JPS62119191A - 半導体結晶製造方法 - Google Patents

半導体結晶製造方法

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JPS62119191A
JPS62119191A JP25996185A JP25996185A JPS62119191A JP S62119191 A JPS62119191 A JP S62119191A JP 25996185 A JP25996185 A JP 25996185A JP 25996185 A JP25996185 A JP 25996185A JP S62119191 A JPS62119191 A JP S62119191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
substrate
azimuth
epitaxial growth
seed crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP25996185A
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English (en)
Inventor
Fumihiko Sato
文彦 佐藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エピタキシャル成長用基板を作成する化合物
半導体結晶の引上法による結晶製造方法に関する。
〔従来の技術〕
ＩＣなどのためのエピタキシャル成長用基板を、引上法
によるＧａＡｓ結晶から作成する場合に、従来、ミラー
指数の低指数の方位、たとえばり００１）方位に引上げ
を行ない、軸方向に円筒形に研削加工後、（ｏｏｉ）　
　の面方位をもつ基板を切出し、その際（１１０）へ２
°填ける切り出しを行なっている。
これは、ＧａＡａに限らず、一般に化合物半導体、　　
ＩｎＰ、ＧａＰ等では（００１）等の低指数の面方位の
基板を用いて、エピタキシャル成長を行なうと、ヒロッ
ク等の結晶不良を起すので、数度傾けた基板を使用する
ためである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の引上法では、エピタキシャル成長を行な
う面と引上方向とが垂直な幾何学的配ｔＫなっていない
。したがって、第４図に示すように、り００１〉方位の
種結晶５を用いて結晶６を引上げた後、り１１０〉方位
へ２°傾いた（００１）　　面方位の基板を切出すため
、図示のように傾いた円筒７に研削してから基板を切出
し、エピタキシャル成長用基板としている。
従来の製造方法は次の欠点をもっている。
（１１半絶縁性化の目的で添加する、Ｃｒ等の不純物は
偏析をおこすので、同一基板上に不純物の濃度勾配を生
ずる。このような基板上に成長させたエピタキシャル層
も結晶特性が面内に傾向をもつ。
なお、半絶縁性結晶のみでなく、ｎ型・ｐ型に不純物を
添加する場合にも同様なことがおきる。
（２）円形基板を得るために円筒研削を、図示のように
傾けて行なうので、基板として利用する結晶長が短かく
造り、コスト面で不利になる。
本発明の目的は、上記の欠点を除去した引上法による化
合物半導体の結晶製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明では、エピタキシャル成長用基板を作成する化合
物半導体の結晶を、引上法により製造する場合において
、結晶の引上軸に直角に切出される前記基板面が低指数
の面方位に対し僅か傾くように、種結晶の方位を選定す
るようにしたものである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例につき説明する。第１図に示す
ように、結晶引上げ用として使用する種結晶１は、（０
０１）方位をもち、（１１０＞方位へ２°傾けておく。
このような方位をもつ種結晶ｌを使って、単結晶２を引
上げた後、第２図のように軸方向に円筒３を研削する。
さらに第３図に示すように基板４を切出す。これによっ
て（００１）面が＜１１０＞方位に対して２°　傾いた
面方位の基板を得ることができる。なお、２゜の傾きは
機械的精度から通常２°±０．５°の範囲になる。
〔発明の効果〕
欠点として述べた、エピタキシャル用基板面の不純物の
偏析は、本発明においては結晶引上げ時に固液界面と基
板方位とが常に一致しているので偏析はなく、不純物の
面内均一性が保持される。
また、引上軸方向に垂直に基板切出しを行なうので、結
晶長を長くとることができ、収率が上昇する。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の一実施例を、工程順に示した
もので、第４図は従来例で、切出される円筒研削と結晶
との関係を示す図で、第２図と対応する図である。 １．５・・・種結晶、　　２．６・・・引上げた結晶、
３．７・・・円筒、　　　４・・・基板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）エピタキシャル成長用基板を作成する化合物半導
    体の結晶を、引上法により製造する場合において、結晶
    の引上軸に直角に切出される前記基板面が低指数の面方
    位に対し僅か傾くように、種結晶の方位を選定すること
    を特徴とする化合物半導体の結晶製造方法。
  2. （２）前記第１項における種結晶が、＜１１０＞方位へ
    約２°傾いた＜００１＞方位の種結晶である特許請求の
    範囲第１項記載の化合物半導体の結晶製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103427A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Tokyo Denpa Co Ltd 酸化亜鉛単結晶基板の製造方法
JP2010219320A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Toshiba Corp 発光素子の製造方法及び発光素子

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