JPS62110865A - 回路板上における半田付方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回路板上における半田付方法に関し、さらに
詳しくは特定のソルダー・レジスト・インキ組成物を活
性光線により一次硬化、加熱により完全硬化して、回路
板上に厚膜ソルダー・レジスト層を形成して半田付を行
なう方法に関する。

従来の技術 非導電性基村上に導電性金属のパターンを形成した産業
用、民生用のプリント配線基板などの回路板に対し、各
種の電気部品を半田付するには、一般にまず該回路板上
の金属層露出部となるべき部分を除いて、回路板上にソ
ルダー・レジスト書パターンを形成し、ついで前記の露
出したパターン金属層に融解させた半田を接触させて電
気部品を半田付けする方法が行なわれている。

かかる従来の半田付方法においては、ソルダー・レジス
ト・インキとして、熱硬化型で溶剤を含有するエポキシ
樹脂系インキを使用するのが主流であり、該インキは良
好な密着性、耐溶剤性、耐半田付性などの性能を有する
。しかしながら近年の省資源、無公害、安全性なとの社
会的要請に伴い、いわゆる「無溶剤型」の紫外線硬化型
インキの開発も活発に進められている。

解決すべきＩ！出短晟 しかしながら、これら従来のソルダー・レジスト・イン
キの使用はつぎのごとき問題点が存在する。すなわち、
熱硬化型ツルグー　・レジスト・インキは、 （１）熱硬化型であるため、通常１５０℃程度の高温を
要し、しかも硬化時間が長く、生産性が劣る、 （２）不揮発分が６０〜８０重量％であり、残部は溶剤
であるため、例えば＋００７ｚｍの厚さに印刷しても最
終的に得られる硬化膜厚は６０〜８０μｍと大中に減少
する、 （３）溶剤の気化に時間を要し、またその間に印刷パタ
ーンににじみが発生し易い、 などの欠点を有する。

一方、紫外線硬化型ソルダー・レジスト・インキを使用
した場合は紫外線が照射されない部分や紫外線の到達が
不十分となる厚膜部分などにちいて完全硬化が極めて困
難であるという致命的欠陥が存在する。

すなわち、コンピュータなどの産業機器においではスル
ーホールメッキされた両面基板に半田付が行なわれるた
めソルダー・レジスト・インキの膜厚が厚くなり従来の
紫外線硬化型のソルダー・レジスト・インキでは半田付
時にソルダー・レジスト層にフクレや浮き現象が見られ
る。

巨殴へ全解込ｊるための手囮 本発明者らはこのような従来の熱硬化型および紫外線硬
化型ソルダー・レジスト・インキを用いた半田付方法の
欠点を解決し、かつ硬化性、密着性、耐半田付性、耐溶
剤性、耐ＰＣＴ性、電気絶縁性などに優れたソルダー・
レジスト・インキ層　　　　　゛を設けて半田付を行な
うべく鋭意研究を重ねた結果、エポキシ化合物、および
分子内にカルボキシル基を有する光重合性化合物を含有
する光重合性化合物からなる硬化型樹脂組成物を用いる
ことにより、前記問題点が一挙に解決しうろことを見出
し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明はフェノールノボラック型エポキシ化
合物および／またはクレゾールノボラック型エポキシ化
合物３０〜１００重量％を含有する２個以上のエポキシ
基を有するエポキシ化合物（Ａ）；カルボキシル基を有
する光重合性化合物（Ｂ）、または該化合物（Ｂ）と他
の光重合性化合物（Ｃ）との混合物；光開始剤（Ｄ）；
およびエポキシ基とカルボキシル基との反応促進剤（Ｅ
）を必須成分とする厚膜用ソルダー・レジスト・インキ
組成物を非導電性基材上に設けられた導電性金属層に付
着させ、活性光線により一次硬化を行ない、ついで加熱
により完全硬化を行なうことによって、所望のパターン
のソルダー・レジスト層を前記金属層上に形成した後半
１０付を行なうことを特徴とする回路板上における半田
付方法を提供するものである。

つぎに、まず、本発明方法に用いられるソルダー・レジ
スト・インキ組成物の各成分について詳しく述べる。

４一 本発明で使用する２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ化合物（Ａ）とは、１分子中にエポキシ基を２個以」
１有するエポキシ化合物であり、そのエポキシ当量は１
００〜４，０００　好ましくは１００〜１，０００　で
ある。

かかるエポキシ化合物（Ａ）の３０重量％以上は、フェ
ノールノボラック、クレゾールノボラックなどのポリグ
リシジルエーテルであるノボラック型エポキシ樹脂を代
表とする２価以上の多価フェノール類のポリグリシジル
エーテル類からなる。これらエポキシ化合物（Ａ）に含
まれる前記以外のエポキシ化合物としては、ビスフェノ
ールＡ１ビスフエノールＦなどのジグリシジルエーテル
であるビスフェノール型エポキシ樹脂、エチレングリコ
ール、ネオペンチルグリコール、１，４−ブタンジオー
ル、１．６−ヘキサンジオール、トリメチロールプロパ
ンなどの２価以上の多価アルコール類のポリグリシジル
エーテル類が挙げられる。

フェノールノボラック型エポキシ化合物および／または
クレゾールノボラック型エポキシ化合物のエポキシ化合
物のエポキシ化合物全体に対する配合量が３０重量％未
満であると半田耐熱性、耐湿性、耐溶剤性などが低下し
て好ましくない。

つぎに、本発明で使用するカルボキシル基を有する光重
合性化合物（Ｒ３）としては、例えば、（ｉ）アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、フマル酸
などの不飽和カルボン酸系化合物類や（ｉ　ｉ）次の一
般式（Ｉ）で表わされる化合物がある。

（Ｃ１ｌ、−Ｃ−Ｃｏｏ）　ｍ　（Ｒ＝）　Ａ　（Ｒ３
）　（ＣＯＯＩＩ）ｎ　−（１）（式中、Ｒ１は水素又
はメチル基を示し、Ｒ２およびＲ３は各々脂肪族、芳香
族、脂環族の残基を示し、Ａはエステル結合を表わし、
ｍおよびｎは各々１〜３の正の整数を示す。） 一般式（Ｉ）において、Ｒ２は炭素原子数２〜ＩＯであ
る２〜４価の炭化水素基またはヒドロキシル基含有炭化
水素基であることが好ましく、Ｒ３は炭素原子数２〜１
０である２〜４価の脂肪族多塩基酸残基、炭素原子数６
〜１５である２〜４価の芳香族多塩基酸残基または炭素
原子数２〜１０である２〜４価の脂環族多塩基酸残基で
あることが好ましい。

一般式（１）で表わされる化合物の具体例としては、例
えば次のような化合物がある。

ｍ　＝１、ｎ　＝１の化合物としては、例えば、コハク
酸モノ　（メタ）アクリロイルオキシエチルエステル（
アクリロイルオキシエチルエステルおよびメタクリロイ
ルオキシエチルエステルを示す、以下同様に略記する）
、フタル酸モノ　（メタ）アクリロイルオキソエチルエ
ステル、マレイン酸モノ　（メタ）アクリロイルオキシ
エチルエステル、テトラハイドロフタル酸モノ　（メタ
）アクリロイルオキシエチルエステル、ヘキザハイドロ
フタル酸モノ　（メタ）アクリロイルオキシエチルエス
テル、などがある。

ｍ＝１、ｎ＝２の化合物としては、例えば、トリメリッ
ト酸モノ−２−（メタ）アクリロイルオキシエチルエス
テルなどがある。

ｍ　＝１．　ｎ　＝３の化合物としては、例えば、ピロ
メリット酸モノ−２−（メタ）アクリロイルオキシエチ
ルエステルなどがある。

ｍ、＝２、ｎ＝１の化合物としては、例えば、フタル酸
モノ−［２，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシイソ
プロピルコニステル、メチルテトラハイドロフタル酸モ
ノ−［２，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシイソプ
ロピルコニステル、テトラハイドロフタル酸モノ−［２
，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシイソプロピルコ
ニステル、コハク酸モノ−［２，３−ビス（メタ）アク
リロイルオキシイソプロピルコニステルなどがある。

ｍ＝２、ｎ＝２の化合物としては、例えば、トリメリッ
ト酸モノ−［４，５−ビス（メタ）アクリロイルオキシ
ネオペンチル］エステル、トリメリット酸モノ−［３，
４−ビス（メタ）アクリロイルオキシイソブチル］エス
テルなどがある。

ｍ＝３、ｎ＝２の化合物としては、例えば、トリメリッ
ト酸モノ−［３，４，５−）リス（メタ）アクリロイル
オキシネオペンチル」エステルなどがある。

ｍ＝３、ｎ＝３の化合物としては、例えば、ピロメリッ
ト酸モノ−［３，４，５−）リス（メタ）アクリロイル
オキシネオペンチル］エステルなどがある。

カルボキシル基を有する光重合性化合物（Ｂ）としては
、前記の化合物の中で、特に（ｉｔ）のものが好ましい
。また、これらカルボキシル基を有する光重合性化合物
（Ｂ）は単独に用いてもよく、また２種以上を併用して
もよい。さらに、該化合物（Ｂ）に後記の他の光重合性
化合物（Ｃ）の１種または２種以上を併用してもよい。

本発明で使用するカルボキシル基を有する光重合性化合
物ＣＢ）と他の光重合性化合物（Ｃ）とからなる光重合
性化合物中に占める分子内に１個以上のカルボキシル基
を含有する光重合性化合物（Ｂ）の配合量は１０〜１０
０重量％である。その配合量が１０重量％未満の場合は
、得られる樹脂組成物の硬化性が著しく劣る。

本発明で使用する光重合性化合物（Ｃ）とは分子内に１
個以上の光重合性二重結合を有する光重合可能な化合物
である。

分子内に１個の光重合性二重結合を有する光重合可能な
化合物としては、例えば、（エステル（メタ）アクリレ
ート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−およびｉ−プ
ロピル（メタ）アクリレート、ｎ−，５ｅｅ−およびｔ
−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（
メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、
などのアルキル（メタ）アクリレート類、２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキ
ル（メタ）アクリレ−１・類、あるいはポリエチレング
リコールモノ　（メタ）アクリレート、ポリプロピレン
グリコールモノ　（メタ）アクリレートなどのポリオキ
シアルキレングリコールモノ　（メタ）アクリレート類
、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートなどの
複水環含有（メタ）アクリレート類、ジメチルアミノエ
チル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メ
タ）アクリレートなどのアミノアルキル（メタ）アクリ
レート類、（ｉｆ）ビスフェノールＡのエチレンオキシ
ドおよびプロピレンオキシド付加物などのビスフェノー
ルＡのアルキレンオキシド付加物のモノ　（メタ）アク
リレート類、（ｉｉｉ）ジイソシアネート化合物と１個
以上のアルコール性水酸基含有化合物を予め反応させて
得られる末端イソシアネート基含有化合物に、さらにア
ルコール性水酸基含有（メタ）アクリレート類を反応さ
せて得られる分子内に１個の（メタ）アクリロイルオキ
シ基を有するウレタン変性モノ（メタ）アクリレート類
、（ｉｖ）分子内に１個以上のエポキシ基を有する化合
物にアクリル酸またはメタクリル酸を反応させて得られ
るエポキシモノ　（メタ）アクリレート類、および（Ｖ
）カルボン酸成分としてアクリル酸またはメタクリル酸
および多価カルボン酸とアルコール成分として２価以上
の多価アルコールとを反応させて得られるオリゴエステ
ルモノ　（メタ）アクリレート類などがある。

分子内に２個の光重合性二重結合を有する光重合可能な
化合物としては、例えば、（ｉ）エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、プロピレンｕＬ− グリコールジ（メタ）アクリレ−）、１．４−ブタンジ
オールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコー
ルジ（メタ）アクリレート、■、６−ヘキサンシオール
ジ（メタ）アクリレートなどのアルキレングリコールジ
（メタ）アクリレート類、ジエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アク
リレート、ポリプロレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート
などのポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アク
リレート類、（ｉｆ）ビスフェノールＡのエチレンオキ
シドおよびプロピレンオキシド付加物などのビスフェノ
ールＡのアルキレンオキシド付加物のジ（メタ）アクリ
レート類、（ｉｉｉ）ジイソシアネート化合物と２個以
上のアルコール性水酸基含有化合物を予め反応させて得
られる末端イソシアネート基含有化合物に、さらにアル
コール性水酸基含有（メタ）アクリレート類を反応させ
て得られる分子内な２個の（メタ）アクリロイルオキシ
基を有するウレタン変性ジ（メタ）アクリレート類、（
ｉｖ）分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物に
アクリル酸または／およびメタクリル酸を反応させて得
られるエポキシジ（メタ）アクリレート類、（Ｖ）カル
ボン酸成分としてアクリル酸またはメタクリル酸および
多価カルボン酸とアルコール成分として２価以上の多価
アルコールとを反応させて得られるオリゴエステルジ（
メタ）アクリレート類などがある。

分子内に３個以上の光重合性二重結合を有する光重合可
能な化合物としては、例えば、（ｉ）トリメチロールプ
ロパントリ　（メタ）アクリレート、トリメチロールエ
タントリ　（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラ（メタ）アクリレートなどの３価以上の脂肪族
多価アルコールのポリ（メタ）アクリレート類、（ｉｆ
）ジイソシアネート化合物と３個以上のアルコール性水
酸基含有化合物を予め反応させて得られる末端イソシア
ネート基含有化合物に、さらにアルコール性水酸基含有
（メタ）アクリレートを反応させて得られる分子内に３
個以上の（メタ）アクリ［１イルオキシ基を有するウレ
タン変性ポリ　（メタ）アクリレート類、（ｉｉｉ）分
子内に３側辺」二のエポキシ基を有する化合物にアクリ
ル酸または／およびメタクリル酸を反応させて得られる
エポキシポリ　（メタ）アクリレート類などがある。

本発明で使用するエポキシ化合物（Ａ）と前記したカル
ボキシル基を有する光重合性化合物（Ｂ）、または（Ｂ
）と他の光重合性化合物（Ｃ）との混合物との配合比は
エポキシ化合物（Ａ）；光重合性化合物［（Ｂ）または
（Ｂ）＋（Ｃ）］＝　Ｉ　Ｏ：　９０〜９０・　１０（
重量比）の範囲であり、好ましくはエポキシ化合物（Ａ
）；光重合性化合物［（Ｂ）または（Ｂ）＋（Ｃ）］　
＝２０　　：　　８０〜８０　　：　　２０　　（重量
比）の範囲である。エポキシ化合物（Ａ）の配合量り月
０重量％未満であると、前記したカルボキシル基を有す
る光重合性化合物（Ｂ）とエポキシ化合物（Ａ）との反
応が実質的に少なすぎ、密着性、耐半田付性などに優れ
た硬化膜を得ることが困難である。一方、エポキシ化合
物（Ａ）の配合量が９０重量％を超える場合は、硬化型
インキ組成物としての粘度が高くなり、取扱い性に欠け
るとともに、活性光線による硬化反応が充分でなく、速
硬化性が発揮されない。

光開始剤（Ｄ）としては、例えば、ベンジルジメチルケ
タールなどのケタール類、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン−１−プロピル
エーテル、ベンゾイン、α−メチルベンゾインなどのベ
ンゾイン類、９．１０−アントラキノン、１−クロルア
ントラキノン、２−クロルアントラキノン、２−エチル
アントラキノンなどのアントラキノン類、ベンゾフェノ
ン、ｐ−クロルベンゾフェノン、ｐ−ジメチルアミノベ
ンゾフェノンなどのベンゾフェノン類、２−ヒドロキシ
−２−メチルプロピオフェノン、ｌ−（４−イソピロピ
ルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノンなどのプロピオフェノン類、ジベンゾスベロンな
どのスベロン類、ジフェニルジスルフィド、テトラメチ
ルチウラムジスルフィド、チオキサントンなどの含イオ
ウ化合物類、メチレンブルー、エオシン、フルオレセイ
ンなどの色素類などがあげられ、単独にまたは２種以上
併用して使用される。

光開始剤の配合量はエポキシ化合物（Ａ）と光重合性化
合物［（Ｂ）＋（Ｃ）］との総量に対して０゜０５〜２
０重量％であり、好ましくは、　０，５〜ＩＯ重量％で
ある。

本発明においてはエポキシ基とカルボキシル基との反応
を促進させるため反応促進剤（Ｅ）が添加される。反応
促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２
−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾールなどの
イミダゾール類、ベンジルジメチルアミン、トリエタノ
ールアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエタノール、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアミノエタノール、Ｎ、Ｎ−ジプロピルア
ミノエタノールなどの第３級アミン類、トリジメチルア
ミノメチルフェノールのトリアセテートおよびトリベン
ゾエートなどの第３級アミン塩類などがあり、単独にま
たは２種以上併用して使用される。

これら反応促進剤の添加量はエポキシ化合物（Ａ）と光
重合性化合物（Ｂ−＋−Ｃ）との総量に対して０゜０５
〜５重量％であり、好ましくは０．１〜３．５重電％で
ある。

また、本発明において基板および導体との密着性の向上
をより必要とする場合にはパーオキシエステル類および
／またはパーオキシケタール類から選ばれた熱重合開始
剤および／または熱重合開始剤と光重合開始剤の両方の
機能を有する重合開始剤の添加が有効である。

パーオキシエステル類としてはｔ−ブチルツク−オキシ
アセテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ
−ブチルパーオキシオクトエート、ｔ−ブチルパーオキ
シ−３，５，５−）リメチルヘキサノエート、ｔ−ブチ
ルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾ
エート、ジ−ｔ−ブチルシバ−オキシイソフタレート、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ
）ヘキサン、ｔ−プチルパーオキシイソプ口ピルカ−ボ
ネートなどがあげられる。

パーオキシケタニル類としては１．１−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）３，３．５−トリメヂルシクロヘキザン
、１．１−ビス（１−ブチルパーオキシ）シクロヘキザ
ン、２．２−　ビス（１−ブチルパーオキシ）オクタン
、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）
バレレート、２゜２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブ
タンなどが挙げられる。

これらパーオキシエステル類およびパーオキシエステル
類は、単独にまたは２種以上併用して使用される。

また前記熱重合開始剤と光重合開始剤との両方の機能を
有する重合開始剤としては例えば、３゜３°、４．４’
−テトラ−（Ｌ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾ
フェノンなどがあげられる。

かかる重合開始剤の配合ｍはエポキシ化合物（Ａ）と光
重合性化合物［（Ｂ）−１−（Ｃ）］　との総量に対し
て０．０５〜５重爪％であり、好ましくは０．１〜３重
量％である。重合開始剤の配合量がｏ、。

５重量％未満では遮光部の硬化性が低下し、完全硬化し
た硬化膜が得がたい。また、重合開始剤の配合量が５重
量％を超える場合も硬化性が低下し、　・完全硬化した
硬化膜が得が、たいと同時に、加熱時に発泡および変色
が著しくなる。

本発明にて用いられるソルダー・レジスト・インキ組成
物は室温または必要により加温下で前記各成分を撹拌混
合あるいは混練することにより容易に製造される。製造
時の熱重合や貯蔵中の□暗反応を防止するために、ハイ
ドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ｌ−
ブチル−カテコール、ｐ−ベンゾキノン、２．５−ｔ−
ブチル−ハイドロキノン、フェノデアジンなど公知の熱
重合防止剤を添加するのが望ましい。その添加量は本発
明に使用する光重合性化合物（Ｂ十Ｇ）に対し　０．０
０１〜０．１重量％であり、好ましくは０．００１〜０
．０５重量％である。

本発明方法にて用いられる厚膜用ソルダー・レジスト・
インキ組成物は、必要に応じ公知の他の成分を配合して
使用され、例えば、各種の無機充擦剤、揺変剤、レベリ
ング剤、消泡剤、可塑剤、着色剤等が配合される。これ
らの配合は常法に従い、例えば三本ロール等を用いて混
練することができる。

本発明の半田付方法を実施するには、まず前記ソルダー
・レジスト・インキ組成物をプリント配線板などの回路
板」二に、スクリーン印刷法などの公知の印刷法にて所
望のソルダー・レジスト・パターンに印刷する。ついで
、前記回路板を前記インキ組成物の硬化条件下におく。

すなわち、最初に活性光線の照射によりカルボキシル基
を有する光重合性化合物（Ｂ）、あるいは（Ｂ）と他の
光重合性化合物（Ｃ）との混合物を重合させカルボキシ
ル基含有重合物（−次硬化）とし、次いで加熱によりエ
ポキシ化合物（Ａ）のエポキシ基と上記重合物に含有さ
れるカルボキシル基とを反応させて完全硬化させる２段
階から成る硬化を行なう。

一次硬化の光重合条件としては光量２０ｍＷ／ｃｎ＋２
〜２００　ｍＷ／ａｍ’において、時間１秒〜５分が好
ましい。また完全硬化を行なう熱硬化の条件としては温
度４０°Ｃ〜２００℃において時間１０秒〜６０分が好
ましい。

一次硬化は、紫外線、電子線などの活性光線の照射によ
り光重合反応を誘起する。紫外線照射に用いる光源とし
ては、太陽光線、ケミカルランプ、低圧水銀灯、高圧水
銀灯、カーボンアーク灯、キセノンランプ、メタルハラ
イドランプなどが使用される。

熱硬化に用いられる熱源としては、例えば、赤外線ヒー
ター、熱風加熱、高周波加熱などの公知の加熱方法が挙
げられる。

かくして得られる導電性層上に硬化した所望のソルダー
・レジスト層のベタ〜ンを有する回路板につぎの公知の
適宜の方法により半田付を行なう。

（ｉ）　　半田ごてによる手半田（３００〜ｂ（ｉｉ）
　　噴流式半田槽による噴流半田（２６０℃ＸｔＯ秒） （ｔｉｔ）溶融した半田槽に浸漬する浸漬半田（２６０
℃×１０秒） （ｉｖ）　　クリーム半田をスクリーン印刷した後、遠
赤外線照射するりフロー半田（３００℃ＸＩＯ秒） 発明の効果 本発明の優れた効果として（３次の点があげられる。

（１）　　本発明の厚膜用ソルダー・レジスト・インキ
組成物は紫外線などの活性光線が充分に照射されにくい
厚膜であっても完全硬化膜を得ることができる。

（２）紫外線照射により極く短時間のうちに印刷インキ
の流動性が失われるためインキのにじみの発生もなく直
ちに次工程へ移すことが出来る。

従って従来の熱硬化型インキと比較して大１１な生産性
の向上が可能である。

叉旌制 以下、本発明を実施例により、さらに具体的に一説明す
るが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ない。

実施例中、部および％とあるのは各々重量部および重量
％を示ず。なお、ソルダー・レジスト・インキ組成物の
硬化膜の性能は次の方法により測定した。

密着性； 硬化膜のゴバン目クロスカット・セロファンテープ剥離
試験（Ｊ　Ｉ　Ｓ　　Ｄ　　Ｏ２０２）に従った。

硬度： 鉛筆引っかき試験、（ＪＩＳ　　Ｋ　　５４００）に従
った。

半田付性： 試験片に半田フラックスを塗布し、乾燥（１００°Ｃ×
ｌＯ秒）後２６０℃の噴流式半田浴に１０秒間浸漬しそ
のレジスト膜の変化を判定した。

耐溶剤性： 沸騰１，１．２−）リクロルエチレンに５分間浸漬後の
外観変化および接着性を測定した。

耐ＰＣＴ性： ２．０　ａｔｍ　（１２０℃）で６時間試験後の外観変
化、接着性を測定した。

電気絶縁性： くし型電極（ＪＩＳ　　Ｚ　　３１９７）を用い硬化膜
の各種試験後の絶縁抵抗値（５００Ｖ−１分印加）を測
定した。

実施例１ クレゾールノボラック型エポキシ化合物であるＹＤＣＮ
−７０４（「東部化成」製）１９９部、コハク酸モノア
クリロイルオキシエチルエステル２４３部および２−ヒ
ドロキシエチルアクリレート８０部を撹拌容器に仕込み
、８０℃で混合撹拌し、透明な樹脂組成物（１）を得た
。得られた樹脂組成物（１）１００部にタルク２７部、
微粉末シリカ　１．３部、フタロシアニングリーン０．
４部、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン１
．３部、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエタノール０゜７部お
よびレベリング剤　１．３部を配合しチルド三本ロール
を用いてよく混練しソルダー・レジスト・インキ（ａ）
を得た。

別に準備したプリント配線板（１，６ｍｍ厚ガラ。

ス繊維強化エポキシ樹脂基板、銅箔厚７０μｍ１線中２
００μｍ１線間２００μｍ）上にスクリーン印刷法によ
りインキ（ａ）を印刷（厚膜部１００μｍ）し、８０Ｗ
／ｃｍ水冷式超高圧水銀灯下１５ｃｍの距離で紫外線を
２０秒間照射し、次いで１５ｄ℃で１５分間加熱してソ
ルダー・レジスト層を完全硬化させた回路板Ａを得た。

得られた回路板Ａの硬化膜の性能測定結果を第１表に示
す。

ついで該回路板Ａに対し以下の（ｉ）〜（ｉｖ）の方法
により半田付を行なった。

（ｉ）手半田 前記のごとく得られた回路板Ａに、常法により予めフラ
ックスを塗布し乾燥する。つぎに半田コテに半田（Ｓｎ
／ＰｂＥ６０／４０重量比）を溶融付着させ（この際の
半田の溶融温度は３２０℃）ランド部の銅箔および周辺
のソルダー・レジスト・インキ膜上に１〜２秒接触させ
て半田を移行させた。次いでクロロセンにて回路板を洗
浄し、半田付けを行なった周辺にセロテープ剥離テスト
を実施した。結果はいずれもレジスト膜の剥離がなく良
好であった。

（１１）噴流半田 回路板Ａ全面にフラックスを塗布・乾燥、（６０℃×２
分）した後、噴流大半１月槽にて２６０℃ＸＩＯ秒半田
付けを実施した。次いでクロロセンにて回路板を洗浄し
、セロテープ剥離テストを行なった。結果はいずれもレ
ジスト膜の剥離がなく良好であった。

（山）浸漬半田 回路板Ａ全面にフラックスを塗布・乾燥し、ついで溶融
した半田槽へ２６０℃×１０秒浸漬して半田付けを行な
った。次に、クロロセンにて回路板を洗浄し、セロテー
プ剥離テストを行なった。

結果はいずれもレジスｉ・膜の剥離がなく良好であった
。

（ｉｖ）リフロー半田 回路板Ａ上の部品実装用のための銅箔部のみに半田クリ
ームをスクリーン印刷した後、該回路板Ａをリフロー炉
（３００℃×２０秒）中に通した。

次イでクロロセンにて回路板を洗浄し、セロテープ剥離
テストを行なった。結果はいずれもレジスト膜の剥離な
く良好であった。

比較例１ 市販の熱硬化型ソルダー・レジスト・インキを実施例１
のプリント配線板上にスクリーン印刷し１５０℃で乾燥
を行なったところ１５分後でも表面が十分に硬化しなか
った。

比較例２ 市販の紫外線硬化型ソルダー・レジスト・インキを実施
例１のプリント配線板上にスクリーン印刷し、実施例１
と同様にして３，０００ｍＪ／ｃ＋ｎ’の紫外線を照射
した。得られた硬化膜の密着性を測定したが、０／１０
０で厚膜部においては十分に硬化しなかった。

実施例２ クレゾールノボラック型エポキシ化合物であるＹＤＣＮ
−７０２ｆｆ東部化成」製）２００部、フタル酸モノア
クリロイルオキシエチルエステル２６５部およびトリメ
チロールプロパントリアクリレート５０部を撹拌容器に
仕込み、８０℃で混合撹拌し、透明な樹脂組成物（２）
を得た。得られた樹脂組成物（２）１００部にタルク３
０部、微粉末シリカ　１．０部、フタロシアニングリー
ン０゜４部、ペンジルジメヂルケクール６部、Ｎ、Ｎ−
ジエチルアミノエタノール０．７部およびレベリング剤
　１．３部を配合しヂルド三本ロールを用いてよく混練
しソルダー・レジスト・インキ（ｂ）を得た。

実施例１で使用したプリント配線板上にスクリーン印刷
法により」二記インキ（ｂ）を印刷（厚膜部１００μｍ
）した後８０Ｗ／ｃｍ空冷式超高圧水銀灯下１５ｃｍで
２０秒間紫外線を照射し、次いで１５０℃で１５分間加
熱してソルダー・レジスト層を完全硬化させた回路板Ｂ
を得た。得られた硬化膜の性能測定結果を第２孝に示す
。

ついで該回路板Ｂに対し、実施例１と同様、（１）〜（
ｉｖ）の方法により半田付けを行なった。

半田付を行なった回路板Ｂに対し、実施例１の（ｉ）〜
（ｉｖ）と同様にして、セロテープ剥離テストを行なっ
たところ、いずれもレジスト膜の剥離はな゛く良好な結
果が得られた。

第１表 第２表

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）フェノールノボラック型エポキシ化合物および／
   またはクレゾールノボラック型エポキシ化合物３０〜１
   ００重量％を含有する２個以上のエポキシ基を有するエ
   ポキシ化合物（Ａ）：カルボキシル基を有する光重合性
   化合物（Ｂ）、または該化合物（Ｂ）と他の光重合性化
   合物（Ｃ）との混合物；光開始剤（Ｄ）；およびエポキ
   シ基とカルボキシル基との反応促進剤（Ｅ）を必須成分
   とする厚膜用ソルダー・レジスト・インキ組成物を非導
   電性基材上に設けられた導電性金属層に付着させ、活性
   光線により一次硬化を行ない、ついで加熱により完全硬
   化を行なうことによって、所望のパターンのソルダー・
   レジスト層を前記金属層上に形成した後半田付を行なう
   ことを特徴とする回路板上における半田付方法。