JPS6144854A - N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法 - Google Patents
N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6144854A JPS6144854A JP12402785A JP12402785A JPS6144854A JP S6144854 A JPS6144854 A JP S6144854A JP 12402785 A JP12402785 A JP 12402785A JP 12402785 A JP12402785 A JP 12402785A JP S6144854 A JPS6144854 A JP S6144854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- acid amide
- reaction
- compound
- formulas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Pyrrole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、N−ジクロロアルキル安息香酸アミド、及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
式中、R1tjアルキレン基を表わし、R1はアルキル
基を表わす、 の1−アルキル−2−アミノアルキルピロリジンは、各
種の医薬品、工業薬品等の合成中間体として公知の化合
物であり、従来、例えば1−エチル−2−アミノメチル
ピロリジンは、1−エチル−8−クロロピロリジン塩酸
t4Aをアンモニアと加熱して得ることが提案されてい
る(米国特許第3.081.452号用細書)。しかし
この公知の方法では、1−エチル−8−ヒドロキシピペ
リジンが副生し、その副生物の分離が困難であるため、
特に高純度のものが要求される医薬品の合成中間体とし
ては不適当であるという欠点がある。さらに、上記公知
方法の改良方法として、下記の反応工程により前記式(
I)の化合物を製造する方法も提案されている(持分1
1/346−27457号公報)。
基を表わす、 の1−アルキル−2−アミノアルキルピロリジンは、各
種の医薬品、工業薬品等の合成中間体として公知の化合
物であり、従来、例えば1−エチル−2−アミノメチル
ピロリジンは、1−エチル−8−クロロピロリジン塩酸
t4Aをアンモニアと加熱して得ることが提案されてい
る(米国特許第3.081.452号用細書)。しかし
この公知の方法では、1−エチル−8−ヒドロキシピペ
リジンが副生し、その副生物の分離が困難であるため、
特に高純度のものが要求される医薬品の合成中間体とし
ては不適当であるという欠点がある。さらに、上記公知
方法の改良方法として、下記の反応工程により前記式(
I)の化合物を製造する方法も提案されている(持分1
1/346−27457号公報)。
反応式A
8・ 1 加水分解
R1
上記式中、R1及びR,は前記定義の通りである。
しかしながら、上記の改良方法は式(I)の化合物の収
率が低く(原料のテトラヒドロフラニルアルキルクロリ
ドを基準にして約1′8〜50%の収率)、また工業的
に高価な試薬(ツタルイミドカリウム及びヨク化カリク
ム)を必要とする、等の欠点がある。
率が低く(原料のテトラヒドロフラニルアルキルクロリ
ドを基準にして約1′8〜50%の収率)、また工業的
に高価な試薬(ツタルイミドカリウム及びヨク化カリク
ム)を必要とする、等の欠点がある。
本発明者らは、上記式(I)の1−アルキル−2−アミ
ノアルキルピロリジンの工業的に有利な製造方法につき
種々研究を行なった結果、工業的に極めて容易に入手し
得る安息香酸と2−テトラヒドロフラニルアルキルアミ
ンとから、以下に述べる− 方法により、式
(I)の化合物が極めて高収率で得ることができるC2
を見い出し、本発明に到った本のである。
ノアルキルピロリジンの工業的に有利な製造方法につき
種々研究を行なった結果、工業的に極めて容易に入手し
得る安息香酸と2−テトラヒドロフラニルアルキルアミ
ンとから、以下に述べる− 方法により、式
(I)の化合物が極めて高収率で得ることができるC2
を見い出し、本発明に到った本のである。
すなわち、本発明によれば、上記式(I)の1−アルキ
ル−2−アミノアルキルピロリジンは、(a)安息香酸
又はその反応性誘導体を式 %式%() 式中、R1は前記定義の通りである、 の2−テトラヒドリフラニルアルキルアミン又はその反
応性M導体と反応せしめ、 (b) 得られる式 式中、R,は前記定義の通りである、 のN−(a’−テトラビトロフラニル)アルキル安息香
酸アミドを塩化チオニルと反応せしめ、(C1生成する
式 式中、RIFi前記定義の通りである、のN−ジクロロ
アルキル安息香酸アミドを式%式%() 式中、R8は前記定義の通りである、 のアルキルアミンと反応せしめ、 (d) 次いでかくして得られる大 成中、R1及びR1は前記定義の通りである、のN−(
1’−アルキル−2′−ピロリジニル)アルキル安息香
酸アミドをアルカリ金属水酸化物で処理してアミド結合
を開裂せしめることにより製造される。本発明の化合物
は、上記の方法において使用される中聞体化合物である
。
ル−2−アミノアルキルピロリジンは、(a)安息香酸
又はその反応性誘導体を式 %式%() 式中、R1は前記定義の通りである、 の2−テトラヒドリフラニルアルキルアミン又はその反
応性M導体と反応せしめ、 (b) 得られる式 式中、R,は前記定義の通りである、 のN−(a’−テトラビトロフラニル)アルキル安息香
酸アミドを塩化チオニルと反応せしめ、(C1生成する
式 式中、RIFi前記定義の通りである、のN−ジクロロ
アルキル安息香酸アミドを式%式%() 式中、R8は前記定義の通りである、 のアルキルアミンと反応せしめ、 (d) 次いでかくして得られる大 成中、R1及びR1は前記定義の通りである、のN−(
1’−アルキル−2′−ピロリジニル)アルキル安息香
酸アミドをアルカリ金属水酸化物で処理してアミド結合
を開裂せしめることにより製造される。本発明の化合物
は、上記の方法において使用される中聞体化合物である
。
本明細書において、「アルキル基Jは直鎖状又は分岐鎖
状のいずれであってもよく、炭素原子数10個まで、特
に炭素原子数す個までの低級のものが好ましく、例えば
メチル、エチル、n−もしくは1so−プロピル、n−
1iso −1sec−もL<Fitert−ブチル、
n−ペンチル等が包含され、R,に対しては特(エチル
が好ましい。また、「アルキレン基」は直鎖状又は分岐
鎖のいずれであってもよく、特に炭素原子数5個までの
低級のものが好適であり、例えば、メチレン、エチレン
、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン、メチルプロ
ピレン、ジメチルエチレン等が挙げられるが、R1に対
しては就中メチレンが好ましい。
状のいずれであってもよく、炭素原子数10個まで、特
に炭素原子数す個までの低級のものが好ましく、例えば
メチル、エチル、n−もしくは1so−プロピル、n−
1iso −1sec−もL<Fitert−ブチル、
n−ペンチル等が包含され、R,に対しては特(エチル
が好ましい。また、「アルキレン基」は直鎖状又は分岐
鎖のいずれであってもよく、特に炭素原子数5個までの
低級のものが好適であり、例えば、メチレン、エチレン
、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン、メチルプロ
ピレン、ジメチルエチレン等が挙げられるが、R1に対
しては就中メチレンが好ましい。
本発明において先ず、安息香酸又はその反応性Wij導
体が前記式(2)の2−テトラヒドロフラニルアルキル
アミン又はその反応性誘導体と反応せしめられる。
体が前記式(2)の2−テトラヒドロフラニルアルキル
アミン又はその反応性誘導体と反応せしめられる。
安息香酸の反応性誘導体としては、ペプチド化学の分野
においてアミド化反応を行なうに際しカルボキシル基の
活性化に、使用されているものはいずれも使用可能であ
り、例えば次のものが挙げられる。
においてアミド化反応を行なうに際しカルボキシル基の
活性化に、使用されているものはいずれも使用可能であ
り、例えば次のものが挙げられる。
(1)酸ノ・ライド
式中、X、けハロゲン原子、特に塩素原子である、
(H) エステル
式中、R1け低級アルキル基、特にメチル基又はエチル
基;又は活性エステル残基、例え(iil) 混合酸
無水物 式中、R4は有機又は無機の酸残基、例えばアセチル、
プロピオニル等のアシル基;基−COORs(式中、R
3は炭素数6以下の低級アルキル基である);又け しくけ相異なり、各々アルキル基、アリール基又はアラ
ールキル基を表わすか、或いはR6とR7とは−14に
なってアルキレン基又は〇−フェニレン基を表わす)で
ある、 Qv) 活性アミド 式中、R11#−t(fj換又は未置換の1−イミダゾ
リル基又Vil−ピラゾリル基を表わす、(v) e
アジド ON3 また、前記式(曲のアミンの反応性誘導体としては、ペ
プチド化学の分野においてアミド化反応を行なうに際し
アミノ基の活性化に使用されているものはいずれも使用
可能であり、例えば次のものが挙げられる。
基;又は活性エステル残基、例え(iil) 混合酸
無水物 式中、R4は有機又は無機の酸残基、例えばアセチル、
プロピオニル等のアシル基;基−COORs(式中、R
3は炭素数6以下の低級アルキル基である);又け しくけ相異なり、各々アルキル基、アリール基又はアラ
ールキル基を表わすか、或いはR6とR7とは−14に
なってアルキレン基又は〇−フェニレン基を表わす)で
ある、 Qv) 活性アミド 式中、R11#−t(fj換又は未置換の1−イミダゾ
リル基又Vil−ピラゾリル基を表わす、(v) e
アジド ON3 また、前記式(曲のアミンの反応性誘導体としては、ペ
プチド化学の分野においてアミド化反応を行なうに際し
アミノ基の活性化に使用されているものはいずれも使用
可能であり、例えば次のものが挙げられる。
(1)インシアネート(又はインチオシアネート)Cク
ーR1−N=C=0(又tis) (In−a)式中
、Rsn前記定義の通りである、 (it) yオスファゾ化合物 又は 式中、R1Fi前記定義の通りである、(+N) フ
オスフオロアミダイト化合物式中、R1、R6及びR,
Fi前記定義の通りであるO (財) フォス7オロアミデー)化合物又は 式中、R1、R6及びR2は前記定義の通りである。
ーR1−N=C=0(又tis) (In−a)式中
、Rsn前記定義の通りである、 (it) yオスファゾ化合物 又は 式中、R1Fi前記定義の通りである、(+N) フ
オスフオロアミダイト化合物式中、R1、R6及びR,
Fi前記定義の通りであるO (財) フォス7オロアミデー)化合物又は 式中、R1、R6及びR2は前記定義の通りである。
安息香酸又はその反応性#導体と式(2)のアミン又は
その反応性誘導体とのアミド化反応はそれ自体公知の種
々の方法に従って行なうことができる。
その反応性誘導体とのアミド化反応はそれ自体公知の種
々の方法に従って行なうことができる。
例えば、該アミド化は安息香酸と弐佃)のアミンとの直
接縮合により行なうことができる。反応は無溶媒の状態
で行なうこともできるが、一般に不活性有機溶媒中、例
えばベンゼン、トルエン、キシレンの如き炭化水素;テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、グ
イグライムの如きエーテル類;ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミドの如きアミド類;ジクロロメタン
、クロロホルムの如きハロゲン化炭化水素;ジメチルス
ルホキシドなどの中で行なうのが好ましい。
接縮合により行なうことができる。反応は無溶媒の状態
で行なうこともできるが、一般に不活性有機溶媒中、例
えばベンゼン、トルエン、キシレンの如き炭化水素;テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、グ
イグライムの如きエーテル類;ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミドの如きアミド類;ジクロロメタン
、クロロホルムの如きハロゲン化炭化水素;ジメチルス
ルホキシドなどの中で行なうのが好ましい。
反応湿度及び圧力には特に1約はなく、使用する原料物
質等に応じて広範に変化させることができるが、通常反
応温度は約0℃乃至反応混合物の還流温度、好ましくは
室温乃至200℃であり、圧力は有利には常圧である0
また、反iBは必要に応じて、組合剤の存在下に実施す
ることができ、使用し得る縮合剤きしては、例えばルイ
ス酸、特に四塩化硅素、トリクロロフェニルシラン及び
四塩化チタン等、N−エチル−N′−ジエチルアミノプ
ロピルカルポジイミド、N、N’−ジシクロへキシルカ
ルボジイミド等;トリアリール7オスフインとジスルフ
ィドとの組合せ:アンパーライトIR−120等の強酸
性イオン交換樹脂が挙げられる。
質等に応じて広範に変化させることができるが、通常反
応温度は約0℃乃至反応混合物の還流温度、好ましくは
室温乃至200℃であり、圧力は有利には常圧である0
また、反iBは必要に応じて、組合剤の存在下に実施す
ることができ、使用し得る縮合剤きしては、例えばルイ
ス酸、特に四塩化硅素、トリクロロフェニルシラン及び
四塩化チタン等、N−エチル−N′−ジエチルアミノプ
ロピルカルポジイミド、N、N’−ジシクロへキシルカ
ルボジイミド等;トリアリール7オスフインとジスルフ
ィドとの組合せ:アンパーライトIR−120等の強酸
性イオン交換樹脂が挙げられる。
また、前記アミド化は、安息香酸の前述した如き反応性
誘導体と前記式(財)の遊離アミンとの間で、或いは遊
離の置換安息香酸と前記式(2)のアミンの前述した如
き反応性#専体七の間で行なうこともできる。木アミド
化もまた、必要VcF5じて溶媒を用いずに行なうこと
もできるが、通常上記した如き不活性有機溶媒又は高沸
点のアルコール類(例えばエチレングリコール、グリセ
リン等)中で行なうのが有利である。反応温度及び圧力
は臨界的ではないが、通常反応温度としては、約−20
℃乃至反応混合物の還流温度、好ましくFiO℃乃至1
80℃であり、圧力は有利には常圧である。
誘導体と前記式(財)の遊離アミンとの間で、或いは遊
離の置換安息香酸と前記式(2)のアミンの前述した如
き反応性#専体七の間で行なうこともできる。木アミド
化もまた、必要VcF5じて溶媒を用いずに行なうこと
もできるが、通常上記した如き不活性有機溶媒又は高沸
点のアルコール類(例えばエチレングリコール、グリセ
リン等)中で行なうのが有利である。反応温度及び圧力
は臨界的ではないが、通常反応温度としては、約−20
℃乃至反応混合物の還流温度、好ましくFiO℃乃至1
80℃であり、圧力は有利には常圧である。
かくして、前記式(ff)のN−(2’−テトラヒドロ
フラニル)アルキル安息香酸アミドが得られる。
フラニル)アルキル安息香酸アミドが得られる。
このものはそのまま又は単離した後に次の反応に供する
ことができる。反応後の反応混合物からの式QV)の化
合物の分離及び精製はそれ自体公知の方法、例えば沖過
、抽出、再結晶、クロマトグラフィー等の方法で容易に
行なうことができる。
ことができる。反応後の反応混合物からの式QV)の化
合物の分離及び精製はそれ自体公知の方法、例えば沖過
、抽出、再結晶、クロマトグラフィー等の方法で容易に
行なうことができる。
得られる式(ff)のN−(js’−テトラヒドロフラ
ニル)アルキル安息香酸アミドは従来の文献に未載の新
規な化合物であり、その代表例を示せば次の通りである
。
ニル)アルキル安息香酸アミドは従来の文献に未載の新
規な化合物であり、その代表例を示せば次の通りである
。
N−(2’−テトラヒドロ7ラニル)メチル安息香酸ア
ミド、 N−(2’−テトラヒドロ7ラニル)エチル安息香酸ア
ミド。
ミド、 N−(2’−テトラヒドロ7ラニル)エチル安息香酸ア
ミド。
N−(2’−テトラヒドロフラニル)プロピル安息香酸
アミド、 N (11−(217−テトラヒドロフラニル)エチ
ル〕安息香酸アミド。
アミド、 N (11−(217−テトラヒドロフラニル)エチ
ル〕安息香酸アミド。
これらのうち、N−(2’−テトラヒドロフラニル)メ
チル安息香酸アミドが特に好適である。
チル安息香酸アミドが特に好適である。
上記で得られる弐W>の化合物は、塩化チオニル(SO
CIIg)と反応せしめることにより、前記式ff)(
1’) N −ジクロロアルキル安息香酸アミドに変え
られる。
CIIg)と反応せしめることにより、前記式ff)(
1’) N −ジクロロアルキル安息香酸アミドに変え
られる。
式QVIの化合物と塩化チオニルとの反応は、溶媒の存
在下に行なうこともできるが、一般に溶媒の不存在下で
行なうのが有利である。溶媒を用いる場合に使用し得る
溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素;四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
在下に行なうこともできるが、一般に溶媒の不存在下で
行なうのが有利である。溶媒を用いる場合に使用し得る
溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素;四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
該反応の温度は臨界的ではないが、一般に約60℃以上
の加熱下に行なうのが好ましく、反応混合物の還流温度
において有利に行なわれる。
の加熱下に行なうのが好ましく、反応混合物の還流温度
において有利に行なわれる。
塩化チオニルの使用量もまた臨界的なものではないが、
一般に弐〇V)の化合物1モルに対して、少なくとも8
モル、好ましくFi4〜6モルの過剰量で使用するのが
好適である。
一般に弐〇V)の化合物1モルに対して、少なくとも8
モル、好ましくFi4〜6モルの過剰量で使用するのが
好適である。
かくして、本反応によシ、実質的に無水の条件下に式
式中、R1は前記定義の通りである、
の化合物が生成し、この成像)の化合物は反応系から単
離することもできるが、反応混合物に水を加えれば直ち
にRtt記式(マ)の化合物に変る。
離することもできるが、反応混合物に水を加えれば直ち
にRtt記式(マ)の化合物に変る。
生成する式(マ)の化合物はそのまま次の反応に供する
か、或いは反応混合物から一旦単離するようにしでもよ
い。式(マ)の化合物の分離及び精製はそれ自体公知の
方法で行なうことができ、例えばp過、遠心分離、抽出
、クロ實トゲラフイー、再結晶等の手段を用いることが
できる。
か、或いは反応混合物から一旦単離するようにしでもよ
い。式(マ)の化合物の分離及び精製はそれ自体公知の
方法で行なうことができ、例えばp過、遠心分離、抽出
、クロ實トゲラフイー、再結晶等の手段を用いることが
できる。
かくして得られた前記式(マ)のN−ジクロルアルキル
安息香酸アミドもまた、従来の文献に未載の新規な化合
物であり、その代表例を示せば次の通りである。
安息香酸アミドもまた、従来の文献に未載の新規な化合
物であり、その代表例を示せば次の通りである。
N−(2’、5’−ジクロルペンチル)安息香酸アミド
、 N−(8’、6’−ジクロルヘキシル)安息香酸アミド
、 N (4’、7’−ジクロルヘプチル)安息香酸アミ
ド、 N−(a’、5’−ジクロル−1−メチルペンチル)安
息香−アミド。
、 N−(8’、6’−ジクロルヘキシル)安息香酸アミド
、 N (4’、7’−ジクロルヘプチル)安息香酸アミ
ド、 N−(a’、5’−ジクロル−1−メチルペンチル)安
息香−アミド。
仁れら化合物のうち
N−(2’、5’−ジクロルペンチル)安息香酸アミが
特に好適な化合物である。
特に好適な化合物である。
かくして生成せしめられた式(マ)のN−ジクロロアル
キル安息香酸アミドけ、次いで式 %式%() 式中、RvVLnO記定義のiN+りである、のアルキ
ルアミンと反応せしめることにより、大成中、R1及び
R8はIlll定記の通りである、のN−(1’−アル
キル−2′−ピロリジニル)アルキル安息香酸アミドに
することができる。
キル安息香酸アミドけ、次いで式 %式%() 式中、RvVLnO記定義のiN+りである、のアルキ
ルアミンと反応せしめることにより、大成中、R1及び
R8はIlll定記の通りである、のN−(1’−アル
キル−2′−ピロリジニル)アルキル安息香酸アミドに
することができる。
式(マ)の化合物と式(鶴のアルキルアミンとの反応は
、溶媒の存在下又は不存在下のいずれの状態においても
行なうことができる。溶媒を使用する場合に用いうる溶
媒としては、例えばエタノール、インプロパツール、n
−ブタノール、tert−ブタノール、エチレングリコ
ールの如キアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジメトキシエタンの如きエーテル類;ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類;ジメ
チルスルホキシドCDMSO);)リエチルアミン、ピ
リジン、コリジン、ピコリンの如き有機アミン類;水、
等の極性溶媒が好適に使用される。
、溶媒の存在下又は不存在下のいずれの状態においても
行なうことができる。溶媒を使用する場合に用いうる溶
媒としては、例えばエタノール、インプロパツール、n
−ブタノール、tert−ブタノール、エチレングリコ
ールの如キアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジメトキシエタンの如きエーテル類;ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類;ジメ
チルスルホキシドCDMSO);)リエチルアミン、ピ
リジン、コリジン、ピコリンの如き有機アミン類;水、
等の極性溶媒が好適に使用される。
反応温度は厳密ではないが、一般に加熱下、好ましくは
約60℃以上特に80℃以上反応混合物の還流温度まで
の温度において反応を行なうのが有利である。また反応
の圧力も特に制限はなく通常常圧で行なわれるが、必要
に応じて減圧又は加圧下に行なってもよい。
約60℃以上特に80℃以上反応混合物の還流温度まで
の温度において反応を行なうのが有利である。また反応
の圧力も特に制限はなく通常常圧で行なわれるが、必要
に応じて減圧又は加圧下に行なってもよい。
式(田のアルキルアミンの使用量も臨界的ではなく、式
ff)の化合物及び/又は式(6)のアルキルアミンの
種類、反応条件等に応じて広範に変えることができるが
、通常、式(マ)の化合物1モルに対して少なくとも等
モル、好ましくは8モル以上であり、上限は特に制限は
ないが、必要以上に多量に使っても無駄であり、10モ
ル以下で充分である。また、反応に際しては、該アルキ
ルアミンを過剰に使用する代りに、酸結合剤を使用して
もよい。
ff)の化合物及び/又は式(6)のアルキルアミンの
種類、反応条件等に応じて広範に変えることができるが
、通常、式(マ)の化合物1モルに対して少なくとも等
モル、好ましくは8モル以上であり、上限は特に制限は
ないが、必要以上に多量に使っても無駄であり、10モ
ル以下で充分である。また、反応に際しては、該アルキ
ルアミンを過剰に使用する代りに、酸結合剤を使用して
もよい。
式ff)の化合物から式(■)の化合物への閉環反応の
機構は正確にはわからないが、例えばR1がメチレン基
である場合には、式(マ)の化合物から式(II)の化
合物への閉環反応において、中間で式 の化合物の存在が認められる。
機構は正確にはわからないが、例えばR1がメチレン基
である場合には、式(マ)の化合物から式(II)の化
合物への閉環反応において、中間で式 の化合物の存在が認められる。
かくの如くして得られる式(n)の化合物は必要に応じ
て反応混合物から分離した後、本発明の最終工程の反応
に供することができる。該分離は常法に従って、例えば
p過、遠心分離、クロマトグラフィー、抽出、蒸栢等の
手段により行なうことができる。
て反応混合物から分離した後、本発明の最終工程の反応
に供することができる。該分離は常法に従って、例えば
p過、遠心分離、クロマトグラフィー、抽出、蒸栢等の
手段により行なうことができる。
得られる成田)の化合物もまた、従来の文献に未載の新
規な化合物であり、その代表的なものを例示すれに次の
通りである。
規な化合物であり、その代表的なものを例示すれに次の
通りである。
N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)メチル安息
香酸アミド、 N−(1’−/チルー21−ピロリジニル)メチル安息
香酸アミド、 N−(1’−プロピル−2′−ピロリジニル)メチル安
息香酸アミド、 N−(1’−イソプロピル−2′−ピロリジニル)メチ
ル安息香酸アミド、 N−(1’−ブチル−2,t−ピロリジニル)メチル安
息香酸アミド、 N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)エチル安息
香酸アミド、 N−(1’−7’チル−2′−ピロリジニル)エチル安
息香酸アミド、 N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)プロピル安
息香酸アミド、 N−(1’−7’ロビルー2′−ピロリジニル)プロピ
ル安息香酸アミド、 N−(1’−(1“−プロピル−2“−ピロリジニル)
エチル〕安息香酸アミド、 N −(1’ −(1”−エチル−2〃−ピロリジニル
)エチル〕安息香酸アミド。
香酸アミド、 N−(1’−/チルー21−ピロリジニル)メチル安息
香酸アミド、 N−(1’−プロピル−2′−ピロリジニル)メチル安
息香酸アミド、 N−(1’−イソプロピル−2′−ピロリジニル)メチ
ル安息香酸アミド、 N−(1’−ブチル−2,t−ピロリジニル)メチル安
息香酸アミド、 N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)エチル安息
香酸アミド、 N−(1’−7’チル−2′−ピロリジニル)エチル安
息香酸アミド、 N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)プロピル安
息香酸アミド、 N−(1’−7’ロビルー2′−ピロリジニル)プロピ
ル安息香酸アミド、 N−(1’−(1“−プロピル−2“−ピロリジニル)
エチル〕安息香酸アミド、 N −(1’ −(1”−エチル−2〃−ピロリジニル
)エチル〕安息香酸アミド。
上記化合物中式
式中、R! 1 t’i低級アルキル基を表わす、の化
合物が好適であり、就中N−(1’−エチル−2′−ピ
ロリジニル)エチル安息香酸アミドが好ましい化合物で
ある。
合物が好適であり、就中N−(1’−エチル−2′−ピ
ロリジニル)エチル安息香酸アミドが好ましい化合物で
ある。
上記の如くして得られた式ω)の化合物は、本発明によ
れば、アルカリ金属水酸化物で処理することにより、ア
ミド結合が開裂せしめられ、目的とする式(I)の1−
アルキル−2−アミノアルキルアミンにされる。
れば、アルカリ金属水酸化物で処理することにより、ア
ミド結合が開裂せしめられ、目的とする式(I)の1−
アルキル−2−アミノアルキルアミンにされる。
該アルカリ金属水酸化物による処理は、該アルカリ金剛
水酸化物の少なくとも一部を溶解し得る、実質的に水を
含まない不活性有機溶媒中で行なうのが有利である。か
かる不活性有機溶媒としては、メタ/−ル、エタノール
、n−プロパツール、n−ブタノール、メトキシエタノ
ール、エトキシエタノール、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン
等の如き低級アルコールが最も適している。これらのう
ち、特にメタノール、エタノール、エチレングリコール
及びグリセリンが便利に用いられる。これら溶媒は無水
であることが望ましいが、反応を大きく阻害しない程度
の少′Nk(通常5重1#%まで)の水の存在は許容し
うる。
水酸化物の少なくとも一部を溶解し得る、実質的に水を
含まない不活性有機溶媒中で行なうのが有利である。か
かる不活性有機溶媒としては、メタ/−ル、エタノール
、n−プロパツール、n−ブタノール、メトキシエタノ
ール、エトキシエタノール、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン
等の如き低級アルコールが最も適している。これらのう
ち、特にメタノール、エタノール、エチレングリコール
及びグリセリンが便利に用いられる。これら溶媒は無水
であることが望ましいが、反応を大きく阻害しない程度
の少′Nk(通常5重1#%まで)の水の存在は許容し
うる。
使用し得るアルカリ金属水酸化物としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられ
るが、本発明においては殊に萌2者の使用が望ましい。
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられ
るが、本発明においては殊に萌2者の使用が望ましい。
上記の処理の際の温度は厳密ではなく、使用する式(n
)の化合物及び/又はアルカリ金属水酸化物の種類や他
の反応条件等に応じて広範に変えることができるか、一
般に約50℃以上、特に60℃以上反応混合物の還流温
度までの範囲の温度を使用することが有利である。該処
理の際の圧力も特に制約はないが、通常大気圧で充分で
あり、必要に応じて減圧又は加圧を用いることができる
。
)の化合物及び/又はアルカリ金属水酸化物の種類や他
の反応条件等に応じて広範に変えることができるか、一
般に約50℃以上、特に60℃以上反応混合物の還流温
度までの範囲の温度を使用することが有利である。該処
理の際の圧力も特に制約はないが、通常大気圧で充分で
あり、必要に応じて減圧又は加圧を用いることができる
。
上記アルカリ金属水酸化物の使用量もまた臨界的ではな
く、式(n)の化合物及び/又はアルカリ金1@水酸化
物のII jrlや反応条件に応じて広範に変えること
ができるが、一般に該アルカリ金属水酸化物を過料に使
用するのが適当であり、例えば式(U)の化合物1モル
に対して、アルカリ金属水酸化物少なくとも5当景、好
適には8〜15当量の範囲で用いるのが有利である。
く、式(n)の化合物及び/又はアルカリ金1@水酸化
物のII jrlや反応条件に応じて広範に変えること
ができるが、一般に該アルカリ金属水酸化物を過料に使
用するのが適当であり、例えば式(U)の化合物1モル
に対して、アルカリ金属水酸化物少なくとも5当景、好
適には8〜15当量の範囲で用いるのが有利である。
かくして、前記式(I)の1−アルキル−2−アミノア
ルキルピロリジンを高収率で生成せしめるこ七ができる
。この式(I)の化合物の反応混合物からの単離は、そ
れ自体公知の方法、例えば抽出、クロマトグラフィー、
蒸留等の手段を用いて容易に行なうことができる。
ルキルピロリジンを高収率で生成せしめるこ七ができる
。この式(I)の化合物の反応混合物からの単離は、そ
れ自体公知の方法、例えば抽出、クロマトグラフィー、
蒸留等の手段を用いて容易に行なうことができる。
本発明により提供される式(I)の化合物は、各種工業
薬品、医薬品の合成中間体として使用することができる
。
薬品、医薬品の合成中間体として使用することができる
。
以下、実施例により本発明をさらに説明する。
実施例1
塩化ヘンジイル(1415F)をベンゼン(42,4m
e)に溶かし、テトラヒドロフルフリルアミン(10,
1g)およびトリエチルアミン(10,1g)を冷却下
に滴加する。室温にて2時間攪拌した後、反応液に水を
加える。有機層を水洗し、芒硝で乾燥する。減圧下に溶
媒を留去するとN−(2’−テトラヒドロフラニル)メ
チル安息香酸アミド(20,12)が結晶として得られ
る。
e)に溶かし、テトラヒドロフルフリルアミン(10,
1g)およびトリエチルアミン(10,1g)を冷却下
に滴加する。室温にて2時間攪拌した後、反応液に水を
加える。有機層を水洗し、芒硝で乾燥する。減圧下に溶
媒を留去するとN−(2’−テトラヒドロフラニル)メ
チル安息香酸アミド(20,12)が結晶として得られ
る。
融点88〜90℃NR4R(CDC1g+δ);1.9
付近(4H、多重線)、8.1〜4.2(5H,多重線
)、6.8(IH,多重線)、I8〜7.9 (5H、
多重線)。
付近(4H、多重線)、8.1〜4.2(5H,多重線
)、6.8(IH,多重線)、I8〜7.9 (5H、
多重線)。
N−(2’−テトラヒドロ7ラニル)メチル安息香酸ア
ミドは以下の方法によっても!M造される。
ミドは以下の方法によっても!M造される。
す々わち、安息i酸(12,,2F)をジメチルホルム
アミド(60rne)およびトリエチルアミン(10,
6g)に溶かし、クロルギ酸イソプロピル(12,,8
5g)を冷却下に滴加する。室温にて1時間攪拌した後
、再び冷却し、テトラヒドロフルフリルアミン(10,
(1)を滴加する。室温にて2時間攪拌した後、反応液
を水にあけ、ベンゼンで抽出する。有機層を水洗し、芒
硝で乾燥する。
アミド(60rne)およびトリエチルアミン(10,
6g)に溶かし、クロルギ酸イソプロピル(12,,8
5g)を冷却下に滴加する。室温にて1時間攪拌した後
、再び冷却し、テトラヒドロフルフリルアミン(10,
(1)を滴加する。室温にて2時間攪拌した後、反応液
を水にあけ、ベンゼンで抽出する。有機層を水洗し、芒
硝で乾燥する。
溶媒を留去するとN−(2’−テトラヒドロフラニル)
メチル安息香酸アミド(20,0G+)が得られる。融
点88〜90℃。
メチル安息香酸アミド(20,0G+)が得られる。融
点88〜90℃。
上で得られるN−(2’−テトラヒドロ7ラニル)メチ
ル安息香酸アミド(40F)を塩化チオニル(76,7
9)とともに4時間加熱還流する。反応液を氷水にあけ
、炭酸カリウムで中和する。析出する結晶をPJIXシ
、水洗した後乾燥するとN −(2’15’−ジクロル
ペンチル)安息香酸アミド(47,29)が得られる。
ル安息香酸アミド(40F)を塩化チオニル(76,7
9)とともに4時間加熱還流する。反応液を氷水にあけ
、炭酸カリウムで中和する。析出する結晶をPJIXシ
、水洗した後乾燥するとN −(2’15’−ジクロル
ペンチル)安息香酸アミド(47,29)が得られる。
融点56〜57℃。
NMR(CDCZs 、II ) ; 2&O付近(4
B、多重線)、8.8〜48(5H,多重線)、6.9
付近(IH1多重線)、78〜7.9(5H,多重H)
。
B、多重線)、8.8〜48(5H,多重線)、6.9
付近(IH1多重線)、78〜7.9(5H,多重H)
。
上で得られるN−(2’、5’−ジクロルペンチル)安
息香酸アミド(2&99)を70%エチルアミン溶液(
28,9me)およびエタノール(2&9m/)ととも
に20時間加熱する。エチルアミンを減圧下に出来るだ
け留去し、4時開加熱する。反応液に4%苛苛性ソー浴
溶液加え7c後ベンゼンで抽出する。有MAVを水洗後
芒硝で41する。溶媒を留去スルとN−(1’−エチル
−2′−ピロリジニル)メチル安息香酸アミド(18,
99)が油状物としテNラレルo NMR(CDC15
* a ) ; 1.11 (8H9三重線、J=7H
2)、18付近(4H1多重線)、19〜8.6(71
(、多重線)、7.8〜?、9(5H,多重線)。
息香酸アミド(2&99)を70%エチルアミン溶液(
28,9me)およびエタノール(2&9m/)ととも
に20時間加熱する。エチルアミンを減圧下に出来るだ
け留去し、4時開加熱する。反応液に4%苛苛性ソー浴
溶液加え7c後ベンゼンで抽出する。有MAVを水洗後
芒硝で41する。溶媒を留去スルとN−(1’−エチル
−2′−ピロリジニル)メチル安息香酸アミド(18,
99)が油状物としテNラレルo NMR(CDC15
* a ) ; 1.11 (8H9三重線、J=7H
2)、18付近(4H1多重線)、19〜8.6(71
(、多重線)、7.8〜?、9(5H,多重線)。
N−(1’−エチル−2′−ピロリジニル)メチル安息
香酸アミド(120り)をエタノール(60〇−)およ
び水酸化カリウム(80(1)とともに4時間加熱還流
する。析出する結晶をp去し、E液の溶媒を減圧下にで
きるだけ留去した後ベンゼンで抽出する。水洗した後芒
硝で乾燥し、溶媒を留去する。1A悄物を減圧蒸留する
とbpz。60〜61℃の油(60,8F)を得る。N
MR(CDCl5、δ);LO9(8H,三重線、J=
7Hz)、15〜8.8(IIH,多重l#)。
香酸アミド(120り)をエタノール(60〇−)およ
び水酸化カリウム(80(1)とともに4時間加熱還流
する。析出する結晶をp去し、E液の溶媒を減圧下にで
きるだけ留去した後ベンゼンで抽出する。水洗した後芒
硝で乾燥し、溶媒を留去する。1A悄物を減圧蒸留する
とbpz。60〜61℃の油(60,8F)を得る。N
MR(CDCl5、δ);LO9(8H,三重線、J=
7Hz)、15〜8.8(IIH,多重l#)。
手続補正書
昭和60年 6月11日
特許庁 長 官 殿
1、事件の表示
2、発明の名称
N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法
フランス国、パリッ、プールパール、ドウ、ラドウール
−モープール、46 ソシエテ・デチェーデ・シャンティフィック・工ニアン
デュストリエル・ドウ・リルードウーフランス4、代理
人 五 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 a 補正の内容 別紙のとおり I 添付書類 訂正した特許請求の範囲 1 進級 上 〔特許請求の範囲〕 1、式 で表わされるN−ジクロロアルキル安息香酸アミド。但
し、R,はアルキレン基を表わす。
フランス国、パリッ、プールパール、ドウ、ラドウール
−モープール、46 ソシエテ・デチェーデ・シャンティフィック・工ニアン
デュストリエル・ドウ・リルードウーフランス4、代理
人 五 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 a 補正の内容 別紙のとおり I 添付書類 訂正した特許請求の範囲 1 進級 上 〔特許請求の範囲〕 1、式 で表わされるN−ジクロロアルキル安息香酸アミド。但
し、R,はアルキレン基を表わす。
2、、R,がメチレンである、特許請求の範囲第1項に
記載するN−(2’、5’−ジクロニペンチル)安息香
酸アミド。
記載するN−(2’、5’−ジクロニペンチル)安息香
酸アミド。
で表わされるN−(2’−テトラヒドロフラニル)アル
キル安息香酸アミドを塩化チオニルと反応させることを
水で処理する、、式 のN−ジクロロアルキル安息香酸アミドの製造方法。但
し、R1はアルキレン基を表わす。
キル安息香酸アミドを塩化チオニルと反応させることを
水で処理する、、式 のN−ジクロロアルキル安息香酸アミドの製造方法。但
し、R1はアルキレン基を表わす。
表 上記反応を溶媒の不存在下に行なう、特許請求の範
囲第3項に記載する方法。
囲第3項に記載する方法。
& 上記反応を不活性有機溶媒の存在下に行なう、特許
請求の範囲第3項に記載する方法。
請求の範囲第3項に記載する方法。
6、上記反応を反応混合物の還流温度において行なう、
特許請求の範囲第3項に記載する方法。
特許請求の範囲第3項に記載する方法。
I 塩化チオニルを式(If/)のN−(2’−テトラ
ヒドロ7ラニル)アルキル安息香酸アミド1モルに対し
て少なくとも8モル、好ましくは4−6モル使用する、
特許請求の範囲第3項に記載する方法。
ヒドロ7ラニル)アルキル安息香酸アミド1モルに対し
て少なくとも8モル、好ましくは4−6モル使用する、
特許請求の範囲第3項に記載する方法。
8、反応生成物を水で処理する、特許請求の範囲第3項
に記載する方法。
に記載する方法。
9.(a) 安息香酸又はその反応性誘導体を式の2
−テトラヒト四フラニルアルキルアミン又はその反応性
誘導体と反応せしめ、 (b)得られる式 %式%) ル安息香酸アミドを塩化チオニルと反応させることを水
で処理する、、式 17)N−シフ四ロアルキル安息香酸アミドの製造方法
。但し、R1はアルキレン基を表わす。
−テトラヒト四フラニルアルキルアミン又はその反応性
誘導体と反応せしめ、 (b)得られる式 %式%) ル安息香酸アミドを塩化チオニルと反応させることを水
で処理する、、式 17)N−シフ四ロアルキル安息香酸アミドの製造方法
。但し、R1はアルキレン基を表わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) で表わされるN−ジクロロアルキル安息香酸アミド。但
し、R_1はアルキレン基を表わす。 2、R_1がメチレンである、特許請求の範囲第1項に
記載するN−(2′,5′−シクロペンチル)安息香酸
アミド。 3、▲数式、化学式、表等があります▼(IV) で表わされるN−(2′−テトラヒドロフラニル)アル
キル安息香酸アミドを塩化チオニルと反応させることを
特徴とする、式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) のN−ジクロロアルキル安息香酸アミドの製造方法。但
し、R_1はアルキレン基を表わす。 4、上記反応を溶媒の不存在下に行なう、特許請求の範
囲第3項に記載する方法。 5、上記反応を不活性有機溶媒の存在下に行なう、特許
請求の範囲第3項に記載する方法。 6、上記反応を反応混合物の還流温度において行なう、
特許請求の範囲第3項に記載する方法。 7、塩化チオニルを式(IV)のN−(2′−テトラヒド
ロフラニル)アルキル安息香酸アミド1モルに対して少
なくとも3モル、好ましくは4−6モル使用する、特許
請求の範囲第3項に記載する方法。 8、反応生成物を水で処理する、特許請求の範囲第3項
に記載する方法。 9、(a)、安息香酸又はその反応性誘導体を式▲数式
、化学式、表等があります▼(III) の2−テトラヒドロフラニルアルキルアミン又はその反
応性誘導体と反応せしめ、 (b)、得られる式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) のN−(2′−テトラヒドロフラニル)アルキル安息香
酸アミドを塩化チオニルと反応させることを特徴とする
、式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) のN−ジクロロアルキル安息香酸アミドの製造方法。但
し、R_1はアルキレン基を表わす。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12402785A JPS6144854A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12402785A JPS6144854A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6144854A true JPS6144854A (ja) | 1986-03-04 |
JPS6124379B2 JPS6124379B2 (ja) | 1986-06-10 |
Family
ID=14875219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12402785A Granted JPS6144854A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6144854A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580108B1 (en) | 1999-02-04 | 2003-06-17 | Hitachi, Ltd. | Insulated gate bipolar transistor decreasing the gate resistance |
US6861705B2 (en) | 2000-03-07 | 2005-03-01 | Seiko Epson Corporation | Driver circuits and methods for manufacturing driver circuits |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7290138B2 (ja) | 2020-06-12 | 2023-06-13 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン組成物およびその硬化物 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12402785A patent/JPS6144854A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580108B1 (en) | 1999-02-04 | 2003-06-17 | Hitachi, Ltd. | Insulated gate bipolar transistor decreasing the gate resistance |
US6861705B2 (en) | 2000-03-07 | 2005-03-01 | Seiko Epson Corporation | Driver circuits and methods for manufacturing driver circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6124379B2 (ja) | 1986-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6144854A (ja) | N−ジクロロアルキル安息香酸アミド及びその製造方法 | |
US5461157A (en) | Process for preparing pyrrolidinylacetamide derivatives | |
CN112272665B (zh) | 制备立他司特的方法 | |
JPS6144886A (ja) | N−(2′−テトラヒドロフラニル)アルキル安息香酸アミド及びその製造方法 | |
JP3207018B2 (ja) | ベンジルコハク酸誘導体の製造方法およびその製造中間体 | |
SU1034605A3 (ru) | Способ получени молекул рного соединени @ -диэтиламиноэтиламида @ -хлорфеноксиуксусной кислоты с 4- @ -бутил-3,5-дикето-1,2-дифенилпиразолидином | |
JPH0395192A (ja) | アゾ化合物 | |
US4279836A (en) | Hydroxamic acid derivative and method of preparing metoclopramide using same | |
WO1998032736A1 (fr) | Procede de production de derives d'acide benzylsuccinique | |
CN115557823B (zh) | 一种合成酰胺类化合物的方法 | |
JPS6360969A (ja) | イミダゾ−ル誘導体の製造方法 | |
JPS6140258A (ja) | N−(1′−アルキル−2′−ピロリジニル)アルキル安息香酸アミド及びその製造方法 | |
JP2000503993A (ja) | N―(3―アミノ―4―クロロフェニル)アシルアミドの製造方法 | |
JPS6056706B2 (ja) | 1−アルキル−2−アミノアルキルピロリジンの製造方法 | |
JPS60100554A (ja) | Ν−フエニルマレイミド化合物の製造方法 | |
JP3538889B2 (ja) | アルキルチオアセタミドの製造方法 | |
KR800000380B1 (ko) | 3-이속사졸릴 요소 유도체의 제조방법 | |
JPS5946260A (ja) | 安息香酸誘導体 | |
KR810000463B1 (ko) | 치환 안식향산 아미드의 신규 제조방법 | |
JP2540167B2 (ja) | マレイミドの製造方法 | |
KR900002050B1 (ko) | 프롤린 화합물의 제조방법 | |
JP2001527564A (ja) | 芳香族ビスイミドの製法 | |
JPH0812658A (ja) | シドノン類の製造法 | |
JPS6018678B2 (ja) | 4−0−(2−アミノ−2−デオキシ−α−D−グルコピラノシル)−2,5−ジデオキシストレプタミンの製造法 | |
JPH0285235A (ja) | 光学活性アミノアルコール類の製法 |