用するので、低温で薄膜
を作ることができる。
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｊ、ｔｉｏｎ
）により高分子薄膜を得る方法であり、モノマーガスを
グロー放電によって活性化し、その重合膜を生成させる
ものである。従来のＣＶＤが気体状物質を高温にして化
学反応を行わせる熱分解反応を通して薄膜を作成するの
に対し、プラズマＣＶＤはプラズマ状態にして化学的に
励起した活性なラジカル等を利用するので、低温で薄膜
を作ることができる。
プラズマ重合膜により得られる高分子絶縁膜としでは、
アセトニトリル重合膜、ポリフッ化ビニリデンなどが例
示でき、これら重合膜は高分子フィルム基板との密着性
も良好である。ポリフッ化ビニリデンは、誘電率が他の
高分子材料に比べて高く、厚い膜としてもＴＰＴやＨＩ
Ｍ動作が可能であることからピンホールのない安定な絶
縁膜の形成が可能である。
アセトニトリル重合膜、ポリフッ化ビニリデンなどが例
示でき、これら重合膜は高分子フィルム基板との密着性
も良好である。ポリフッ化ビニリデンは、誘電率が他の
高分子材料に比べて高く、厚い膜としてもＴＰＴやＨＩ
Ｍ動作が可能であることからピンホールのない安定な絶
縁膜の形成が可能である。
グー１−電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体の形
成材料および形成方法としては、従来の材料および方法
がそのまま適用できる。
成材料および形成方法としては、従来の材料および方法
がそのまま適用できる。
高分子フィルム基板としては、ポリイミドフィルム、ポ
リエステルフィルム、−軸延伸ポリエステルフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルサルホンフィ
ルム、ポリサルホンフィルムなどが用いられる。
リエステルフィルム、−軸延伸ポリエステルフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルサルホンフィ
ルム、ポリサルホンフィルムなどが用いられる。
また１以上の説明ではＴＰＴについて説明したが、 Ｍ
ＩＭなどの素子についても同様に適用できる。
ＩＭなどの素子についても同様に適用できる。
さらに、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を中
心に説明してきたが、他のスイッチング素子基板や電子
回路にも応用することができる。
心に説明してきたが、他のスイッチング素子基板や電子
回路にも応用することができる。
発明の効果
本発明によれば、高分子フィルムを基板としたアクティ
ブ素子基板において、アクティブ素子の絶縁膜としてプ
ラズマ重合法による高分子重合膜を用いることにより、
基板と絶縁膜の熱膨張率が近くなってヒートショックの
影響が緩和されて信頼性が高く、しかも、スイッチング
素子として必要な非線形特性を得ることができる。
ブ素子基板において、アクティブ素子の絶縁膜としてプ
ラズマ重合法による高分子重合膜を用いることにより、
基板と絶縁膜の熱膨張率が近くなってヒートショックの
影響が緩和されて信頼性が高く、しかも、スイッチング
素子として必要な非線形特性を得ることができる。
実施例１
１００μｍ厚のポリイミド基板上に巾２００μｍ、厚さ
８００人の金をゲート電極１３として形成した。
８００人の金をゲート電極１３として形成した。
ついで、アセトニトリルを用いプラズマ重合法により次
の条件で、絶縁膜１５を作成した。
の条件で、絶縁膜１５を作成した。
高周波発振周波数： １３．５６ＭＨｚ放電電カニ ２
０Ｗ 真空度： ０．５Ｔｏｒｒ 流 量： １０〜２０ｍ Ｑ ／分 重合時間ニア分 ついで、ニッケルを８００人蒸着して、ソース電極１７
およびドレイン電極１９を形成した。
０Ｗ 真空度： ０．５Ｔｏｒｒ 流 量： １０〜２０ｍ Ｑ ／分 重合時間ニア分 ついで、ニッケルを８００人蒸着して、ソース電極１７
およびドレイン電極１９を形成した。
さらに、半導体２１としてテルルを４０人形成してＴＰ
Ｔを作成した。
Ｔを作成した。
このＴＰＴのトランジスタ特性を評価したところ、第２
図に示すように十分なスイッチング特性を示し、液晶駆
動用のＴＰＴとして利用できることが判った。
図に示すように十分なスイッチング特性を示し、液晶駆
動用のＴＰＴとして利用できることが判った。
実施例２
アセトニトリルの代りにフッ化ビニリデンを用いて同様
の条件でプラズマ重合を行い、絶縁膜１５としてポリフ
ッ化ビニリデン薄膜を作成した以外は、実施例１と同様
にしてＴＰＴを作成した。
の条件でプラズマ重合を行い、絶縁膜１５としてポリフ
ッ化ビニリデン薄膜を作成した以外は、実施例１と同様
にしてＴＰＴを作成した。
このＴＰＴのトランジスタ特性を評価したところ、第３
図に示すように十分なスイッチング特性を示した。
図に示すように十分なスイッチング特性を示した。
第１図は、本発明のアクティブ素子基板の実施例を示す
概略断面図である。 第２図および第３図は本発明のＴＰＴの静特性を示すグ
ラフである。 ■ｏ：ゲート電圧 ｖＤＤニドレイン電圧 Ｉ ｓｓ ニドレイン電流 １１・・高分子フィルム基板 １３・・・ゲート電極 １５・・ゲート絶縁膜１７
・・・ドレイン電極 １９・・・ソース電極２１・
・・半 導 体
概略断面図である。 第２図および第３図は本発明のＴＰＴの静特性を示すグ
ラフである。 ■ｏ：ゲート電圧 ｖＤＤニドレイン電圧 Ｉ ｓｓ ニドレイン電流 １１・・高分子フィルム基板 １３・・・ゲート電極 １５・・ゲート絶縁膜１７
・・・ドレイン電極 １９・・・ソース電極２１・
・・半 導 体
Claims (1)
- １、高分子フィルム基板上に、絶縁膜を介して電極を形
成したアクティブ素子基板において、前記絶縁膜がプラ
ズマ重合法により形成された高分子層であることを特徴
とするアクティブ素子基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279930A JPS62138833A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | アクテイブ素子基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279930A JPS62138833A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | アクテイブ素子基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138833A true JPS62138833A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17617891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60279930A Pending JPS62138833A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | アクテイブ素子基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192119A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Toyota Motor Corp | 過給機のタービン |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP60279930A patent/JPS62138833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192119A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Toyota Motor Corp | 過給機のタービン |
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