JPS6210653A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6210653A JPS6210653A JP14922185A JP14922185A JPS6210653A JP S6210653 A JPS6210653 A JP S6210653A JP 14922185 A JP14922185 A JP 14922185A JP 14922185 A JP14922185 A JP 14922185A JP S6210653 A JPS6210653 A JP S6210653A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/0685—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な電子写真感光材料を利用した電子写真感
光体に関するものであり、更に詳しくは特定の分子構造
を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有する電子写真
感光体く関するものである。
光体に関するものであり、更に詳しくは特定の分子構造
を有するジスアゾ顔料を光導電層中に含有する電子写真
感光体く関するものである。
従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。
くの文献等で発表されている。
例えば、’RCA Review’ Vot、 23
* P、 413〜P、419(1962,9)ではフ
タロシアニン顔料の光導電性についての発表がなされて
おシ、又このフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光
体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38
1611 号公報等に示されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号公報、米国特許第4327169
号公報やRe5each Disclosure”20
517(1981,5)に示されているピリリウム系染
料、米国特許第3824099号公報に示されているス
クエアリック酸メチン染料、米国特許第3898084
号公報、米国特許第4251613号公報等に示された
ジスアゾ顔料などが挙げられる。
* P、 413〜P、419(1962,9)ではフ
タロシアニン顔料の光導電性についての発表がなされて
おシ、又このフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光
体が米国特許第3397086号公報や米国特許第38
1611 号公報等に示されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許第4315983号公報、米国特許第4327169
号公報やRe5each Disclosure”20
517(1981,5)に示されているピリリウム系染
料、米国特許第3824099号公報に示されているス
クエアリック酸メチン染料、米国特許第3898084
号公報、米国特許第4251613号公報等に示された
ジスアゾ顔料などが挙げられる。
この様な有機半導体は、無機半導体に較べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなると込う利点を有しているが、感度お
よび耐久性において実用できるものは、ごく僅かである
。
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなると込う利点を有しているが、感度お
よび耐久性において実用できるものは、ごく僅かである
。
本発明の目的は新規な光導電性材料を提供することにあ
る。
る。
本発明の別な目的は現存するすべての電子写真プロセス
においても使用可能であり、実用的な高感度特性と繰り
返し使用における安定な電位特性を有する電子写真感光
体を提供することにある。
においても使用可能であり、実用的な高感度特性と繰り
返し使用における安定な電位特性を有する電子写真感光
体を提供することにある。
本発明に従って導電性基体上に感光層を設けた電子写真
感光体において、該感光層が次の一般式(式中人はフェ
ノール性OH基を有するカプラー残基: Ar、l A
r21 Ar3及びAr4はそれぞれ置換基を有しても
よいフェニレン、2価の縮合多環芳香族基又は2価の複
素環基;nはO又は1)で表わされるジスアゾ顔料を含
有することを特徴とする電子写真感光体が提供される・ 上記一般式(1)にお込てAr # Ar a A
r3及びAr4は具体的には例えばフェニレンある−は
ビフェニレン、ナフチレン、アントラニレン、フルオレ
ニレン、2価のフルオレノy等の2価の締金的環芳香族
基、又はキノリン、2価のカルバゾリル、2価のベンゾ
オキサシルなどの2価の複素環基が挙げられる。またこ
れらの基は例えばアルキル基(メチル、エチル、プロピ
ルなど)、アラルキル基(ベンジル、フェネチル、ナフ
チルメチルなど)、アリール基(フェニル、ジフェニル
、ナフチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ
、ブトキシなど)、ハロダン(塩素、臭素、ヨウ素、フ
ッ素)、シアノ基、アシル基(アセチル、ベンゾイルな
ど)、ニトロ基で置換されてもよい。
感光体において、該感光層が次の一般式(式中人はフェ
ノール性OH基を有するカプラー残基: Ar、l A
r21 Ar3及びAr4はそれぞれ置換基を有しても
よいフェニレン、2価の縮合多環芳香族基又は2価の複
素環基;nはO又は1)で表わされるジスアゾ顔料を含
有することを特徴とする電子写真感光体が提供される・ 上記一般式(1)にお込てAr # Ar a A
r3及びAr4は具体的には例えばフェニレンある−は
ビフェニレン、ナフチレン、アントラニレン、フルオレ
ニレン、2価のフルオレノy等の2価の締金的環芳香族
基、又はキノリン、2価のカルバゾリル、2価のベンゾ
オキサシルなどの2価の複素環基が挙げられる。またこ
れらの基は例えばアルキル基(メチル、エチル、プロピ
ルなど)、アラルキル基(ベンジル、フェネチル、ナフ
チルメチルなど)、アリール基(フェニル、ジフェニル
、ナフチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ
、ブトキシなど)、ハロダン(塩素、臭素、ヨウ素、フ
ッ素)、シアノ基、アシル基(アセチル、ベンゾイルな
ど)、ニトロ基で置換されてもよい。
さら釦、一般式(1)におけるAの7エノール性OH基
を有するカプラー残基としては、例えば下記の一般式(
2)〜(8)で示される: O 7−Yll 、Y− ゝX′ (式中Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成する残基;R1及びR2は水素、置換基を有
してもよいアルキル、アラルキル、アリールあるいは複
素環基または一緒になって窒素原子と共に環状アミノ基
を形成する残基を示す;R及びR4はそれぞれ置換基を
有してもよいアルキル、アラルキル、アリールを示す;
Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原子と一緒
になって複素環の2価の基を形成する残基を示す;R5
及びR6は水素原子、置換基を有してもよいアルキル、
アラルキル、アリールあるいは複素環基を示す、又、R
5’ R6は中心炭素と共に5〜6員環を形成する残基
金示す、この5〜6員環は縮合芳香族環を有していても
かまわない;R7及びR8はそれぞれ水素原子、置換基
を有してもよいアルキル、アラルキル、アリールあるい
は複素環基を示す)。
を有するカプラー残基としては、例えば下記の一般式(
2)〜(8)で示される: O 7−Yll 、Y− ゝX′ (式中Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成する残基;R1及びR2は水素、置換基を有
してもよいアルキル、アラルキル、アリールあるいは複
素環基または一緒になって窒素原子と共に環状アミノ基
を形成する残基を示す;R及びR4はそれぞれ置換基を
有してもよいアルキル、アラルキル、アリールを示す;
Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原子と一緒
になって複素環の2価の基を形成する残基を示す;R5
及びR6は水素原子、置換基を有してもよいアルキル、
アラルキル、アリールあるいは複素環基を示す、又、R
5’ R6は中心炭素と共に5〜6員環を形成する残基
金示す、この5〜6員環は縮合芳香族環を有していても
かまわない;R7及びR8はそれぞれ水素原子、置換基
を有してもよいアルキル、アラルキル、アリールあるい
は複素環基を示す)。
上記Xの多環芳香環及び複素環としては例えばナフタレ
ン、アントラセン、カルバゾール、ベンズカルバゾール
、ジベンゾフラン、ベンゾナフトフラン、ジフェニレン
サルファイドなどが示される。
ン、アントラセン、カルバゾール、ベンズカルバゾール
、ジベンゾフラン、ベンゾナフトフラン、ジフェニレン
サルファイドなどが示される。
またR1. R2の場合、アルキルは例えばメチル、エ
チル、プロピル、ブチルなどが示され、アラルキルは例
えばベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどであり
、アリールは例えばフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリルなどである。とくにRが水素であり、R2が
〇−位にハロダン、ニトロ、シアノ、トリフルオロメチ
ルなどの電子吸引性基及びメチル、エチル、ブチルなど
のアルキル基を有するフェニル基である構造を有する化
金物が好ましい。
チル、プロピル、ブチルなどが示され、アラルキルは例
えばベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどであり
、アリールは例えばフェニル、ジフェニル、ナフチル、
アンスリルなどである。とくにRが水素であり、R2が
〇−位にハロダン、ニトロ、シアノ、トリフルオロメチ
ルなどの電子吸引性基及びメチル、エチル、ブチルなど
のアルキル基を有するフェニル基である構造を有する化
金物が好ましい。
複素環としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズ
イミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジ
ンなどが例示される。
イミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジ
ンなどが例示される。
R3及びR4の具体例は前記R1r R2で例示された
ものと同じものが挙げられる。
ものと同じものが挙げられる。
また上記のR1’ R2’ R5及びR4のアルキル基
、アラルキル基、アリール基、複素環基は更に他の置換
基、例えば前述のアルキル基、アルコキシ基、ハロダン
原子、ニトロ基、シアノ基、あるいはジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ
、モルホリノ、ビ被すジノ、ピロリジノなどの置換アミ
ン基などにより置換されてもよい。
、アラルキル基、アリール基、複素環基は更に他の置換
基、例えば前述のアルキル基、アルコキシ基、ハロダン
原子、ニトロ基、シアノ基、あるいはジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ
、モルホリノ、ビ被すジノ、ピロリジノなどの置換アミ
ン基などにより置換されてもよい。
Yの定義において2価の芳香族炭化水素基としては例え
ば0−7エニレンの如き単環式芳香族炭化水素基、0−
ナフチレン、ペリナフチレン、1.2−アンスリレン、
9.10−フェナンスリレンなどの縮合多環式芳香族
炭化水素基が挙げられる。
ば0−7エニレンの如き単環式芳香族炭化水素基、0−
ナフチレン、ペリナフチレン、1.2−アンスリレン、
9.10−フェナンスリレンなどの縮合多環式芳香族
炭化水素基が挙げられる。
また窒素原子と一緒になって2価の複素環を形成する例
としては、3,4−ビラゾールジイル基、2.3−ピリ
ジンジイル基、4.5−ピリミジンジイル基、6.7−
インタソールジイル基、 5.6−ペンズイミダゾール
ジイル基、6,7−キラリンジイル基等の5〜6員複素
環の2価の基が挙げられる。
としては、3,4−ビラゾールジイル基、2.3−ピリ
ジンジイル基、4.5−ピリミジンジイル基、6.7−
インタソールジイル基、 5.6−ペンズイミダゾール
ジイル基、6,7−キラリンジイル基等の5〜6員複素
環の2価の基が挙げられる。
R5・R6のアリール基又は複素環基としてはフェニル
、ナフチル、アンスリル、ピレニルなト;ピリジル、チ
ェニル、フリル、カルバゾリルなどが例示される。これ
らは前記の如き置換基で置換されてもよい。またR5と
R6は一緒になって5〜6員環を形成する残基を示す。
、ナフチル、アンスリル、ピレニルなト;ピリジル、チ
ェニル、フリル、カルバゾリルなどが例示される。これ
らは前記の如き置換基で置換されてもよい。またR5と
R6は一緒になって5〜6員環を形成する残基を示す。
この5〜6員環は縮合芳香族環を有してもよい。
かかる例としてはシクロペンチリデン、シクロヘキシリ
デン、9−フルオレニリデン、9−キサンテニリデンな
どの基が挙げられる。
デン、9−フルオレニリデン、9−キサンテニリデンな
どの基が挙げられる。
R及びR8におけるアルキル、アリール、アラフ
ルキシの具体例は前記の例示と同じものが挙げられる。
複素環としてはカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズ
イミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジ
ンなどが例示される。これらは前記の如き置換基で置換
されてもよい。
イミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジ
ンなどが例示される。これらは前記の如き置換基で置換
されてもよい。
式(7)及び(8)におけるXは前記式(2)における
Xと同一の具体例が示される。とくにXの結合した環と
してアントラセン環、ベンズカルバソール環、カルバゾ
ール環であることが好ましい。とくにペンズカルノ々ゾ
ール環は分光感度域を長波長域にまで広げる効果が大き
く、半導体レーザー領域に高感度を有する感光体の作成
に好適である。
Xと同一の具体例が示される。とくにXの結合した環と
してアントラセン環、ベンズカルバソール環、カルバゾ
ール環であることが好ましい。とくにペンズカルノ々ゾ
ール環は分光感度域を長波長域にまで広げる効果が大き
く、半導体レーザー領域に高感度を有する感光体の作成
に好適である。
本発明によれば、理論には拘束されな−が、上記一般式
(1)のジスアゾ顔料が骨格の中心に−N−基O 及び1個又は2個のビニレン構造を有することにより、
顔料の光導電性に改良をもたらしキャリヤ生成効率ない
しは搬送性のいづれか一方あるいは両方が向上するため
感度や耐久使用時における電位安定性が確保されると考
えられる。
(1)のジスアゾ顔料が骨格の中心に−N−基O 及び1個又は2個のビニレン構造を有することにより、
顔料の光導電性に改良をもたらしキャリヤ生成効率ない
しは搬送性のいづれか一方あるいは両方が向上するため
感度や耐久使用時における電位安定性が確保されると考
えられる。
また高感度及び分光感度域の長波長化が達成されるので
高速の複写機、レーデ−ビームプリンター、LED7’
リンター、液晶プリンター々どへの適用が可能となり、
更に感光体の前歴だ拘らず安定した電位が確保され安定
した美しい画偉が得られる。
高速の複写機、レーデ−ビームプリンター、LED7’
リンター、液晶プリンター々どへの適用が可能となり、
更に感光体の前歴だ拘らず安定した電位が確保され安定
した美しい画偉が得られる。
本発明に用いられるシスアゾ顔料の代表例を列挙する。
上記のジスアゾ顔料は1種又は2種以上組合せて用いる
ことができる。
ことができる。
tた一般式(1)のジスアゾ顔料は例えば1次式H2N
−Ar 1−CH=CH−Ar 2−a−Ar 3+C
H=CH−Ar 4−)−nNH2(式中Ar 1 *
Ar 2 r Ar 3 s Ar 4 及びnは
前記と同じ)で表わされる2級アミンを有するジアミン
を常法によりテトラゾ化と同時にニトロソ化し、次いで
対応するオッグラーをアルカリの存在下で水系カップリ
ングするか、または前記のジアミンのテトラゾニウム塩
をホウフッ化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離
した後、適当な溶媒例えばN、N −ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存
在下にカッグラ−とカップリングすることにより容易に
製造することができる。
−Ar 1−CH=CH−Ar 2−a−Ar 3+C
H=CH−Ar 4−)−nNH2(式中Ar 1 *
Ar 2 r Ar 3 s Ar 4 及びnは
前記と同じ)で表わされる2級アミンを有するジアミン
を常法によりテトラゾ化と同時にニトロソ化し、次いで
対応するオッグラーをアルカリの存在下で水系カップリ
ングするか、または前記のジアミンのテトラゾニウム塩
をホウフッ化塩あるいは塩化亜鉛複塩等の形で一旦単離
した後、適当な溶媒例えばN、N −ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリの存
在下にカッグラ−とカップリングすることにより容易に
製造することができる。
次に本発明で用いるジスアゾ顔料の代表的な合成例を示
す。
す。
合成例1 (前記例示のジスアゾ顔料点1の合成)5
00rrLtビーカーに水80111濃塩酸16.61
d(0,19モル)を入れ氷水浴で冷却しなからシア8
.74#(0,029モル)を添加し攪拌し液温を3℃
とした。次に亜硝酸ソーダ6.2.9(0,090モル
)を水7rrLlに溶かした液を液温を3〜10℃の範
囲にコントロールしながら10分間で滴下し、滴下終了
後同温度で更に30分攪拌した。反応液にカーゲンを加
え濾過してテトラゾ化液を得た。
00rrLtビーカーに水80111濃塩酸16.61
d(0,19モル)を入れ氷水浴で冷却しなからシア8
.74#(0,029モル)を添加し攪拌し液温を3℃
とした。次に亜硝酸ソーダ6.2.9(0,090モル
)を水7rrLlに溶かした液を液温を3〜10℃の範
囲にコントロールしながら10分間で滴下し、滴下終了
後同温度で更に30分攪拌した。反応液にカーゲンを加
え濾過してテトラゾ化液を得た。
次に、27ビーカーにジメチルホルムアミド700d金
入れトリエチルアミン53.6(0,53モル)ill
え3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド16.06
19(0,061モル)を添加して溶解した。
入れトリエチルアミン53.6(0,53モル)ill
え3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸アニリド16.06
19(0,061モル)を添加して溶解した。
このカブラ−溶液を6℃に冷却し液温を6〜10℃にコ
ントロールしながら前述のテトラゾ化液を30分かけて
攪拌下部下して、その後室温で2時間攪拌し更に1晩放
置した。反応液を濾過後水洗濾過し固型分換算で粗製顔
料23.20.9の水(−ストを得た。
ントロールしながら前述のテトラゾ化液を30分かけて
攪拌下部下して、その後室温で2時間攪拌し更に1晩放
置した。反応液を濾過後水洗濾過し固型分換算で粗製顔
料23.20.9の水(−ストを得た。
次に400’mのN、N−ジメチルホルムアミドを用い
室温で攪拌濾過を4回縁シ返した。その後400 rl
Llのメチルエチルケトンでそれぞれ2回攪拌ν過を繰
シ返した後室温で減圧乾燥し精製顔料21.7!/を得
た。収率は85.0チでありた。融点300 ℃ 元素分析 計算値(チ) 実験値(チ)C73
,7973,83 H4,364,31 N 12.75 12.
65以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般
式(1)で示される他のジスアゾ顔料も同様にして合成
される。
室温で攪拌濾過を4回縁シ返した。その後400 rl
Llのメチルエチルケトンでそれぞれ2回攪拌ν過を繰
シ返した後室温で減圧乾燥し精製顔料21.7!/を得
た。収率は85.0チでありた。融点300 ℃ 元素分析 計算値(チ) 実験値(チ)C73
,7973,83 H4,364,31 N 12.75 12.
65以上代表的な顔料の合成法について述べたが、一般
式(1)で示される他のジスアゾ顔料も同様にして合成
される。
前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
って下述する電子写真感光体の感光層に用いることがで
きる。
すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適轟なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることによりミ子写真感光体を調製することができる。
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適轟なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることによりミ子写真感光体を調製することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限シ
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば5μ以下、好ましくは0.01〜1μの膜厚をもつ
薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量の
大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリア
を生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結合
や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送層
に注入する必要があることに帰因している。
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば5μ以下、好ましくは0.01〜1μの膜厚をもつ
薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量の
大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリア
を生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結合
や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送層
に注入する必要があることに帰因している。
電荷発生層は、前述の化合物を適轟なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによりて形成でき
、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによっ
て得ることができる。電荷発生層t−塗工によって形成
する際に用いうる・々イングーとしては広範な絶縁性樹
脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバゾール、
?リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ボリアリレート(ビスフェノールAと
7タル酸の縮重合体など。)ポリカーゴネート、ポリエ
ステル、フェノギシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹
脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、チリビニル
ピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量−以下、好ましく
は40重量%以下が適している。
させ、これを基体の上に塗工することによりて形成でき
、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによっ
て得ることができる。電荷発生層t−塗工によって形成
する際に用いうる・々イングーとしては広範な絶縁性樹
脂から選択でき、またポリ−N−ビニルカルバゾール、
?リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機
光導電性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビ
ニルブチラール、ボリアリレート(ビスフェノールAと
7タル酸の縮重合体など。)ポリカーゴネート、ポリエ
ステル、フェノギシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹
脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、チリビニル
ピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ
樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、80重量−以下、好ましく
は40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なシ、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジクロ
ヘキブノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒ
ドロフラ/、ジオキブン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
などのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる
。
なシ、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジクロ
ヘキブノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラヒ
ドロフラ/、ジオキブン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
などのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができる
。
m工は、浸漬コ・−ティング法、スプレーコーチインク
法、スピンナーコーティング法、ヒートコーチインク法
、マイヤーノR−コーティング法、クレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーチンコーティング
法などの〒−ティング法を用いて行なうことができる。
法、スピンナーコーティング法、ヒートコーチインク法
、マイヤーノR−コーティング法、クレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーチンコーティング
法などの〒−ティング法を用いて行なうことができる。
乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が
好ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分
〜2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこ
とができる。
好ましい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分
〜2時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこ
とができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おシ、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくま几
その下に積層されていてもよい。
おシ、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくま几
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸送
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、単に電
荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電
磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい
。ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫外線、可
視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広
義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応性
波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツプ
する時には1両者で発生した電荷キャリアが相互に捕獲
し合い、結果的には感度の低下の原因となる。
層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、単に電
荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電
磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい
。ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫外線、可
視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広
義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応性
波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツプ
する時には1両者で発生した電荷キャリアが相互に捕獲
し合い、結果的には感度の低下の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があシ、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2,4.7− トリニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4.7−)ジニトロ−9−ジシアノメチレンフルオ
レノン、 2,4,5.7−チトラニトロキプントン、
2.4ts−トリニドロチオキサントン等の電子吸引
性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの等が
ある。
があシ、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2,4.7− トリニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4.7−)ジニトロ−9−ジシアノメチレンフルオ
レノン、 2,4,5.7−チトラニトロキプントン、
2.4ts−トリニドロチオキサントン等の電子吸引
性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの等が
ある。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチ、It/カ
ルツクソール、N−イソグロピルカルノクソール、N−
,7’チル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−9−エチルカルバソール、N、N−ジフェニルヒドラ
ジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバゾール、 N
、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−
エチルフェノチアジン、 N、N−ジフェニルヒドラジ
ノ−3−メチリデン−10−エチルフェノキプシン、P
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニ
ルヒドラゾン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
N−α−ナナフチルーN−フェニルヒドラゾンP−ピロ
リジノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾ
ン、113+3−) ジメチルインドレニン−ω−アル
デヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチル
ベンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2
−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2.5−ビス(p−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキブジアゾー
ル、1−7エニルー3−(p−ジエチルアミノスチリル
)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ヒラゾリン、
1−〔キノリル(2) ) −3−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミ、ノフェニル)
ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)ml −3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−s−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−(6−メト午シーピリツル
(2) ) −3−(P−ジエチルアミノスチリル)−
5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
〔ピリジル(3) ] −3−(P−ジエチルアミノス
チリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−〔レビジル(2) 〕−3−(P−ジエチル
アミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−ジ
エチルアミノスチリル、4−メチk −5−(P−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン・1−〔ピリジル(2
) ml−3−(α−メチル−P−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−7エニルー3−(P−ジエチルアミノスチリル
)−4−メチル−5−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾ
リン類、2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジ
ニチルアミノベンズオキサゾール、2−(P−ジエチル
アミノフェニル)−4−(P−ジメチルアミノフェニル
)−5−(2−クロロフェニル)オキブゾール等のオキ
丈ゾール系化合物、2−(P−ジエチルアミノスチリル
−6−シエチルアミグペンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェ
ニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合
物、1,1−ビス(4−N、N −ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)へブタン1.1,2.2−テトラキ
ス(4−N、N−ツメチルアミノ−2−メチルフェニル
)エタン等のポリアリールアルカン類、4−ジフェニル
アミノ−4“−メトキシスチルベン、4〃−ジエチルア
ミノスチリル−3−(9−エチル)カルバソール等のス
チルベン系化合物、トリフェニルアミン、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフ
ェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、
エチルヵルノ4ゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。
ルツクソール、N−イソグロピルカルノクソール、N−
,7’チル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−9−エチルカルバソール、N、N−ジフェニルヒドラ
ジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバゾール、 N
、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−
エチルフェノチアジン、 N、N−ジフェニルヒドラジ
ノ−3−メチリデン−10−エチルフェノキプシン、P
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニ
ルヒドラゾン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
N−α−ナナフチルーN−フェニルヒドラゾンP−ピロ
リジノベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾ
ン、113+3−) ジメチルインドレニン−ω−アル
デヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチル
ベンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2
−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2.5−ビス(p−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキブジアゾー
ル、1−7エニルー3−(p−ジエチルアミノスチリル
)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ヒラゾリン、
1−〔キノリル(2) ) −3−(P−ジエチルアミ
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミ、ノフェニル)
ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)ml −3−(P−
ジエチルアミノスチリル)−s−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−(6−メト午シーピリツル
(2) ) −3−(P−ジエチルアミノスチリル)−
5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
〔ピリジル(3) ] −3−(P−ジエチルアミノス
チリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−〔レビジル(2) 〕−3−(P−ジエチル
アミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2)〕−3−(P−ジ
エチルアミノスチリル、4−メチk −5−(P−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン・1−〔ピリジル(2
) ml−3−(α−メチル−P−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−7エニルー3−(P−ジエチルアミノスチリル
)−4−メチル−5−(P−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−P−
ジエチルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾ
リン類、2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジ
ニチルアミノベンズオキサゾール、2−(P−ジエチル
アミノフェニル)−4−(P−ジメチルアミノフェニル
)−5−(2−クロロフェニル)オキブゾール等のオキ
丈ゾール系化合物、2−(P−ジエチルアミノスチリル
−6−シエチルアミグペンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェ
ニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合
物、1,1−ビス(4−N、N −ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)へブタン1.1,2.2−テトラキ
ス(4−N、N−ツメチルアミノ−2−メチルフェニル
)エタン等のポリアリールアルカン類、4−ジフェニル
アミノ−4“−メトキシスチルベン、4〃−ジエチルア
ミノスチリル−3−(9−エチル)カルバソール等のス
チルベン系化合物、トリフェニルアミン、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9−ビニルフ
ェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、
エチルヵルノ4ゾールホルムアルデヒド樹脂等がある。
これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
) また、とれらの電荷輸送物質は、1種または2種
以上組合せて用いることができる。
以上組合せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜住金有していない時には、適西なパ
イン〆−を選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、・ 例えばアクリル
樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、7クリロニトリルースチレンコホリ
マー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ぼりアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール
、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマーを挙げることができる。
イン〆−を選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、・ 例えばアクリル
樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、7クリロニトリルースチレンコホリ
マー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ぼりアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール
、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5〜30μであるが、好ましい範囲は8〜20μ
である。塗工によりて電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーティング法を用いることができる
。
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5〜30μであるが、好ましい範囲は8〜20μ
である。塗工によりて電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーティング法を用いることができる
。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えばポリエチレン、ポリゾロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、アル
ミ粉末、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、カー?ンプ
ラック、銀粒子など)を適箔なバインダーとともにグラ
スチック又は前記導電性基体の上に被覆した基体。
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えばポリエチレン、ポリゾロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、アル
ミ粉末、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、カー?ンプ
ラック、銀粒子など)を適箔なバインダーとともにグラ
スチック又は前記導電性基体の上に被覆した基体。
導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性
ポリマーを有するプラスチックなどを用いることかでき
る〇 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
ポリマーを有するプラスチックなどを用いることかでき
る〇 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μ、好ましくは0.5〜3
μが適当である。
μが適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があシ、帯電後、露光す
るとU元部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。
輸送層表面を負に帯電する必要があシ、帯電後、露光す
るとU元部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。
現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正電荷
性トナーを用いる必要がある。
性トナーを用いる必要がある。
導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があシ帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入享れそのあと基盤に
達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に
達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可視像が得られる。
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があシ帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入享れそのあと基盤に
達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に
達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可視像が得られる。
これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙やプラス
チックフィルム等に転写後現像し定着することができる
。また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。
チックフィルム等に転写後現像し定着することができる
。また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写
後現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採
用してもよく、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があシ、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時
には電子輸送性物質を用い念場合とは逆に負電荷性トナ
ーを用いる必要がある。
荷発生層表面を正に帯電する必要があシ、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時
には電子輸送性物質を用い念場合とは逆に負電荷性トナ
ーを用いる必要がある。
また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
・ルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機
光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム1.セレンな
どの無機光導電性物質の増成剤として前述のジスアゾ顔
料を含有させた感光被膜とする゛ことができる。この感
光被膜は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料
をパイン〆一とともに塗工によって被膜形成てれる。
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
・ルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類など有機
光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム1.セレンな
どの無機光導電性物質の増成剤として前述のジスアゾ顔
料を含有させた感光被膜とする゛ことができる。この感
光被膜は、これらの光導電性物質と前述のジスアゾ顔料
をパイン〆一とともに塗工によって被膜形成てれる。
本発明の別の具体例としては前述のジスアゾ顔料を電荷
輸送物質とともに同一層に含有てせた電子写真感光体を
挙げることができる。この際前述の電荷輸送物質の他に
ポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノ
ンからなる電荷移動錯体化合物を用いることができる。
輸送物質とともに同一層に含有てせた電子写真感光体を
挙げることができる。この際前述の電荷輸送物質の他に
ポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノ
ンからなる電荷移動錯体化合物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は前述のジスアゾ顔料と電荷移
動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解させたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調製でき
る。
動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解させたポリエ
ステル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調製でき
る。
いずれの感光体においても用いる顔料は一般式(1)で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有しその結晶形は非晶質であっても結晶質であ
ってもよい〇 又必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し感
光体の感度を高めたシ、・fンクロマチックな感光体t
−得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔
料を2種類以上組合せたシ、または公知の染料、顔料か
ら選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能
である。
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有しその結晶形は非晶質であっても結晶質であ
ってもよい〇 又必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し感
光体の感度を高めたシ、・fンクロマチックな感光体t
−得るなどの目的で一般式(1)で示されるジスアゾ顔
料を2種類以上組合せたシ、または公知の染料、顔料か
ら選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可能
である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやCRT f ′
リンター、LEDプリンター、液晶プリンター、レーデ
−製版等の電子写真応用分野にも広く用いる事ができる
。
みならず、レーザープリンターやCRT f ′
リンター、LEDプリンター、液晶プリンター、レーデ
−製版等の電子写真応用分野にも広く用いる事ができる
。
以下本発明を実施例によって説明する。
ゼイン11.2チ、アンモニア水IF、水2221ff
−/)をマイヤーパーで乾燥後の膜厚が160μとなる
様に塗布し乾燥した。
−/)をマイヤーパーで乾燥後の膜厚が160μとなる
様に塗布し乾燥した。
次に前記例示のジスアゾ顔料A15Ji’をエタノール
95rLlにブチ2−ル宿脂(ブチラール化度63モル
%)2gを溶かした液に加えプントミルで2時間分散し
た。この分散液をさきに形成したカゼイン層の上に乾燥
後の膜厚が0,5μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾
燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物5Iとポリメチルメタクリレート樹
脂(数平均分子量100000 ) 5.9をベンゼン
70ゴに溶解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
12μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥して電荷輸
送層を形成し実施例1の感光体を作成した。ジスアゾ顔
料A1に代えて第−表に示す他の例示顔料を用い実施例
2〜62に対応する感光体を全く同様にして作成した。
95rLlにブチ2−ル宿脂(ブチラール化度63モル
%)2gを溶かした液に加えプントミルで2時間分散し
た。この分散液をさきに形成したカゼイン層の上に乾燥
後の膜厚が0,5μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾
燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物5Iとポリメチルメタクリレート樹
脂(数平均分子量100000 ) 5.9をベンゼン
70ゴに溶解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
12μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥して電荷輸
送層を形成し実施例1の感光体を作成した。ジスアゾ顔
料A1に代えて第−表に示す他の例示顔料を用い実施例
2〜62に対応する感光体を全く同様にして作成した。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機■製靜
電複写紙試験装置Model 5P−428を用い
゛てスタティック方式で−5kVでコロナ帯電し暗
所で1秒間保持した後照度2 Luxで露光し帯電特性
を調べた。
電複写紙試験装置Model 5P−428を用い
゛てスタティック方式で−5kVでコロナ帯電し暗
所で1秒間保持した後照度2 Luxで露光し帯電特性
を調べた。
帯電特性としては表面電位(vo)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を袖に減衰するに必要な露光量(El)を測
定したこの結果を第−表に示す。
た時の電位を袖に減衰するに必要な露光量(El)を測
定したこの結果を第−表に示す。
比較例1〜7
例示シスアゾ顔料(z) 、 (3) 、(4)に代え
て顔料の中許公報昭58−132242記載のアゾ顔料
A2、A1.A3、の顔料を用いて比較例1,2.3を
作成した。次に例示ジスアゾ顔料(1) 、 (22)
、 (35) 。
て顔料の中許公報昭58−132242記載のアゾ顔料
A2、A1.A3、の顔料を用いて比較例1,2.3を
作成した。次に例示ジスアゾ顔料(1) 、 (22)
、 (35) 。
(64)に代えて顔料の中心骨格を順に比較顔料1〜7
を用いた比較例1〜7について、実施例1と同様にして
帯電測定を用った。
を用いた比較例1〜7について、実施例1と同様にして
帯電測定を用った。
第2表に本発明に対比させた比較例の特性を示すO
一つ以上のビニレン基を含んでいることにより、電子写
真的な感度が著しく良好になることが確認された。
真的な感度が著しく良好になることが確認された。
実施例63〜68
実施例1,3,4,22,42.65に用いた感光体を
用い繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定し
た。測定方法としては次のとおシである。
用い繰返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定し
た。測定方法としては次のとおシである。
−5,6kVのコロナ帯電器、露光光学系、現像器、転
写帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えた電
子写真複写機のシリンダーに感光体を貼シ付けた。この
複写機は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になっている。
写帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを備えた電
子写真複写機のシリンダーに感光体を貼シ付けた。この
複写機は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が
得られる構成になっている。
この複写機を用いて、初期の明部電位(vL)と暗部電
位(VD)をそれぞれ−100v及び−600v付近に
設定し5000回使用した後の明部電位(vL)、暗部
電位(VD)を測定した。この結果を第3表に示す。
位(VD)をそれぞれ−100v及び−600v付近に
設定し5000回使用した後の明部電位(vL)、暗部
電位(VD)を測定した。この結果を第3表に示す。
実施例69
実施例1で作成した電荷発生層の上に、2,4.7−ド
リニトロー9−フルオレノン5 ti ト、? リ−4
,4′−ジオキシジフェニル−2,2′−プロパンカー
ゲネート(分子量300,000)5.9をテトラヒド
ロフラン701dに溶解して作成し友塗布液を乾燥後の
塗工量が10 F 7m”となる様に塗布し、乾燥した
。
リニトロー9−フルオレノン5 ti ト、? リ−4
,4′−ジオキシジフェニル−2,2′−プロパンカー
ゲネート(分子量300,000)5.9をテトラヒド
ロフラン701dに溶解して作成し友塗布液を乾燥後の
塗工量が10 F 7m”となる様に塗布し、乾燥した
。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は■とした
。この結果を第4表に示す。
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は■とした
。この結果を第4表に示す。
第 4 表
■。 ■600デルト
Ey、 3.7 tux、 se。
実施例70
アルミ蒸着ポリエテレ/テレ7タレートフイルムのアル
ミ面上に膜厚0,5μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した・ 次に、実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形
成したポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が
0.5μとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥して電
荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚0,5μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した・ 次に、実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形
成したポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が
0.5μとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥して電
荷発生層を形成した。
次いで、構造式
のピラゾリン化合物5Iとポリアクレート樹脂(ビスフ
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル ′酸の
縮重合体)5gをテトラヒドロフラン70rnlに溶か
した液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10μとなる
ように塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル ′酸の
縮重合体)5gをテトラヒドロフラン70rnlに溶か
した液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10μとなる
ように塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。
こうして調製した感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例1と同様の方法によって測定した。
施例1と同様の方法によって測定した。
この結果を第5表に示す。
第 5 表
Vg : 580 V E112: 4.0tux
−see初 期 5000枚耐久後 vDvLvDvL −600v−100V −630V −125V第
5表の結果より本発明は感度が良好であり、かつ耐久使
用時の電位安定性も良好である。
−see初 期 5000枚耐久後 vDvLvDvL −600v−100V −630V −125V第
5表の結果より本発明は感度が良好であり、かつ耐久使
用時の電位安定性も良好である。
実施例71
厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミクロンの下
引層を形成した。
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5ミクロンの下
引層を形成した。
次に、2,4.7− )ジニトロ−9−フルオレノン5
yとポリ−N−ビルカルバゾール(数平均分子量300
,000)5Fをテトラヒドロンランフ0dに溶かして
電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合物と
前記例示のジスアゾ顔料A (13)11を、ポリエス
テル樹脂(パイロン:東洋紡製)5Fykテトラヒドロ
フラン70σに溶かした液に加え、分散した。この分散
液を下引層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様
に塗布し、乾燥した。
yとポリ−N−ビルカルバゾール(数平均分子量300
,000)5Fをテトラヒドロンランフ0dに溶かして
電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合物と
前記例示のジスアゾ顔料A (13)11を、ポリエス
テル樹脂(パイロン:東洋紡製)5Fykテトラヒドロ
フラン70σに溶かした液に加え、分散した。この分散
液を下引層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる様
に塗布し、乾燥した。
こうした調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
1と同様の方法によって測定した。この結果を第6表に
示す。但し、帯電極性は■とした。
1と同様の方法によって測定した。この結果を第6表に
示す。但し、帯電極性は■とした。
第 6 表
■o:■590V Ey、:4.4tux−3ec実
施例72 実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミニウム基板
のカゼイン層上に実施例1の電荷輸送層と電荷発生層と
を順次積層し層構成順序を異にする以外は実施例1と全
く同様にして感光体を作成し実施例1と同様に帯電測定
をした。但し帯電極性を■とした。帯電特性を第7表に
示す。
施例72 実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミニウム基板
のカゼイン層上に実施例1の電荷輸送層と電荷発生層と
を順次積層し層構成順序を異にする以外は実施例1と全
く同様にして感光体を作成し実施例1と同様に帯電測定
をした。但し帯電極性を■とした。帯電特性を第7表に
示す。
第 7 表
vo ■605v
Ey、 4.8 tux−s@e
実施例73
アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液(カゼイン11.2,9,28%アンモニア水11、
水22.2d)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て塗工量1.0117m”の下引層を形成した。
液(カゼイン11.2,9,28%アンモニア水11、
水22.2d)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て塗工量1.0117m”の下引層を形成した。
次に、前述のジスアゾ顔料A43の1重量部、ブチラー
ル樹脂(エスレックBM−2:覆水化学■製)1重量部
とイソプロビルアルコール30重量部をボールミル分散
機で4時間分散した。この分散液を先に形成した下引層
の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷発生
層を形成した。
ル樹脂(エスレックBM−2:覆水化学■製)1重量部
とイソプロビルアルコール30重量部をボールミル分散
機で4時間分散した。この分散液を先に形成した下引層
の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷発生
層を形成した。
この時の膜厚はO,3ミクロンであった。
次に、実施例1に用いたヒドラゾン化合物1重量部、ポ
リスルホン樹脂(P1700:ユニオンカーバイド社製
)、1重量部とモノクロルベンゼン6重量部を混合し、
攪拌機で攪拌溶解した0この液を電荷発生層の上に浸漬
コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成1
.た。この時の膜厚は、12ミクロンであった0 と−りして調製した感光体に−5kVのコロナ放電を行
なった。この時の表面電位を測定しf?C(初期電位V
、 )。さらに、この感光体を5秒間暗所で放置した後
の表面電位を測定した(暗減衰vk)o ′感度
は、暗減衰した後の電位Vk?’Aに減衰するに
□必要な露光量(E112、マイクロジュール/cr
ri”)f測定することによって評価した。この際、光
源と □してガリウム/アルミニウム/上素の三
元系半導体レーザー(出カニ 5 mW 、発振波長7
78nm)を用いた。これらの結果は、次のとおりであ
った。
リスルホン樹脂(P1700:ユニオンカーバイド社製
)、1重量部とモノクロルベンゼン6重量部を混合し、
攪拌機で攪拌溶解した0この液を電荷発生層の上に浸漬
コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成1
.た。この時の膜厚は、12ミクロンであった0 と−りして調製した感光体に−5kVのコロナ放電を行
なった。この時の表面電位を測定しf?C(初期電位V
、 )。さらに、この感光体を5秒間暗所で放置した後
の表面電位を測定した(暗減衰vk)o ′感度
は、暗減衰した後の電位Vk?’Aに減衰するに
□必要な露光量(E112、マイクロジュール/cr
ri”)f測定することによって評価した。この際、光
源と □してガリウム/アルミニウム/上素の三
元系半導体レーザー(出カニ 5 mW 、発振波長7
78nm)を用いた。これらの結果は、次のとおりであ
った。
Vo ニー520鱈?ルト
vk :94チ
EH: 1.2マイクロジユ一ル/1yn2次に同上
の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子写真力゛
式グリンターであるレーザービームプリンター(キャノ
ン製LBP−CX)に上記感光体i LBP −CXの
感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テストを
行なった。条件は以下の通シである。
の半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子写真力゛
式グリンターであるレーザービームプリンター(キャノ
ン製LBP−CX)に上記感光体i LBP −CXの
感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テストを
行なった。条件は以下の通シである。
一次帯電後の表面電位ニー700V、像露光後の表面電
位;−150V(露光量2μJ/cm” )、転写電位
;+700V、現像剤゛極性;負極性、プロセススピー
ド+、 5 Q ran/ sac 、現像条件(現像
バイアス)ニー450V、像露光スキャン方式;イメー
ジスキャン、−次帯電前露光: 501.ux。
位;−150V(露光量2μJ/cm” )、転写電位
;+700V、現像剤゛極性;負極性、プロセススピー
ド+、 5 Q ran/ sac 、現像条件(現像
バイアス)ニー450V、像露光スキャン方式;イメー
ジスキャン、−次帯電前露光: 501.ux。
8・Cの赤色全面露光。
画像形成はレーザービームを文字信号及び画像信号に従
ってラインスキキンして行っ念が、文字、画像共に良好
なプリントが得られた。
ってラインスキキンして行っ念が、文字、画像共に良好
なプリントが得られた。
代理人 弁理士 山 下 積 平
手続補正書
[■和61年 6月 2日
特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
l、事件の表示
特願昭60−149221号
2、発明の名称
電子写真感光体
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
名称 キャノン株式会社
4、代理人
住所 東京都港区虎)門五丁目13番1号虎ノ門40森
ビル氏名 (6538) 弁理士 山 下 穣
千「1【「fこl: 1竺上[ 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書の第9頁4〜5行の「縮合的環芳香族基、
を[1ii合多環芳香族基」に訂正する。
ビル氏名 (6538) 弁理士 山 下 穣
千「1【「fこl: 1竺上[ 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書の第9頁4〜5行の「縮合的環芳香族基、
を[1ii合多環芳香族基」に訂正する。
(2)明細書の第66頁15〜16行の「ヒート゛コー
ティング法」を「ビードコーティング法」番こ訂正する
。
ティング法」を「ビードコーティング法」番こ訂正する
。
(3)明細書の第68頁5行の「ブロモアニル」を「プ
ロモニアル」に訂正する。
ロモニアル」に訂正する。
(4)明細書の第72頁9〜10行の「ポリビニルブチ
ラール]を「ポリビニルブチラール」番こ訂正する。
ラール]を「ポリビニルブチラール」番こ訂正する。
以 上
Claims (5)
- (1)導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体に
おいて、該感光層が次の一般式(1)▲数式、化学式、
表等があります▼(1) (式中Aはフェノール性OH基を有するカプラー残基;
Ar_1、Ar_2、Ar_3及びAr_4はそれぞれ
置換基を有してもよいフェニレン、2価の縮合多環芳香
族基又は2価の複素環基;nは0又は1) で表わされるジスアゾ顔料を含有することを特徴とする
電子写真感光体。 - (2)上記一般式(1)におけるAが下記一般式(2)
〜(8)で示される特許請求の範囲第1項の電子写真感
光体: ▲数式、化学式、表等があります▼(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) ▲数式、化学式、表等があります▼(4) ▲数式、化学式、表等があります▼(5) ▲数式、化学式、表等があります▼(6) ▲数式、化学式、表等があります▼(7) ▲数式、化学式、表等があります▼(8) (式中Xはベンゼン環と縮合して多環芳香環あるいは複
素環を形成する残基;R_1及びR_2は水素、置換基
を有してもよいアルキル、アラルキル、アリールあるい
は複素環基または一緒になって窒素原子と共に環状アミ
ノ基を形成する残基を示す;R_3及びR_4はそれぞ
れ置換基を有してもよいアルキル、アラルキル、アリー
ルを示す;Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素
原子と一緒になって複素環の2価の基を形成する残基を
示す;R_5及びR_6は水素原子、置換基を有しても
よいアルキル、アラルキル、アリールあるいは複素環基
を示す又、R_5、R_6は中心炭素と共に5〜6員環
を形成する残基を示すこの5〜6員環は縮合芳香族環を
有していてもかまわない;R_7及びR_8はそれぞれ
水素原子、置換基を有してもよいアルキル、アラルキル
、アリールあるいは複素環基を示す)。 - (3)上記感光層が電荷発生層と電荷輸送層とよりなる
機能分離型であり該電荷発生層に上記一般式(1)で示
されるジスアゾ顔料を含有させる特許請求の範囲第1項
の電子写真感光体。 - (4)上記一般式(2)におけるR_1が水素であり、
R_2が次の一般式 (式中R_9はハロゲン、ニトロ、シアノ、トリフルオ
ロメチル及びアシルより選ばれる置換基)で表わされる
置換フェニルである特許請求の範囲第(2)項の電子写
真感光体。 - (5)上記一般式(2)においてR_1が水素原子であ
り、R_2が置換基を有してもよいフェニル基であり、
Xがベンゼン環と一緒になって、下記の基 ▲数式、化学式、表等があります▼ を形成する特許請求の範囲第2項記載の電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14922185A JPS6210653A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14922185A JPS6210653A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6210653A true JPS6210653A (ja) | 1987-01-19 |
JPH0380302B2 JPH0380302B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=15470502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14922185A Granted JPS6210653A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6210653A (ja) |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP14922185A patent/JPS6210653A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0380302B2 (ja) | 1991-12-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |