JPS62121401A - 光学式デイスク基板およびその製法 - Google Patents
光学式デイスク基板およびその製法Info
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- JPS62121401A JPS62121401A JP60261710A JP26171085A JPS62121401A JP S62121401 A JPS62121401 A JP S62121401A JP 60261710 A JP60261710 A JP 60261710A JP 26171085 A JP26171085 A JP 26171085A JP S62121401 A JPS62121401 A JP S62121401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、レーザー光線の反射または透過により、記
録された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディス
ク（以下、「光学式ディスク」と称する）およびその製
法に関する。
録された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディス
ク（以下、「光学式ディスク」と称する）およびその製
法に関する。
光学式ディスクは、基板樹脂としてメタクリル樹脂を用
いたビデオディスク、ポリカーボネート樹脂を用いたコ
ンパクトディスクがそれぞれ市販されているが、これら
の光学式ディスクは情報を凹凸のピントとして基板に刻
んだ再生専用型である。さらに進んだ光学式ディスクと
して、トラッキング用の案内溝（以下、「グループ」と
称する）の上に形成された記録材料の光反射率あるいは
光透過率をレーザー光の照射により変化させることによ
り情報の記録再生を行うＤＲＡＷ型、および、記録／再
生・消去の繰り返しが可能なＥ−ＤＲＡＷ型がある。こ
れらのうち、Ｅ−ＤＲＡＷ型光学式ディスクには、記録
材料として垂直磁化可能な磁性材料を用いてレーザー光
の照射によって磁化方向を反転させることにより、情報
記録を行う光磁気方式が主流となりつつある。この方式
は、偏光したレーザー光を入射し、記録材料で反射する
際に、磁化の方向によって偏光方向が変化すること（カ
ー効果）により情報の読み出しを行っている。しかし、
この偏光方向の変化が微小であるため、ディスク基板の
光学的均質性（複屈折がないこと）が強く求められる。
いたビデオディスク、ポリカーボネート樹脂を用いたコ
ンパクトディスクがそれぞれ市販されているが、これら
の光学式ディスクは情報を凹凸のピントとして基板に刻
んだ再生専用型である。さらに進んだ光学式ディスクと
して、トラッキング用の案内溝（以下、「グループ」と
称する）の上に形成された記録材料の光反射率あるいは
光透過率をレーザー光の照射により変化させることによ
り情報の記録再生を行うＤＲＡＷ型、および、記録／再
生・消去の繰り返しが可能なＥ−ＤＲＡＷ型がある。こ
れらのうち、Ｅ−ＤＲＡＷ型光学式ディスクには、記録
材料として垂直磁化可能な磁性材料を用いてレーザー光
の照射によって磁化方向を反転させることにより、情報
記録を行う光磁気方式が主流となりつつある。この方式
は、偏光したレーザー光を入射し、記録材料で反射する
際に、磁化の方向によって偏光方向が変化すること（カ
ー効果）により情報の読み出しを行っている。しかし、
この偏光方向の変化が微小であるため、ディスク基板の
光学的均質性（複屈折がないこと）が強く求められる。
また、この記録材料は、遷移金属と希土類金属とから成
る非晶質薄膜であるため水分により酸化され易いので、
ディスク基板には低吸湿性も要求される。さらに、記録
材料をディスク基板へ蒸着する時に、ディスク基板が加
熱されるため、熱変形温度が高いことが求められている
； 従来、再生専用型光学式ディスクの基板材料として用い
られているメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂につ
いては、メタクリル樹脂が吸湿性と熱変形温度の点で、
ポリカーボネート樹脂が複屈折の点で、それぞれ、上記
の光磁気方式のディスク基板として要求される性能を満
足させることができない。
る非晶質薄膜であるため水分により酸化され易いので、
ディスク基板には低吸湿性も要求される。さらに、記録
材料をディスク基板へ蒸着する時に、ディスク基板が加
熱されるため、熱変形温度が高いことが求められている
； 従来、再生専用型光学式ディスクの基板材料として用い
られているメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂につ
いては、メタクリル樹脂が吸湿性と熱変形温度の点で、
ポリカーボネート樹脂が複屈折の点で、それぞれ、上記
の光磁気方式のディスク基板として要求される性能を満
足させることができない。
このような問題に対して、発明者らは、熱硬化性樹脂を
ディスク基板材料として用いたらよいということを見い
出していた。ところが、一般に、熱硬化性樹脂は、離型
性が悪く、離型剤、金型の表面処理等の離型処理が必要
なため、０．０２ Ｓ程度の鏡面を得ることができない
。この鏡面は、光硬化性樹脂によりグループを作製した
際、その境界面でレーザー光が屈折および乱反射を起こ
して読み取りエラーを生しることがないようにするため
に必要である。
ディスク基板材料として用いたらよいということを見い
出していた。ところが、一般に、熱硬化性樹脂は、離型
性が悪く、離型剤、金型の表面処理等の離型処理が必要
なため、０．０２ Ｓ程度の鏡面を得ることができない
。この鏡面は、光硬化性樹脂によりグループを作製した
際、その境界面でレーザー光が屈折および乱反射を起こ
して読み取りエラーを生しることがないようにするため
に必要である。
したがって、熱硬化性樹脂をそのまま光学式ディスク基
板とすることは、上記した理由で、読み取りエラーの点
から問題がある。
板とすることは、上記した理由で、読み取りエラーの点
から問題がある。
この発明は、以上のことに鑑みて、低複屈折、低吸水、
高熱変形で、エラーなしに読み取りができる光学式ディ
スク基板およびその製法を提供することを目的とする。
高熱変形で、エラーなしに読み取りができる光学式ディ
スク基板およびその製法を提供することを目的とする。
この発明は、上記の目的を達成するために、光学的に透
明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の
層を有する光学式ディスク基板であって、前記熱硬化性
樹脂の層の屈折率と前記光硬化性樹脂の層の屈折率が同
じであることを特徴とする光学式ディスク基板を第１の
要旨とし、光学的に透明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣
り合う光硬化性樹脂の層とを有する光学式ディスク基板
を得るにあたり、前記熱硬化性樹脂の層の屈折率と前記
光硬化性樹脂の層の屈折率が同じであるように、前記光
硬化性樹脂を選ぶことを特徴とする光学式ディスク基板
の製法を第２の要旨としている。
明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の
層を有する光学式ディスク基板であって、前記熱硬化性
樹脂の層の屈折率と前記光硬化性樹脂の層の屈折率が同
じであることを特徴とする光学式ディスク基板を第１の
要旨とし、光学的に透明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣
り合う光硬化性樹脂の層とを有する光学式ディスク基板
を得るにあたり、前記熱硬化性樹脂の層の屈折率と前記
光硬化性樹脂の層の屈折率が同じであるように、前記光
硬化性樹脂を選ぶことを特徴とする光学式ディスク基板
の製法を第２の要旨としている。
なお、この発明で、熱硬化性樹脂の層（硬化物）の屈折
率と光硬化性樹脂の層（硬化物）の屈折率が同じとは、
厳密に両者の値が同じであることのみを示すものではな
く、ある程度の違いがあってもよい。すなわち、はぼ同
じということを意味している。
率と光硬化性樹脂の層（硬化物）の屈折率が同じとは、
厳密に両者の値が同じであることのみを示すものではな
く、ある程度の違いがあってもよい。すなわち、はぼ同
じということを意味している。
以下に、この発明の詳細な説明する。
この発明で用いる熱硬化性樹脂は、光学的に透明なもの
であれば種々のものが用いられ、特に限定されない。熱
硬化性樹脂で、 ■ 光線透過率が良好で、良流動性であるため低複屈折
であること、 ■ 熱変形温度も充分高いこと、 ■ 吸湿率が低く、吸湿による記録材料に対する悪影響
がないこと、 といった利点を有するものは、光磁気方式などＥ・ＤＲ
ＡＷ型の光学式ディスク基板用として好ましいものであ
る。発明者らが見出したところでは、熱硬化性樹脂とし
て、透明性が良好で、低複屈折、低吸水、高熱変形のエ
ポキシ樹脂および不飽和ポリエステル樹脂のいずれか一
方または両方を用いるようにするのが好ましい。このよ
うにすると、上記■〜■の利点をすべて有するようにで
きるので、光磁気方式の光学式ディスク基板用として適
当である。
であれば種々のものが用いられ、特に限定されない。熱
硬化性樹脂で、 ■ 光線透過率が良好で、良流動性であるため低複屈折
であること、 ■ 熱変形温度も充分高いこと、 ■ 吸湿率が低く、吸湿による記録材料に対する悪影響
がないこと、 といった利点を有するものは、光磁気方式などＥ・ＤＲ
ＡＷ型の光学式ディスク基板用として好ましいものであ
る。発明者らが見出したところでは、熱硬化性樹脂とし
て、透明性が良好で、低複屈折、低吸水、高熱変形のエ
ポキシ樹脂および不飽和ポリエステル樹脂のいずれか一
方または両方を用いるようにするのが好ましい。このよ
うにすると、上記■〜■の利点をすべて有するようにで
きるので、光磁気方式の光学式ディスク基板用として適
当である。
熱硬化性樹脂の層は、たとえば、熱硬化性樹脂を成形用
型内で熱硬化成形して得られる成形板材（たとえば、平
面円板、その他の板材）が用いられるが、これに限定さ
れない。熱硬化性樹脂の成形板材は、たとえば、従来、
一般に行われている射出成形、トランスファー成形、゛
圧縮成形、注型成形、その他のいずれの成形方法によっ
て作られてもよい。この際、熱硬化性樹脂の成形板材の
表面精度は特に問題にする必要はない。
型内で熱硬化成形して得られる成形板材（たとえば、平
面円板、その他の板材）が用いられるが、これに限定さ
れない。熱硬化性樹脂の成形板材は、たとえば、従来、
一般に行われている射出成形、トランスファー成形、゛
圧縮成形、注型成形、その他のいずれの成形方法によっ
て作られてもよい。この際、熱硬化性樹脂の成形板材の
表面精度は特に問題にする必要はない。
この発明で用いる光硬化性樹脂は、種々のものが用いら
れ、特に限定されない。光硬化性樹脂を用いると、グル
ープ、ビットなどを精度よく付けることができる。発明
者らの見出したところでは、光硬化性樹脂として、下記
の一般式（Ａ）であられされる、（メタ）アクリレート
類化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の
もののモノマ、および／または、このようなモノマを重
合（共重合も含める）して得られるプレポリマが、それ
ぞれ単独で用いられたり、または、２種以上が併用され
ると、上記の熱硬化性樹脂の層と屈折率が同じである層
を得ることができる。（Ａ）弐で、ｒＸＪは水素または
メチル基（ＣＨｓ−）なとのアルキル基である。ｒＲＪ
はこの基により屈折率が大きく左右されるものであり、
「Ｒ」は、 （ａｌ 脂肪族飽和炭化水素から水素原子１〜４個を
除いた１〜４価の基、 （ｂ） 芳香族炭化水素から水素原子１〜４個を除い
た１〜４価の基、 （ｅ） 側鎖をもつ芳香族炭化水素の側鎖から水素原
子１〜４個を除いた１〜４価の基、 （ｄｌ エーテルから水素原子１〜４個を除いた１〜
４価の基、 および、 （Ｑｌ 前記すべての基にハロゲン基が少な（とも１
つ導入されているもの からなる群の中から選ばれた１つの基が好ましい前記（
ａ）の基としては、特に限定されないが、アルキル基。
れ、特に限定されない。光硬化性樹脂を用いると、グル
ープ、ビットなどを精度よく付けることができる。発明
者らの見出したところでは、光硬化性樹脂として、下記
の一般式（Ａ）であられされる、（メタ）アクリレート
類化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の
もののモノマ、および／または、このようなモノマを重
合（共重合も含める）して得られるプレポリマが、それ
ぞれ単独で用いられたり、または、２種以上が併用され
ると、上記の熱硬化性樹脂の層と屈折率が同じである層
を得ることができる。（Ａ）弐で、ｒＸＪは水素または
メチル基（ＣＨｓ−）なとのアルキル基である。ｒＲＪ
はこの基により屈折率が大きく左右されるものであり、
「Ｒ」は、 （ａｌ 脂肪族飽和炭化水素から水素原子１〜４個を
除いた１〜４価の基、 （ｂ） 芳香族炭化水素から水素原子１〜４個を除い
た１〜４価の基、 （ｅ） 側鎖をもつ芳香族炭化水素の側鎖から水素原
子１〜４個を除いた１〜４価の基、 （ｄｌ エーテルから水素原子１〜４個を除いた１〜
４価の基、 および、 （Ｑｌ 前記すべての基にハロゲン基が少な（とも１
つ導入されているもの からなる群の中から選ばれた１つの基が好ましい前記（
ａ）の基としては、特に限定されないが、アルキル基。
云Ｃ’Ａｚｈ・・・（Ｉ）。
→Ｃ１１）Ｔ−（ＹはＨまたはＣＨ３などのアルキル基
）・・・（ＩＩ） などがあげられる。前記（ｂｌの基としては、特に限定
されないが、アリール基などがあげられる。前記（Ｃ１
の基としては、特に限定されないが、アラルキル基など
があげられる。前記（ｄ）の基としては、特に限定され
ないが、 −ＣＨｚ−ＣＩｌ□育０−ＣＨ，−ＣＨ２斤
・・・ （ＤＩ）・・・ （ＩＶ） などがあげられる。前記（ｅ）の基としては、特に限定
されないが、 Ｈ２Ｂｒ −ＣＨｚ−Ｃ−ＣＨｚ−・・・（Ｖ） ＨｚＢｒ などがあげられる、これらの基のうち、低屈折率となる
ものは、特に限定されないが、たとえば、（１）式、
（■）式、 （■）式で示されるものなどがある。それ
らの基のうち、高屈折率となるものは、特に限定されな
いが、（ＩＶ）式に示す芳香環（ベンゼン環）を導入し
たもの、（Ｖ）式に示すＢｒなどのハロゲン基を導入し
たものなどがある。これらの基を有する（Ａ）式に示す
（メタ）アクリレート類化合物を適宜単独でまたは２種
以上を組み合わせて用いるようにすると、熱硬化性樹脂
の層の屈折率と同じ屈折率をもつ層となる光硬化性樹脂
が容易に得られる。このほか、光重合開始剤が普通用い
られる。光重合開始剤も特に限定されず種々のものが用
いられる。
）・・・（ＩＩ） などがあげられる。前記（ｂｌの基としては、特に限定
されないが、アリール基などがあげられる。前記（Ｃ１
の基としては、特に限定されないが、アラルキル基など
があげられる。前記（ｄ）の基としては、特に限定され
ないが、 −ＣＨｚ−ＣＩｌ□育０−ＣＨ，−ＣＨ２斤
・・・ （ＤＩ）・・・ （ＩＶ） などがあげられる。前記（ｅ）の基としては、特に限定
されないが、 Ｈ２Ｂｒ −ＣＨｚ−Ｃ−ＣＨｚ−・・・（Ｖ） ＨｚＢｒ などがあげられる、これらの基のうち、低屈折率となる
ものは、特に限定されないが、たとえば、（１）式、
（■）式、 （■）式で示されるものなどがある。それ
らの基のうち、高屈折率となるものは、特に限定されな
いが、（ＩＶ）式に示す芳香環（ベンゼン環）を導入し
たもの、（Ｖ）式に示すＢｒなどのハロゲン基を導入し
たものなどがある。これらの基を有する（Ａ）式に示す
（メタ）アクリレート類化合物を適宜単独でまたは２種
以上を組み合わせて用いるようにすると、熱硬化性樹脂
の層の屈折率と同じ屈折率をもつ層となる光硬化性樹脂
が容易に得られる。このほか、光重合開始剤が普通用い
られる。光重合開始剤も特に限定されず種々のものが用
いられる。
光硬化性樹脂の層は、たとえば、つぎのようにしてつく
られるが、これらの方法に限定されない。すなわち、上
記のようにしてつくられた成形板材など熱硬化性樹脂の
層に、この熱硬化性樹脂の層と同じ屈折率をもつ層とな
るような光硬化性樹脂を塗布し、スタンバではさんで光
硬化させる方法である。この方法の１例をより具体的に
示すと、上記の熱硬化性樹脂を上記のように、熱硬化成
形して得た成形板材に、この熱硬化性樹脂の層の屈折率
と同じ屈折率を持つ層となるように調製された上記のよ
うな光硬化性樹脂を、たとえば、１０〜２０−の厚みで
スピンコードし、この上にスタンバをのせて、前記成形
板材の側から、たとえば、４０Ｗの水銀ランプで１〜１
．５ ｍ’ｓ／ ｃｏ！の光強度の光を照射して光硬化
性樹脂を光硬化させることである。このようにして光硬
化性樹脂の層をっくると、熱硬化性樹脂の層とこれに隣
り合う光硬化性樹脂の層を有する光学式ディスク基板が
得られる。光硬化時に、光硬化性樹脂の層の、熱硬化性
樹脂の層と隣り合う面と反対側の面に、スタンバにより
グループを付けると、ＤＲＡＷ型、Ｅ・ＤＲＡＷ型の光
学式ディスク基板となり、凹凸のピントを付けると再生
専用型の光学式ディスク基板となる。グループ、ピント
が付けられた面には、記録材料層が設けられ、さらにこ
れに重ねて反射膜、さらにこれに重ねて保護層などがそ
れぞれ必要に応じて設けられ、光学式ディスクとなる。
られるが、これらの方法に限定されない。すなわち、上
記のようにしてつくられた成形板材など熱硬化性樹脂の
層に、この熱硬化性樹脂の層と同じ屈折率をもつ層とな
るような光硬化性樹脂を塗布し、スタンバではさんで光
硬化させる方法である。この方法の１例をより具体的に
示すと、上記の熱硬化性樹脂を上記のように、熱硬化成
形して得た成形板材に、この熱硬化性樹脂の層の屈折率
と同じ屈折率を持つ層となるように調製された上記のよ
うな光硬化性樹脂を、たとえば、１０〜２０−の厚みで
スピンコードし、この上にスタンバをのせて、前記成形
板材の側から、たとえば、４０Ｗの水銀ランプで１〜１
．５ ｍ’ｓ／ ｃｏ！の光強度の光を照射して光硬化
性樹脂を光硬化させることである。このようにして光硬
化性樹脂の層をっくると、熱硬化性樹脂の層とこれに隣
り合う光硬化性樹脂の層を有する光学式ディスク基板が
得られる。光硬化時に、光硬化性樹脂の層の、熱硬化性
樹脂の層と隣り合う面と反対側の面に、スタンバにより
グループを付けると、ＤＲＡＷ型、Ｅ・ＤＲＡＷ型の光
学式ディスク基板となり、凹凸のピントを付けると再生
専用型の光学式ディスク基板となる。グループ、ピント
が付けられた面には、記録材料層が設けられ、さらにこ
れに重ねて反射膜、さらにこれに重ねて保護層などがそ
れぞれ必要に応じて設けられ、光学式ディスクとなる。
このようにして得られた光学式ディスク基板は、熱硬化
性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の層とを有し
ていて、これら両層の樹脂の屈折率が同じであるので、
それら両層の境界面での屈折および／または乱反射がな
く、このため、情報（データ）の読み取りエラーも生じ
ない。
性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の層とを有し
ていて、これら両層の樹脂の屈折率が同じであるので、
それら両層の境界面での屈折および／または乱反射がな
く、このため、情報（データ）の読み取りエラーも生じ
ない。
この発明の光学式ディスク基板は、上記以外の方法、た
とえば、熱硬化性樹脂の層の屈折率と光硬化性樹脂の層
の屈折率とが同じになるように、熱硬化性樹脂を選択す
るようにしてつくるなどの方法によってつくられてもよ
い。
とえば、熱硬化性樹脂の層の屈折率と光硬化性樹脂の層
の屈折率とが同じになるように、熱硬化性樹脂を選択す
るようにしてつくるなどの方法によってつくられてもよ
い。
つぎに、実施例によりこの発明を説明するが、この発明
は実施例に限定されない。
は実施例に限定されない。
（実施例）
ＮＫエステルＡ−ＨＤ （新中村化学工業側製１゜６−
ヘキサンシオールージーアクリレート）とＮＫエステル
ＡＢＰＥ−４（新中村化学工業＠製、ビスフェノールＡ
・エチレンオキサイド・ジ−アクリレート）とを用いて
、第１表に示すように配合割合を変えた混合物を作り、
これに光重合開始剤として、混合したジアクリレートに
対し、４重量部の１．１−ジメトキシ−１−フヱニルア
セトフエノンを添加した樹脂組成物（混合物）を調整し
た。この樹脂組成物をポリエステルフィルム上に５０μ
ｍの厚さでスピンコードし、Ｎ２ガス下で、４０Ｗの水
銀ランプで１．５ ｍＷ ／ ｃｎ！の光強度の光を照
射して硬化させた。各硬化物（この発明における光硬化
性樹脂の層に相当する）の屈折率を測定したところ第１
表に示す通りであった。
ヘキサンシオールージーアクリレート）とＮＫエステル
ＡＢＰＥ−４（新中村化学工業＠製、ビスフェノールＡ
・エチレンオキサイド・ジ−アクリレート）とを用いて
、第１表に示すように配合割合を変えた混合物を作り、
これに光重合開始剤として、混合したジアクリレートに
対し、４重量部の１．１−ジメトキシ−１−フヱニルア
セトフエノンを添加した樹脂組成物（混合物）を調整し
た。この樹脂組成物をポリエステルフィルム上に５０μ
ｍの厚さでスピンコードし、Ｎ２ガス下で、４０Ｗの水
銀ランプで１．５ ｍＷ ／ ｃｎ！の光強度の光を照
射して硬化させた。各硬化物（この発明における光硬化
性樹脂の層に相当する）の屈折率を測定したところ第１
表に示す通りであった。
第 １ 表
また、この各々の数値をグラフ化して第１図に示した。
第１図のグラフでは、横軸に混合比（重量比）
を等間隔目盛でとり、縦軸に屈折率を等間隔目盛でとっ
ている。第１図にみるように、熱硬化性樹脂の層の屈折
率、たとえばエポキシ樹脂の層の屈折率Ｋがきまれば、
同一の屈折率を得るための、光硬化性樹脂の配合割合Ｍ
が決まることが判る。
ている。第１図にみるように、熱硬化性樹脂の層の屈折
率、たとえばエポキシ樹脂の層の屈折率Ｋがきまれば、
同一の屈折率を得るための、光硬化性樹脂の配合割合Ｍ
が決まることが判る。
このようにして光硬化性樹脂の層の屈折率を熱硬化性樹
脂の層の屈折率と同じにすることにより、データの読み
取りエラーをなくすことができた〔発明の効果〕 この発明の光学式ディスク基板は、以上にみるように、
熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の層を
有するものであって、その熱硬化性樹脂の層の屈折率と
その光硬化性樹脂の層の屈折率が同じであるので、それ
ら両層の境界面の表面精度が充分でな（でもエラーなし
にデータの読み取りができる。このため、成形型に離型
処理が必要なため、充分な表面精度が得にくい熱硬化性
樹脂を基板材料として用いることができるようになり、
透明性が良く、低複屈折で、低吸水、高熱変形であり、
さらに、データの読み取りエラーの少ない光学式ディス
クの製造が可能になる。
脂の層の屈折率と同じにすることにより、データの読み
取りエラーをなくすことができた〔発明の効果〕 この発明の光学式ディスク基板は、以上にみるように、
熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂の層を
有するものであって、その熱硬化性樹脂の層の屈折率と
その光硬化性樹脂の層の屈折率が同じであるので、それ
ら両層の境界面の表面精度が充分でな（でもエラーなし
にデータの読み取りができる。このため、成形型に離型
処理が必要なため、充分な表面精度が得にくい熱硬化性
樹脂を基板材料として用いることができるようになり、
透明性が良く、低複屈折で、低吸水、高熱変形であり、
さらに、データの読み取りエラーの少ない光学式ディス
クの製造が可能になる。
この発明の光学式ディスク基板の製法は、以上にみるよ
うに、熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂
の層とを有する光学式ディスク基板を得るにあたり、そ
の熱硬化性樹脂の層の屈折率とその光硬化性樹脂の層の
屈折率が同じであるように、光硬化性樹脂を選ぶように
しているので、前記のような優れた光学式ディスク基板
を得ることができる。
うに、熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合う光硬化性樹脂
の層とを有する光学式ディスク基板を得るにあたり、そ
の熱硬化性樹脂の層の屈折率とその光硬化性樹脂の層の
屈折率が同じであるように、光硬化性樹脂を選ぶように
しているので、前記のような優れた光学式ディスク基板
を得ることができる。
第１図は熱硬化性樹脂の層の屈折率がきまれば、これと
同じ屈折率をもつ層となる光硬化性樹脂の成分の配合割
合が決まることの１例を示すグラフである。
同じ屈折率をもつ層となる光硬化性樹脂の成分の配合割
合が決まることの１例を示すグラフである。
Claims (8)
- （１）光学的に透明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合
う光硬化性樹脂の層を有する光学式ディスク基板であっ
て、前記熱硬化性樹脂の層の屈折率と前記光硬化性樹脂
の層の屈折率が同じであることを特徴とする光学式ディ
スク基板。 - （２）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂および／または不飽
和ポリエステル樹脂である特許請求の範囲第１項記載の
光学式ディスク基板。 - （３）光硬化性樹脂は、つぎの一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ＸはＨまたはアルキル基、 ｎ＝１〜４、 Ｒは、脂肪族飽和炭化水素から水素原子１〜４個を除い
た１〜４価の基、芳香族炭化水素から水素原子１〜４個
を除いた１〜４価の基、側鎖をもつ芳香族炭化水素の側
鎖から水素原子１〜４個を除いた１〜４価の基、エーテ
ルから水素原子１〜４個を除いた１〜４価の基、および
、前記すべての基にハロゲン基が少なくとも１つ導入さ
れているものからなる群の中から選ばれた１つの基 であらわされる（メタ）アクリレート類化合物からなる
群の中から選ばれた少なくとも１種のもののモノマおよ
び／またはプレポリマを必須成分とするものであり、光
重合開始剤を含む特許請求の範囲第１項または第２項記
載の光学式ディスク基板。 - （４）光硬化性樹脂の層が、熱硬化性樹脂の層と隣り合
う面と反対側の面にトラッキング用の溝を備えている特
許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光
学式ディスク基板。 - （５）光学的に透明な熱硬化性樹脂の層とこれに隣り合
う光硬化性樹脂の層とを有する光学式ディスク基板を得
るにあたり、前記熱硬化性樹脂の層の屈折率と前記光硬
化性樹脂の層の屈折率が同じであるように、前記光硬化
性樹脂を選ぶことを特徴とする光学式ディスク基板の製
法。 - （６）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂および／または不飽
和ポリエステル樹脂である特許請求の範囲第５項記載の
光学式ディスク基板の製法。 - （７）光硬化性樹脂は、つぎの一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ＸはＨまたはアルキル基、 ｎ＝１〜４、 Ｒは、脂肪族飽和炭化水素から水素原子１〜４個を除い
た１〜４価の基、芳香族炭化水素から水素原子１〜４個
を除いた１〜４価の基、側鎖をもつ芳香族炭化水素の側
鎖から水素原子１〜４個を除いた１〜４価の基、エーテ
ルから水素原子１〜４個を除いた１〜４価の基、および
、前記すべての基にハロゲン基が少なくとも１つ導入さ
れているものからなる群の中から選ばれた１つの基 であらわされる（メタ）アクリレート類化合物からなる
群の中から選ばれた少なくとも１種のもののモノマおよ
び／またはプレポリマを必須成分とするものであり、光
重合開始剤を含む特許請求の範囲第５項または第６項記
載の光学式ディスク基板の製法。 - （８）光硬化性樹脂の層が、熱硬化性樹脂の層と隣り合
う面と反対側の面にトラッキング用の溝を備えている特
許請求の範囲第５項ないし第７項のいずれかに記載の光
学式ディスク基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261710A JPS62121401A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 光学式デイスク基板およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261710A JPS62121401A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 光学式デイスク基板およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121401A true JPS62121401A (ja) | 1987-06-02 |
Family
ID=17365631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261710A Pending JPS62121401A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 光学式デイスク基板およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62121401A (ja) |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60261710A patent/JPS62121401A/ja active Pending
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