JPS62137888A - 接合型半導体発光素子 - Google Patents
接合型半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS62137888A JPS62137888A JP60279697A JP27969785A JPS62137888A JP S62137888 A JPS62137888 A JP S62137888A JP 60279697 A JP60279697 A JP 60279697A JP 27969785 A JP27969785 A JP 27969785A JP S62137888 A JPS62137888 A JP S62137888A
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- JP
- Japan
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- junction
- flat plate
- plate part
- columnar protrusion
- columnar
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオードや半導体レーザとして使用し
得る半導体素子に関し、特に柱状突起内に基板（平板部
）に対して垂直方向に形成されたｐ−ｎ接合におけるリ
ング方向の光の自然増殖のない接合型半導体素子に関す
る。
得る半導体素子に関し、特に柱状突起内に基板（平板部
）に対して垂直方向に形成されたｐ−ｎ接合におけるリ
ング方向の光の自然増殖のない接合型半導体素子に関す
る。
基板に対して垂直方向に光を放出する発光素子は光ファ
イバとの結合が容易であり、また、面発光体としての種
々の用途が期待されることから、半導体レーザや発光ダ
イオードの研究分野において開発が進められてきており
、近年、多種類のものが実用されている。
イバとの結合が容易であり、また、面発光体としての種
々の用途が期待されることから、半導体レーザや発光ダ
イオードの研究分野において開発が進められてきており
、近年、多種類のものが実用されている。
而して、垂直発光型素子の好適なものとして、平板部と
、該平板部の片面上に設けた柱状突起と、該平板部の両
側および柱状突起の側周面とに設けられた電極とからな
り、上記柱状突起内には該平板部に対して垂直方向に延
在する筒状のｐ−ｎ接合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮＩとい
う）を、また該平板部内には該平板部に平行に延在する
ｐ −ｎ ｔ、５合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮ２という）
をそれぞれ有し、ＰＮＩの径方向断面が円形である接合
型半導体発光素子が提案されている。
、該平板部の片面上に設けた柱状突起と、該平板部の両
側および柱状突起の側周面とに設けられた電極とからな
り、上記柱状突起内には該平板部に対して垂直方向に延
在する筒状のｐ−ｎ接合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮＩとい
う）を、また該平板部内には該平板部に平行に延在する
ｐ −ｎ ｔ、５合（以下、ｐ−ｎ接合ＰＮ２という）
をそれぞれ有し、ＰＮＩの径方向断面が円形である接合
型半導体発光素子が提案されている。
しかしながら、かかる接合型半導体発光素子においては
、上記ｐ−ｎ接合ＰＮＩの径方向断面が円形であるため
、ｐ−ｎ接合ＰＮＩにおいて、リング方向の光の自然増
殖が生起し、これが本来、光を基板に垂直に取り出すべ
き面方向でのレーザ発振を妨げる原因となるという問題
点がある。
、上記ｐ−ｎ接合ＰＮＩの径方向断面が円形であるため
、ｐ−ｎ接合ＰＮＩにおいて、リング方向の光の自然増
殖が生起し、これが本来、光を基板に垂直に取り出すべ
き面方向でのレーザ発振を妨げる原因となるという問題
点がある。
従って、本発明の目的は、当該リング方向の光の自然増
殖を阻止した接合型半導体素子を提供することにある。
殖を阻止した接合型半導体素子を提供することにある。
本発明は、平板部と、該平板部の片面上に設けた柱状突
起と、平板部及び柱状突起の任意の箇所に設けた？１極
とからなり、少なくとも柱状突起内には平板部に対して
垂直方向に延在するｐ−ｎ接合を存し、当該ｐ−ｎ接合
ＰＮＩの径方向断面が非円形状であることを特徴とする
接合型半導体発光素子に関する。
起と、平板部及び柱状突起の任意の箇所に設けた？１極
とからなり、少なくとも柱状突起内には平板部に対して
垂直方向に延在するｐ−ｎ接合を存し、当該ｐ−ｎ接合
ＰＮＩの径方向断面が非円形状であることを特徴とする
接合型半導体発光素子に関する。
本発明の接合型半導体発光素子は、基板に対して垂直方
向のｐ−ｎ接合ＰＮＩ、即ち柱状突起Ｐ内に形成された
ｐ−ｎ接合ＰＮＩの径方向断面が非円形状であるので、
リング状の光の自然増殖がない。
向のｐ−ｎ接合ＰＮＩ、即ち柱状突起Ｐ内に形成された
ｐ−ｎ接合ＰＮＩの径方向断面が非円形状であるので、
リング状の光の自然増殖がない。
以下、図面に基づき、本発明を具体的に説明する。
本発明の発光素子は、たとえば第１図に示す如く平板部
Ｂとその片面上に設けた柱状突起Ｐ（但し、その径方向
断面は楕円形である）からなり、平板部Ｂの柱状突起Ｐ
側表面並びに柱状突起Ｐの側周面に設けたｐ側電極Ｅ１
と平板部Ｂの底面に設けたｎ（ｌｌＩＪ？！極Ｅ２とか
らなっている。電極Ｅｌおよび電極Ｅ２は、第１図に示
す位置、および面積に特定されるものではなく、本発明
の目的を達成しうる限り、任意の位置に任意の大きさで
設けられる。柱状突起Ｐ内には平板部已に対して垂直方
向に延在する筒状のｐ−ｎ接合ＰＮＩが存在しており、
また平板部Ｂ内には、該平板部と平行に延在するｐ−ｎ
接合ＰＮ２が存在している（当該ｐ−ｎ接合ＰＮ２は必
須ではない）、柱状突起Ｐの形状が楕円形のため、ｐ−
ｎ接合ＰＮＩは楕円形を有しており、かくしてｐ−ｎ接
合ＰＮＩにて発生した光は当該ｐ ｎ接合ＰＮＩの円
軌道をとることが出来ないので、自然増殖されることが
ない。
Ｂとその片面上に設けた柱状突起Ｐ（但し、その径方向
断面は楕円形である）からなり、平板部Ｂの柱状突起Ｐ
側表面並びに柱状突起Ｐの側周面に設けたｐ側電極Ｅ１
と平板部Ｂの底面に設けたｎ（ｌｌＩＪ？！極Ｅ２とか
らなっている。電極Ｅｌおよび電極Ｅ２は、第１図に示
す位置、および面積に特定されるものではなく、本発明
の目的を達成しうる限り、任意の位置に任意の大きさで
設けられる。柱状突起Ｐ内には平板部已に対して垂直方
向に延在する筒状のｐ−ｎ接合ＰＮＩが存在しており、
また平板部Ｂ内には、該平板部と平行に延在するｐ−ｎ
接合ＰＮ２が存在している（当該ｐ−ｎ接合ＰＮ２は必
須ではない）、柱状突起Ｐの形状が楕円形のため、ｐ−
ｎ接合ＰＮＩは楕円形を有しており、かくしてｐ−ｎ接
合ＰＮＩにて発生した光は当該ｐ ｎ接合ＰＮＩの円
軌道をとることが出来ないので、自然増殖されることが
ない。
第２図は本発明の他の態様であり、柱状突起Ｐ（その径
方向断面は円形である）の一部が長さ方向に渡って欠切
されている以外は第１図のものと同じである。この欠切
を有するものは、柱状突起Ｐを一旦形成した後にその一
部を切削することによって製造される。柱状突起Ｐが欠
切された状態で拡散工程を行えば図示したような形状の
ｐ−ｎ接合ＰＮＩが形成される。第２の態様の変更態様
として、ｐ−ｎ接合ＰＮＩを形成した後に柱状突起Ｐの
一部を切削してもよい、すなわち、ｐ−ｎ接合ＰＮＩは
その径方向断面において連続していない形状になる。
方向断面は円形である）の一部が長さ方向に渡って欠切
されている以外は第１図のものと同じである。この欠切
を有するものは、柱状突起Ｐを一旦形成した後にその一
部を切削することによって製造される。柱状突起Ｐが欠
切された状態で拡散工程を行えば図示したような形状の
ｐ−ｎ接合ＰＮＩが形成される。第２の態様の変更態様
として、ｐ−ｎ接合ＰＮＩを形成した後に柱状突起Ｐの
一部を切削してもよい、すなわち、ｐ−ｎ接合ＰＮＩは
その径方向断面において連続していない形状になる。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示し、柱状突起Ｐ
の形状が星形をなす以外は第１図のものと同じである。
の形状が星形をなす以外は第１図のものと同じである。
この場合のｐ−ｎ接合ＰＮＩは柱状突起Ｐの形状と同様
に星形状になる。当該態様においては発光面積が多くな
るので特に好ましい。
に星形状になる。当該態様においては発光面積が多くな
るので特に好ましい。
ｐ−ｎ接合ＰＮＩの径方向断面形状は、その他、円形以
外であれば特に制限されず、柱状突起Ｐの径方向断面の
形状と相似形のｐ−ｎ接合ができる。
外であれば特に制限されず、柱状突起Ｐの径方向断面の
形状と相似形のｐ−ｎ接合ができる。
上述した各実施例では、平板部Ｂ内にｐ−ｎ接合ＰＮ２
が存在した発光素子を使用したが、ｐ−ｎ接合ＰＮ２は
必須ではなく、ｐ−ｎ接合ＰＮ２を有しないものが好ま
しい、それはたとえば、不純物の拡散工程の際に平板部
Ｂの柱状突起Ｐ側表面はマスキング状態で、かつ柱状突
起Ｐの側周面は非マスキング状態で拡散を行えば、ｐ−
ｎ接合ＰＮ２を有しない発光素子が得られる。
が存在した発光素子を使用したが、ｐ−ｎ接合ＰＮ２は
必須ではなく、ｐ−ｎ接合ＰＮ２を有しないものが好ま
しい、それはたとえば、不純物の拡散工程の際に平板部
Ｂの柱状突起Ｐ側表面はマスキング状態で、かつ柱状突
起Ｐの側周面は非マスキング状態で拡散を行えば、ｐ−
ｎ接合ＰＮ２を有しない発光素子が得られる。
本発明においては、ｐ−ｎ接合の形成方法については、
特に制限を要せず、たとえば不純物の拡散法、ｐ （ま
たはｎ）型半導体層とｎ（またはｐ）型半導体層のエピ
タキシャル気相成長法（この場合は、異種接合すること
も可能である）、あるいはその他の方法によってもよい
。
特に制限を要せず、たとえば不純物の拡散法、ｐ （ま
たはｎ）型半導体層とｎ（またはｐ）型半導体層のエピ
タキシャル気相成長法（この場合は、異種接合すること
も可能である）、あるいはその他の方法によってもよい
。
本発明においては、垂直発光に寄与するｐ−ｎ接合ｒ’
Ｎｌの長さは、柱状突起Ｐの高さを大きくすることによ
り長くすることができるので、柱状突起Ｐの高さは少な
くとも２戸、特に少なくとも１０戸とすることが好まし
い、半導体ウェハの表面上に柱状突起を形成することは
、たとえば反応性イオンエツチング法により可能であり
、しかして高さ数十〜数百ｍの柱状突起を有する本発明
の発光素子が容易に製造できる。
Ｎｌの長さは、柱状突起Ｐの高さを大きくすることによ
り長くすることができるので、柱状突起Ｐの高さは少な
くとも２戸、特に少なくとも１０戸とすることが好まし
い、半導体ウェハの表面上に柱状突起を形成することは
、たとえば反応性イオンエツチング法により可能であり
、しかして高さ数十〜数百ｍの柱状突起を有する本発明
の発光素子が容易に製造できる。
本発明に関して、柱状突起Ｐにおける「垂直方向」の意
味は平板部Ｂに対して角度９０度の直角方向のみと限定
的に解釈する必要はなく、平板部に対して９０変より多
少大きい、または小さい傾斜角度を有する場合も含まれ
る。たとえば、柱状突起Ｐの全体、もしくはその内部に
形成されたｐ−ｎ接合ＰＮＩのみを、下部の直径を大き
くした円錐台状等に形成し、光ファイバに対して一層結
合し易いように出力光を集束するもよく、あるいは逆に
上記とは逆の円錐台状とし、使用目的に応じて適度に発
１１（させるもよい。
味は平板部Ｂに対して角度９０度の直角方向のみと限定
的に解釈する必要はなく、平板部に対して９０変より多
少大きい、または小さい傾斜角度を有する場合も含まれ
る。たとえば、柱状突起Ｐの全体、もしくはその内部に
形成されたｐ−ｎ接合ＰＮＩのみを、下部の直径を大き
くした円錐台状等に形成し、光ファイバに対して一層結
合し易いように出力光を集束するもよく、あるいは逆に
上記とは逆の円錐台状とし、使用目的に応じて適度に発
１１（させるもよい。
本発明の接合型半導体発光素子に用いる発光材料として
は、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ。
は、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ。
Ａ ｌＧａＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＧａＡｓＰ、
ＩｎＧａＰ、 ＩｎＡｊ！Ｉ’、 ＧａＡｓＰ。
ＩｎＧａＰ、 ＩｎＡｊ！Ｉ’、 ＧａＡｓＰ。
ＧａＮ、 ＩｎＡｓＰ、 １ｎＡｓｓｂ等、ｎ−ｖｔ族
化合物半窩体であるＺｎ５ｅ＋ ＺｎＳ、 ＺｎＯ＋
ＣｄＳｅ、 ＣｄＴｅ等、あるいは、ＩＶ−ＶＩ族化合
物半導体であるＰｂＴｅ、 ｒ’ｂＳｎＴｅ＋Ｐ１１Ｓ
ｎＳｃ等があり、それぞれの材料の長所を活かして適用
することが可能ごある。
化合物半窩体であるＺｎ５ｅ＋ ＺｎＳ、 ＺｎＯ＋
ＣｄＳｅ、 ＣｄＴｅ等、あるいは、ＩＶ−ＶＩ族化合
物半導体であるＰｂＴｅ、 ｒ’ｂＳｎＴｅ＋Ｐ１１Ｓ
ｎＳｃ等があり、それぞれの材料の長所を活かして適用
することが可能ごある。
次に、第１図に示した本発明の第１の実施例である柱状
突起Ｐの形状が楕円形の接合型半導体素子の装造方法の
一例をＧａＡｓ −Ａ ／！ ＧａＡｓ系半導体材料を
用いた場合について説明する、 まず、第４図に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板Ｂ３の上に
、バリア層であるｎ型のＡ７？χＧａ ｌ−にＡ５層Ｂ
２、および柱状突起Ｐと上部ａＢｔとを形成するための
ｎ型ＧａＡｓ層を順次にエピタキシャル成長させて３層
構造のへテロウェハを制作する。
突起Ｐの形状が楕円形の接合型半導体素子の装造方法の
一例をＧａＡｓ −Ａ ／！ ＧａＡｓ系半導体材料を
用いた場合について説明する、 まず、第４図に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板Ｂ３の上に
、バリア層であるｎ型のＡ７？χＧａ ｌ−にＡ５層Ｂ
２、および柱状突起Ｐと上部ａＢｔとを形成するための
ｎ型ＧａＡｓ層を順次にエピタキシャル成長させて３層
構造のへテロウェハを制作する。
各層の厚さは、例えば層１３２が２〜５ＯＮ・鞠、最」
二層が２〜２００ ／１１１１である。このヘテロウェ
ハにつき、たとえば反応性イオンエツチング法により上
記最上部のｎ型ＧａＡｓ層をエツチングし、柱状突起Ｐ
（但し、その径方向断面は楕円形である）を形成する。
二層が２〜２００ ／１１１１である。このヘテロウェ
ハにつき、たとえば反応性イオンエツチング法により上
記最上部のｎ型ＧａＡｓ層をエツチングし、柱状突起Ｐ
（但し、その径方向断面は楕円形である）を形成する。
当該柱状突起Ｐを切り出した上記最１部石の残余の部分
が上部層ｒ＋ｉとなる。当該柱状突起Ｐの頂上面には、
上記のエツチング工程の際に施与したマスク層が存在し
ているが、該マスク層を所望とするｐ−ｎ接合ＰＮＩの
形状に成型して当該柱状突起Ｐの頂上面に残存させた状
態で当該柱状突起Ｐの側周面および上部［Ｂ１の表面か
らＰ型を形成するための不純物、たとえばＺｎを拡散さ
せる。その際、基板Ｂ３の方向に向う拡散フロントは、
バリアＩ’ｌＢ２内まで侵入させる。かくしてＧａＡｓ
ホモ接合たるｐ−ｎ接合ＰＮＩおよびＡＩＩ ＧａＡｓ
ホモ接合たるｐ−ｎ接合ＰＮ２がそれぞれ形成される。
が上部層ｒ＋ｉとなる。当該柱状突起Ｐの頂上面には、
上記のエツチング工程の際に施与したマスク層が存在し
ているが、該マスク層を所望とするｐ−ｎ接合ＰＮＩの
形状に成型して当該柱状突起Ｐの頂上面に残存させた状
態で当該柱状突起Ｐの側周面および上部［Ｂ１の表面か
らＰ型を形成するための不純物、たとえばＺｎを拡散さ
せる。その際、基板Ｂ３の方向に向う拡散フロントは、
バリアＩ’ｌＢ２内まで侵入させる。かくしてＧａＡｓ
ホモ接合たるｐ−ｎ接合ＰＮＩおよびＡＩＩ ＧａＡｓ
ホモ接合たるｐ−ｎ接合ＰＮ２がそれぞれ形成される。
拡散工程の後に、当該柱状突起Ｐの頂上面を除き該突起
Ｐの側周面上にｐ側電極Ｅ１が、また平板部Ｂの底面に
ｎ側電極Ｅ２が被着される。次いで柱状突起Ｐの頂上面
に残存する電極材料およびマスク層が除去される。なお
、エツチングによる柱状突起Ｐの形成の際、エツチング
を高程度に行って、上部層Ｂ１が残存しないようにして
もよく、更にはバリア層Ｂ２の一部をも除去して、平板
部Ｂの表面にはバリア層Ｂ２の内部が露出する程度とし
てもよい。
Ｐの側周面上にｐ側電極Ｅ１が、また平板部Ｂの底面に
ｎ側電極Ｅ２が被着される。次いで柱状突起Ｐの頂上面
に残存する電極材料およびマスク層が除去される。なお
、エツチングによる柱状突起Ｐの形成の際、エツチング
を高程度に行って、上部層Ｂ１が残存しないようにして
もよく、更にはバリア層Ｂ２の一部をも除去して、平板
部Ｂの表面にはバリア層Ｂ２の内部が露出する程度とし
てもよい。
かくして、垂直方向に発光するがｐ−ｎ接合ＰＮ１にお
けるリング状の光の自然増殖のない接合型半導体発光素
子が得られる。かくして得られた、半４体発光素子にお
いて、平板部Ｂの柱状突起Ｐの反対面に反射鏡または反
射膜を設け、かつ柱状突起Ｐの頂上面に半透明の反射鏡
または反射膜を被着形成して光共振機構を具備せしめる
と半導体レーザとして使用することができる。この半導
体レーザにおいては、ｐ−ｎ接合ＰＮＩからの前記した
増幅された自然放出に光帰還が生じてレーザ発振し、而
して強力で指向性の良好な発光光が上記の半透明反射鏡
または反射膜を透して平板部Ｂに対して垂直方向に放出
される。
けるリング状の光の自然増殖のない接合型半導体発光素
子が得られる。かくして得られた、半４体発光素子にお
いて、平板部Ｂの柱状突起Ｐの反対面に反射鏡または反
射膜を設け、かつ柱状突起Ｐの頂上面に半透明の反射鏡
または反射膜を被着形成して光共振機構を具備せしめる
と半導体レーザとして使用することができる。この半導
体レーザにおいては、ｐ−ｎ接合ＰＮＩからの前記した
増幅された自然放出に光帰還が生じてレーザ発振し、而
して強力で指向性の良好な発光光が上記の半透明反射鏡
または反射膜を透して平板部Ｂに対して垂直方向に放出
される。
上記事項から明らかなように、本発明の接合型半導体発
光素子は、柱状突起内において、平板部に平行な方向の
光の自然増殖を抑えるので、効率的に垂直方向の光を在
勤に利用できるものである。
光素子は、柱状突起内において、平板部に平行な方向の
光の自然増殖を抑えるので、効率的に垂直方向の光を在
勤に利用できるものである。
本発明の発光素子は、誘導放出による増幅作用を利用し
てより強力な垂直方向出力光が得られ、発光ダイオード
、半導体レーザ、スーパー・ルミネセンス・ダイオード
、高出力発光ダイオード等ヲ実現することができる。
てより強力な垂直方向出力光が得られ、発光ダイオード
、半導体レーザ、スーパー・ルミネセンス・ダイオード
、高出力発光ダイオード等ヲ実現することができる。
第１図、第２図および第３図は本発明の発光素子の実施
例の一部破断斜視図、第４図は第１図に示した発光素子
の一部破断斜視図である。 Ｐ ：柱状突起 Ｂ ：平板部 Ｂ１ ：上部層 Ｂ２ ：バリア層 Ｂ３ 二基板 Ｅｌ、Ｂ２ ：電極
例の一部破断斜視図、第４図は第１図に示した発光素子
の一部破断斜視図である。 Ｐ ：柱状突起 Ｂ ：平板部 Ｂ１ ：上部層 Ｂ２ ：バリア層 Ｂ３ 二基板 Ｅｌ、Ｂ２ ：電極
Claims (1)
- 平板部と、該平板部の片面上に設けた柱状突起と、平
板部及び柱状突起の任意の箇所に設けた電極とからなり
、少なくとも柱状突起内には平板部に対して垂直方向に
延在するｐ−ｎ接合を有し、当該ｐ−ｎ接合の径方向断
面が非円形状であることを特徴とする接合型半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279697A JPS62137888A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279697A JPS62137888A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137888A true JPS62137888A (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=17614613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60279697A Pending JPS62137888A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 接合型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62137888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018110816A1 (ko) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 재단법인 대구경북과학기술원 | 단일 방향 발진 마이크로 디스크 레이저 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP60279697A patent/JPS62137888A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018110816A1 (ko) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 재단법인 대구경북과학기술원 | 단일 방향 발진 마이크로 디스크 레이저 |
| US10868406B2 (en) | 2016-12-16 | 2020-12-15 | Daegu Gyeongbuk Institute Of Science And Technology | Unidirectionally oscillating micro disk laser |
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