JPS62111965A - インド−ル誘導体 - Google Patents

インド−ル誘導体

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JPS62111965A
JPS62111965A JP25102285A JP25102285A JPS62111965A JP S62111965 A JPS62111965 A JP S62111965A JP 25102285 A JP25102285 A JP 25102285A JP 25102285 A JP25102285 A JP 25102285A JP S62111965 A JPS62111965 A JP S62111965A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は医薬品としであるいは医薬品の製造中間体とし
て有用な一般式 (式中のRはシアノ基、ホルミル基、カルボキシル基、
低級アルコキシカルボニル基、またはカルバモイル基で
ある)で表されるインドール誘導体に関するものである
〔従来の技術〕
インドール骨格を有する化合物は医薬品として有用なも
のが多く、種々の研究がなされている。
なかでも、■−メトキシインドール骨格を有する化合物
は特異的な作用を発現させる可能性がある事で注目され
ているが、合成」二難点が多く合成された化合物の例が
少ない。
最近、鎮痛、局所麻酔等の作用をもつ民間薬のゲラキラ
(Murraya Pan1culate (Linn
、) Jack )根皮の成分中に1−メトキシインド
ール骨格をもつ、で表されるインドールアルカロイドの
パニクリジンBが単離され構造確認されたが、このもの
についての効率的な合成法は全く確立されていない。
CChem、 Pharm、 Bull 33(4)、
 1770〜1773 (1985)  )〔発明が解
決しようとする問題点〕 医薬品としであるいは医薬品の製造中間体として有用な
1−メトキシインドール骨格化合物である式(II)で
表されるパニクリジンBがゲラキラ根皮から抽出、単離
され構造確認されたが、その製造方法は全く確立されて
おらず、効率的な製造方法の確立が望まれていた。
〔問題点を解決するだめの手段〕
鎮痛、局所麻酔作用をもつ民間薬のゲラキラ根皮の成分
の1つで医薬品としであるいは医薬品の製造中間体とし
て有用なパニクリジンBを効率よく製造する方法を確立
すべく検討した結果、その製造中間体としてきわめて有
用な1−メトキシインドール誘導体を見出し、本発明を
成すに到った。
例えば、本発明の前記′−一般式f)の化合物でRがホ
ルミル基である化合物を水素化ホウ累す)・リウムで還
元することにより約98%の高収率で(±)−パニクリ
ジンI3を製造することができ、また、一般式(1)の
化合物でRが低級アルコキシカルボニル基、例えばメト
キシカルボニル基である化合物を水素化リチウ11アル
ミニウムを用いて還元することに61ニリ約94%の高
収率で(−4−)−パニクリジンBを製造することがで
きる。
また、本発明の一般式(1)で表される化合物は、官能
基Rの特性を生かして側鎖の導入、延長、閉環などを行
うことができ、種々の1−メトキシインドール誘導体の
製造中間体としても有用である。
本発明の一般式(1)の化合物を製造するには、式 で表される4−(1−メトキシインドール−3−イル)
−2−ブタノンに塩基、例えばポタシウムt−ブトキシ
ドの存在下に11−)ルエンスルホニルイソシアナイド
(TosMIC)を反応させることにより、一般式(I
)の化合物でRがシアン基である、式 で表される化合物を得ることができ、この式(Ia)の
化合物を適当な還元剤、例えば水素化ジイソブチルアル
ミニウム(DIBAL)と反応させ、常法に従って処理
することによって、一般式(I)の化合物でRがホルミ
ル基である、式 で表される化合物を(1)ることができる。
また、前記Ha)の化合物を常法により加水分解するこ
とにより、一般式(1)の化合物でRがカルボキシル基
である、式 で表される化合物を得ることができ、この式(I C)
の化合物を常法に従いエステル化することにより、一般
式(I)の化合物でRが低級アルコキシカルボニル基で
ある化合物を製造することができる。特に、Rがメトキ
シカルボニル基である、式 で表される化合物は、式(IC)の化合物とジアゾメタ
ンとを不活性溶媒中で反応させることによって容易に得
ることができる。
一般式(I)の化合物でRがカルバモイル基である化合
物は、前記式(Ia)の化合物を部分加水分解するか、
前記式(Ic)の化合物の反応性官能的誘導体とアミン
類とを反応させることによって製造することができる。
本発明の一般式(I)の化合物の製造において出発原料
として用いられる、前記式(III)で表される化合物
は公知化合物であり、文献記載の方法、またはその類似
方法によって製造することができる。例えば、1−メト
キシインドールとメチルビニルケトンとを酢酸および無
水酢酸の混合液中で、加熱して反応させることにより製
造することができる。(J、  Chem、Soc、、
 Perkin I、  1978. 1117〜11
25:] また、■−メトキシインドールにヨー素を反応させて1
−メトキシ−3−ヨードインドールを得、ついでこれを
テトラ−n−ブチルアンモニウムプロミドおよび酢酸パ
ラジウムの存在下に1−ブテン−3−オールと反応させ
ることにより、あるいは1−メトキシ−3−ホルミルイ
ンドールとアセトンでアルドール縮合を行い、得られる
4−(1,メトキンインドール−3〜イル)−3−ブテ
ン−2−オンをパラジウム炭素をもちいて接触還元する
ことなどによって製造することができる。
〔実施例〕
本発明の内容を以下の参考例および実施例を用いてさら
に具体的に説明する1、なお、各参考例中の化合物の融
点はいずれも未補正である。
参考例 1 3−ヨード−1〜メトキシインドール 1−メトキシインドール10]、6mgをメタノール3
.0mgに溶解し、これにヨウ素350.8mg、モル
ホリン216.4mgおよびメタノール1.0mgの混
合溶液を加え、36〜40℃で約4時間かきまぜた。反
応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて脱色し、塩化
メチレンで抽出し、塩化アンモニウム水溶液で洗浄後、
無水硫酸す) IJウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去
した。残留物をシリカゲル分取薄層クロマトグラフィー
(展開溶媒:塩化メチレン/n−ヘキサン−2/3)で
精製して、目的物の3−ヨード−1−メトキシインドー
ル51.3mg (27,2%)を得た。
無色プリズム晶 融  点 :   45.0〜46.0℃(ジエチルエ
ーテル−n−ヘキサン) IR(film) νmax :  3120.1570.1438.13
22.1218゜1066 cm−’ NMR(CCL) δ:  3.96(3tl、 s)、 6.69〜7.
34(5N、 m)参考例 2 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−ブタ
ノ上 3−ヨード−1−メトキシインドール63.6mgをジ
メチルホルムアミド1.0mf2に溶解し、これに3−
ブテン−2−オール67.2mg(/Iモル当里)、テ
トラ−叶プチルアンモニウl、プロミド75.[1mg
、酢酸パラジウム13.0mgおよびトリエチルアミン
0.5mjを加えて、90〜95℃で約17時間かき」
:ぜた。
反応終了後、酢酸エチルエステル30−を加え、シリカ
膜ろ過して固形物を除去した。ろ液を飽和炭酸水素す)
 IJつl、水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫
酸す) IJウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。
残留物をシリカゲル分取薄層クロマトグラフィー(展開
溶媒;塩化メチレン/n−ヘキサン−7/3)で精製し
て、目的物の4−(1−メトキシインドール−3−イル
)−2−ブタノン]、8.0mg(35,9%)を得た
無色油秋物 IR(film) v□X:  2940. 1708. 1452. 1
356. 1160 cnr’NMR(CDCl2) δ:  2.08(3H,S)、  2.58 〜3.
[)8(4H,A2B2゜m)、  3.93(311
,s)、  6.81〜7.51(5H,m)11ig
h MS : m/e (C+3H+JO2として)計
算値  217.1.102 実測値  217.1118 参考例 3 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−3−ブテ
ン−2−オン 1−メトキシ−3−インドール力ルノイルデヒト984
.3mgをメタノール101TLi2およびアセトン1
0m7!の混合溶媒に溶解し、これに2N−水酸化ナト
リウム水溶液5.0m7!を加えて室温下約6時間かき
まぜた。減圧下に溶媒を留去し、残留物に飽和食塩水5
0mAを加えて塩化メチレン−メタノール(95:5)
混合溶媒で抽出した。抽出液を塩化アンモニウム水溶液
および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリラムで
乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:塩化メチレン)
で精製して、目的物の4−(1−メトキシインドール−
3−イル)−3−ブテン−2−オン1.1662 g 
(96,4%)を得た。
淡黄色プリズム晶 融  点 :  79〜81℃ (ジエチルエーテル−叶ヘキサン) IR(KBr) ν、、、 :  1656.16]7 cm ’NMR
(CCI、) δ: 2.18(3N、 s)、 3.99(3H,s
)、 6.46(1)1゜d、 J=1611z)、 
6.78〜7.26(3H,m)、 7.38(ltl
、 s)、 7.41(Ill、 d、 J=1611
z)、 7.52〜7、80 (1N、 m) 元素分析値 (C+3H+JO2として)0%   1
1%   N% 計算値  ?2.54   6.09   6.51実
測値  72. (il    6.06   6.5
2参考例 4 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−ブタ
ノーイ 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−3−ブテ
ン−2−オン46.4mgをクロロホルム1.5−に溶
解し、10%パラジウム炭素24.0mgを加え、水素
気流下、1気圧で接触還元を行った。反応液にクロロホ
ルム20+neを加え、シリカ膜ろ過して、触媒を除去
し、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲル分取
薄層クロマトグラフィー(展開溶媒:塩化メチレン)で
精製して、Rf値0.76〜0.64のバンドから、目
的物の4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2
−ブタノン16.7 mg (’35.7%)を得た。
そのほかに、Rf値0.52〜0.44のバンドから脱
メトキシ体の4−(インドール−3−イル)−2−ブタ
ノン6.4mgが得られ、Rf値0.44〜0.32の
バンドから出発原料8.2mg(回収率17ゴ%)が回
収された。
本参考例で得られた目的化合物の物理恒数は参考例2で
得られた化合物のものとすべて一致した。
実施例 1 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−ブタ
ノン70.4mgとp−)ルエンスルホニルメチルイソ
シアナイド(TosM[C) 139.3−mg(2,
2モル当量)とを6.4−のジメトキシエタンに溶解し
た。この溶液に、アルゴン気流中、水冷下かきまぜなが
らボタシウムt−ブトキシド160mg、t−ブタノー
ル1.6mjおよびジメトキシエタン1.6−の溶液を
5分間かけて滴下した。滴下後、水冷下に約1時間、次
いで、室温で約1時間攪拌し、適量の飽和食塩水を加え
て塩化メチレンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸す) IJウムで乾燥し、減圧下に溶媒を
留去した。残留物をシリカゲル分取薄層クロマトグラフ
ィー(展開溶媒:塩化メチレン)テ精製して、Rf値0
.77〜0.45のバンドから、目的の4−(1−メト
キシインドール−3−イル)−2−メチルブタンニトリ
ル62.0 mg (83,8%)を得た。
無色油状物 IR(film) ν、、、:  2980. 2940. 2240. 
1450. 1098゜1032  cm−’ NMR(CDCl2) δ:  1.33(3H,d、  J=7.3Hz)、
  1.79〜2.11(2H。
m)、  2.60(Ift、  5ext、  7.
3flz)、  2.80〜3.04(2H,m)、 
 4.05(3H,s)、  6.95〜7.61(5
H,m) High MS : m/e (CI48111N20
として)計算値  228.1261 実測値  228.1272 実施例 2 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−メチ
ルブタンニトリル180.3mgをトルエン4dに溶解
し、これにアルゴン気流下、−10℃で攪拌しながら水
素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAL)の1モル
トルエン溶液0.95 me (1,2モル当量)を滴
下した。
滴下後約2時間かけて室温まで温度をあげ、これに水冷
上飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて過剰のDIBA
Lを分解した。反応液に適量のロッシェル塩水溶液を加
えた後、酢酸エチルエステルで抽出した。有機層を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸す)IJウムで乾燥した後、
減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲル分取薄層
クロマトグラフィー(展開溶媒ニジエチルエーテル/叶
ヘキサン=215)で精製して、Rf値0.54〜0.
34のバンド力1ら、目的の4−(1−メトキンインド
ール−3−イル)−2−メチルブチルアルデヒド1.6
1.2 mg (88,2%)を得た。
無色油状物 IR(film) ν+aax :  2725.1722.1453 c
m−’NMR(CC]4) δ: 1.07(3tl、 d、 J=6.5Hz)、
 1.40〜2.49(3H。
m)、 2.67(211,t、 J=711z)、 
3.9143H,s)。
6.79(Itl、 brs)、 6.69−7.42
(4H,m)。
9、30 (ltl、 d、 J=1.511z)1日 High MS : m/e (CI48I7NO2と
して)計算値  231.1258 実測値  231.1278 実施例 3 4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−メチ
ル4−(1−メトキシインドール−3−イル)−2−メ
チルブタンニトリル17.]、mgを40%水酸化カリ
ウム水溶液1+nj!およびメタノール−水(1:1)
混合液1dの溶液に溶解し、約4時間加熱還流した。反
応溶液を放冷後、適量の飽和食塩水を加え、氷冷下に2
N−塩酸を加えてpH1とした。塩化メチレン−メタノ
ール(95:5)混合溶媒で抽出し、飽和食塩水で洗浄
、無水硫酸す) IJウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留
去した。残留物をシリカゲル分取薄層クロマトグラフィ
ー(展開溶媒ニジエチルエーテル/n−ヘキサン−3/
1)で精製して、Rf値0.54〜0.37のバンドか
ら、目的の4−(1−メトキシインドール−3−イル)
−2−メチル酪酸4.Omg (21,6%)を得た。
また、Rf値0.85〜0.74のバンドから出発原料
を2.9mg(回収率17.0%)回収し、nf値0.
28〜0.1のバンドから、脱メトキシ体の4−(イン
ドール−3−イル)−2−メチル酪酸8. Omg (
4,9,1%)を得た。
無色油状物 TR(film) νつ、、  :  3500〜2300. 1702.
 1450. 1232゜736 am−’ NMR(CCI、) δ: 1.21(31(、d、 J=711z>、 1
.44〜2.52(3H。
m)、 2.69(211,t、 J=7tlz)、 
3.91(311,s)。
6.61〜?’、42(5ft、 m)、 10.49
(IH,br)1(igh MS : m/e (Cz
H17NO3として)計算値  247.1208 実測値  247.1228 実施例 4 4−(1−メトレキインドール−3−イル)−2−メチ
ル酪酸メチル 4=(1−メトキシインドール−3−イル)−2−メチ
ル酪酸7.6Ingをジエチルエーテル0.5m7!に
溶解し、これにジアゾメタンのジエチルエーテル溶液を
発泡がおさまるまで加え、さらに少過剰を追加して室温
上駒10分間放置した。反応終了後、減圧下に溶媒を留
去して、目的の4−(1−メトキシインドール−3−イ
ル)−2−メチル醋酸メチル8.0mg(定量的)を得
た。
無色油状物 IR(film) ν□□:  2940.1738.1452.1204
.1164゜738 c++r’ NMR(CCl2) δ: 1.10(3fl、 d、 J=7Hz)、 1
.38〜2.44(3H。
m)、 2.61(2H,t、 、J=7Hz)、 3
.53(3H,s)。
3.92(311,s)、 6.78(1)1. br
s)、 6.68〜7.44(4H,m) 11igh MS : m/e (CI58I9NO3
として)計算値  261.1363 実測値  261.1357 〔発明の効果〕 本発明の一般式(I)の化合物は1−メトキシインドー
ル骨格を有ずろ医薬品の製造中間体としてきわめて有用
である。、 例えば、本発明の一般式(1)の化合物でRがホルミル
基あるいはメトキシカルボニル化合物を還元することに
より、きわめて容易に高収率で医薬品として有用なイン
ドールアルカロイドのく一七)−パニクリジンI3を製
造することができる。
さらに、本発明の一般式(1)の化合物は、側鎖の導入
、延長、閉環などを行うことができ、医薬品として有用
な、種々の1−メ)・キシインドール骨格を有する化合
物に導くことができる。
本発明の一般式(1)の化合物から導かれる(±)−パ
ニクリジンBは、鎮痛、局所麻酔剤に用いられる民間薬
のミカン科ゲツキツ[:MurrayaPanicul
ate (Linn.) Jack )根皮の成分の1
つであり、消炎、鎮痛効果を示す、医薬品として有用な
インドールアルカロイドである。
本発明の一般式(I)の化合物を製造中間体として用い
ることにより、このように医薬品として有用な1−メト
キシインドール誘導体を効率よく製造することができる

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRはシアノ基、ホルミル基、カルボキシル基、
    低級アルコキシカルボニル基または、カルバモイル基で
    ある)で表されるインドール誘導体
JP25102285A 1985-11-08 1985-11-08 Indoorujudotai Expired - Lifetime JPH0233700B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334208A (ja) * 1993-05-19 1994-12-02 Nec Corp 太陽発電装置

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JPH06334208A (ja) * 1993-05-19 1994-12-02 Nec Corp 太陽発電装置

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