JPS62140481A - 接合型半導体発光素子 - Google Patents
接合型半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS62140481A JPS62140481A JP60281780A JP28178085A JPS62140481A JP S62140481 A JPS62140481 A JP S62140481A JP 60281780 A JP60281780 A JP 60281780A JP 28178085 A JP28178085 A JP 28178085A JP S62140481 A JPS62140481 A JP S62140481A
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- JP
- Japan
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- junction
- columnar projection
- electrode
- flat plate
- columnar
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオードや半導体レーザとして使用し
得る接合型半導体発光素子に関し、特に、平板部と、該
平板部の片面上に設けた柱状突起と、平板部及び柱状突
起の任意の個所に設けた電極とからなり、少なくとも柱
状突起内に平板部に対して垂直方向に延在するｐｎ接合
を存し、該ｐｎ接合からの発光を一層効率良く得ること
ができる接合型半導体発光素子に関するものである。
得る接合型半導体発光素子に関し、特に、平板部と、該
平板部の片面上に設けた柱状突起と、平板部及び柱状突
起の任意の個所に設けた電極とからなり、少なくとも柱
状突起内に平板部に対して垂直方向に延在するｐｎ接合
を存し、該ｐｎ接合からの発光を一層効率良く得ること
ができる接合型半導体発光素子に関するものである。
基板（平板部）に対して垂直方向に光を放出する発光素
子は、光ファイバとの結合が容易であり、また面発光体
として種々の用途が期待されることから、半導体レーザ
や発光ダイオードの研究分野において開発が進められて
きており、近年、多種類のものが実用化されている。
子は、光ファイバとの結合が容易であり、また面発光体
として種々の用途が期待されることから、半導体レーザ
や発光ダイオードの研究分野において開発が進められて
きており、近年、多種類のものが実用化されている。
而して、本願出願人は、垂直発光型素子の好適なものと
して第５図に示す如く、平板部（Ｂ）と、その片面上に
設けた柱状突起（Ｐ）と、柱状突起（Ｐ）の側周面及び
平板部（Ｂ）の柱状突起（Ｐ）形成側の面〔すなわち、
平板部（Ｂ）の上面〕に設けた一方の電８ｉｉ（Ｅｌ）
と、平板部（Ｂ）の下面に設けた他方の電極（Ｅ２）と
からなり、柱状突起（Ｐ）内には平板部（Ｂ）に対して
垂直方向に延在するｐｎ接合ＰＮＩが、また平板部（Ｂ
）内には該平板部（Ｂ）に対して平行方向に延在するｐ
ｎ接合ＰＮ２が存在する接合型半導体発光素子を提案し
ている。そして電極（Ｅｌ）、（Ｅ２）間に電流を注入
してｐｎ接合ＰＮＩにより平板部（Ｂ）に対して垂直方
向の光を得られるようにしである。図から明らかなよう
に、柱状突起（Ｐ）は先端に行くに従って細くなるテー
パ状、即ち、切頭円錐台形状を呈するものである。
して第５図に示す如く、平板部（Ｂ）と、その片面上に
設けた柱状突起（Ｐ）と、柱状突起（Ｐ）の側周面及び
平板部（Ｂ）の柱状突起（Ｐ）形成側の面〔すなわち、
平板部（Ｂ）の上面〕に設けた一方の電８ｉｉ（Ｅｌ）
と、平板部（Ｂ）の下面に設けた他方の電極（Ｅ２）と
からなり、柱状突起（Ｐ）内には平板部（Ｂ）に対して
垂直方向に延在するｐｎ接合ＰＮＩが、また平板部（Ｂ
）内には該平板部（Ｂ）に対して平行方向に延在するｐ
ｎ接合ＰＮ２が存在する接合型半導体発光素子を提案し
ている。そして電極（Ｅｌ）、（Ｅ２）間に電流を注入
してｐｎ接合ＰＮＩにより平板部（Ｂ）に対して垂直方
向の光を得られるようにしである。図から明らかなよう
に、柱状突起（Ｐ）は先端に行くに従って細くなるテー
パ状、即ち、切頭円錐台形状を呈するものである。
かかる構造の発光素子は、光ファイバに対する光の集束
が容易であり、光ファイバとの結合が極めて簡単に行え
ることから、非常に好ましいものである。
が容易であり、光ファイバとの結合が極めて簡単に行え
ることから、非常に好ましいものである。
前述のような接合型半導体発光素子は、柱状突起（Ｐ）
の切頭円錐台形状により、その内部のｐｎ接合ＰＮＩも
同様の形状を呈することになるので、ｐｎ接合ＰＮＩに
よる発光は矢印で示した如く柱状突起（Ｐ）内のｐｎ接
合ＰＮＩの外周部分全体に及んでいる。しかしながら、
電極（Ｅｌ）が柱状突起（Ｐ）の側周面の全面に設けら
れているため、ｐｎ接合ＰＮＩのうち柱状突起（Ｐ）の
先端から放出される以外の光は電極（Ｅｌ）によって妨
害されて、柱状突起（Ｐ）の先端から外部に取り出すこ
とができない。
の切頭円錐台形状により、その内部のｐｎ接合ＰＮＩも
同様の形状を呈することになるので、ｐｎ接合ＰＮＩに
よる発光は矢印で示した如く柱状突起（Ｐ）内のｐｎ接
合ＰＮＩの外周部分全体に及んでいる。しかしながら、
電極（Ｅｌ）が柱状突起（Ｐ）の側周面の全面に設けら
れているため、ｐｎ接合ＰＮＩのうち柱状突起（Ｐ）の
先端から放出される以外の光は電極（Ｅｌ）によって妨
害されて、柱状突起（Ｐ）の先端から外部に取り出すこ
とができない。
従って本発明の目的は、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光をよ
り強力なものとするため、柱状突起（Ｐ）の側周面がｐ
ｎ接合ＰＮＩからの発光を全面的または部分的に透過す
ることができる接合型半導体発光素子を提供することに
ある。
り強力なものとするため、柱状突起（Ｐ）の側周面がｐ
ｎ接合ＰＮＩからの発光を全面的または部分的に透過す
ることができる接合型半導体発光素子を提供することに
ある。
前記目的は、平板部と、該平板部の片面上に設けた柱状
突起と、平板部及び柱状突起の任意の個所に設けた電極
とからなり、少なくとも柱状突起内に平板部に対して垂
直方向に延在するｐｎ接合を有し、当該柱状突起はその
高さ方向においてテーパ状を呈し、当該柱状突起に設け
た電極がその柱状突起の側周面の全部または一部を露出
する状態で設けられてなることを特徴とする接合型半導
体発光素子により達成される。
突起と、平板部及び柱状突起の任意の個所に設けた電極
とからなり、少なくとも柱状突起内に平板部に対して垂
直方向に延在するｐｎ接合を有し、当該柱状突起はその
高さ方向においてテーパ状を呈し、当該柱状突起に設け
た電極がその柱状突起の側周面の全部または一部を露出
する状態で設けられてなることを特徴とする接合型半導
体発光素子により達成される。
ところで、上記のような接合型半導体発光素子は、平板
部に対して垂直方向に延在するｐｎ接合（ｐｎ接合ＰＮ
１ ）による光を得ることをその本来の目的とするも
のであり、平板部に対して平行方向に延在するｐｎ接合
（ｐｎ接合ＰＮ２）は存在しないか、または存在しても
できるだけ発光しないように様々な工夫をすることが好
ましい。たとえば１つの工夫として、柱状突起内及び平
板部内にｐｎ接合を形成する際に平板部の上部表面をマ
スキングして不純物の拡散を行えば、平板部内に水平方
向に延在するｐｎ接合ＰＮ２が実質的に形成されない接
合型半導体発光素子を得ることができる。
部に対して垂直方向に延在するｐｎ接合（ｐｎ接合ＰＮ
１ ）による光を得ることをその本来の目的とするも
のであり、平板部に対して平行方向に延在するｐｎ接合
（ｐｎ接合ＰＮ２）は存在しないか、または存在しても
できるだけ発光しないように様々な工夫をすることが好
ましい。たとえば１つの工夫として、柱状突起内及び平
板部内にｐｎ接合を形成する際に平板部の上部表面をマ
スキングして不純物の拡散を行えば、平板部内に水平方
向に延在するｐｎ接合ＰＮ２が実質的に形成されない接
合型半導体発光素子を得ることができる。
本発明においてはかかる構造の接合型半導体発光素子を
使用することが好ましい。
使用することが好ましい。
本発明の接合型半導体発光素子は、平板部の片面上に設
けた柱状突起がその高さ方向においてテーパ状を呈し、
一方の電極が当該柱状突起の側周面の全部または一部を
露出する状態で設けられた構造を有するので、当該柱状
突起の側周面からも光を放出することができる。
けた柱状突起がその高さ方向においてテーパ状を呈し、
一方の電極が当該柱状突起の側周面の全部または一部を
露出する状態で設けられた構造を有するので、当該柱状
突起の側周面からも光を放出することができる。
以下、図面に示した実施例に基づき、本発明の接合型半
導体発光素子を具体的に説明する。
導体発光素子を具体的に説明する。
第１図は本発明の発光素子の一実施例であり、発光素子
は、平板部（Ｂ）と、その片面上に設けた柱状突起（Ｐ
）と、柱状突起（Ｐ）の側周面に設けた一方の電極（Ｅ
ｌ）と、平板部（Ｂ）の下面に設けた他方の電極（Ｅ２
）とよりなる。柱状突起（Ｐ）は先端に行くに従って細
くなるテーパ状、即ちこの実施例では切頭円錐台形状を
呈している。
は、平板部（Ｂ）と、その片面上に設けた柱状突起（Ｐ
）と、柱状突起（Ｐ）の側周面に設けた一方の電極（Ｅ
ｌ）と、平板部（Ｂ）の下面に設けた他方の電極（Ｅ２
）とよりなる。柱状突起（Ｐ）は先端に行くに従って細
くなるテーパ状、即ちこの実施例では切頭円錐台形状を
呈している。
柱状突起（Ｐ）内には平板部（Ｂ）に対して垂直方向に
延在する筒状〔柱状突起ＣＰ）と同様の形状〕のｐｎ接
合ＰＮＩが、また平板部（Ｂ）内には該平板部（Ｂ）に
平行に延在するｐｎ接合ＰＮ２が存在している。このｐ
ｎ接合ＰＮＩとｐｎ接合ＰＮ２とは第１図に示す通り互
いに連通してもよ（、また非連続であってもよい。図よ
り明らかなように、電極（Ｅｌ）は柱状突起（Ｐ）の側
周面の全面に設けられているのではなく、柱状突起（Ｐ
）の先細方向に延びる複数の帯状のものであり、各帯状
の電極は電流が導通するように互いに連結されている。
延在する筒状〔柱状突起ＣＰ）と同様の形状〕のｐｎ接
合ＰＮＩが、また平板部（Ｂ）内には該平板部（Ｂ）に
平行に延在するｐｎ接合ＰＮ２が存在している。このｐ
ｎ接合ＰＮＩとｐｎ接合ＰＮ２とは第１図に示す通り互
いに連通してもよ（、また非連続であってもよい。図よ
り明らかなように、電極（Ｅｌ）は柱状突起（Ｐ）の側
周面の全面に設けられているのではなく、柱状突起（Ｐ
）の先細方向に延びる複数の帯状のものであり、各帯状
の電極は電流が導通するように互いに連結されている。
かくして、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光は柱状突起（Ｐ）
の先端だけでなく、電極（Ｅｌ）の設けられていない側
周面をも通じて平板部（Ｂ）に対して垂直方向に放出さ
れ、より強力な光を得ることができる。
の先端だけでなく、電極（Ｅｌ）の設けられていない側
周面をも通じて平板部（Ｂ）に対して垂直方向に放出さ
れ、より強力な光を得ることができる。
電極（Ｅｌ）は、第１図に示したものに限定されること
はなく、たとえば第２図に示す如く、複数個の互いに連
結されたリング状のものであってもよい。要するところ
電極（Ｅｌ）は、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光を出来る限
り阻止しない形状及び面積を存するものであれば、柱状
突起（Ｐ）のどの位置に設けても構わない。また、電極
（Ｅｌ）、（Ｅ２）−間を流れる電流がｐｎ接合ＰＮＩ
を貫通するのならば、電極（Ｅ２）の位置も平板部（Ｂ
）の下面に限定する必要はない。
はなく、たとえば第２図に示す如く、複数個の互いに連
結されたリング状のものであってもよい。要するところ
電極（Ｅｌ）は、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光を出来る限
り阻止しない形状及び面積を存するものであれば、柱状
突起（Ｐ）のどの位置に設けても構わない。また、電極
（Ｅｌ）、（Ｅ２）−間を流れる電流がｐｎ接合ＰＮＩ
を貫通するのならば、電極（Ｅ２）の位置も平板部（Ｂ
）の下面に限定する必要はない。
その一つの例として、電極（Ｅｌ）、（Ｅ２）を第３図
に示した位置に設けてもよい。即ち第３図に示した発光
素子では、電極（Ｅ２）が平板部（Ｂ）の上面に設けら
れ、電極（Ｅｌ）は柱状突起（Ｐ）の頂上面に現出する
ｐｎ接合ＰＮＩを覆わない状態で該頂上面に設けられて
いる。柱状突起（Ｐ）の側周面は電極（Ｅｌ）で全く覆
われていないので、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光を全て取
り出すことができる。
に示した位置に設けてもよい。即ち第３図に示した発光
素子では、電極（Ｅ２）が平板部（Ｂ）の上面に設けら
れ、電極（Ｅｌ）は柱状突起（Ｐ）の頂上面に現出する
ｐｎ接合ＰＮＩを覆わない状態で該頂上面に設けられて
いる。柱状突起（Ｐ）の側周面は電極（Ｅｌ）で全く覆
われていないので、ｐｎ接合ＰＮＩからの発光を全て取
り出すことができる。
第１図〜第３図の各実施例に示した発光素子の柱状突起
の切頭円錐台形状の形成方法の一例を、ＧａＡｓ半導体
材料を用いた場合について第４図に基づき説明する。
の切頭円錐台形状の形成方法の一例を、ＧａＡｓ半導体
材料を用いた場合について第４図に基づき説明する。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板（Ｂ）上にポジ型レジスト（Ｒ
）を形成する（第り図ａ参照）。次にａに示したような
中央部が紫外線を通さない材料（たとえば、クロム等）
で非常に薄くマスクされたフォトマスク（Ｍ）と基板（
Ｂ）とを離して紫外線により露光する。レジスト（Ｒ）
において露光量の少ない個所は薄く残るので、ｂに示し
たような形状のレジスト（Ｒ）ができる。この状態で、
たとえば反応性イオンエツチング法により基板（Ｂ）を
エツチングすると、レジスト（Ｒ）はＧａＡｓ基板（Ｂ
）と比較して少しずつエツチングされる（第４図Ｃ参照
）。さらに長時間エツチングすることにより、切頭円錐
台形状の柱状突起（Ｐ）が形成される（第４凹ｄ参照）
。
）を形成する（第り図ａ参照）。次にａに示したような
中央部が紫外線を通さない材料（たとえば、クロム等）
で非常に薄くマスクされたフォトマスク（Ｍ）と基板（
Ｂ）とを離して紫外線により露光する。レジスト（Ｒ）
において露光量の少ない個所は薄く残るので、ｂに示し
たような形状のレジスト（Ｒ）ができる。この状態で、
たとえば反応性イオンエツチング法により基板（Ｂ）を
エツチングすると、レジスト（Ｒ）はＧａＡｓ基板（Ｂ
）と比較して少しずつエツチングされる（第４図Ｃ参照
）。さらに長時間エツチングすることにより、切頭円錐
台形状の柱状突起（Ｐ）が形成される（第４凹ｄ参照）
。
その後に、不純物を拡散してｐｎ接合ＰＮＩ及びＰＮ２
を形成し、所定の位置に電極（Ｅｌ）、（Ｅ２）を設け
れば、発光ダイオードとして使用することのできる接合
型半導体発光素子が得られる。
を形成し、所定の位置に電極（Ｅｌ）、（Ｅ２）を設け
れば、発光ダイオードとして使用することのできる接合
型半導体発光素子が得られる。
さらに、得られた半導体発光素子において、平板部（Ｂ
）の下面のうち柱状突起（Ｐ）の直下に当たる個所に反
射鏡または反射膜を設け、かつ柱状突起（Ｐ）の頂上面
に半透明の反射鏡または反射膜を被着形成して光共振機
構を具備せしめると半導体レーザとしても使用すること
が出来る。この半導体レーザにおいては、ｐｎ接合ＰＮ
Ｉからの前記した増幅された自然放出に光帰還が生じて
誘導放出によりレーザ発振し、而して強力で指向性の良
好な発光が上記した半透明反射鏡または反射膜を通して
柱状突起（Ｐ）の先端から平板部（Ｂ）に対して垂直方
向に放出される。
）の下面のうち柱状突起（Ｐ）の直下に当たる個所に反
射鏡または反射膜を設け、かつ柱状突起（Ｐ）の頂上面
に半透明の反射鏡または反射膜を被着形成して光共振機
構を具備せしめると半導体レーザとしても使用すること
が出来る。この半導体レーザにおいては、ｐｎ接合ＰＮ
Ｉからの前記した増幅された自然放出に光帰還が生じて
誘導放出によりレーザ発振し、而して強力で指向性の良
好な発光が上記した半透明反射鏡または反射膜を通して
柱状突起（Ｐ）の先端から平板部（Ｂ）に対して垂直方
向に放出される。
本発明に関して、柱状突起（Ｐ）における「垂直方向」
の意味は平板部（Ｂ）に対して角度９０”の直角方向の
みと限定的に解釈する必要はなく、平板部ＣＢ）に対し
て９０°より多少大きい、または小さい傾斜角度を有す
る場合も含まれる。たとえば、柱状突起（Ｐ）の全体、
もしくはその内部に形成されたｐｎ接合ＰＮＩのみを、
下部の直径を小さくした実施例とは反対向きのテーパ状
に形成してもよい。さらに、柱状突起（Ｐ）の径方向断
面形状またはｐｎ接合ＰＮＩの径方向断面形状は切頭円
錐台形状の場合の円形の他、楕円形、矩形、方形、三角
形、或いはその他任意の形状であってもよい。
の意味は平板部（Ｂ）に対して角度９０”の直角方向の
みと限定的に解釈する必要はなく、平板部ＣＢ）に対し
て９０°より多少大きい、または小さい傾斜角度を有す
る場合も含まれる。たとえば、柱状突起（Ｐ）の全体、
もしくはその内部に形成されたｐｎ接合ＰＮＩのみを、
下部の直径を小さくした実施例とは反対向きのテーパ状
に形成してもよい。さらに、柱状突起（Ｐ）の径方向断
面形状またはｐｎ接合ＰＮＩの径方向断面形状は切頭円
錐台形状の場合の円形の他、楕円形、矩形、方形、三角
形、或いはその他任意の形状であってもよい。
本発明においては、垂直発光に寄与するｐｎ接合ＰＮＩ
の長さは、柱状突起（Ｐ）の亮さを大きくすることによ
り長くすることができるので、柱状突起（Ｐ）の高さは
少なくとも２戸、特に少なくともＩＯ−とすることが好
ましい。半導体ウェハの表面上に柱状突起（Ｐ）を形成
することは、たとえば反応性イオンエツチング法により
可能であり、しかして高さ数十〜数百ｍの柱状突起（Ｐ
）を有する本発明の発光素子が容易に製造できる。また
、ｐｎ接合の形成方法については、特に制限を要せず、
例えば不純物の拡散法、ｐ （またはｎ）型半導体層と
ｎ（またはｐ）型半導体層のエピタキシャル気相成長法
（この場合は、異種接合することも可能である）、或い
はその他の方法であってもよい。
の長さは、柱状突起（Ｐ）の亮さを大きくすることによ
り長くすることができるので、柱状突起（Ｐ）の高さは
少なくとも２戸、特に少なくともＩＯ−とすることが好
ましい。半導体ウェハの表面上に柱状突起（Ｐ）を形成
することは、たとえば反応性イオンエツチング法により
可能であり、しかして高さ数十〜数百ｍの柱状突起（Ｐ
）を有する本発明の発光素子が容易に製造できる。また
、ｐｎ接合の形成方法については、特に制限を要せず、
例えば不純物の拡散法、ｐ （またはｎ）型半導体層と
ｎ（またはｐ）型半導体層のエピタキシャル気相成長法
（この場合は、異種接合することも可能である）、或い
はその他の方法であってもよい。
本発明の接合型半導体発光素子に用いる発光材料として
は、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ、１１ＧａＡ
ｓ、 ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡｓＰ 、、ＩｎＧａＰ
、 ＩｎＡｓＳｂ ％ＧａＡｓＰ ％ ＧａＮ ％
ＩｎＡｓＰ 、 ＩｎＡｓＳｂ等、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体であるＺｎ５ｅ 、 ＺｎＳ 、 ＺｎＯ、Ｃｄ
Ｓｅ、 ＣｄＴｅ等、或いはＴＶ−Ｖｌ族化合物半導体
であるＰｂＴｅ、Ｐｂ５ｎＴｅＸＰｂＳｎＳｅ等があり
、それぞれの材料の長所を活かして適用することが可能
である。
は、ｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ、１１ＧａＡ
ｓ、 ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡｓＰ 、、ＩｎＧａＰ
、 ＩｎＡｓＳｂ ％ＧａＡｓＰ ％ ＧａＮ ％
ＩｎＡｓＰ 、 ＩｎＡｓＳｂ等、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体であるＺｎ５ｅ 、 ＺｎＳ 、 ＺｎＯ、Ｃｄ
Ｓｅ、 ＣｄＴｅ等、或いはＴＶ−Ｖｌ族化合物半導体
であるＰｂＴｅ、Ｐｂ５ｎＴｅＸＰｂＳｎＳｅ等があり
、それぞれの材料の長所を活かして適用することが可能
である。
上記事項から明らかなように、本発明の接合型半導体発
光素子においては、ｐｎ接合からの光を当該柱状突起の
先端だけでなく側周面からも放出することができるので
、より強力な光を効率的に取得することができる。
光素子においては、ｐｎ接合からの光を当該柱状突起の
先端だけでなく側周面からも放出することができるので
、より強力な光を効率的に取得することができる。
第１図は本発明の接合型半導体発光素子の一実施例の斜
視図、第２図は第１図に示した接合型半導体発光素子の
変形例の斜視図、第３図は本発明の接合型半導体発光素
子の別の実施例の斜視図、第４図（ａ）〜（ｄ）は第１
図〜第３図に示した発光素子の切頭円錐台状柱状突起の
形成方法の一例を示す流れ図、第５図は従来の接合型半
導体発光素子の断面図である。
視図、第２図は第１図に示した接合型半導体発光素子の
変形例の斜視図、第３図は本発明の接合型半導体発光素
子の別の実施例の斜視図、第４図（ａ）〜（ｄ）は第１
図〜第３図に示した発光素子の切頭円錐台状柱状突起の
形成方法の一例を示す流れ図、第５図は従来の接合型半
導体発光素子の断面図である。
Claims (1)
- 平板部と、該平板部の片面上に設けた柱状突起と、平板
部及び柱状突起の任意の個所に設けた電極とからなり、
少なくとも柱状突起内に平板部に対して垂直方向に延在
するｐｎ接合を有し、当該柱状突起はその高さ方向にお
いてテーパ状を呈し、当該柱状突起に設けた電極がその
柱状突起の側周面の全部または一部を露出する状態で設
けられてなることを特徴とする接合型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281780A JPS62140481A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 接合型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281780A JPS62140481A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 接合型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140481A true JPS62140481A (ja) | 1987-06-24 |
Family
ID=17643870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60281780A Pending JPS62140481A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 接合型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280674A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP60281780A patent/JPS62140481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280674A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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