JPH08272089A - ポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速度調整方法 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速度調整方法Info
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- JPH08272089A JPH08272089A JP7434595A JP7434595A JPH08272089A JP H08272089 A JPH08272089 A JP H08272089A JP 7434595 A JP7434595 A JP 7434595A JP 7434595 A JP7434595 A JP 7434595A JP H08272089 A JPH08272089 A JP H08272089A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】はじめに設定したレジスト諸特性を変化させる
ことなく、簡単に溶解速度を調整出来るポジ型フォトレ
ジスト組成物及びその溶解速度調整方法を提供するこ
と。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サ
リチル酸の少なくとも一つ、もしくは４級アンモニウム
塩、メタクリル酸、アクリル酸エステル重合体、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも
一つを固形分に対して０．１〜１０重量％含有するポジ
型フォトレジスト。
ことなく、簡単に溶解速度を調整出来るポジ型フォトレ
ジスト組成物及びその溶解速度調整方法を提供するこ
と。 【構成】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サ
リチル酸の少なくとも一つ、もしくは４級アンモニウム
塩、メタクリル酸、アクリル酸エステル重合体、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも
一つを固形分に対して０．１〜１０重量％含有するポジ
型フォトレジスト。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程やＴ
ＦＴを含む液晶表示装置の製造工程および各種エッチン
グパーツなどの製造工程において用いるポジ型フォトレ
ジトの組成物に関し、特に溶解速度つまり感度が簡単に
調整できるポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速
度調整方法に関する。
ＦＴを含む液晶表示装置の製造工程および各種エッチン
グパーツなどの製造工程において用いるポジ型フォトレ
ジトの組成物に関し、特に溶解速度つまり感度が簡単に
調整できるポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速
度調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポジ型フォトレジストに要求され
る特性としてコート性、感度、未露光部の残膜率、解像
度、エッチング耐性（ドライエッチング耐性を含む）、
保存安定性などが要求されている。一般的にレジストは
樹脂と感光剤と溶剤から成り立っている。樹脂や感光剤
はロットによってかなり特性がばらつくため、毎回同じ
組成でレジスト化を行うと、感度が変化しパターン寸法
がきちんと得られなくなる。よって、ふつうは樹脂を混
合してロットが変化しても同等の感度が得られるよう調
整を行っている。しかし、この方法で調整を行うと他の
レジスト特性が変化するという問題点があった。
る特性としてコート性、感度、未露光部の残膜率、解像
度、エッチング耐性（ドライエッチング耐性を含む）、
保存安定性などが要求されている。一般的にレジストは
樹脂と感光剤と溶剤から成り立っている。樹脂や感光剤
はロットによってかなり特性がばらつくため、毎回同じ
組成でレジスト化を行うと、感度が変化しパターン寸法
がきちんと得られなくなる。よって、ふつうは樹脂を混
合してロットが変化しても同等の感度が得られるよう調
整を行っている。しかし、この方法で調整を行うと他の
レジスト特性が変化するという問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決する為になされたものであり、その課題と
するところは、特に半導体の製造工程、ＴＦＴを含む液
晶表示装置の製造工程および各種エッチングパーツなど
の製造工程において、その溶解速度つまり感度が簡単に
調整できるポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速
度調整方法を提供することにある。
問題点を解決する為になされたものであり、その課題と
するところは、特に半導体の製造工程、ＴＦＴを含む液
晶表示装置の製造工程および各種エッチングパーツなど
の製造工程において、その溶解速度つまり感度が簡単に
調整できるポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速
度調整方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
する為、アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サ
リチル酸の少なくとも一つ、もしくは４級アンモニウム
塩、メタクリル酸、アクリル酸エステル重合体、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも
一つを固形分に対して０．１〜１０重量％含有してなる
ことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物を提供
し、これにより溶解速度を速くするか、または遅くする
ことにより溶解速度を調整する方法を提供する。
する為、アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノンジ
アジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物
において、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サ
リチル酸の少なくとも一つ、もしくは４級アンモニウム
塩、メタクリル酸、アクリル酸エステル重合体、ポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも
一つを固形分に対して０．１〜１０重量％含有してなる
ことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物を提供
し、これにより溶解速度を速くするか、または遅くする
ことにより溶解速度を調整する方法を提供する。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おけるアルカリ可溶性樹脂としては、フェノールまたは
クレゾールなどとアルデヒド類とから製造されるノボラ
ック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルキル
エーテル、スチレンとアクリル酸の共重合体、メタクリ
ル酸とメタクリルアルキル酸との共重合体、ヒドロキシ
スチレンの重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエー
ト、ポリビニルヒドロキシベンザルなどを挙げることが
できる。
おけるアルカリ可溶性樹脂としては、フェノールまたは
クレゾールなどとアルデヒド類とから製造されるノボラ
ック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルキル
エーテル、スチレンとアクリル酸の共重合体、メタクリ
ル酸とメタクリルアルキル酸との共重合体、ヒドロキシ
スチレンの重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエー
ト、ポリビニルヒドロキシベンザルなどを挙げることが
できる。
【０００６】１、２−ナフトキノンジアジド系感光剤と
しては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエス
テル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノジアジド−５−スルホン酸のエステ
ル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンと１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸の
エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸のエステル、２，２’，３，４，４’−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸のエステル、２，２’，３，４，４’
−ペンタヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸のエステルなどを挙げる
ことが出来る。
しては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエス
テル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノジアジド−５−スルホン酸のエステ
ル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンと１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸の
エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸のエステル、２，２’，３，４，４’−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸のエステル、２，２’，３，４，４’
−ペンタヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸のエステルなどを挙げる
ことが出来る。
【０００７】溶剤の例としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどの
ケトン系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶剤、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙
げることが出来る。これらは単独で用いてもよいし、２
種類以上混合して用いてもよい。
ルケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどの
ケトン系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶剤、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙
げることが出来る。これらは単独で用いてもよいし、２
種類以上混合して用いてもよい。
【０００８】本発明におけるポジ型フォトレジストの溶
解速度を速くする調整に用いるのは、酸性化合物のう
ち、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、安
息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サリチル
酸の酸性化合物である。
解速度を速くする調整に用いるのは、酸性化合物のう
ち、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、安
息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サリチル
酸の酸性化合物である。
【０００９】本発明におけるポジ型フォトレジストの溶
解速度を遅くする調整に用いるのは、非酸性化合物のう
ち、４級アンモニウム塩、メタクリル酸、アクリル酸エ
ステル重合体、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂の非酸性化合物である。
解速度を遅くする調整に用いるのは、非酸性化合物のう
ち、４級アンモニウム塩、メタクリル酸、アクリル酸エ
ステル重合体、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂の非酸性化合物である。
【００１０】本発明に係る、前記酸性化合物または非酸
性化合物の含有量は０．１〜１０重量％、好ましくは１
〜５重量％含有されたものを用いる。含有量がこれ以上
であるとレジストの諸特性は低下し、含有量がこれ以下
であると効果が現れない。
性化合物の含有量は０．１〜１０重量％、好ましくは１
〜５重量％含有されたものを用いる。含有量がこれ以上
であるとレジストの諸特性は低下し、含有量がこれ以下
であると効果が現れない。
【００１１】前記酸性化合物または非酸性化合物を含有
したポジ型フォトレジスト組成物の使用方法としては、
従来どおりであり、まず基板上に本発明のポジ型フォト
レジスト組成物を前記溶剤に溶かし、これをスピンナー
などで塗布し、プリベークを行い、超高圧水銀灯などを
用いてマスクパターンを介して露光する。次にこれをア
ルカリ性水溶液に浸漬することでマスクパターンに忠実
な画像を得ることが出来る。
したポジ型フォトレジスト組成物の使用方法としては、
従来どおりであり、まず基板上に本発明のポジ型フォト
レジスト組成物を前記溶剤に溶かし、これをスピンナー
などで塗布し、プリベークを行い、超高圧水銀灯などを
用いてマスクパターンを介して露光する。次にこれをア
ルカリ性水溶液に浸漬することでマスクパターンに忠実
な画像を得ることが出来る。
【００１２】
【作用】レジストの状態で中性であるポジ型フォトレジ
ストは、アルカリ可溶性樹脂と感光剤から成る。アルカ
リ可溶性樹脂は感光剤と混合するとアルカリ性水溶液に
不溶となる。また露光されるとアルカリ性水溶液に可溶
となる。つまりレジスト状態が酸性である方が溶解速度
は速くなる。反対に若干非酸性サイドにすると溶解速度
は遅くなる。よって、樹脂や感光剤のロットの変更によ
り感度に変化が生じた場合、樹脂の分子量を変化させず
に、本発明の酸性化合物または非酸性化合物を少し添加
させるだけで溶解速度すなわち感度を高感度（溶解速度
が速く）または低感度（溶解速度が遅い）側に調整する
ことが出来る。
ストは、アルカリ可溶性樹脂と感光剤から成る。アルカ
リ可溶性樹脂は感光剤と混合するとアルカリ性水溶液に
不溶となる。また露光されるとアルカリ性水溶液に可溶
となる。つまりレジスト状態が酸性である方が溶解速度
は速くなる。反対に若干非酸性サイドにすると溶解速度
は遅くなる。よって、樹脂や感光剤のロットの変更によ
り感度に変化が生じた場合、樹脂の分子量を変化させず
に、本発明の酸性化合物または非酸性化合物を少し添加
させるだけで溶解速度すなわち感度を高感度（溶解速度
が速く）または低感度（溶解速度が遅い）側に調整する
ことが出来る。
【００１３】
＜実施例１＞２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸の
エステル化物３ｇをエチルセロソルブアセテート４０ｇ
に完全に溶解させ、溶液１とした。また、クレゾールノ
ボラック樹脂（重量平均分子量９０００、ポリスチレン
換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテート４５ｇに溶
解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２とｐ−トルエン
スルホン酸０．７５ｇを６０〜７０℃、１０分で完全に
溶解させ、この溶液を０．４５μｍのフィルターでろ過
し、フォトレジストを調整した。
ンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸の
エステル化物３ｇをエチルセロソルブアセテート４０ｇ
に完全に溶解させ、溶液１とした。また、クレゾールノ
ボラック樹脂（重量平均分子量９０００、ポリスチレン
換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテート４５ｇに溶
解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２とｐ−トルエン
スルホン酸０．７５ｇを６０〜７０℃、１０分で完全に
溶解させ、この溶液を０．４５μｍのフィルターでろ過
し、フォトレジストを調整した。
【００１４】このフォトレジストをクロム基板に膜厚８
５００Åになるようにスピンコートし、９０℃、３０分
でプリベークを行った。超高圧水銀灯露光装置（キャノ
ン（株）製：「ＰＬＡ−５００ＦＡ」）を用いて１１．
４〜２９６．８ｍＪ／ｃｍ2まで露光量を振って露光し
た。その後、水酸化ナトリウム４重量部および炭酸ナト
リウム５重量部を水１０００重量部に溶解させた溶液で
４０秒間現像し、よく水洗いした。これをポストベーク
し、感度と未露光部の残膜率を測定した。
５００Åになるようにスピンコートし、９０℃、３０分
でプリベークを行った。超高圧水銀灯露光装置（キャノ
ン（株）製：「ＰＬＡ−５００ＦＡ」）を用いて１１．
４〜２９６．８ｍＪ／ｃｍ2まで露光量を振って露光し
た。その後、水酸化ナトリウム４重量部および炭酸ナト
リウム５重量部を水１０００重量部に溶解させた溶液で
４０秒間現像し、よく水洗いした。これをポストベーク
し、感度と未露光部の残膜率を測定した。
【００１５】＜実施例２＞２，３，４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステル化物３ｇをエチルセロソルブアセ
テート４０ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。また、
クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量９０００、
ポリスチレン換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテー
ト４５ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２と
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム０．７５ｇを
６０〜７０℃、１０分で完全に溶解させ、この溶液を
０．４５μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを
調整した。このフォトレジストを実施例１と同様な方法
でレジストパターンを得た。
ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステル化物３ｇをエチルセロソルブアセ
テート４０ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。また、
クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量９０００、
ポリスチレン換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテー
ト４５ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２と
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム０．７５ｇを
６０〜７０℃、１０分で完全に溶解させ、この溶液を
０．４５μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを
調整した。このフォトレジストを実施例１と同様な方法
でレジストパターンを得た。
【００１６】＜比較例１＞２，３，４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステル化物３ｇをエチルセロソルブアセ
テート４０ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。また、
クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量９０００、
ポリスチレン換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテー
ト４５ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２を
６０〜７０℃、１０分で完全に溶解させ、この溶液を
０．４５μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを
調整した。このフォトレジストを実施例１と同様な方法
でレジストパターンを得た。以上、結果を表１に示す。
ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸のエステル化物３ｇをエチルセロソルブアセ
テート４０ｇに完全に溶解させ、溶液１とした。また、
クレゾールノボラック樹脂（重量平均分子量９０００、
ポリスチレン換算）１２ｇをエチルセロソルブアセテー
ト４５ｇに溶解させ、溶液２とした。溶液１に溶液２を
６０〜７０℃、１０分で完全に溶解させ、この溶液を
０．４５μｍのフィルターでろ過し、フォトレジストを
調整した。このフォトレジストを実施例１と同様な方法
でレジストパターンを得た。以上、結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】＜実施例３＞クレゾールノボラック樹脂の
分子量と添加剤の割合を変えた以外は実施例１と同様に
して溶解速度の調整を行なった。結果を表２に示す。
分子量と添加剤の割合を変えた以外は実施例１と同様に
して溶解速度の調整を行なった。結果を表２に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】以上に示したように、本発明のポジ型フ
ォトレジスト組成物は従来のポジ型フォトレジストに比
べて簡単に溶解速度が調整でき、すなわち感度が調整で
きるため樹脂や感光剤のロットが変更した時、他のレジ
スト特性を変化させることなく感度を調整できるポジ型
フォトレジスト組成物を得ることが出来た。
ォトレジスト組成物は従来のポジ型フォトレジストに比
べて簡単に溶解速度が調整でき、すなわち感度が調整で
きるため樹脂や感光剤のロットが変更した時、他のレジ
スト特性を変化させることなく感度を調整できるポジ型
フォトレジスト組成物を得ることが出来た。
Claims (4)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノ
ンジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル
酸、サリチル酸の少なくとも一つを含有してなることを
特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項２】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノ
ンジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組
成物において、４級アンモニウム塩、メタクリル酸、ア
クリル酸エステル重合体、ポリエステル樹脂、エポキシ
樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも一つを含有してなるこ
とを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項３】前記ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル
酸、サリチル酸、または４級アンモニウム塩、メタクリ
ル酸、アクリル酸エステル重合体、ポリエステル樹脂、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂の含有量が固形分に対して
０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項４】アルカリ可溶性樹脂と１，２−ナフトキノ
ンジアジド系感光剤を含有するポジ型フォトレジスト組
成物に、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、安息香酸、フタル酸、ｏ，ｍ，ｐ−トルイル酸、サ
リチル酸の少なくとも一つを含有して溶解速度を速くす
るか、または４級アンモニウム塩、メタクリル酸、アク
リル酸エステル重合体、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ウレタン樹脂の少なくとも一つを含有して溶解速度
を遅くすることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成
物の溶解速度調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7434595A JPH08272089A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速度調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7434595A JPH08272089A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速度調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08272089A true JPH08272089A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13544447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7434595A Pending JPH08272089A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | ポジ型フォトレジスト組成物及びその溶解速度調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08272089A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101467A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Clariant International Ltd. | Procede de formation d'un motif de resine epaisse |
| WO2009145158A1 (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
| US11822242B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-11-21 | Merck Patent Gmbh | DNQ-type photoresist composition including alkali-soluble acrylic resins |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7434595A patent/JPH08272089A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002101467A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-19 | Clariant International Ltd. | Procede de formation d'un motif de resine epaisse |
| CN1320406C (zh) * | 2001-06-12 | 2007-06-06 | Az电子材料（日本）株式会社 | 厚抗蚀剂图案的形成方法 |
| KR100894802B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2009-04-24 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 후막 내식막 패턴의 형성방법 및 이에 사용되는 감광성 수지 조성물 |
| WO2009145158A1 (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
| JP5079089B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2012-11-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
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