JPS62123178A - 2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−n−オキシドの製造方法 - Google Patents
2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−n−オキシドの製造方法Info
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- JPS62123178A JPS62123178A JP26354985A JP26354985A JPS62123178A JP S62123178 A JPS62123178 A JP S62123178A JP 26354985 A JP26354985 A JP 26354985A JP 26354985 A JP26354985 A JP 26354985A JP S62123178 A JPS62123178 A JP S62123178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術の分野]
本発明は、 2−メチル−3−カルボン酸アミトーキ/
キサリン−1,4−ジ−N−オキシドの改良された製造
方法に関する。
キサリン−1,4−ジ−N−オキシドの改良された製造
方法に関する。
[従来の技術]
2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1
,4−ジ−N−オキシド及びその製造法に関しては、既
に、特公昭45−24988号、スペイン特許第47G
、3713号等に開示されている。しかしながら、こ
れら公知方法により製造されたL記口的物中には、1r
g結晶により精製除去することが困難な不純物が含まれ
ており、また、その収率も十分に高いとは言えなかった
。
,4−ジ−N−オキシド及びその製造法に関しては、既
に、特公昭45−24988号、スペイン特許第47G
、3713号等に開示されている。しかしながら、こ
れら公知方法により製造されたL記口的物中には、1r
g結晶により精製除去することが困難な不純物が含まれ
ており、また、その収率も十分に高いとは言えなかった
。
この2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン
−1,4−ジ−N−オキシドは、下式(3)の構造を有
する。
−1,4−ジ−N−オキシドは、下式(3)の構造を有
する。
(上式中R2,R3はそれぞれヒドロキシ基、低級アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基で置換されていても
よい直鎖若しくは分岐鎖アルキル基若しくは水素であり
、 Raは水素、低級アルキル、又は、低級アルコキシ
基である。) 中でも上記式(3)の化合物において、R2,R4が水
素、R3が2−ヒドロキシエチルである。
コキシ基、アルコキシカルボニル基で置換されていても
よい直鎖若しくは分岐鎖アルキル基若しくは水素であり
、 Raは水素、低級アルキル、又は、低級アルコキシ
基である。) 中でも上記式(3)の化合物において、R2,R4が水
素、R3が2−ヒドロキシエチルである。
↑
式(3)′の化合物は、オラキンドックス(01aqu
indOり (慣用名)という名称で知られている。後
述する本発明の方法は、この化合物の製造法として特に
優れている。
indOり (慣用名)という名称で知られている。後
述する本発明の方法は、この化合物の製造法として特に
優れている。
[発明の目的]
本発明者等は、上述の公知方法の問題点(合成収率が低
いこと、精製が困難なこと)を解決すべく鋭意研究した
。その結果、意外にも後述式(1)のエナミンと後述式
(2)のベンゾフロキサンとを極性有機溶媒と非極性有
機の共存下で、かつ、アンモニア又は第一アミンの存在
下に10〜80℃(好ましくは30〜60℃)で反応さ
せることにより」二連の問題点を解決できることを知っ
て本発明を完成した。
いこと、精製が困難なこと)を解決すべく鋭意研究した
。その結果、意外にも後述式(1)のエナミンと後述式
(2)のベンゾフロキサンとを極性有機溶媒と非極性有
機の共存下で、かつ、アンモニア又は第一アミンの存在
下に10〜80℃(好ましくは30〜60℃)で反応さ
せることにより」二連の問題点を解決できることを知っ
て本発明を完成した。
以上の記述から明らかなように本発明の目的は、前述式
(3)の2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサ
リン−1,4−ジ−N−オキシドを収率よく、かつ、高
純度に精製可能なものとして収得する製造法を提供する
ことである。
(3)の2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサ
リン−1,4−ジ−N−オキシドを収率よく、かつ、高
純度に精製可能なものとして収得する製造法を提供する
ことである。
[発明の構成・効果]
本発明は下記(1)の主要構成を有する。
(1)極性有機溶媒と非極性有機溶媒の存在下で、かつ
、アンモニア又は第一アミンの存在下に、式のエナミン
C式中、R1、R1′、R2、R3はそれぞれヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、カルバルコキシ基で置換され
ていてもよい直鎖もしくは分岐鎖アルキル基である)と
式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルギル、
又は低級アルコキシ基である)とを反応させることを特
徴とする、式 の2−メチル−3−カルボン酪アミドーキノキサリン1
.4−ジ−N−オキシドの製造方法。
、アンモニア又は第一アミンの存在下に、式のエナミン
C式中、R1、R1′、R2、R3はそれぞれヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、カルバルコキシ基で置換され
ていてもよい直鎖もしくは分岐鎖アルキル基である)と
式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルギル、
又は低級アルコキシ基である)とを反応させることを特
徴とする、式 の2−メチル−3−カルボン酪アミドーキノキサリン1
.4−ジ−N−オキシドの製造方法。
本発明の方法に使用される前述式(1)のエナミンは、
各種のアセト酢酸アミド、例えば、アセト酢酸ジメチル
アミド、アセト酢酸エチルアミド。
各種のアセト酢酸アミド、例えば、アセト酢酸ジメチル
アミド、アセト酢酸エチルアミド。
アセト酢酸−β−ヒドロキシエチルアミド、アセト酢酸
−β−メトキシエチルアミド等とアミン類例えば、エチ
ルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン等
又はアンモニアを公知方法で反応させることにより製造
できる。
−β−メトキシエチルアミド等とアミン類例えば、エチ
ルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン等
又はアンモニアを公知方法で反応させることにより製造
できる。
他方、本発明の方法に使用される前述式(2)のベンゾ
フロキサンとしては、例えば、ベンゾフロキサン、5−
メチル−95−ブチル、5−メトキシ及び5−エトキシ
−ベンゾフロキサン等を挙げることができる。
フロキサンとしては、例えば、ベンゾフロキサン、5−
メチル−95−ブチル、5−メトキシ及び5−エトキシ
−ベンゾフロキサン等を挙げることができる。
本発明に係る反応は、例えば下記(4)のように表わす
ことができる。
ことができる。
十
上記式(4)で例示される本発明の反応において、主原
料であるベンゾフロキサンおよびエナミンの使用割合は
、前者の1モルに対し、後者を0.8〜2.0モル好ま
しくは1.0〜1.5モル使用する。
料であるベンゾフロキサンおよびエナミンの使用割合は
、前者の1モルに対し、後者を0.8〜2.0モル好ま
しくは1.0〜1.5モル使用する。
本発明の方法の特徴的構成は、公知方法のアセト酢酸ア
ミドに換えて対応するエナミンを使用することの他、二
種の出発原料に対し、極性と非極性有機溶媒の共存下好
ましくは、夫々極性の反する溶剤を使用する点にあり、
この点本願と同日出願、同一発明者による同一化合物の
製造法では、エナミンのみ溶剤溶液として使用する点で
異なっている。
ミドに換えて対応するエナミンを使用することの他、二
種の出発原料に対し、極性と非極性有機溶媒の共存下好
ましくは、夫々極性の反する溶剤を使用する点にあり、
この点本願と同日出願、同一発明者による同一化合物の
製造法では、エナミンのみ溶剤溶液として使用する点で
異なっている。
すなわち、前述式(1)のエナミンは、極性溶媒例えば
、アルコール(好ましくはメタノール)、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢
酸エチル、テトラヒドロフラン若しくはジオキサンに溶
解して使用する。また、前記式(1)のエナミン極性有
機溶媒溶液は、その出発原ネ1であるnη述のアミド類
とアミン類の反応を」−述の溶媒中で反応させたものを
そのまま使用してもよい。
、アルコール(好ましくはメタノール)、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢
酸エチル、テトラヒドロフラン若しくはジオキサンに溶
解して使用する。また、前記式(1)のエナミン極性有
機溶媒溶液は、その出発原ネ1であるnη述のアミド類
とアミン類の反応を」−述の溶媒中で反応させたものを
そのまま使用してもよい。
該エナミンの該溶媒中における濃度は限定されないが、
通常0.1〜20モル/見、好ましくは0.5〜lOモ
ル/見である。
通常0.1〜20モル/見、好ましくは0.5〜lOモ
ル/見である。
他方、前述式(2)のベンゾフロキサンは、非極性溶媒
例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンに溶解して使用
する。該ベンゾフロキサンの該溶媒中における濃度は限
定されないが1通常0.1〜20モル/交、好ましくは
0.5〜lθモル/交である。因に、従来技術(41F
公昭45−24988)では、ベンゾフロキサンと(ア
ンモニア又は第一アミンの存在下)アセト酢酸アミドと
の反応を有機溶媒中で行う旨説明しているが、該溶媒を
原料別に極性溶媒と非極性溶媒に区別して使用する方法
は開示していない。また、アセト酢酸アミドに代えてエ
ナミンを使用する方法も開示していない。
例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンに溶解して使用
する。該ベンゾフロキサンの該溶媒中における濃度は限
定されないが1通常0.1〜20モル/交、好ましくは
0.5〜lθモル/交である。因に、従来技術(41F
公昭45−24988)では、ベンゾフロキサンと(ア
ンモニア又は第一アミンの存在下)アセト酢酸アミドと
の反応を有機溶媒中で行う旨説明しているが、該溶媒を
原料別に極性溶媒と非極性溶媒に区別して使用する方法
は開示していない。また、アセト酢酸アミドに代えてエ
ナミンを使用する方法も開示していない。
好ましい反応方法としては、前記式(1)のエナミンの
極性有機溶媒溶液を反応本に入れ、前記式(2)のベン
ゾフロキサンの非極性溶媒溶液を滴々に添加する。添加
時間は限定されず、一括投入でもよいが、好ましくは、
1〜3時間で、添加後も1〜30時間好ましくは2〜2
0時間好ましくは撹拌下に反応を継続する0反応は、発
熱反応であるが、必要ならば、冷却により温度を30〜
60℃に保つ、発熱が終った後は、必要に応じて加熱し
て前記反応温度を維持する。終了後、目的物は、淡黄色
の結晶として析出しているので、溶媒と分離し、少量の
溶媒で洗詐乾繰して収得する。
極性有機溶媒溶液を反応本に入れ、前記式(2)のベン
ゾフロキサンの非極性溶媒溶液を滴々に添加する。添加
時間は限定されず、一括投入でもよいが、好ましくは、
1〜3時間で、添加後も1〜30時間好ましくは2〜2
0時間好ましくは撹拌下に反応を継続する0反応は、発
熱反応であるが、必要ならば、冷却により温度を30〜
60℃に保つ、発熱が終った後は、必要に応じて加熱し
て前記反応温度を維持する。終了後、目的物は、淡黄色
の結晶として析出しているので、溶媒と分離し、少量の
溶媒で洗詐乾繰して収得する。
本発明の方法の特徴的効果は、下記のとおりである。
すなわち、本発明の方法により得られた2−メチル−3
−カルボン酸アミド−キノキサリン−N−オキシドは、
公知方法で合成された同一物と比較して+Ir結晶によ
り除去困難な不純物を殆んど全く含まないことである。
−カルボン酸アミド−キノキサリン−N−オキシドは、
公知方法で合成された同一物と比較して+Ir結晶によ
り除去困難な不純物を殆んど全く含まないことである。
例えば、粗オラキンドック[註、前述式(3) ′]に
ついての具体例について云えば、純度 不純物■
不純物■ 公知方法 97.08% 1.36% 0.78
%本発明方法 99.51% 0.33% 0%
註0%は重量%を意味する 上表において、不純物■は、再結晶により除去可能なも
のであり、不純物■は、再結晶による精製困難なもので
ある。この差異は、この物質の用途(例えば動物用医薬
)的効果に甚大な影響を及ぼすことがあると推察される
。
ついての具体例について云えば、純度 不純物■
不純物■ 公知方法 97.08% 1.36% 0.78
%本発明方法 99.51% 0.33% 0%
註0%は重量%を意味する 上表において、不純物■は、再結晶により除去可能なも
のであり、不純物■は、再結晶による精製困難なもので
ある。この差異は、この物質の用途(例えば動物用医薬
)的効果に甚大な影響を及ぼすことがあると推察される
。
第二に、本発明方法による目的物(2−メチル−3−カ
ルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−N−オキ
シド)の収率(対ベンゾフロキサン)は、公知方法より
飛躍的に良好であることである。すなわち、公知方法に
よる該収率が、理論値の73〜74重量%程度であるの
に対して、本発明の方法では84〜86%となった。
ルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−N−オキ
シド)の収率(対ベンゾフロキサン)は、公知方法より
飛躍的に良好であることである。すなわち、公知方法に
よる該収率が、理論値の73〜74重量%程度であるの
に対して、本発明の方法では84〜86%となった。
その他、本発明の反応時には、第一アミン若しくはアン
モニアの添加は、エナミン溶液に対して予め行うことが
できるから、反応の遂行又は調整が容易である。
モニアの添加は、エナミン溶液に対して予め行うことが
できるから、反応の遂行又は調整が容易である。
また、本発明の方法においてベンゾフロキサンを非極性
有機溶剤に溶解せず、エナミンを極性有機溶媒に溶解し
て使用する他の発明の方法(本願と同一出願人による同
日出願の発明)と比較して、目的物の純度が若干向」;
シならびに不純物■の含量が若干減少するという利点が
ある。
有機溶剤に溶解せず、エナミンを極性有機溶媒に溶解し
て使用する他の発明の方法(本願と同一出願人による同
日出願の発明)と比較して、目的物の純度が若干向」;
シならびに不純物■の含量が若干減少するという利点が
ある。
以下実施例によって本発明を説明する。
実施例1
ドライアイス−ア七トン浴で−lθ〜0℃に冷却したメ
タノール20hJl中にモノエタノールアミン73.0
g (1,2モル)を投入し、撹拌しながらジケテン8
4.0g(1,0モル)を滴々に添加する。この間、反
応混合物の温度は−10−0’Oに保つ。ジケテンの滴
下が終ったならば、反応混合物を室温までに戻し、更に
加熱して35℃で2時間撹拌を続ける。
タノール20hJl中にモノエタノールアミン73.0
g (1,2モル)を投入し、撹拌しながらジケテン8
4.0g(1,0モル)を滴々に添加する。この間、反
応混合物の温度は−10−0’Oに保つ。ジケテンの滴
下が終ったならば、反応混合物を室温までに戻し、更に
加熱して35℃で2時間撹拌を続ける。
以上のように調製した反応混合物[N−(2−ヒドロキ
シエチル)−アセト酢酸アミド溶液1を水浴によって冷
却しながら該混合物中にアンモニアガス51.0g(3
,0モル)を50分間で吹込む。この間、反応混合物の
温度は35℃に保つ。
シエチル)−アセト酢酸アミド溶液1を水浴によって冷
却しながら該混合物中にアンモニアガス51.0g(3
,0モル)を50分間で吹込む。この間、反応混合物の
温度は35℃に保つ。
アンモニアガス吹込み後、反応混合物の温度を45℃に
し、トルエン400層見に溶解したベンゾフロキサン1
3E1.Og(1,0モル)を添加する。
し、トルエン400層見に溶解したベンゾフロキサン1
3E1.Og(1,0モル)を添加する。
冷却又は加温にて反応混合物の温度を45℃に保ち、1
4時間撹拌を続ける。読了後、反応混合物は、淡黄色の
結晶として分離する0反応混合物を冷却し、吸引濾過し
、メタノールで洗浄し、乾燥シテ、N−(2−とドロキ
シエチル)−2−メチル−3−カルボン酎アミドーキノ
キサリン−1,4−ジ−N−オキシドを得る。
4時間撹拌を続ける。読了後、反応混合物は、淡黄色の
結晶として分離する0反応混合物を冷却し、吸引濾過し
、メタノールで洗浄し、乾燥シテ、N−(2−とドロキ
シエチル)−2−メチル−3−カルボン酎アミドーキノ
キサリン−1,4−ジ−N−オキシドを得る。
収量; 22B、2g (収率、 85.3%)、純度
; 99.51%比較例1 ドライアイス−アセトン浴で一1O〜O℃に冷却したメ
タノール200mJl中に、モノエタノールアミン?3
.0g (1,2モル)を投入し1次いで撹拌しながら
ジケテン84.Og (1,0モル)を滴々に添加する
。
; 99.51%比較例1 ドライアイス−アセトン浴で一1O〜O℃に冷却したメ
タノール200mJl中に、モノエタノールアミン?3
.0g (1,2モル)を投入し1次いで撹拌しながら
ジケテン84.Og (1,0モル)を滴々に添加する
。
この後反応混合物の温度を室温までにし、更に35°C
で2時間撹拌を続ける。調製したN−(2−ヒドロキシ
エチル)−アセト酢酸アミド溶液中にペンゾフロギサン
1313.0g(1,0モル)を滴々に添加し、次いで
アンモニア約3.0モルを導入し、反応混合物の温度を
時に冷却することによって45℃以下に保つ。
で2時間撹拌を続ける。調製したN−(2−ヒドロキシ
エチル)−アセト酢酸アミド溶液中にペンゾフロギサン
1313.0g(1,0モル)を滴々に添加し、次いで
アンモニア約3.0モルを導入し、反応混合物の温度を
時に冷却することによって45℃以下に保つ。
反応熱がとまった後、40〜45℃まで加熱し、次いで
6〜8時間撹拌を続ける。
6〜8時間撹拌を続ける。
この結果、反lε混合物は、g、H色の結晶として分離
する。更にこれを冷却し、次いで吸引濾過し、メタノー
ルで洗浄し、乾燥して、ト(2−ヒドロキシエチル)−
2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1
,4−ジ−N−オキシドを得る。
する。更にこれを冷却し、次いで吸引濾過し、メタノー
ルで洗浄し、乾燥して、ト(2−ヒドロキシエチル)−
2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1
,4−ジ−N−オキシドを得る。
収量; 193.8g (収率、73.1%)、純度;
87.06%以 −1− 特1作出願人 チッソ株式会社 代理人 弁理士 佐々井 彌太部 同 上 野 中 克 彦LP
糸売ネ市正書 昭和61年3月7日 #+j訂庁長官宇賀道部殿 ■、・バ件の表示 昭和60年特許願第263549号 2、発明の名称 3、補正をする者 戸バ件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6番32号(〒530)
(207) チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 (電話 03−545−0830) 5、補正命令の日刊 自発補正 6、補正により増加する発明の数 なし 7、補正の対象 明細書の特許請求の範囲ならびに 発明の詳細な説明の各欄。
87.06%以 −1− 特1作出願人 チッソ株式会社 代理人 弁理士 佐々井 彌太部 同 上 野 中 克 彦LP
糸売ネ市正書 昭和61年3月7日 #+j訂庁長官宇賀道部殿 ■、・バ件の表示 昭和60年特許願第263549号 2、発明の名称 3、補正をする者 戸バ件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6番32号(〒530)
(207) チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 (電話 03−545−0830) 5、補正命令の日刊 自発補正 6、補正により増加する発明の数 なし 7、補正の対象 明細書の特許請求の範囲ならびに 発明の詳細な説明の各欄。
8、補正の内容
明細書をつぎのように訂正します。
A、特許請求の範囲の全文を別紙のよう拳こ訂正する。
B8発明の詳細な説明をつぎのように訂正する。
(1)第7頁5行1]の式
%式%
に訂正する。
(2)第12頁5行目の「オラキンドック」を「オラキ
ンドンクス」に訂正する。
ンドンクス」に訂正する。
9、添付書類
別紙(特許請求の範囲の全文)
1・11−
別 紙(特許請求の範囲の全文)
(1)極性有機溶媒と非極性有機溶媒の共在下で、かつ
、アンモニア又は第一アミンの存在下に、式のエナミン
(式中、R+ 、 Rlo、R2,R3はそれぞれヒド
ロキシ基、低級アルコキシ基、カルへルコキシ基で置換
されていてもよい直鎖もしくは分岐鎖アルキル基である
)と式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルキル、
又は低級アルコキシ基である)とを反応させることを特
徴とする1式 の2−メチル−3−カルボン酸アミトーキ/キサリン1
.4−シーN−オキシドの製造方法。
、アンモニア又は第一アミンの存在下に、式のエナミン
(式中、R+ 、 Rlo、R2,R3はそれぞれヒド
ロキシ基、低級アルコキシ基、カルへルコキシ基で置換
されていてもよい直鎖もしくは分岐鎖アルキル基である
)と式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルキル、
又は低級アルコキシ基である)とを反応させることを特
徴とする1式 の2−メチル−3−カルボン酸アミトーキ/キサリン1
.4−シーN−オキシドの製造方法。
(2)極性有機溶媒中において、アンモニア又は第一ア
ミンの存在下に、式 のエナミン(式中、R1R+ ’、R;l、R3はそれ
ぞれヒドロキシ基、低級アルコ許シ基、アルコキシカル
ボニル基で置換されていてもよい直鎖もしくは分岐鎖ア
ルキル基である)と非極性溶媒に溶解した、式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルキル、
又は低級アルコキシ基である)とをlO〜eo’cで反
応させる特許請求の範囲第(1)項に記・+1の製造方
法。
ミンの存在下に、式 のエナミン(式中、R1R+ ’、R;l、R3はそれ
ぞれヒドロキシ基、低級アルコ許シ基、アルコキシカル
ボニル基で置換されていてもよい直鎖もしくは分岐鎖ア
ルキル基である)と非極性溶媒に溶解した、式 のベンゾフロキサン(式中R4は水素、低級アルキル、
又は低級アルコキシ基である)とをlO〜eo’cで反
応させる特許請求の範囲第(1)項に記・+1の製造方
法。
(3)極性溶媒が炭素数1ないし6の低級アルコールで
あり、非極性溶媒がベンゼン、トルエン若しくはキシレ
ンである特許請求の範囲第(1)項に記載の製造法。
あり、非極性溶媒がベンゼン、トルエン若しくはキシレ
ンである特許請求の範囲第(1)項に記載の製造法。
(4) R1がヒドロキシ基で置換されていてもよい直
鎖アルキル基、又は水素であり、R2が水素であり、
R3がヒドロキシ基で置換されてl、Xてもよい直鎖ア
ルキル基であるエナミンを使用する特許請求の範囲第(
1)項に記載の製造法。
鎖アルキル基、又は水素であり、R2が水素であり、
R3がヒドロキシ基で置換されてl、Xてもよい直鎖ア
ルキル基であるエナミンを使用する特許請求の範囲第(
1)項に記載の製造法。
(5) R4が水素であるベンゾフロキサンを使用する
特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。
特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。
(6)エナミンとベンゾフロキサンとを逐次混合して3
0〜60℃で反応させる特許請求の範囲第(1)項に記
載の方法。
0〜60℃で反応させる特許請求の範囲第(1)項に記
載の方法。
Claims (6)
- (1)極性有機溶媒と非極性有機溶媒の共在下で、かつ
、アンモニア又は第一アミンの存在下に、式▲数式、化
学式、表等があります▼・・・(1) のエナミン(式中、R_1、R_1′、R_2、R_3
はそれぞれヒドロキシ基、低級アルコキシ基、カルバル
コキシ基で置換されていてもよい直鎖もしくは分岐鎖ア
ルキル基である)と式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) のベンゾフロキサン(式中R_4は水素、低級アルキル
、又は低級アルコキシ基である)とを反応させることを
特徴とする、式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(3) の2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−
1,4−ジ−N−オキシドの製造方法。 - (2)極性有機溶媒中において、アンモニア又は第一ア
ミンの存在下に、式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) のエナミン(式中、R_1 R_1′、R_2、R_3
はそれぞれヒドロキシ基、低級アルコキシ基、アルコキ
シカルボニル基で置換されていてもよい直鎖もしくは分
岐鎖アルキル基である)と非極性溶媒に溶解した、式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) のベンゾフロキサン(式中R_4は水素、低級アルキル
、又は低級アルコキシ基である)とを10〜80℃で反
応させる特許請求の範囲第(1)項に記載の製造方法。 - (3)極性溶媒が炭素数1ないし6の低級アルコールで
あり、非極性溶媒がベンゼン、トルエン若しくはキシレ
ンである特許請求の範囲第(1)項に記載の製造法。 - (4)R_1がヒドロキシ基で置換されていてもよい直
鎖アルキル基、又は水素であり、R_2が水素であり、
R_3がヒドロキシ基で置換されていてもよい直鎖アル
キル基であるエナミンを使用する特許請求の範囲第(1
)項に記載の製造法。 - (5)R_4が水素であるベンゾフロキサンを使用する
特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。 - (6)エナミンとベンゾフロキサンとを逐次混合して3
0〜80℃で反応させる特許請求の範囲第(1)項に記
載の方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26354985A JPS62123178A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−n−オキシドの製造方法 |
CN 87102870 CN87102870A (zh) | 1985-11-22 | 1987-04-20 | 2-甲基-3-脲基-喹喔啉-1,4-二-n-氧化物的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26354985A JPS62123178A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−n−オキシドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62123178A true JPS62123178A (ja) | 1987-06-04 |
Family
ID=17391084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26354985A Pending JPS62123178A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 2−メチル−3−カルボン酸アミド−キノキサリン−1,4−ジ−n−オキシドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62123178A (ja) |
CN (1) | CN87102870A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100460397C (zh) * | 2006-11-07 | 2009-02-11 | 浙江大学 | 含硫喹喔啉二氧化物及其制备和在制备低氧选择性抗肿瘤药物中的应用 |
CN111632400B (zh) * | 2020-06-21 | 2022-04-05 | 赤峰制药股份有限公司 | 一种烯胺盐重结晶纯化方法 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26354985A patent/JPS62123178A/ja active Pending
-
1987
- 1987-04-20 CN CN 87102870 patent/CN87102870A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
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CN87102870A (zh) | 1988-11-09 |
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