JPH04293050A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型レジスト組成物
に関し、さらに詳しくは、半導体素子、磁気バブルメモ
リー素子、集積回路などの製造に必要な微細加工用ポジ
型レジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体を製造する場合、シリコンウエハ
表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射して
潜像を形成し、次いでそれを現像してネガまたはポジの
画像を形成するリソグラフィー技術によって、半導体素
子の形成が行われている。従来、半導体素子を形成する
ためのレジスト組成物としては、環化ポリイソプレンと
ビスジアジド化合物からなるネガ型レジストが知られて
いる。しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で
現像するので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、
高集積度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。 一方、このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジ
スト組成物は、解像性に優れているため半導体の高集積
化に十分対応できると考えられている。現在、この分野
で一般的に用いられているポジ型レジスト組成物は、ノ
ボラック樹脂とキノンジアジド化合物からなるものであ
る。しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は感度
、残膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性は
必ずしも満足な結果は得られておらず性能の向上が望ま
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感度
、残膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性の
優れた、特に１μｍ以下の微細加工に適したポジ型レジ
スト組成物を提供することにある。本発明者らは、前記
従来技術の有する問題点を克服するために鋭意研究した
結果、アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有す
るポジ型レジスト組成物において、該感光剤としてフェ
ノール性水酸基を有する特定の化合物とキノンジアジド
スルホン酸化合物とのエステルを用いることにより、前
記目的を達成できることを見出し、その知見に基づいて
本発明を完成するに至った。

【０００４】

【問題を解決するための手段】かくして本発明によれば
、アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有するポ
ジ型レジスト組成物において、該感光剤として下記一般
式〔Ｉ〕および〔ＩＩ〕で示される少なくとも１種のフ
ェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを
含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物が提供
される。

【０００５】

【化３】一般式〔Ｉ〕 （Ｒ１〜Ｒ６：水素、ハロゲン、水酸基、Ｃ１〜Ｃ４の
アルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、またはＣ１〜
Ｃ８のアルコキシ基であり、同一または異なっていても
よい。 Ｒ７：Ｃ１〜Ｃ８のアルキル基である。 Ｒ８：水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のア
ルケニル基、またはＣ６〜Ｃ１５のアリール基である。 ）

【０００６】

【化４】一般式〔ＩＩ〕 （Ｒ９〜Ｒ１０：水素、ハロゲン、水酸基、Ｃ１〜Ｃ４
のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、Ｃ１〜Ｃ８
のアルコキシ基、またはアシル基であり、同一または異
なっていてもよい。 Ｒ１１〜Ｒ１２：水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ４のアルキ
ル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、またはＣ１〜Ｃ８の
アルコキシ基であって、同一または異なっていてもよい
。 Ｒ１３：Ｃ１〜Ｃ８のアルキル基である。 Ｒ１４：水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５の
アルケニル基またはＣ６〜Ｃ１５のアリール基である。 ）以下、本発明について詳述する。

【０００７】（アルカリ可溶性フェノール樹脂）本発明
において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂とし
ては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物
、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノー
ル系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生
成物などが挙げられる。

【０００８】ここで用いるフェノール類の具体例として
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プルピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類、レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールＡ、フロログルシノール、ピロガロールなどの多価
フェノール類などが挙げられる。アルデヒド類の具体例
としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベン
ズアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる
。ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げ
られる。これらの縮合反応は常法にしたがって行なうこ
とができる。

【０００９】ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェ
ノールの単独重合体およびビニルフェノールと共重合可
能な成分との共重合体から選択される。共重合可能な成
分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸とこれ
らの誘導体、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イ
ミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げ
られる。

【００１０】イソプロペニルフェノール系重合体は、イ
ソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソプロペ
ニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体から選
択される。共重合可能な成分の具体例としては、アクリ
ル酸、メタクリル酸とその誘導体、スチレン、無水マレ
イン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリ
ロニトリルなどが挙げられる。

【００１１】フェノール樹脂の水素添加反応生成物を用
いる場合は、その生成物は任意の公知の方法によって製
造することが可能である。例えば、フェノール樹脂を有
機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素添加触媒
の存在下、水素を導入することによって達成できる。こ
れらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用いら
れるが、２種以上を混合して用いてもよい。

【００１２】本発明のポジ型レジスト組成物には必要に
応じて、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善するた
めに、例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸ま
たは無水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マレ
イン酸との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニル
ピロリドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加する
ことができる。添加量は、アルカリ可溶性フェノール樹
脂１００重量部に対して上記重合体０〜５０重量部、好
ましくは５〜２０重量部である。

【００１３】（感光剤）本発明において用いられる感光
剤は、前記一般式〔Ｉ〕または〔ＩＩ〕で示される化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステルであれば、特に
限定されるものではないが、例えば、１，２−ベンゾキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，
１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、その他のキノンジアジドスルホン酸エステルなどが
挙げられる。

【００１４】本発明で用いられる感光剤の母核となる一
般式〔Ｉ〕または〔ＩＩ〕で示されるフェノール化合物
は、フェノール性水酸基とともにアルコキシ基を有する
ことが特徴であり、例えば、置換または未置換のフェノ
ール類とアルコキシ基を有するベンズアルデヒド類を酸
性触媒化で縮合するか、あるいは相当するフェノール類
の水酸基の一部を塩基存在下でアルキル硫酸でアルキル
化することによって得られる。一般式〔Ｉ〕または〔Ｉ
Ｉ〕で示されるフェノール化合物の具体例としては、以
下のものが挙げられる。

【００１５】

【化５】

【００１６】

【化６】

【００１７】

【化７】

【００１８】

【化８】

【００１９】

【化９】

【００２０】

【化１０】

【００２１】

【化１１】

【００２２】

【１２】

【００２３】

【化１３】

【００２４】

【化１４】

【００２５】

【化１５】

【００２６】

【化１６】

【００２７】

【化１７】

【００２８】

【化１８】

【００２９】

【化１９】

【００３０】

【化２０】

【００３１】

【化２１】

【００３２】

【化２２】

【００３３】

【化２３】

【００３４】

【化２４】

【００３５】

【化２５】

【００３６】

【化２６】

【００３７】

【化２７】

【００３８】

【化２８】

【００３９】本発明で用いる感光剤は、一般式〔Ｉ〕ま
たは〔ＩＩ〕で示されるフェノール化合物とキノンジア
ジドスルホン酸化合物とのエステルである。キノンジア
ジドスルホン酸化合物としては、例えば、１，２−ベン
ゾキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸などのｏ−キノンジアジドスルホン酸
化合物、その他のキノンジアジドスルホン酸誘導体など
が挙げられる。本発明で用いるキノンジアジドスルホン
酸エステルは、常法にしたがってキノンジアジドスルホ
ン酸化合物をクロルスルホン酸でスルホニルクロライド
とし、得られたキノンジアジドスルホニルクロライドと
、一般式〔Ｉ〕または〔ＩＩ〕で示されるフェノール化
合物とを縮合させることにより得られる。例えば、一般
式〔Ｉ〕または〔ＩＩ〕で示されるフェノール化合物と
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イドの所定量をジオキサン、アセトンまたはテトラヒド
ロフラン等の溶剤に溶解し、トリエチルアミン、ピリジ
ン、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナト
リウムまたは水酸化カリウム等の塩基性触媒を加えて反
応させ、得られた生成物を水洗、乾燥して調製できる。

【００４０】本発明で用いられる感光剤において、前記
一般式〔Ｉ〕または〔ＩＩ〕で示されるフェノール化合
物に対するキノンジアジドスルホン酸化合物のエステル
化の比率は、特に限定されるものではないが、通常、２
０〜１００モル％、好ましくは５０〜９５モル％の範囲
である。エステル化の比率が低すぎるとパターン形状や
解像性の劣化をまねき、エステル化の比率が高すぎると
感度の劣化をまねく場合がある。

【００４１】本発明で用いる感光剤の配合割合は、特に
限定されるものではないが、アルカリ可溶性フェノール
樹脂１００重量部に対して、通常、１〜１００重量部、
好ましくは５〜４０重量部の範囲である。この配合割合
が少なすぎると十分な残膜率が得られず、解像性の劣化
をまねき、逆に、配合割合が多すぎると耐熱性の劣化を
まねき好ましくない。

【００４２】本発明で用いる感光剤は、それぞれ単独で
、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる
。また、別の種類の感光剤と混合して用いることもでき
る。混合する別の種類の感光剤としては、特に限定され
るものではなく、公知のキノンジアジドスルホン酸エス
テルであれば使用できる。具体例としては、クレゾール
、キシレノール、レゾルシン、カコール、ヒドロキノン
、ピロガロール、フロログルシノール、フロログルシド
、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４
，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４
′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３
，４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２
′，３，４，５′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，３′，４，５′−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒドロキ
シベンゾフェオン、２，３′，４，４′，５′，６−ヘ
キサヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没食
子酸エチル、没食子酸プロピル、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、クレゾー
ルノボラック樹脂、レゾルシン−アセトン樹脂、ピロガ
ロール−アセトン樹脂、ポリビニルフェノール樹脂およ
びビニルフェノールの共重合体などのキノンジアジドス
ルホン酸エステルが挙げられる。

【００４３】（その他の成分）本発明のポジ型レジスト
組成物は、基板に塗布してレジスト膜を形成するために
、通常、溶剤に溶解して用いる。溶剤としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノンなどのケトン類；ｎ−プロピルアルコール、ｉ
ｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、シ
クロヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピル
、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソ
ルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチル
セロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート
、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステ
ル類；プロピレングリコール、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエー
テルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル
、ジエチレングリコールジェチルエーテル、ジエチレン
グリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリ
コール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水
素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これ
らは、単独でも２種以上を混合して用いてもよい。本発
明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて、染料、
界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防
止剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させるこ
とができる。

【００４４】本発明のポジ型レジスト組成物の現像液と
しては、アルカリの水溶液を用いるが、具体的には、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、
アンモニアなどの無機アルカリ類；エチルアミン、プロ
ピルアミンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジプ
ロピルアミンなどの第二のアミン類；トリメチルアミン
、トリエチルアミンなどの第三アミン類；ジメチルメタ
ノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコール
アミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒド
ロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒ
ドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル
ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四
級アンモニウム塩などが挙げられる。さらに、必要に応
じて上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノール、プ
ロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶媒
、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑制剤などを適
量添加することができる。

【００４５】

【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて本発明を
さらに具体的に説明する。なお、実施例中の部および％
は、特に断りのない限り重量基準である。

【００４６】（合成例１）フェノール２０．７ｇ（０．
２２ｍｏｌ）とバニリン１５．２ｇ（０．１０ｍｏｌ）
をフラスコにとり、氷酢酸３１．１ｇを加えて溶解した
。これに硫酸／酢酸（重量比＝１．１／１．０の混酸）
１６．４ｇを加え、撹拌しながら室温で４８時間反応さ
せた。この反応溶液に水３００ｇを加えて洗浄した後、
析出物を濾別し、エチルエーテル２００ｇに溶解した。 これを水２００ｇで３回洗浄し、濃縮して固形分を得た
。固形分を酢酸エチルで再結晶を行い結晶を濾過、乾燥
し、前記構造式［化５］の化合物２６．８ｇを得た。

【００４７】［化５］の化合物と、この水酸基の６７ｍ
ｏｌ％に相当する１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロライドをジオキサンに溶解して１０％の
溶液とした。この溶液を２０〜２５℃にコントロールし
ながら、トリエチルアミンを１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホニルクロライドの１．２当量分を３０
分かけて滴下し、さらに４時間保持して反応を完結させ
た。析出してきた塩を濾別し、反応溶液の１０倍量のイ
オン交換水に投入した。析出してきた固形分を濾過、水
洗、乾燥して、エステル化反応生成物である感光剤Ａを
得た。

【００４８】（合成例２）感光剤母核の原料として、２
，５−キシレノールとバニリンを用いて、合成例１と同
様の方法により、前記構造式［化７］の化合物を得た。 さらに合成例１と同様のエステル化反応を行ない感光剤
Ｂを得た。

【００４９】（合成例３）感光剤母核の原料として、ｏ
−クレゾールとｏ−バニリンを用いて、合成例１と同様
の方法により、前記構造式［化９］の化合物を得た。さ
らに合成例１と同様のエステル化反応を行ない感光剤Ｃ
を得た。

【００５０】（合成例４）感光剤母核の原料として、ホ
モカテコールとバニリンを用いて、合成例１と同様の方
法により、前記構造式［化１６］の化合物を得た。さら
に、化合物［化１６］と、この水酸基の７５ｍｏｌ％に
相当する１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライドから、合成例１と同様のエステル化反応を
行ない感光剤Ｄを得た。

【００５１】（合成例５）感光剤母核の原料として、ホ
モカテコールとｏ−アニスアルデヒドを用い合成例１と
同様の方法により、前記構造式［化１９］の化合物を得
た。さらに、化合物［化１９］と、この水酸基の８０ｍ
ｏｌ％に相当する１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロライドから、合成例１と同様のエステル
化反応を行ない感光剤Ｅを得た。

【００５２】（合成例６）前記構造式［化７］の化合物
と、この水酸基の８５ｍｏｌ％の１，２−ナフトキノン
アジド−５−スルホニルクロライドから、合成例１と同
様のエステル化反応を行ない感光剤Ｆを得た。

【００５３】（合成例７）２，３，４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンと、この水酸基の６７ｍｏｌ％に相当す
る１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロ
ライドから、合成例１と同様のエステル化反応を行ない
感光剤Ｇを得た。

【００５４】［実施例１］ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾ
ール（５／５）混合物にホルマリンを加え、シュウ酸触
媒を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１０
０部と、感光剤Ａ２５部を乳酸エチル３５０部に溶解し
、０．１μｍのテフロンフィルター（ポリテトラフルオ
ロエチレンフィルター）で濾過してレジスト溶液を調製
した。上記レジスト溶液をシリコンウエハ上にコーター
で塗布した後、１００℃で９０秒間プリベークを行ない
、膜厚１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエ
ハをｇ線ステッパーＮＳＲ１５０５Ｇ６Ｅ（ニコン社製
、ＮＡ＝０．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を
行なった。次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液で２３℃、１分間パドル法により現像
してポジ型パターンを形成した。このウエハを取り出し
て電子顕微鏡で観察し、レジスト評価を行った。結果を
表１に示す。表１中、感度は、０．６５μｍの１：１ラ
イン＆スペースパターンが設計寸法通りに形成できる露
光時間を表わし、解像度およびパターン形状は、この露
光条件における限界解像度とレジスト形状を表わす。

【００５５】［実施例２〜５］それぞれ感光剤Ｂ、Ｃ、
ＤおよびＥを用いたこと以外は実施例１と同様にしてレ
ジスト溶液を調製し、評価を行なった。結果を表１に示
す。

【００５６】［比較例１］感光剤Ｇを用いたこと以外は
実施例１と同様にしてレジスト溶液を調製し、評価を行
なった。結果を表１に示す。

【００５７】［実施例６］感光剤Ｆを用いたこと以外は
実施例１と同様にしてレジスト溶液を調製した。プリベ
ークを９０℃で９０秒間行なったこと以外は実施例１と
同様な方法でレジスト膜の形成、露光を行ない、ついで
１１０℃で６０秒間露光後ベーク（Ｐｏｓｔ　　Ｅｘｐ
ｏｓｕｒｅ　　Ｂａｋｉｎｇ）を行ない、２．３８％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃
、１分間パドル法により現像してポジ型パターンを形成
した。評価結果を表１に示す。

【００５８】［実施例７］実施例６のレジストを用い、
露光をｉ線ステッパーＮＳＲ１５０５ｉ７Ａ（ニコン社
製、ＮＡ＝０．４５）を用いたこと以外は実施例６と同
様にしてパターン形成とレジスト評価を行なった。感度
は３２０ｍｓｅｃで、この時０．４５μｍのライン＆ス
ペースパターンが解像できており、このパターンは垂直
で良好な形状をしていた。また、露光量３４０ｍｓｅｃ
で０．４０μｍのライン＆スペースパターンを解像して
いた。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、感度、残膜率、解像性
、耐熱性などの諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を
提供することができる。本発明のポジ型レジスト組成物
は、特に、１μｍ以下の微細加工に適している。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光
   剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感光剤
   として下記一般式〔Ｉ〕および〔ＩＩ〕で示される少な
   くとも１種のフェノール化合物のキノンジアジドスルホ
   ン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レジス
   ト組成物。 【化１】一般式〔Ｉ〕 （Ｒ１〜Ｒ６：水素、ハロゲン、水酸基、Ｃ１〜Ｃ４の
   アルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、またはＣ１〜
   Ｃ８のアルコキシ基であり、同一または異なっていても
   よい。 Ｒ７：Ｃ１〜Ｃ８のアルキル基である。 Ｒ８：水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のア
   ルケニル基、またはＣ６〜Ｃ１５のアリール基である。 ）【化２】一般式〔ＩＩ〕 （Ｒ９〜Ｒ１０：水素、ハロゲン、水酸基、Ｃ１〜Ｃ４
   のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、Ｃ１〜Ｃ８
   のアルコキシ基、またはアシル基であり、同一または異
   なっていてもよい。 Ｒ１１〜Ｒ１２：水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ４のアルキ
   ル基、Ｃ２〜Ｃ５のアルケニル基、またはＣ１〜Ｃ８の
   アルコキシ基であって、同一または異なっていてもよい
   。Ｒ１３：Ｃ１〜Ｃ８のアルキル基である。 Ｒ１４：水素、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ２〜Ｃ５の
   アルケニル基、またはＣ６〜Ｃ１５のアリール基である
   。）