JPS62136637A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS62136637A JPS62136637A JP27775185A JP27775185A JPS62136637A JP S62136637 A JPS62136637 A JP S62136637A JP 27775185 A JP27775185 A JP 27775185A JP 27775185 A JP27775185 A JP 27775185A JP S62136637 A JPS62136637 A JP S62136637A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cresol
- photoresist composition
- rate
- naphthoquinonediazide
- positive photoresist
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は一般に幅射線に感応するポジ型フォトレジスト
組成物に関するものであシ、詳しくはアルカリ可溶性樹
脂及びｌ、コーナフトキシンジアジド基？含む化合物か
ら生るポジ型フォトレジスト組成物の改良に関するもの
である。
組成物に関するものであシ、詳しくはアルカリ可溶性樹
脂及びｌ、コーナフトキシンジアジド基？含む化合物か
ら生るポジ型フォトレジスト組成物の改良に関するもの
である。
（従来の技術）
集積回路の高集積度化は年々加速度的に進み、現在では
集積ＫＩＯ万以上のいわゆる超ＬＳＩの時代となりｓ”
’μｍルールさらには／、Ｑ９ｍルールの設計の時代に
なっている。それに伴いフォトリソグラフィー技術に対
する要求も年々厳シくなって米ている。このフォトリソ
グラフィー技術に於て、従来使用されてき几レジストは
その大部分が、環化ポリイソプレンゴムに元架橋剤とし
てビスアジド化合物を添加して得られるネガ型レジスト
である。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨掴に
よシ解塚力に限度があシ、３μｍ以上の解像力を得るこ
とは離しい。
集積ＫＩＯ万以上のいわゆる超ＬＳＩの時代となりｓ”
’μｍルールさらには／、Ｑ９ｍルールの設計の時代に
なっている。それに伴いフォトリソグラフィー技術に対
する要求も年々厳シくなって米ている。このフォトリソ
グラフィー技術に於て、従来使用されてき几レジストは
その大部分が、環化ポリイソプレンゴムに元架橋剤とし
てビスアジド化合物を添加して得られるネガ型レジスト
である。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨掴に
よシ解塚力に限度があシ、３μｍ以上の解像力を得るこ
とは離しい。
上記要求に応える事が出来るのはポジ型フォトレジスト
である。ポジ型フォトレジスト組成物はアルカリ可溶性
の樹脂を感元性物／ｘ、一般には置換されたナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物ともに含むものである。ナフ
トキノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸収
し。
である。ポジ型フォトレジスト組成物はアルカリ可溶性
の樹脂を感元性物／ｘ、一般には置換されたナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物ともに含むものである。ナフ
トキノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸収
し。
カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在する水分と反
応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液のアル
カリ水に溶解する現象を応用している。
応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液のアル
カリ水に溶解する現象を応用している。
このようにポジ型フォトレジストは、現像液力１１
としてアルカリ水溶ｇを用いるのでネク型の場合と異な
りレジストが膨潤せず、従って解像力を高めることが可
能なのである。
りレジストが膨潤せず、従って解像力を高めることが可
能なのである。
このようにポジ型フォトレジストは、ネガ型レジストと
比較すれば一般に非膨潤、高解像力と特徴とするレジス
トとして登場し一μｍルールの超ＬＳＩ使用されてきた
。
比較すれば一般に非膨潤、高解像力と特徴とするレジス
トとして登場し一μｍルールの超ＬＳＩ使用されてきた
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら超ＬＳＩの設計ルールが１．３４ｍさらに
はへ〇μｍルールとさらに微細化されるに従って従来の
ポジ型フォトレジストでは解像力が物足りなくなシ、さ
らにはエツチング法としてリアクチブイオンエツチング
法（以下ＲＩＥ法と略す）が−膜化されるにし友かい従
来のメジ型フォトレジストでは耐熱性並びに耐ＲＩＥ性
が不十分であることが明らかとなり上記問題点を克服し
たレジストの出現が望まれてい友。
はへ〇μｍルールとさらに微細化されるに従って従来の
ポジ型フォトレジストでは解像力が物足りなくなシ、さ
らにはエツチング法としてリアクチブイオンエツチング
法（以下ＲＩＥ法と略す）が−膜化されるにし友かい従
来のメジ型フォトレジストでは耐熱性並びに耐ＲＩＥ性
が不十分であることが明らかとなり上記問題点を克服し
たレジストの出現が望まれてい友。
（問題点を解決する手段）
本発明者等は特にこの点に留意し鋭意検討を進めた結果
アルカリ可溶性樹ｊ１ｈ及びｌ、ニーナフトキノンジア
ジド化合物を含む化合物から成るポジ型フォトレジスト
組成物に於て、ナフトキノンジアジド基の含有率がある
範囲にあると解像力、耐熱性、耐ＲＩＥ性が総てすぐれ
たレジストを与えることを見出し本発明に到達したもの
である。
アルカリ可溶性樹ｊ１ｈ及びｌ、ニーナフトキノンジア
ジド化合物を含む化合物から成るポジ型フォトレジスト
組成物に於て、ナフトキノンジアジド基の含有率がある
範囲にあると解像力、耐熱性、耐ＲＩＥ性が総てすぐれ
たレジストを与えることを見出し本発明に到達したもの
である。
すなわち本発明の要旨は、アルカリ土類金属脂及ヒノ、
コーナフトキノンジアジド基と含む化合物から成るポジ
型フォトレジスト組成物に於て、全固形物に対する１，
２−ナフトキノンジアジド基の割合が、０．７ミリ当１
／１以上ｕ、ｊミリ当ｆｆｉ／Ｆ以下であることを特徴
とするポジ型フォトレジスト組成物に存する。
コーナフトキノンジアジド基と含む化合物から成るポジ
型フォトレジスト組成物に於て、全固形物に対する１，
２−ナフトキノンジアジド基の割合が、０．７ミリ当１
／１以上ｕ、ｊミリ当ｆｆｉ／Ｆ以下であることを特徴
とするポジ型フォトレジスト組成物に存する。
以下本発明を説明するに、本発明のアルカリ可溶性樹脂
はフェノール、クレゾール、キシレノール等トフォルム
アルデヒド等のアルデヒドとの縮合によシ生ずるノボラ
ック樹脂が望ましい。更に望ましくは０−クレゾール、
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールのうち１つ又は任意の
ふたつの混合物もしくは王者の混合物とフォルムアルデ
ヒドから得られるノボラック樹脂、あるいｆｔ、 ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの異
性体の一つから成る混合物とフォルムアルデヒドから得
られるノボラック樹脂が用いられる。
はフェノール、クレゾール、キシレノール等トフォルム
アルデヒド等のアルデヒドとの縮合によシ生ずるノボラ
ック樹脂が望ましい。更に望ましくは０−クレゾール、
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールのうち１つ又は任意の
ふたつの混合物もしくは王者の混合物とフォルムアルデ
ヒドから得られるノボラック樹脂、あるいｆｔ、 ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの異
性体の一つから成る混合物とフォルムアルデヒドから得
られるノボラック樹脂が用いられる。
特に望ましくはＯ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾールの第１図に示された三角座標の斜線の部分に
当てはまる組成の混合物とフォルムアルデヒドから得ら
れるノボラック樹脂、成いはｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、及ヒキシレンールの任意の１つの異性体好まし
くはユ、ｊ−異性体のｊＡｒｏに示された三角座標の斜
線の部分に当てはまる組成の混合物とフォルムアルデヒ
ドから１υられるノボラック樹脂が用いられる。まｔボ
リル−ヒドロキシスチレンも好適に用いられる。又複数
の樹脂をブレンドして用いても艮い。
クレゾールの第１図に示された三角座標の斜線の部分に
当てはまる組成の混合物とフォルムアルデヒドから得ら
れるノボラック樹脂、成いはｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、及ヒキシレンールの任意の１つの異性体好まし
くはユ、ｊ−異性体のｊＡｒｏに示された三角座標の斜
線の部分に当てはまる組成の混合物とフォルムアルデヒ
ドから１υられるノボラック樹脂が用いられる。まｔボ
リル−ヒドロキシスチレンも好適に用いられる。又複数
の樹脂をブレンドして用いても艮い。
これ等の樹脂はフェノール類とアルデヒドの混合物を酸
触媒で縮合させる公知の方法に依っテ、若ｔ、＜ハル−
ヒドロキシスチレンモノマーとラジカル若しくはカチオ
ン重合させることによって容易に得ることが出来る。該
アルカリ可Ｍ 性ｍ 脂ハ、 ’ｙ’ルパーミエーシヲ
ンクロマトグラフイーを用いポリスチレン換算値？もっ
て分子量としたときの重量平均分子ｋが１０００〜、ｙ
ａｏｏｏ、好ましくはｌ！；００〜２０．０００゜さら
に好ましくは二〇〇〇−／！；、０００の範囲のものが
使用される。
触媒で縮合させる公知の方法に依っテ、若ｔ、＜ハル−
ヒドロキシスチレンモノマーとラジカル若しくはカチオ
ン重合させることによって容易に得ることが出来る。該
アルカリ可Ｍ 性ｍ 脂ハ、 ’ｙ’ルパーミエーシヲ
ンクロマトグラフイーを用いポリスチレン換算値？もっ
て分子量としたときの重量平均分子ｋが１０００〜、ｙ
ａｏｏｏ、好ましくはｌ！；００〜２０．０００゜さら
に好ましくは二〇〇〇−／！；、０００の範囲のものが
使用される。
／、２−ナフトキノンジアジド基を含む化合物としては
／、−一ナフトキノンジアジドー！−スルホン酸、或い
は／、コーナフトキノンジアジドーグースルホン酸とポ
リヒドロキシ芳香族化合物とのエステルが用いられる。
／、−一ナフトキノンジアジドー！−スルホン酸、或い
は／、コーナフトキノンジアジドーグースルホン酸とポ
リヒドロキシ芳香族化合物とのエステルが用いられる。
該ポリヒドロキシ芳香族化合物としてｄ ２．．３．’
ｌ−）リヒドロキシベンゾフエノン、 ！、、７．Ｑ
、ｌＩ’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、あるいは
ケルセチン等が好適に用Ａられる。
ｌ−）リヒドロキシベンゾフエノン、 ！、、７．Ｑ
、ｌＩ’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、あるいは
ケルセチン等が好適に用Ａられる。
ポリヒドロキシ芳香族化合物のエステル化率があまりに
低いと見掛けの感度は上昇するものの未露光部の現像後
の残膜率の低下が見られるので３０％以上、好ましくは
３３Ｓ以上で使用するのが望ましい。
低いと見掛けの感度は上昇するものの未露光部の現像後
の残膜率の低下が見られるので３０％以上、好ましくは
３３Ｓ以上で使用するのが望ましい。
このような感光剤はポリヒドロキシ芳香族化合物と／、
Ｊ−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸、或いはｌ
−−ナフトキノンジアジドーダースルホン酸の酸塩化物
を塩基の存在下に反応させる公知の方法に依って容易に
得ることが出来る。
Ｊ−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸、或いはｌ
−−ナフトキノンジアジドーダースルホン酸の酸塩化物
を塩基の存在下に反応させる公知の方法に依って容易に
得ることが出来る。
７、−一ナフトキノンジアジド基を含む化合物とアルカ
リ可溶性ａｆｔ旨との比率、更に詳しくは全固形物中の
／、２−ナフトキノンジアジド基の占める割合はレジス
トの性能？決める上で極めて重要であシ５本発明の骨子
を成すものである。
リ可溶性ａｆｔ旨との比率、更に詳しくは全固形物中の
／、２−ナフトキノンジアジド基の占める割合はレジス
トの性能？決める上で極めて重要であシ５本発明の骨子
を成すものである。
全固形物中の７．−一ナフトキノンジアジド基の占める
割合を現わす指標として全固形物中ｉｐ甲に含まれるｌ
、コーナフトキノンジアジド二基のミリ当量を以て現わ
す事とし、１，２−ナフトキノンジアジド基と略号Ｑで
現わす事が多いので、Ｑ率とよぷことにする。
割合を現わす指標として全固形物中ｉｐ甲に含まれるｌ
、コーナフトキノンジアジド二基のミリ当量を以て現わ
す事とし、１，２−ナフトキノンジアジド基と略号Ｑで
現わす事が多いので、Ｑ率とよぷことにする。
Ｑ率はレジストの感度、解像力、未ｍｓ元部の現像後の
残膜率、耐熱性、耐ｆｔＩＥｉ性等の性能と密接な関係
にあ）感度以外の性能はＱ率を上げる事によって向上す
る。特に耐熱性、耐ｆｌｌＥ性は著しく向上する。本発
明者等はＱ率の最適値を得るべく鋭意検討を重ねた結果
Ｑ４の範囲としてＯ，７〜−１Ｓミリ当ｆｉｋ＃、好ま
しくは０、ざｓ −ｉ、ｔｒミリ当ｎ／ｊｊｓ 更に好
ましくは０．９３〜ｉ、ｚ ミ＋）当ｉ／ ｇを得て本
発明を完成した。
残膜率、耐熱性、耐ｆｔＩＥｉ性等の性能と密接な関係
にあ）感度以外の性能はＱ率を上げる事によって向上す
る。特に耐熱性、耐ｆｌｌＥ性は著しく向上する。本発
明者等はＱ率の最適値を得るべく鋭意検討を重ねた結果
Ｑ４の範囲としてＯ，７〜−１Ｓミリ当ｆｉｋ＃、好ま
しくは０、ざｓ −ｉ、ｔｒミリ当ｎ／ｊｊｓ 更に好
ましくは０．９３〜ｉ、ｚ ミ＋）当ｉ／ ｇを得て本
発明を完成した。
Ｑ率がこれ以下であると耐熱性、耐ＲＩＥ性に劣シ、解
像力、未蕗元部の現像後の残膜率も十分でない。Ｑ率が
これ以上であると感度が極端に低くな）′！之塗膜性も
低下する。
像力、未蕗元部の現像後の残膜率も十分でない。Ｑ率が
これ以上であると感度が極端に低くな）′！之塗膜性も
低下する。
アルカリ可溶性樹脂及び／、２−ナフトキノンジアジド
基と含む化合物から成るポジ型フォトレジスト組成物で
従来知られているものとして例えば特開昭Ｓ−−！；１
９３）．特開昭ｊｔ−１りｌ／λ、特開昭５ｔｔ−ｔｂ
！；０！ｒ３ｍ特開昭６０−！り３Ｊ９．特開昭ルθ−
／＋４ダｔ４ｔ。
基と含む化合物から成るポジ型フォトレジスト組成物で
従来知られているものとして例えば特開昭Ｓ−−！；１
９３）．特開昭ｊｔ−１りｌ／λ、特開昭５ｔｔ−ｔｂ
！；０！ｒ３ｍ特開昭６０−！り３Ｊ９．特開昭ルθ−
／＋４ダｔ４ｔ。
等があるが、それらの開示され九実施例からＱ率の算出
の可能なものについて計算してみると特開昭ｊコーよ／
９３／ではＯ，Ｓコル０．６コ、特開昭！； ｇ −／
７ ／ ／ 、２では０．’ｌ Ｊ −０，１Ｋ。
の可能なものについて計算してみると特開昭ｊコーよ／
９３／ではＯ，Ｓコル０．６コ、特開昭！； ｇ −／
７ ／ ／ 、２では０．’ｌ Ｊ −０，１Ｋ。
特開昭７９−／ＡよＯよＪではｏ、ｒり〜０．＆ダ等い
ずれもＯ０７以下である。
ずれもＯ０７以下である。
通常はこれらを適当な溶媒に溶解して用いる。
溶媒としては該感光剤、該樹脂に対して、十分な溶解度
を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は
無いが、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチル
セロンルプアセテート、エチルセロンルプアセテートな
どのセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセ
テート等のエステル糸の溶媒、又はジメチルフォルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
の扁極性溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳
香族炭化水素を添加したもの等が上げられる。
を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は
無いが、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチル
セロンルプアセテート、エチルセロンルプアセテートな
どのセロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセ
テート等のエステル糸の溶媒、又はジメチルフォルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
の扁極性溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳
香族炭化水素を添加したもの等が上げられる。
上記レジスト組成物を公知の方法により、基板に塗布匝
、所定のパターンに露光し、現像すト ることによシ良好なレジスｊ像を得る事が出来る。
、所定のパターンに露光し、現像すト ることによシ良好なレジスｊ像を得る事が出来る。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現像液には、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水
などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、
メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級アン
モニウム塩若しくはこれにアルコール、界面活性剤等を
添加した物を使用することができる。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水
などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、
メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級アン
モニウム塩若しくはこれにアルコール、界面活性剤等を
添加した物を使用することができる。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は超ＬＳＩの製造
のみならず一般のＩＱ製造用、さらにはマスク創作用、
あるいはオフセット印刷用としても有用である。
のみならず一般のＩＱ製造用、さらにはマスク創作用、
あるいはオフセット印刷用としても有用である。
次に具体例を挙げて本発明を更にくわしく説明するが、
本発明はその要旨を越えないかぎシは実施例によシ何等
制約は受けないことは申すまでも無い。
本発明はその要旨を越えないかぎシは実施例によシ何等
制約は受けないことは申すまでも無い。
（合成例）：樹脂Ａ（第一表参照））
メタクレゾール、？ ００ ｍｍｏｌｅ、ノ々ラクレゾ
ール２００ ｍｍｏｌｅ 、及びコツ３−キシレノール
３００ｍｍｏ１θの混合物を攪拌下ｉｏｏ℃に加熱。内
温が約９３℃で一定に成った後、？７％ホルマリン水溶
ｇｔコーにしゆう酸ダＯｍｒｎｏ１θをとかした溶液を
２０分で滴下２滴下後、？、！ｔ’ｃで６時間反応させ
る。反応終了後、バス温を徐々に上げながら水及び未反
応モノマーを留去（最長液温／ｌｓＯ℃、最終圧−〇ｔ
ｍＭｊｉ）。生成物を放冷。
ール２００ ｍｍｏｌｅ 、及びコツ３−キシレノール
３００ｍｍｏ１θの混合物を攪拌下ｉｏｏ℃に加熱。内
温が約９３℃で一定に成った後、？７％ホルマリン水溶
ｇｔコーにしゆう酸ダＯｍｒｎｏ１θをとかした溶液を
２０分で滴下２滴下後、？、！ｔ’ｃで６時間反応させ
る。反応終了後、バス温を徐々に上げながら水及び未反
応モノマーを留去（最長液温／ｌｓＯ℃、最終圧−〇ｔ
ｍＭｊｉ）。生成物を放冷。
ｇｂ！ｙのノボラック樹脂′ｆｒ：４た。
このノボラック樹脂の重重平均分子−ｉをゲルパーミエ
ーシ日ンクロマトグラフイーにより測定したところポリ
スチレン換Ｋ 値でＪ４ｔ’ｔＯであった。
ーシ日ンクロマトグラフイーにより測定したところポリ
スチレン換Ｋ 値でＪ４ｔ’ｔＯであった。
（合成例λ、３）
合成ｆ／ＩＪ／と同様の手法によシ樹脂Ｂ、偵脂Ｏ（表
１参照）を合成した。
１参照）を合成した。
（実施例／、）
合成例１で合成し之ノボラック樹Ｂば、ｙ、ｏ ｙとユ
、ｊ、ｌ、ダ′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの／
、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸のエステ
ル化物（エステル比率７５％）２．Ｊり！Ｉ（Ｑｌ／、
００ミリ当ｉｔ／ｌ）をエチルセロソルブアセテート９
．５−に溶解し０．２μｍのテフロン表ろ紙（住友電工
掬！Ａ）を用すて精密ろ過してフォトレジスト組成物を
調製する。
、ｊ、ｌ、ダ′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの／
、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸のエステ
ル化物（エステル比率７５％）２．Ｊり！Ｉ（Ｑｌ／、
００ミリ当ｉｔ／ｌ）をエチルセロソルブアセテート９
．５−に溶解し０．２μｍのテフロン表ろ紙（住友電工
掬！Ａ）を用すて精密ろ過してフォトレジスト組成物を
調製する。
このフォトレジスト組成物ｆａインチのシリコノウｍ−
バー上に／、！ｒμｍの厚さにスピンコーティング装置
（ミカサ１掬裂／Ｈ−コ型）を用いて塗布し９０℃、３
０分のプリベークの後。
バー上に／、！ｒμｍの厚さにスピンコーティング装置
（ミカサ１掬裂／Ｈ−コ型）を用いて塗布し９０℃、３
０分のプリベークの後。
縮小投影露光機（キャノン■製、ＦＰＡ−／ｑｌ型）と
用いてＭ偉力テスト用マスクを使用して露光しテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドユ、３ｇ％水溶敲
で１分間、コ５’ｏで現像する。
用いてＭ偉力テスト用マスクを使用して露光しテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドユ、３ｇ％水溶敲
で１分間、コ５’ｏで現像する。
感度は一０θμｍのマスクパターンを再現する露光エネ
ルギーの逆数の相対値を以て定義し。
ルギーの逆数の相対値を以て定義し。
残膜率は未露元部の膜厚の現像前後の比の百分率で現わ
した。解像力はレジストの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＩＭ）で観察しく×ｉｔ）、ｏθθ）解像出来る最小
のラインなスペースで現わし九〇また耐熱性は樵種の温
度でポストベークした後レジストの断面を走査型電子顕
微鏡（ＳＩＣＭ）で観察しく×７ａｏｏｏ）レジストフ
ローが始まる寸前の品度で表示する。結果を表／Ｋｍめ
る。
した。解像力はレジストの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＩＭ）で観察しく×ｉｔ）、ｏθθ）解像出来る最小
のラインなスペースで現わし九〇また耐熱性は樵種の温
度でポストベークした後レジストの断面を走査型電子顕
微鏡（ＳＩＣＭ）で観察しく×７ａｏｏｏ）レジストフ
ローが始まる寸前の品度で表示する。結果を表／Ｋｍめ
る。
（実施例コ、３）
実施例１と同様に調液、評価を行っ九。結果を表／Ｉｃ
まとめる。
まとめる。
（比較例）
実施例と同様にして調べ、評価を行った。
結果を表７に嬰める。
ノ９ンダー樹脂
Ａ：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２．！−キシレ
ノールＣ＝ｊ／−２／Ｊ）フォルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂Ｍｗ Ｊ、 ！ ００Ｂ二ｍ−クレゾール／ｐ−
クレゾール（＝ Ｊ／−）フォルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂Ｍｗ＝／二〇〇〇 ＣＨ，，１−クレゾール／ｐ−クレゾール／、２は一キ
シレノール（＝／／八ｇへｌ）フォルムアルデヒドノボ
ラック樹脂、Ｍｗ：＝グ１ｇ。
ノールＣ＝ｊ／−２／Ｊ）フォルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂Ｍｗ Ｊ、 ！ ００Ｂ二ｍ−クレゾール／ｐ−
クレゾール（＝ Ｊ／−）フォルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂Ｍｗ＝／二〇〇〇 ＣＨ，，１−クレゾール／ｐ−クレゾール／、２は一キ
シレノール（＝／／八ｇへｌ）フォルムアルデヒドノボ
ラック樹脂、Ｍｗ：＝グ１ｇ。
感 光 斉り
Ｘ ： ｕ、、？、ｌ、＆’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンのｌ、２−ナフト中ノンジアジドー５−スルホ
ン酸エステル。エステル化率 ？！ｒ九 ’ｌ ： ２．Ｊ、１４− ） ＩＪヒドロキシベンゾ
フェノンの７．コーナアトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステ／Ｕ。エステル化率９ｔＡ２：クルセチンの
／、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸エステ
ル。エステル化率ｉｏｏ比 （発明の効果） 本発明の組成物によれば解像力、耐熱性等の緒特性に勝
れ次フォトレジストがイ０られ、超ＬＥＩＩ等の開発に
大変好適に用い得るものである。
フェノンのｌ、２−ナフト中ノンジアジドー５−スルホ
ン酸エステル。エステル化率 ？！ｒ九 ’ｌ ： ２．Ｊ、１４− ） ＩＪヒドロキシベンゾ
フェノンの７．コーナアトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステ／Ｕ。エステル化率９ｔＡ２：クルセチンの
／、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸エステ
ル。エステル化率ｉｏｏ比 （発明の効果） 本発明の組成物によれば解像力、耐熱性等の緒特性に勝
れ次フォトレジストがイ０られ、超ＬＥＩＩ等の開発に
大変好適に用い得るものである。
第１図は本発明に用いるノボラック樹脂を得るに好適な
０−クレゾール、ｍ−クレゾール。 ｐ−クレゾールの好適混合割合を示す三角座標、第一図
はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノールに関
する第１図と同様の三角座標である。
０−クレゾール、ｍ−クレゾール。 ｐ−クレゾールの好適混合割合を示す三角座標、第一図
はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノールに関
する第１図と同様の三角座標である。
Claims (5)
- （１）アルカリ可溶性樹脂及び１，２−ナフトキノンジ
アジド基を含む化合物から成るポジ型フォトレジスト組
成物に於て、全固形物に対する１，２−ナフトキノンジ
アジド基の割合が、０．７ミリ当量／ｇ以上２．５ミリ
当量／ｇ以下であることを特徴とするポジ型フォトレジ
スト組成物。 - （２）該アルカリ可溶性樹脂がｏ−クレゾール、ｍ−ク
レゾール、ｐ−クレゾールのうち１つ又は任意のふたつ
の混合物もしくは三者の混合物とフォルムアルデヒドか
ら得られるノボラック樹脂、あるいは、ｍ−クレゾール
、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの異性体の一つか
ら成る混合物とフォルムアルデヒドから得られるノボラ
ック樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第一項
記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - （３）該アルカリ可溶性樹脂がｏ−クレゾール、ｍ−ク
レゾール、ｐ−クレゾールの第一図に示された三角座標
の斜線の部分に当てはまる組成の混合物とフォルムアル
デヒドから得られるノボラック樹脂、或いはｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの任意の１つ
の異性体の第一図に示された三角座標の斜線の部分に当
てはまる組成の混合物とフォルムアルデヒドから得られ
るノボラック樹脂であることを特徴とする特許請求の範
囲第一項記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - （４）該１，２−ナフトキノンジアジド基を含む化合物
が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、或
いは１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸と
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、或いはケ
ルセチンとのエステルの１種もしくは複数種であること
を特許とする特許請求の範囲第一項記載のポジ型フォト
レジスト組成物。 - （５）該１，２−ナフトキノンジアジド基を含む化合物
が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、或
いは１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸と
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、或いはケ
ルチセンとのエステルの１種もしくは複数種であり、エ
ステル化率（エステル化率とは全ヒドロキシ基に対する
エステル化されたヒドロキシ基の百分率を以て定義する
。）が５５％以上であることを特徴とする特許請求の範
囲第一項記載のポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277751A JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277751A JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136637A true JPS62136637A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0690441B2 JPH0690441B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17587822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60277751A Expired - Lifetime JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690441B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS59162542A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60158440A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60162249A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60277751A patent/JPH0690441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS59162542A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60158440A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60162249A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690441B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
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