JPS6212664B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6212664B2
JPS6212664B2 JP4593580A JP4593580A JPS6212664B2 JP S6212664 B2 JPS6212664 B2 JP S6212664B2 JP 4593580 A JP4593580 A JP 4593580A JP 4593580 A JP4593580 A JP 4593580A JP S6212664 B2 JPS6212664 B2 JP S6212664B2
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JP
Japan
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elements
chip
check
area
manufacturing
Prior art date
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Expired
Application number
JP4593580A
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English (en)
Other versions
JPS56142662A (en
Inventor
Fusao Tsubokura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP4593580A priority Critical patent/JPS56142662A/ja
Publication of JPS56142662A publication Critical patent/JPS56142662A/ja
Publication of JPS6212664B2 publication Critical patent/JPS6212664B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路の製造方法、特に工程
チエツク用素子の配置方法に関する。
半導体集積回路(以下ICと略記する)を製造
する場合、いくつかの工程を経て所望の回路機能
が半導体基板に集積されるわけであるが、各工程
が設計通りに行なわれたかどうかチエツクをする
ために、必要な工程チエツク用素子を設ける必要
がある。ひとつのチツプ領域にIC本来の機能素
子の外に工程チエツク素子を適当に配置する方法
は元来無数にあるが、1例をあげて説明すると、
第1図に示すように、機能素子を配置する機能素
子領域1と工程チエツク素子11〜15を含む領
域20とから全体のチツプ領域はなつている。チ
エツク素子領域20はチツプ領域の大小にかゝわ
らず必要な領域であり、チツプサイズが比較的小
さいICにおいては、機能素子領域1以外の占め
る割合が相対的に大きく1.5mm角程度のICの場合
甚しい場合には15%にもなり、素子等のレイアウ
トが制限を受けたり、原価低減上の要請である
ICチツプの縮小化が困難になる等の問題があつ
た。
本発明はこのような欠点をなくし、ICチツプ
の縮小化に有利な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明によれば、ある回路機能を実現すべき能
動素子及び又は受動素子を含む機能素子領域と工
程チエツク用素子を含むチエツク領域とを含むチ
ツプ領域を単一半導体基板に複数形成・配置する
工程を含む半導体集積回路の製造方法において、
相異なる複数の工程チエツク用素子を各チツプ領
域に分散して配置することを特徴とする半導体装
置の製造方法が得られる。
次に実施例をあげ、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。
第2図は本発明の一実施例における配置関係を
示す平面図で、半導体基板2にチツプ領域3-1
-2,3-3及び3-4を配置したもので、各チツプ
領域は同一の機能素子領域4-1,4-2,4-3及び
-4ならびに同一のチエツク領域20-1,20
-2,20-3及び20-4を有し、かつ各々異なる工
程チエツク用素子16,17,18及び19を分
散して配置する。チエツク領域は全て同じ位置
(この例では左下隅)に配置してあるのは、パタ
ーン形成ないしチエツク工程時の便宜のためであ
るが、こうすることによつてマスク製作の困難さ
も避けられる。各工程チエツク素子(必ずしも単
一の素子とは限らない)単独では複雑なIC製造
工程のチエツクには不十分であるが、多面付け
(この例では4面付け)されたチツプ領域に分散
して十分な数の異種のチエツク素子を配置するこ
とによつて工程チエツクの目的は達成される。多
面付けされてひとつの群をなすチツプ領域を素チ
ツプ領域(この実施例で第2図に示したもの)と
呼ぶことにすると、この素チツプ領域の大きさ
は、メタルマスク製作上の問題があり、一概に言
えないが四面付を考えるなら、素チツプ領域の大
きさは、4×4mm程度が限度となる。今、1.5×
1.5mmのチツプの四面付を考えると、マスク製作
時間が短縮され、チツプサイズは10〜15%節減が
可能となる。最近よく用いられている3インチ径
ウエーハの場合、10%の節減と考えると有効ペレ
ツト数は16%も増える。本発明の方法は十分に意
味がある。
なお図において一点鎖線はスクライブ線を示す
もので、素チツプ領域は最終的には分割されてチ
ツプになる。チエツク領域を設ける場所は任意で
あるが、多くの場合、隅に設けるのが好都合であ
るが、各チツプ領域の同じ場所にするのが好まし
い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
工程チエツク素子の占める面積を最小限度におさ
えることができるので、レイアウト上の自由度が
増し、マスク製作における困難さも増すことなく
チツプの縮小化の実現に大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の製造方法を説明す
るための図、第2図は本発明の一実施例を説明す
るための平面図である。 1,4-1,4-2,4-3,4-4……機能素子領
域、2……半導体基板、3-1,3-2,3-3,3-4
……チツプ領域、11,12,…,19……素子
領域、20,20-1,20-2,20-3,20-4
…チエツク領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ある回路機能を実現すべき能動素子及び又は
    受動素子を含む機能素子領域と工程チエツク用素
    子を含むチエツク領域とを含むチツプ領域を単一
    半導体基板に複数形成・配置する工程を含む半導
    体集積回路の製造方法において、相異なる複数の
    工程チエツク用素子を各チツプ領域に分散して配
    置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP4593580A 1980-04-08 1980-04-08 Manufacture of semiconductor integrated circuit Granted JPS56142662A (en)

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JPS56142662A JPS56142662A (en) 1981-11-07
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685456U (ja) * 1993-05-25 1994-12-06 新キャタピラー三菱株式会社 回動式操作レバー装置における固定機構

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