JPS62137884A - 接合型半導体発光素子 - Google Patents
接合型半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS62137884A JPS62137884A JP60279693A JP27969385A JPS62137884A JP S62137884 A JPS62137884 A JP S62137884A JP 60279693 A JP60279693 A JP 60279693A JP 27969385 A JP27969385 A JP 27969385A JP S62137884 A JPS62137884 A JP S62137884A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- flat plate
- light emitting
- plate part
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオードや半導体レーザとして使用し
得る接合型半導体発光素子に関し、特に基板に対して垂
直方向に形成されたｐ−ｎ接合のみに実質的に電流が貫
通し、垂直方向に有効に発光する接合型半導体発光素子
に関する。
得る接合型半導体発光素子に関し、特に基板に対して垂
直方向に形成されたｐ−ｎ接合のみに実質的に電流が貫
通し、垂直方向に有効に発光する接合型半導体発光素子
に関する。
（従来の技術〕
基板に対して垂直方向に光を放出する発光素子は光ファ
イバとの結合が容易であり、また、面発光体としての種
々の用途が期待されることから、半導体レーザや発光ダ
イオードの研究分野において開発が進められてきており
、近年、多種類のものが実用されている。
イバとの結合が容易であり、また、面発光体としての種
々の用途が期待されることから、半導体レーザや発光ダ
イオードの研究分野において開発が進められてきており
、近年、多種類のものが実用されている。
而して、垂直発光型素子の好適なものとして、第５図に
示した如きもの、即ち、平板部と、該平板部の片面上に
設けられた柱状突起と、該平板部の上下両側に設けられ
た電極とからなり１．に記柱状突起内には該平板部に対
して垂直方向に延在する筒状のｐ−ｎ接合（以下、ｐ−
ｎ接合ＰＮ１という）を、また該平板部には該平板部に
平行に延在するｐ−ｎ接合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮ２と
いう）をそれぞれ有する接合型半導体発光素子であり、
ｐ−ｎ接合ＰＮＩを貫通ずる回路Ｃ１とｐ−ｎ接合ＰＮ
２を貫通する回路Ｃ２の２つの回路が存在し、回路Ｃ１
、Ｃ２に生ずる電流密度Ｊ １、ｊ２が弐（１） Ｊｌ＞０．ＩＪ２ （１）を満
足するものが１２案されている。
示した如きもの、即ち、平板部と、該平板部の片面上に
設けられた柱状突起と、該平板部の上下両側に設けられ
た電極とからなり１．に記柱状突起内には該平板部に対
して垂直方向に延在する筒状のｐ−ｎ接合（以下、ｐ−
ｎ接合ＰＮ１という）を、また該平板部には該平板部に
平行に延在するｐ−ｎ接合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮ２と
いう）をそれぞれ有する接合型半導体発光素子であり、
ｐ−ｎ接合ＰＮＩを貫通ずる回路Ｃ１とｐ−ｎ接合ＰＮ
２を貫通する回路Ｃ２の２つの回路が存在し、回路Ｃ１
、Ｃ２に生ずる電流密度Ｊ １、ｊ２が弐（１） Ｊｌ＞０．ＩＪ２ （１）を満
足するものが１２案されている。
しかしながら、かかる接合型半導体発光素子においては
、上記２種類のｐ−ｎ接合のうちｐ−ｎ接合ＰＮＩのみ
が有用であり、ｐ−ｎ接合ＰＮ２、 は水平発光をもた
らすのみであり、本来忌むべきものである。しかしなが
ら、ｐ−ｎ接合ＰＮ２の存在を許容することによって、
当該発光素子の製造に際して５ｉｐｎ接合を形成せしめ
ないようにするための準６ｉｆｆ、工夫などが一切不要
となるので当該発光素子を工業的に低コストで大量生産
することが可能である。従って、ｐ−ｎ接合ＰＮＩがよ
り効率的に発光する接合型半導体発光素子、特に上記の
如（ｐ−ｎ接合ＰＮＩおよびｐ−ｎ接合ＰＮ２の両者を
有する接合型半導体発光素子においても、ｐ−ｎ接合Ｐ
ＮＩのみが実質的に発光するものが切望される。
、上記２種類のｐ−ｎ接合のうちｐ−ｎ接合ＰＮＩのみ
が有用であり、ｐ−ｎ接合ＰＮ２、 は水平発光をもた
らすのみであり、本来忌むべきものである。しかしなが
ら、ｐ−ｎ接合ＰＮ２の存在を許容することによって、
当該発光素子の製造に際して５ｉｐｎ接合を形成せしめ
ないようにするための準６ｉｆｆ、工夫などが一切不要
となるので当該発光素子を工業的に低コストで大量生産
することが可能である。従って、ｐ−ｎ接合ＰＮＩがよ
り効率的に発光する接合型半導体発光素子、特に上記の
如（ｐ−ｎ接合ＰＮＩおよびｐ−ｎ接合ＰＮ２の両者を
有する接合型半導体発光素子においても、ｐ−ｎ接合Ｐ
ＮＩのみが実質的に発光するものが切望される。
本発明の目的は、基板に対して垂直方向および平行方向
にｐ−ｎ接合を有する接合型半導体発光素子であって、
実質的に当該垂直方向のｐ−ｎ接合のみが発光機１１３
を発揮しうる発光素子を提供することである。
にｐ−ｎ接合を有する接合型半導体発光素子であって、
実質的に当該垂直方向のｐ−ｎ接合のみが発光機１１３
を発揮しうる発光素子を提供することである。
本発明−の他の目的は、基板に対して垂直方向のｐ−ｎ
接合がより有効的に発光機能を発揮しうる発光素子を提
供することである。
接合がより有効的に発光機能を発揮しうる発光素子を提
供することである。
本発明は、平板部と、該平板部の片面上に設けられた柱
状突起とからなり、柱状突起内には平板部に対して垂直
方向に延在するｐ−ｎ接合を有し、電極が平板部の柱状
突起を有する側の表面ツタ（に設けられてなる接合型半
導体発光素子に関する。
状突起とからなり、柱状突起内には平板部に対して垂直
方向に延在するｐ−ｎ接合を有し、電極が平板部の柱状
突起を有する側の表面ツタ（に設けられてなる接合型半
導体発光素子に関する。
・〔実施例〕
以下、図面に基づき、本発明を具体的に説明する。
本発明の発光素子は、例えば第１図ａに示す如く平板部
Ｂとその片面に設けられた柱状突起Ｐならびに柱状突起
Ｐの側周部に設けられた電極Ｅ１と平板部Ｂの底面に設
けられた電極Ｅ２とがらなっている。電極Ｅ１及び電極
Ｅ２は、第１図ａに示す通り、柱状突起Ｐの側周部およ
び平板部Ｂの底面の全面に設けられていてもよく、また
それぞれの一部に設けられていてもよい、柱状突起Ｐ内
には平板部Ｂに対して垂直方向に延在する筒状のｐ−ｎ
接合ＰＮＩが存在しており、また平板部Ｂ内には、該平
板部と平行に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ２が存在している
。ｐ−ｎ接合ＰＮＩとｐ−ｎ接合ＰＮ２とは第１図ａに
示す通り互いに連通してもよく、また非連続であっても
よい。
Ｂとその片面に設けられた柱状突起Ｐならびに柱状突起
Ｐの側周部に設けられた電極Ｅ１と平板部Ｂの底面に設
けられた電極Ｅ２とがらなっている。電極Ｅ１及び電極
Ｅ２は、第１図ａに示す通り、柱状突起Ｐの側周部およ
び平板部Ｂの底面の全面に設けられていてもよく、また
それぞれの一部に設けられていてもよい、柱状突起Ｐ内
には平板部Ｂに対して垂直方向に延在する筒状のｐ−ｎ
接合ＰＮＩが存在しており、また平板部Ｂ内には、該平
板部と平行に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ２が存在している
。ｐ−ｎ接合ＰＮＩとｐ−ｎ接合ＰＮ２とは第１図ａに
示す通り互いに連通してもよく、また非連続であっても
よい。
第２図は本発明の他の態様であり、電極Ｅ１は柱状突起
Ｐの側周壁に、また電極Ｅ２は柱状突起頂部にｐ−ｎ接
合部ＰＮＩを被覆しない態様で設けられている以外は第
１図のものと同しである。
Ｐの側周壁に、また電極Ｅ２は柱状突起頂部にｐ−ｎ接
合部ＰＮＩを被覆しない態様で設けられている以外は第
１図のものと同しである。
第３図は本発明のさらに他の態様であり、第３図の態様
においては、平板部Ｂに平行に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ
２が存在しない点においてのみ第２図における態様と異
なる。かくして、第３図の態様においては、平板部Ｂに
対して水平方向に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ２がないので
、さらに効率的に垂直方向の光が取得できる。
においては、平板部Ｂに平行に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ
２が存在しない点においてのみ第２図における態様と異
なる。かくして、第３図の態様においては、平板部Ｂに
対して水平方向に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ２がないので
、さらに効率的に垂直方向の光が取得できる。
本発明においては、ｐ−ｎ接合の形成方法については、
特に制限を要せず、たとえば不純物の拡散法、ｐ（また
はｎ）型半導体Ｉりとｎ（またはｐ）型半導体層のエピ
タキシャル気相成長法（この場合は、異種接合すること
も可能である）、あるいはその他の方法によってよい。
特に制限を要せず、たとえば不純物の拡散法、ｐ（また
はｎ）型半導体Ｉりとｎ（またはｐ）型半導体層のエピ
タキシャル気相成長法（この場合は、異種接合すること
も可能である）、あるいはその他の方法によってよい。
本発明においては、垂直発光に寄与するｐ−ｎ接合ＰＮ
Ｉの長さは、柱状突起Ｐの高さを大きくすることにより
長くすることができるので、柱状突起Ｐの高さは少な（
とも２Ｎ、、特に少なくとも１０１−とすることが好ま
しい。半導体ウェハの表面上に柱状突起Ｐを形成するこ
とは、たとえば反応性イオンエツチング法により可能で
あり、しかして高さ数十〜数百１．の柱状突起を有する
本発明の発光素子が容易に製造できる。
Ｉの長さは、柱状突起Ｐの高さを大きくすることにより
長くすることができるので、柱状突起Ｐの高さは少な（
とも２Ｎ、、特に少なくとも１０１−とすることが好ま
しい。半導体ウェハの表面上に柱状突起Ｐを形成するこ
とは、たとえば反応性イオンエツチング法により可能で
あり、しかして高さ数十〜数百１．の柱状突起を有する
本発明の発光素子が容易に製造できる。
本発明に関して、柱状突起Ｐにおりる「垂直方向」の意
味は平板部Ｂに対して角度９０度の直交方向のみと限定
的に解釈する必要はなく、平板部Ｂに対して９０度より
多少大きい、または小さい（頃斜角度を有する場合も含
まれる０例えば、柱状突起Ｐの全体、もしくはその内部
に形成された円軸円筒状ｐ−ｎ接合ＰＮＩのみを、下部
の直径を大きくした円１１９台状に形成し、光ファイバ
に対して一層結合し易いように出力光を集束するもよく
、あるいは逆に上記とは逆の円Ｓ（を台状とし、使用目
的に応じて適度に発散させるもよい。更に、柱状突起Ｐ
の断面形状または筒状のｐ−ｎ接合ＰＮＩの断面形状は
円形のほか、楕円形、矩形、方形、三角形、或いはその
他任意の形状であ゛ってもよい。
味は平板部Ｂに対して角度９０度の直交方向のみと限定
的に解釈する必要はなく、平板部Ｂに対して９０度より
多少大きい、または小さい（頃斜角度を有する場合も含
まれる０例えば、柱状突起Ｐの全体、もしくはその内部
に形成された円軸円筒状ｐ−ｎ接合ＰＮＩのみを、下部
の直径を大きくした円１１９台状に形成し、光ファイバ
に対して一層結合し易いように出力光を集束するもよく
、あるいは逆に上記とは逆の円Ｓ（を台状とし、使用目
的に応じて適度に発散させるもよい。更に、柱状突起Ｐ
の断面形状または筒状のｐ−ｎ接合ＰＮＩの断面形状は
円形のほか、楕円形、矩形、方形、三角形、或いはその
他任意の形状であ゛ってもよい。
本発明接合型半導体発光素子に用いる発光材料としては
、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡＳ、Ａｊ！ＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ。
、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡＳ、Ａｊ！ＧａＡ
ｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ。
ＩｎＧａＰ、ＩｎＡ６Ｐ、ＧａＡｓＰ、、ＧａＮ。
ＩｎＡｓＰ、ＩｎＡｓＳｂ等、ＩＩ−Ｖｌｌ族化合物半
導体あるＺｎ５ｅ、Ｚｎ５ｓ ＺｎＯ，、ＣｄＳｅ。
導体あるＺｎ５ｅ、Ｚｎ５ｓ ＺｎＯ，、ＣｄＳｅ。
ＣｄＴｃ等、あるいはＩＶ−Ｖｌ族化合物半導体である
ＰｂＴｅ、Ｐｂ５ｎＴｅ、、Ｐｂ５ｎＳｅ等があり、そ
れぞれの材料の長所を活かして適用することが可能であ
る。
ＰｂＴｅ、Ｐｂ５ｎＴｅ、、Ｐｂ５ｎＳｅ等があり、そ
れぞれの材料の長所を活かして適用することが可能であ
る。
本発明の接合型半導体発光素子の製造方法の一例をＧａ
Ａｓ−ＡｅＧａＡＳ系半専体ｔ、ｔ ｔｑを用いた場合
について説明する（第４図のフローシート参照）。
Ａｓ−ＡｅＧａＡＳ系半専体ｔ、ｔ ｔｑを用いた場合
について説明する（第４図のフローシート参照）。
まず、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板Ｂ３の上にｎ型Ａ／ｘＧ
ａ、−ＸＡ３の層Ｂ２、および柱状突起Ｐと上部層Ｂ１
とを形成するためのｎ型ＧａＡ！１層Ａを順次にエビク
キシャル成長させて３層構造のへテロウェハを制作する
（第４図Ｃ参照）。各層の厚さは、例えば層Ｂ２が２〜
５０．、、最上層が２〜２００ 、、、である。このヘ
テロウェハにつき、たとえば反応性イオンエツチング法
により、上記最」二部のｎ型ＧａＡｓ１ｉｌ！をエツチ
ングし、直径および高さがそれぞれ、たとえば５〜１０
０ｓ、、、２０〜２００、、、の円柱状突起Ｐを形成す
る。円柱状突起Ｐを切り出した上記最上部磨の残余の部
分が上部層Ｂ１となる（第４図す参照）０円柱状突起Ｐ
の頂上面には、上記エツチング工程の際に施与したマス
ク層が存在しているが、該マスク層を残存させた状態で
円柱状突起Ｐの側周壁及び」二部層ｒ３１の表面からＰ
型を形成するための不純物、例えばＺｎを拡散させる。
ａ、−ＸＡ３の層Ｂ２、および柱状突起Ｐと上部層Ｂ１
とを形成するためのｎ型ＧａＡ！１層Ａを順次にエビク
キシャル成長させて３層構造のへテロウェハを制作する
（第４図Ｃ参照）。各層の厚さは、例えば層Ｂ２が２〜
５０．、、最上層が２〜２００ 、、、である。このヘ
テロウェハにつき、たとえば反応性イオンエツチング法
により、上記最」二部のｎ型ＧａＡｓ１ｉｌ！をエツチ
ングし、直径および高さがそれぞれ、たとえば５〜１０
０ｓ、、、２０〜２００、、、の円柱状突起Ｐを形成す
る。円柱状突起Ｐを切り出した上記最上部磨の残余の部
分が上部層Ｂ１となる（第４図す参照）０円柱状突起Ｐ
の頂上面には、上記エツチング工程の際に施与したマス
ク層が存在しているが、該マスク層を残存させた状態で
円柱状突起Ｐの側周壁及び」二部層ｒ３１の表面からＰ
型を形成するための不純物、例えばＺｎを拡散させる。
その際、基板Ｂ３の方向に向かう拡散フロントは、バリ
アＦｉＢ２内まで侵入させる。かくして、ＧａＡＳホモ
接合たるｐ−ｎ接合ＰＮＩ及びＡｌＧａＡｓホモ接合た
るｐ−ｎ接合ＰＮ２がそれぞれ形成される（第４図Ｃ参
照）。
アＦｉＢ２内まで侵入させる。かくして、ＧａＡＳホモ
接合たるｐ−ｎ接合ＰＮＩ及びＡｌＧａＡｓホモ接合た
るｐ−ｎ接合ＰＮ２がそれぞれ形成される（第４図Ｃ参
照）。
拡散過程の後、円柱状突起Ｐの頂上面を除き該突起Ｐの
側周壁土に電極Ｅ１が、また平板部Ｂ底面には拡散部分
を除去後、電極Ｅ２が被着される。
側周壁土に電極Ｅ１が、また平板部Ｂ底面には拡散部分
を除去後、電極Ｅ２が被着される。
かくして第１図すに示した構成の接合型半導体発光素子
が製造される。なお、第１図すは第１図ａをより詳細に
示した図である。
が製造される。なお、第１図すは第１図ａをより詳細に
示した図である。
第３図に示した構成の接合型半導体発光素子は、例えば
次のようにして製造される。
次のようにして製造される。
即ち、第４図Ｃに示した接合型半導体発光素子の円柱状
突起頂部（好ましくは、円柱状突起Ｐの頂上面にマスク
層１を有する。但し、第４図すでは当該マスク層１を省
略した）および平板部表面部にマスク層２を設け、柱状
突起Ｐの側周壁は非マスキング状態で不純物の拡散（好
適には、亜鉛の拡散）を行って、実質的に柱状突起Ｐ内
に平板部Ｂに対して垂直方向に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ
１のみを形成させることによって製造される（第４図Ｃ
参照）、電極Ｅｌおよび電極Ｅ２は自体既知の手段にて
設ければよ（、例えば蒸着等の手段にて前面に設け、リ
フトオフして不必要な？ｉＪ極を除去することによって
形成される。
突起頂部（好ましくは、円柱状突起Ｐの頂上面にマスク
層１を有する。但し、第４図すでは当該マスク層１を省
略した）および平板部表面部にマスク層２を設け、柱状
突起Ｐの側周壁は非マスキング状態で不純物の拡散（好
適には、亜鉛の拡散）を行って、実質的に柱状突起Ｐ内
に平板部Ｂに対して垂直方向に延在するｐ−ｎ接合ＰＮ
１のみを形成させることによって製造される（第４図Ｃ
参照）、電極Ｅｌおよび電極Ｅ２は自体既知の手段にて
設ければよ（、例えば蒸着等の手段にて前面に設け、リ
フトオフして不必要な？ｉＪ極を除去することによって
形成される。
かくして、第３図に示した構成の接合型半導体発光素子
が製造される。
が製造される。
かくして実質的に垂直方向にのみ発光する接合型半導体
発光素子が得られる。更に、平板部Ｂの柱状突起Ｐの反
対面に反射鏡または反射膜を設け、かつ柱状突起Ｐの頂
上面に半透明の反射鏡または反射膜を破着形成して光共
振ａ横を具備せしめると半導体レーザとして使用するこ
とができる。この半導体（／−ザにおいては、ｐ−ｎ接
合ＰＮＩからの前記した増幅された自然放出に光帰還が
生じて誘導放出によりレーザ発振し、而して強力で指向
性の良好な発光光が上記の半透明反射鏡または反射膜を
通して平板部Ｂに対して垂直方向に放出される。
発光素子が得られる。更に、平板部Ｂの柱状突起Ｐの反
対面に反射鏡または反射膜を設け、かつ柱状突起Ｐの頂
上面に半透明の反射鏡または反射膜を破着形成して光共
振ａ横を具備せしめると半導体レーザとして使用するこ
とができる。この半導体（／−ザにおいては、ｐ−ｎ接
合ＰＮＩからの前記した増幅された自然放出に光帰還が
生じて誘導放出によりレーザ発振し、而して強力で指向
性の良好な発光光が上記の半透明反射鏡または反射膜を
通して平板部Ｂに対して垂直方向に放出される。
本発明の接合型半導体発光素子は、基板に対して垂直方
向のｐ−ｎ接合を存している発光素子において、平板部
Ｂの柱状突起を有する側の表面以外に（具体的には、柱
状突起Ｐの側周壁および平板部Ｂの底面あるいは柱状突
起Ｐの頂上に）？！極を設けたので、垂直方向のｐ−ｎ
接合のみをＴｉ、流が貫通する。
向のｐ−ｎ接合を存している発光素子において、平板部
Ｂの柱状突起を有する側の表面以外に（具体的には、柱
状突起Ｐの側周壁および平板部Ｂの底面あるいは柱状突
起Ｐの頂上に）？！極を設けたので、垂直方向のｐ−ｎ
接合のみをＴｉ、流が貫通する。
上記作用から明らかなように、本発明の接合型半導体発
光素子は、実質的に垂直方向のｐ−ｎ接合のみが発光機
能を有するので、効率的に垂直方向の光を有効に利用で
きるものである。本発明の発光素子は、ＫＷ １’？Ｊ
、放出による増幅作用を利用してより強力な垂直方向出
力光が得られ、発光ダイオード、半導体レーザ、スーパ
ールミッセントダイオード、高出力発光ダイオード等を
実現することができる。
光素子は、実質的に垂直方向のｐ−ｎ接合のみが発光機
能を有するので、効率的に垂直方向の光を有効に利用で
きるものである。本発明の発光素子は、ＫＷ １’？Ｊ
、放出による増幅作用を利用してより強力な垂直方向出
力光が得られ、発光ダイオード、半導体レーザ、スーパ
ールミッセントダイオード、高出力発光ダイオード等を
実現することができる。
第１図ａ、第１図ｂ、第２図および第３図は本発明の接
合型上ぶ体発光累子の実施例の１ｌｌｌｉ面図である。 第４図は本発明の接合型上え７体発光素子の製法フロー
シー１−である。 第５図は従来例の断面図である。 ＰＮＩ、ＰＮ２ ： ｌ１ｌ−１接合 Ｂ ；平板部 Ｐ ：柱状突起 Ｅｌ、Ｂ２ ：電極 Ｃ１、Ｃ２＋回路 Ｂ１ ：上部層 Ｂ２ ：ｎ型Δ７！ｘ Ｇ ａ ＋−ｘＡｓ
のＩり
合型上ぶ体発光累子の実施例の１ｌｌｌｉ面図である。 第４図は本発明の接合型上え７体発光素子の製法フロー
シー１−である。 第５図は従来例の断面図である。 ＰＮＩ、ＰＮ２ ： ｌ１ｌ−１接合 Ｂ ；平板部 Ｐ ：柱状突起 Ｅｌ、Ｂ２ ：電極 Ｃ１、Ｃ２＋回路 Ｂ１ ：上部層 Ｂ２ ：ｎ型Δ７！ｘ Ｇ ａ ＋−ｘＡｓ
のＩり
Claims (2)
- （１）平板部と、該平板部の片面上に設けられた柱状突
起とからなり、柱状突起内には平板部に対して垂直方向
に延在するｐ−ｎ接合を有し、電極が平板部の柱状突起
を有する側の表面以外に設けられてなる接合型半導体発
光素子。 - （２）一方の電極が柱状突起の側周壁の全部または一部
に、他方の電極が平板の底面の全部または一部あるいは
柱状突起頂部に設けられてなる特許請求の範囲第（１）
項記載の接合型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279693A JPS62137884A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279693A JPS62137884A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137884A true JPS62137884A (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=17614554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60279693A Pending JPS62137884A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62137884A (ja) |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP60279693A patent/JPS62137884A/ja active Pending
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