JPS62104006A - 酸化金属皮膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
酸化金属皮膜抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JPS62104006A JPS62104006A JP60243501A JP24350185A JPS62104006A JP S62104006 A JPS62104006 A JP S62104006A JP 60243501 A JP60243501 A JP 60243501A JP 24350185 A JP24350185 A JP 24350185A JP S62104006 A JPS62104006 A JP S62104006A
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- Japan
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- oxide film
- substrate
- target
- drum
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、皮膜抵抗器の製造技術分野で利用され、特に
酸化錫系を主体とする酸化金属皮膜抵抗器の製造方法に
関する。
酸化錫系を主体とする酸化金属皮膜抵抗器の製造方法に
関する。
（従来の技術）
電気抵抗器においては、従来よりＮｉ−Ｃｒ系を主体と
した皮膜を有する抵抗器が一般に広く使用されてきた。
した皮膜を有する抵抗器が一般に広く使用されてきた。
しかし、この種の抵抗器は、特に高温雰囲気中に置かれ
るとその表面が酸化しやすく、この酸化によって抵抗値
が著しく変動するという難点があった。
るとその表面が酸化しやすく、この酸化によって抵抗値
が著しく変動するという難点があった。
このために、近時、酸化を回避し高温雰囲気での安定性
か高い酸化錫系皮膜を主体とした抵抗器が提案されてい
る（米国特許明細書２，５８４，７０７号公報参照）。
か高い酸化錫系皮膜を主体とした抵抗器が提案されてい
る（米国特許明細書２，５８４，７０７号公報参照）。
ところで、この酸化錫系皮膜を形成する方法として例え
ば加熱した基体に対し、Ｓ ｎＣ１４＋ Ｓ ｂｃ Ｉ
ａを主成分とした抵抗原液を噴霧状態で吹き付け、該基
体表面に５ｎＯｔ＋Ｓｂ＊０３の抵抗皮膜を形成する方
法が知られている（実公昭４８−１９４４２号公報およ
び実開昭４８−９０１３２号公報）。
ば加熱した基体に対し、Ｓ ｎＣ１４＋ Ｓ ｂｃ Ｉ
ａを主成分とした抵抗原液を噴霧状態で吹き付け、該基
体表面に５ｎＯｔ＋Ｓｂ＊０３の抵抗皮膜を形成する方
法が知られている（実公昭４８−１９４４２号公報およ
び実開昭４８−９０１３２号公報）。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の吹き付は方法によって、酸化錫系の抵抗皮膜を形
成する場合、基体表面にＳ ｎＯｔ＋ Ｓ ｂｔ。
成する場合、基体表面にＳ ｎＯｔ＋ Ｓ ｂｔ。
、を得ることができるが、その反面、有毒なＣｔガスを
発生ずるという問題があり、別途に公害処理が必要にな
るという難点があった。また、抵抗原液を噴霧状にして
基体表面に吹き付けるので、該表面の皮膜厚さに斑（む
ら）が生じ、均一な皮膜を形成することが難しく、した
がって良質な抵抗器を製造することが困難であった。更
に、噴霧方式ではそれの微調コントロールができないの
で薄膜形成が難しく、高抵抗値の抵抗器等、所望の抵抗
値を有する抵抗器を得がたいという欠点らあった。
発生ずるという問題があり、別途に公害処理が必要にな
るという難点があった。また、抵抗原液を噴霧状にして
基体表面に吹き付けるので、該表面の皮膜厚さに斑（む
ら）が生じ、均一な皮膜を形成することが難しく、した
がって良質な抵抗器を製造することが困難であった。更
に、噴霧方式ではそれの微調コントロールができないの
で薄膜形成が難しく、高抵抗値の抵抗器等、所望の抵抗
値を有する抵抗器を得がたいという欠点らあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、基体に直流マグネトロンスパッタ等の物理的気相成
長を施した後、酸化雰囲気中で熱処理して酸化錫系皮膜
を形成することにより、有毒ガスの発生を回避して公害
処理を不要にするとともに、薄膜の形成を可能にして高
抵抗値の薄膜抵抗器を製造する方法を提供することを目
的とする。
て、基体に直流マグネトロンスパッタ等の物理的気相成
長を施した後、酸化雰囲気中で熱処理して酸化錫系皮膜
を形成することにより、有毒ガスの発生を回避して公害
処理を不要にするとともに、薄膜の形成を可能にして高
抵抗値の薄膜抵抗器を製造する方法を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような目的を達成するために、物理的気
相成長によって基体表面にＳｎ＋Ｓｂ皮膜を形成した後
、該Ｓ ｎ＋ Ｓ ｂ皮膜を有する基体を、酸化雰囲気
で熱処理し、基体表面にＳ ｎｏ ＊＋ Ｓ ｂｅＯ１
膜を形成することを特徴とする。
相成長によって基体表面にＳｎ＋Ｓｂ皮膜を形成した後
、該Ｓ ｎ＋ Ｓ ｂ皮膜を有する基体を、酸化雰囲気
で熱処理し、基体表面にＳ ｎｏ ＊＋ Ｓ ｂｅＯ１
膜を形成することを特徴とする。
（実施例）
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第１図は、本発明の実施例の製造方法の説明に供
する直流マグネトロンスパッタの一部の断面図である。
する。第１図は、本発明の実施例の製造方法の説明に供
する直流マグネトロンスパッタの一部の断面図である。
第１図に示すように、直流マグネトロンスパッタＩは、
主要部として密閉された空間２ａを有するチャンバ２と
、該チャンバ２内に収納されたドラム３とを具備し、該
ドラム３のほぼ中央にターゲット４を配置している。
主要部として密閉された空間２ａを有するチャンバ２と
、該チャンバ２内に収納されたドラム３とを具備し、該
ドラム３のほぼ中央にターゲット４を配置している。
チャンバ２は断面がほぼ方形の密閉容器であって金属材
からなり、外部の側壁２ｂにはチャンバ２内の気体を吸
入、圧縮して排気可能なロークリポンプ７および気体を
凝結して排気可能にするクライオポンプ８にそれぞれ連
通ずるパイプが接続されている。
からなり、外部の側壁２ｂにはチャンバ２内の気体を吸
入、圧縮して排気可能なロークリポンプ７および気体を
凝結して排気可能にするクライオポンプ８にそれぞれ連
通ずるパイプが接続されている。
また、このチャンバ２の底面２ｃにはスパッタリング率
向上用のＡ「ガスボンベ９および酸素補充用の０．ガス
ボンベＩＯにそれぞれ連通ずるパイプが接続されている
。
向上用のＡ「ガスボンベ９および酸素補充用の０．ガス
ボンベＩＯにそれぞれ連通ずるパイプが接続されている
。
ドラム３は、はぼ円筒状でステンレス鋼等からなり、チ
ャンバ２の底面２Ｃに固定された受は台３ａ上に載置さ
れた２台のロータ３ｂによって回転可能に支持されてい
る。そして、このドラム３の本体はチャンバ２の外部に
設置された直流電源（図示しない）のプラス端子と接続
されていて、該ドラム３全体がアノードになる。
ャンバ２の底面２Ｃに固定された受は台３ａ上に載置さ
れた２台のロータ３ｂによって回転可能に支持されてい
る。そして、このドラム３の本体はチャンバ２の外部に
設置された直流電源（図示しない）のプラス端子と接続
されていて、該ドラム３全体がアノードになる。
一方、このドラム３の内部には例えば直径が１６４１１
１１１長径が５．２＋ｎ＋の丸棒で、アルミナ材等から
なる基体５が多数本投入されており、グロー放電時のド
ラム３充電により、該基体５もアノードになって皮膜の
形成を可能にする構成になっている。
１１１長径が５．２＋ｎ＋の丸棒で、アルミナ材等から
なる基体５が多数本投入されており、グロー放電時のド
ラム３充電により、該基体５もアノードになって皮膜の
形成を可能にする構成になっている。
ターゲット４は平板状の厚板でＳ ｎ＋ Ｓ ｂ等の合
金材からなり、複数個の基体５側にその表面が向けられ
て、ドラム３の中央に傾斜状態で設置されている。そし
て、前記直流電源のマイナス端子と、このターゲット４
とが接続されていて、スパッタ時にはカソードとなる。
金材からなり、複数個の基体５側にその表面が向けられ
て、ドラム３の中央に傾斜状態で設置されている。そし
て、前記直流電源のマイナス端子と、このターゲット４
とが接続されていて、スパッタ時にはカソードとなる。
また、ターゲット４の後部には、電磁石４ａが複数個、
配設されるとともに、冷却水配管（図示しない）が付設
されている。
配設されるとともに、冷却水配管（図示しない）が付設
されている。
更に、ターゲット４とドラム３との間にはほぼ半円形の
シャッター６が回動可能に配設されてターゲット４を囲
むような構成になっている。
シャッター６が回動可能に配設されてターゲット４を囲
むような構成になっている。
次に、この直流マグネトロンスパッタ１による酸化皮膜
製造方法について説明する。スパッタリングを行なう場
合、予めドラム３内には前記基体５が例えば１１．５万
本投入されて、約１００℃に加熱されろ一方、チャンバ
２中央には重量比Ｓｎ：ｓｂ＝ ９０ ：ｌ Ｏの合金
からなるターゲット４が配置されていて、冷却水により
ターゲット４が冷却されている。
製造方法について説明する。スパッタリングを行なう場
合、予めドラム３内には前記基体５が例えば１１．５万
本投入されて、約１００℃に加熱されろ一方、チャンバ
２中央には重量比Ｓｎ：ｓｂ＝ ９０ ：ｌ Ｏの合金
からなるターゲット４が配置されていて、冷却水により
ターゲット４が冷却されている。
次に、ロータリポンプ７を起動し、チャンバ２内の気体
を吸引して外部に排出する。続いて、クライオポンプ８
も起動し、チャンバ２内に残留している気体を凝縮して
排気することにより、該チャンバ２内の真空を３×１０
″″’ ｔｏｒｒの高真空状態に保つ。この後、シャッ
ター６をほぼ半回転して該シャッター６の内面とターゲ
ット４の表面とを対向させ、シャッター６にアース電位
を印加して放電を開始する。そして、ツヤツタ−６とタ
ーゲット４との間にグロー放電が始まると、ターゲット
４の表面の汚れがクリーンな状態にされてゆく。
を吸引して外部に排出する。続いて、クライオポンプ８
も起動し、チャンバ２内に残留している気体を凝縮して
排気することにより、該チャンバ２内の真空を３×１０
″″’ ｔｏｒｒの高真空状態に保つ。この後、シャッ
ター６をほぼ半回転して該シャッター６の内面とターゲ
ット４の表面とを対向させ、シャッター６にアース電位
を印加して放電を開始する。そして、ツヤツタ−６とタ
ーゲット４との間にグロー放電が始まると、ターゲット
４の表面の汚れがクリーンな状態にされてゆく。
次に、シャッター６を半回転して元の位置に戻し、ドラ
ム３（アノード）とターゲット４（カソード）とに直流
電圧を印加してグロー放電を続行する。これにより、タ
ーゲット４からスパッタリング原子がたたき出され、順
次、基体５に付着し始める。この原子は基体５上に凝縮
して皮膜を形成するが、放電中はドラム３を連続回転し
続けて基曽祷 体５を転動させ、該各基体５の表面全体に均一な皮膜の
形成を促す。
ム３（アノード）とターゲット４（カソード）とに直流
電圧を印加してグロー放電を続行する。これにより、タ
ーゲット４からスパッタリング原子がたたき出され、順
次、基体５に付着し始める。この原子は基体５上に凝縮
して皮膜を形成するが、放電中はドラム３を連続回転し
続けて基曽祷 体５を転動させ、該各基体５の表面全体に均一な皮膜の
形成を促す。
なお、この間、ターゲツト４後部の電磁石４ａにより磁
界を発生させて放電の安定性と均一性とを保たせる。ま
た、両真空ポンプ７．８を運転しながら、一方でＡｒガ
スを供給するとともに、０゜ガスボンベ１０のバルブを
適時間いてチャンバ２内に酸素を送り、酸化物の皮膜形
成に必要な酸素不足を補って、該皮膜がターゲット４と
同じ組成比になるようコントロールする。
界を発生させて放電の安定性と均一性とを保たせる。ま
た、両真空ポンプ７．８を運転しながら、一方でＡｒガ
スを供給するとともに、０゜ガスボンベ１０のバルブを
適時間いてチャンバ２内に酸素を送り、酸化物の皮膜形
成に必要な酸素不足を補って、該皮膜がターゲット４と
同じ組成比になるようコントロールする。
この後、所定の皮膜が形成されてスパッタリングか停止
するときは、印加電圧をゼロにし、Ａｒガスボンベ９お
よび０．ガスボンベ１０の各バルブをそれぞれ閉じる。
するときは、印加電圧をゼロにし、Ａｒガスボンベ９お
よび０．ガスボンベ１０の各バルブをそれぞれ閉じる。
そして、最後に酸化雰囲気中にスパッタリング後の基体
５を置いた状態で、従来周知のアニールを行なう。本実
施例では加熱温度２００ ’Ｃがら８００℃の範囲で３
０分ないし４時間程度にわたったアニールを施した。こ
れにより、基体５のＳｎ＋ｓｂ皮膜表面にＳｎＯ！＋５
ｂｔ０３の酸化膜が生成されて保護膜が形成された。即
ち、Ｓ ｎ＋ Ｓ ｂを有する基体５は酸化錫系の皮膜
で覆われることになり、特に高温雰囲気での酸化に強く
なって、抵抗値の変動が抑止される。
５を置いた状態で、従来周知のアニールを行なう。本実
施例では加熱温度２００ ’Ｃがら８００℃の範囲で３
０分ないし４時間程度にわたったアニールを施した。こ
れにより、基体５のＳｎ＋ｓｂ皮膜表面にＳｎＯ！＋５
ｂｔ０３の酸化膜が生成されて保護膜が形成された。即
ち、Ｓ ｎ＋ Ｓ ｂを有する基体５は酸化錫系の皮膜
で覆われることになり、特に高温雰囲気での酸化に強く
なって、抵抗値の変動が抑止される。
以下、本発明による具体的実施例の結果を第２図ないし
第４図のグラフに基づいて説明する。
第４図のグラフに基づいて説明する。
なお、第１実施例ないし第３実施例における具体的数値
は次の通りである。先ず、第２図に示す第１実施例では
、スパッタリング時の放電出カニ０．５ｋＷ、放電時間
＝４時間、真空度：３ ｘ １０−’ｔｏｒｒ 、基体
数：１１．５万本、基体加熱温度：１００℃として、ア
ニール時の加熱温度を２ｏｏ℃から８００℃の範囲とし
た。次に、第３図に示す第２実施例では放電時間のみ６
０分に短縮し、他の条件は第１実施例と同様にした。更
に、第４図に示す第３実施例も放電時間を一層短縮して
３０分とし、他の条件は第１実施例と同一にしている。
は次の通りである。先ず、第２図に示す第１実施例では
、スパッタリング時の放電出カニ０．５ｋＷ、放電時間
＝４時間、真空度：３ ｘ １０−’ｔｏｒｒ 、基体
数：１１．５万本、基体加熱温度：１００℃として、ア
ニール時の加熱温度を２ｏｏ℃から８００℃の範囲とし
た。次に、第３図に示す第２実施例では放電時間のみ６
０分に短縮し、他の条件は第１実施例と同様にした。更
に、第４図に示す第３実施例も放電時間を一層短縮して
３０分とし、他の条件は第１実施例と同一にしている。
以上の実験結果からスパッタリング後、アニールを行な
うと、低抵抗値の薄膜抵抗器が高抵抗値に変化すること
が明らかとなり、所望の抵抗器を製造できることが判明
した。即ち、第２図に示すようにスパッタリング後のシ
ート抵抗値が約２゜５オームであったとき、アニール温
度を上昇させて６００℃付近にした場合、シート抵抗値
が増大して約１キロオームになり、それ以後、温度を上
昇させても飽和状態となって温度係数値もＯｐｐｓ／℃
を維持する結果が得られた。これにより、アニール温度
が約６００℃付近であると、抵抗値、温度係数とも理想
状態に近付くことが明らかになった。
うと、低抵抗値の薄膜抵抗器が高抵抗値に変化すること
が明らかとなり、所望の抵抗器を製造できることが判明
した。即ち、第２図に示すようにスパッタリング後のシ
ート抵抗値が約２゜５オームであったとき、アニール温
度を上昇させて６００℃付近にした場合、シート抵抗値
が増大して約１キロオームになり、それ以後、温度を上
昇させても飽和状態となって温度係数値もＯｐｐｓ／℃
を維持する結果が得られた。これにより、アニール温度
が約６００℃付近であると、抵抗値、温度係数とも理想
状態に近付くことが明らかになった。
一方、放電時間を６０分とした第２実施例では、アニー
ル温度６００℃付近でシート抵抗値約７キロオームの最
高値が得られるとともに、放電時間を更に短縮して３０
分とした第３実施例ではシート抵抗値約２０キロオーム
の高い抵抗値が得られた。
ル温度６００℃付近でシート抵抗値約７キロオームの最
高値が得られるとともに、放電時間を更に短縮して３０
分とした第３実施例ではシート抵抗値約２０キロオーム
の高い抵抗値が得られた。
このため、スパッタリングの放電時間を短縮することに
より、高抵抗値の酸化金属皮膜を形成することが可能に
なる。
より、高抵抗値の酸化金属皮膜を形成することが可能に
なる。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、直流マグネトロンスパ
ッタにより基体の表面にＳ ｎ＋ Ｓ ｂ膜を形成した
後、酸化雰囲気でアニールして酸化錫系皮膜を形成する
方法であるから、公害処理が不要になり、かつ高抵抗値
の薄膜抵抗器の製造が可能となった。
ッタにより基体の表面にＳ ｎ＋ Ｓ ｂ膜を形成した
後、酸化雰囲気でアニールして酸化錫系皮膜を形成する
方法であるから、公害処理が不要になり、かつ高抵抗値
の薄膜抵抗器の製造が可能となった。
第１図ないし第４図は本発明の実施例を示し、第１図は
直流マグネトロンスパッタの概略を示す断面図、第２図
は第１実施例を示すグラフ、第３図および第４図は他の
各実施例を示すグラフである。 ｌは直流マグネトロンスパッタ、２はチャンバ、３はド
ラム、４はターゲット、５は基体、７はロータリポンプ
、９はＡｒガスボンベ、ＩＯはＯ，ガスボンベ。
直流マグネトロンスパッタの概略を示す断面図、第２図
は第１実施例を示すグラフ、第３図および第４図は他の
各実施例を示すグラフである。 ｌは直流マグネトロンスパッタ、２はチャンバ、３はド
ラム、４はターゲット、５は基体、７はロータリポンプ
、９はＡｒガスボンベ、ＩＯはＯ，ガスボンベ。
Claims (1)
- （１）物理的気相成長によって基体表面にＳｎ＋Ｓｂ皮
膜を形成した後、該Ｓｎ＋Ｓｂ皮膜を有する基体を、酸
化雰囲気で熱処理し、基体表面にＳｎＯ＿２＋Ｓｂ＿２
Ｏ＿３膜を形成することを特徴とする酸化金属皮膜抵抗
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243501A JPH063762B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 酸化金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243501A JPH063762B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 酸化金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104006A true JPS62104006A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH063762B2 JPH063762B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=17104831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243501A Expired - Lifetime JPH063762B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 酸化金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063762B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024038A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-14 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60243501A patent/JPH063762B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024038A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063762B2 (ja) | 1994-01-12 |
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