JPS62102527A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS62102527A JPS62102527A JP60240459A JP24045985A JPS62102527A JP S62102527 A JPS62102527 A JP S62102527A JP 60240459 A JP60240459 A JP 60240459A JP 24045985 A JP24045985 A JP 24045985A JP S62102527 A JPS62102527 A JP S62102527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- exposure apparatus
- identification mark
- main body
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Library & Information Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は露光装置に関し、特にレチクルカセット等に配
置された複数のレチクル（マスク）からあるものを汰き
出しレチクルステージにセットする際に動作パラメータ
の変更を効率的に行なうことができる露光装置に関する
。
置された複数のレチクル（マスク）からあるものを汰き
出しレチクルステージにセットする際に動作パラメータ
の変更を効率的に行なうことができる露光装置に関する
。
なお、本明１［１ｍにおいて［レチクルＪは「マスク」
を含むものとし、またレチクルを例にした説明はマスク
に対しても同様に適用可能である。
を含むものとし、またレチクルを例にした説明はマスク
に対しても同様に適用可能である。
［従来技術］
半導体フォトリソグラフィプロセスにおいては、ウェハ
の各チップにパターンを形成するために、実寸パターン
のマスクをウェハ面に密着させて露光焼付けを行なった
りまたは実寸の数倍〜１０倍程鹿の１チツプ分のパター
ンが形成されたレチクルを光学的手段を介して縮小して
ウェハ上に投影しパターン焼付けを行なっている。１つ
の半導体デバイスを完成するには、１枚のウェハに対し
このパターンの焼付けの工程を通常数回〜数１０回行な
う。具体的には、まずあるマスク工程のレチクルを露光
装置本体にセットし、所定量（例えば１００枚）のウェ
ハについてパターン焼付は工程を実施する。焼付は工程
を終えたウェハ群は必要に応じてエツチングや不純物拡
散、また導体層、絶縁層、半導体層の形成、さらにはフ
ォトレジスト塗布等の処理をし、その後レチクルを次の
マスク工程のものに交換し、これらのウェハすべてにつ
いてそのレチクルのパターン焼付は工程を実施する。以
下、同様に焼付は工程を繰返し、求めるパターンのウェ
ハを得る。
の各チップにパターンを形成するために、実寸パターン
のマスクをウェハ面に密着させて露光焼付けを行なった
りまたは実寸の数倍〜１０倍程鹿の１チツプ分のパター
ンが形成されたレチクルを光学的手段を介して縮小して
ウェハ上に投影しパターン焼付けを行なっている。１つ
の半導体デバイスを完成するには、１枚のウェハに対し
このパターンの焼付けの工程を通常数回〜数１０回行な
う。具体的には、まずあるマスク工程のレチクルを露光
装置本体にセットし、所定量（例えば１００枚）のウェ
ハについてパターン焼付は工程を実施する。焼付は工程
を終えたウェハ群は必要に応じてエツチングや不純物拡
散、また導体層、絶縁層、半導体層の形成、さらにはフ
ォトレジスト塗布等の処理をし、その後レチクルを次の
マスク工程のものに交換し、これらのウェハすべてにつ
いてそのレチクルのパターン焼付は工程を実施する。以
下、同様に焼付は工程を繰返し、求めるパターンのウェ
ハを得る。
この場合、各焼付は工程で用いられるパターンすなわち
マスク（またはレチクル）は異なるのが普通である。従
って、各段階の露光に際して露光装置本体に別々のレチ
クルをセットする必要がある。このため、従来はレチク
ル交換が必要な場合、人手で交換したり、またレチクル
チェンジャを装備して自動的にレチクルの交換を行なっ
たりしていた。
マスク（またはレチクル）は異なるのが普通である。従
って、各段階の露光に際して露光装置本体に別々のレチ
クルをセットする必要がある。このため、従来はレチク
ル交換が必要な場合、人手で交換したり、またレチクル
チェンジャを装備して自動的にレチクルの交換を行なっ
たりしていた。
ところで、レチクルを交換した場合には、それに伴って
露光装置本体の露光動作パラメータも再設定しなければ
ならない場合がある。すなわち、レチクルを交換しても
動作パラメータが全く変わらない場合以外は、露光装置
本体のパラメータの変更をしなければ露光処理を行なう
ことができない。このような動作パラメータとしては、
例えばマスキングブレードの位置がある。
露光装置本体の露光動作パラメータも再設定しなければ
ならない場合がある。すなわち、レチクルを交換しても
動作パラメータが全く変わらない場合以外は、露光装置
本体のパラメータの変更をしなければ露光処理を行なう
ことができない。このような動作パラメータとしては、
例えばマスキングブレードの位置がある。
マスキングブレードについて以下に説明する。
通常、投影レンズの露光面上の有効投影面は円形であっ
て、その半径は一定（例えば１３．φ）である。ところ
が露光パターンは通常矩形である。さらに、露光は１チ
ツプのこともあれば複数のチップのこともあり、半導体
装置（トランジスタ、ＩＣ等）の型番毎にパターンのサ
イズが異なる。従って、露光時に余分な光がウェハ上に
届かないよう、パターンやアライメントマーク等以外の
部分は光を遮る必要がある。このために、露光装置本体
はマスキングブレードを有しており、適宜その位置を変
えてウェハ上に光が届く範囲の大きさを調整している。
て、その半径は一定（例えば１３．φ）である。ところ
が露光パターンは通常矩形である。さらに、露光は１チ
ツプのこともあれば複数のチップのこともあり、半導体
装置（トランジスタ、ＩＣ等）の型番毎にパターンのサ
イズが異なる。従って、露光時に余分な光がウェハ上に
届かないよう、パターンやアライメントマーク等以外の
部分は光を遮る必要がある。このために、露光装置本体
はマスキングブレードを有しており、適宜その位置を変
えてウェハ上に光が届く範囲の大きさを調整している。
レチクルを変更した場合は、このマスキングブレード位
置を変更しなければならない場合がある。
置を変更しなければならない場合がある。
動作パラメータとしては、その他にも、アライメントマ
ークパターン位置（ＡＡパターン位置）、露光面、ショ
ット配列等がありこれらのパラメータもレチクル変更の
際必要があれば露光装置本体に再設定しなければならな
い。
ークパターン位置（ＡＡパターン位置）、露光面、ショ
ット配列等がありこれらのパラメータもレチクル変更の
際必要があれば露光装置本体に再設定しなければならな
い。
従来、レチクルを交換したときのこれらの動作パラメー
タの変更°は人手により行なっていた。例えば、上述し
たようなパラメータの組を予め何組か作って外部記憶装
置にファイルとして記憶しておき、レチクル交換時にオ
ペレータがそのファイル名を入力して動作パラメータを
変更していた。
タの変更°は人手により行なっていた。例えば、上述し
たようなパラメータの組を予め何組か作って外部記憶装
置にファイルとして記憶しておき、レチクル交換時にオ
ペレータがそのファイル名を入力して動作パラメータを
変更していた。
しかし、このような人手によるパラメータの変更は露光
装置の動作を停止させるためスルーブツトを著しく落と
してしまう。また、人手で操作するため間違って別のフ
ァイル名を入力する等誤操作があるという問題点があっ
た。
装置の動作を停止させるためスルーブツトを著しく落と
してしまう。また、人手で操作するため間違って別のフ
ァイル名を入力する等誤操作があるという問題点があっ
た。
［発明の目的］
本発明の目的は、上述の従来形における問題点に鑑み、
レチクル交換に伴う動作パラメータの変更を正しくかつ
確実に行なうことができ、また動作パラメータの変更の
際のスルーブツトの低下を最大限抑えることができる露
光装置を提供することにある。
レチクル交換に伴う動作パラメータの変更を正しくかつ
確実に行なうことができ、また動作パラメータの変更の
際のスルーブツトの低下を最大限抑えることができる露
光装置を提供することにある。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置を収容した
チャンバの平面図であり、第２図、第３図は各々その外
観図および部分斜視図である。チャンバ１の側壁２に保
守点検用の扉３が設けられる。チャンバ１の上面は天井
板１６で覆われている。
チャンバの平面図であり、第２図、第３図は各々その外
観図および部分斜視図である。チャンバ１の側壁２に保
守点検用の扉３が設けられる。チャンバ１の上面は天井
板１６で覆われている。
このチャンバ１内に露光装置本体４および搬送装置５が
収容される。露光装置本体４のウェハ収容部７には各々
複数枚のウェハを収容した図示しない複数のウェハカセ
ットが載置され、ウェハは１枚づつ取出されウェハ供給
機構（図示しない）により露光装置本体４内の露光部（
図示しない）に搬送される。搬送装置５は第３図に示す
ようにブラケット１０を介してチャンバ側壁２の内壁面
に水平に固定されたガイドレール８と、このガイドレー
ル８に沿って矢印りのように震動可能なキャリア９と、
このキャリア９に取付けられた矢印Ｅのように垂直に（
上下に）移動可能なハンド１１とにより構成される。こ
のキャリア９の搬送路途中にはレチクルのバーコードを
読取るバーコードリーダ１２が設けられ、また搬送路端
部には塵埃検査装置１３が設置される。チャンバ１のｇ
ＩＩ壁２にはカセット装填用開口部１７が設けられ、こ
の開口部１７に複数のレチクルカセット１４が適当な間
隔を隔てて上下に積層される。各カセット１４はこの開
口部位置の側壁２に支持されている。レチクルカセット
１４を装着した開口部１７はヒンジ式片開き扉１５で覆
われる。レチクルカセット１４は矩形筐体であって、各
々１個のレチクル（図示しない）を収容している。
収容される。露光装置本体４のウェハ収容部７には各々
複数枚のウェハを収容した図示しない複数のウェハカセ
ットが載置され、ウェハは１枚づつ取出されウェハ供給
機構（図示しない）により露光装置本体４内の露光部（
図示しない）に搬送される。搬送装置５は第３図に示す
ようにブラケット１０を介してチャンバ側壁２の内壁面
に水平に固定されたガイドレール８と、このガイドレー
ル８に沿って矢印りのように震動可能なキャリア９と、
このキャリア９に取付けられた矢印Ｅのように垂直に（
上下に）移動可能なハンド１１とにより構成される。こ
のキャリア９の搬送路途中にはレチクルのバーコードを
読取るバーコードリーダ１２が設けられ、また搬送路端
部には塵埃検査装置１３が設置される。チャンバ１のｇ
ＩＩ壁２にはカセット装填用開口部１７が設けられ、こ
の開口部１７に複数のレチクルカセット１４が適当な間
隔を隔てて上下に積層される。各カセット１４はこの開
口部位置の側壁２に支持されている。レチクルカセット
１４を装着した開口部１７はヒンジ式片開き扉１５で覆
われる。レチクルカセット１４は矩形筐体であって、各
々１個のレチクル（図示しない）を収容している。
パターンに応じて使用するレチクルが選択されると、搬
送装置１５が駆動され、ハンド１１が選択されたレチク
ルカセット１４の高さに位置を合され、キャリア９がカ
セット方向に摺動してレチクルを取出しハンド１１上に
レチクルを搭載支持する。ハンド１１上に搭載されたレ
チクルは矢印Ｂ（第１図）のように搬送され塵埃検査［
ｉ１３によりレチクル上の塵埃の付着が検査され塵埃が
付着している場合には適当な手段により除去される。ま
た、このハンド１１による搬送の途中でバーコードリー
ダ１２によりレチクル上にマーキングされたバーコード
が読取られる。これにより、レチクルがハンド上に搭載
されているかどうかを確認し、また搭載されている場合
はその一チクル識別マークを入力することができる。Ｒ
別マーク入力後は、そのｉｉｌ別マークに対応する動作
パラメータ情報が図示しない外部メモリから読出され、
直ちに露光装置本体４にセットされる。
送装置１５が駆動され、ハンド１１が選択されたレチク
ルカセット１４の高さに位置を合され、キャリア９がカ
セット方向に摺動してレチクルを取出しハンド１１上に
レチクルを搭載支持する。ハンド１１上に搭載されたレ
チクルは矢印Ｂ（第１図）のように搬送され塵埃検査［
ｉ１３によりレチクル上の塵埃の付着が検査され塵埃が
付着している場合には適当な手段により除去される。ま
た、このハンド１１による搬送の途中でバーコードリー
ダ１２によりレチクル上にマーキングされたバーコード
が読取られる。これにより、レチクルがハンド上に搭載
されているかどうかを確認し、また搭載されている場合
はその一チクル識別マークを入力することができる。Ｒ
別マーク入力後は、そのｉｉｌ別マークに対応する動作
パラメータ情報が図示しない外部メモリから読出され、
直ちに露光装置本体４にセットされる。
レチクルには予め識別マークとしてバーコードを付して
おく。このバーコードはレチクルの枠等パターンやアラ
イメントマークに影響しない部分に磨いておくこととず
ればよい。また、この識別マークに対応させて予め外部
メモリにそのレチクルを使用して露光を行なうときの動
作パラメータを記憶しておく。この動作パラメータ情報
は、識別マークを基に読出され、露光装置本体の動作パ
ラメータとしてセットされる。なお、識別マークは動作
パラメータとの対応が取れればよいので無意味な数字列
や文字列でよい。
おく。このバーコードはレチクルの枠等パターンやアラ
イメントマークに影響しない部分に磨いておくこととず
ればよい。また、この識別マークに対応させて予め外部
メモリにそのレチクルを使用して露光を行なうときの動
作パラメータを記憶しておく。この動作パラメータ情報
は、識別マークを基に読出され、露光装置本体の動作パ
ラメータとしてセットされる。なお、識別マークは動作
パラメータとの対応が取れればよいので無意味な数字列
や文字列でよい。
塵埃検査装置１３で塵埃検査を受けたレチクルは図示し
ない吸引チャックにより把持され、矢印Ｃのようにレチ
クルステージ６の位置に搬送される。
ない吸引チャックにより把持され、矢印Ｃのようにレチ
クルステージ６の位置に搬送される。
上述したバーコードの読取り、識別マークに対応する動
作パラメータ情報の読出しおよび露光装置本体へのセッ
トに要するＲ ｌａｆは、矢印ＢおよびＣの経路のレチ
クル搬送時間に比べると無視できる程に短いので、レチ
クルがステージ６にセットされた後は直ちに正しい動作
パラメータで露光動作を開始することができる。
作パラメータ情報の読出しおよび露光装置本体へのセッ
トに要するＲ ｌａｆは、矢印ＢおよびＣの経路のレチ
クル搬送時間に比べると無視できる程に短いので、レチ
クルがステージ６にセットされた後は直ちに正しい動作
パラメータで露光動作を開始することができる。
第４図は、上記実施例の装置の電気回路構成を示す。こ
の回路により露光装置全体の動作が制御される。
の回路により露光装置全体の動作が制御される。
同図において、２１は装置全体の制御を司る本体ＣＰＵ
で、マイクロコンピュータまたはミニコンピユータ等の
中央演算処理装置からなる。２２はバーコードリーダで
ある。また、２３はウェハステージ駆動装置、２４はア
ライメント検出系、２５はレチクルステージ駆動装置、
２６はマスキングブレード、２７はシャッタ駆動装置、
２８はフォーカス検出系、２９はＺ駆動装置で、これら
は、本体ＣＰ Ｕ ２１により制御される。３０はレチ
クルチェンジャである。
で、マイクロコンピュータまたはミニコンピユータ等の
中央演算処理装置からなる。２２はバーコードリーダで
ある。また、２３はウェハステージ駆動装置、２４はア
ライメント検出系、２５はレチクルステージ駆動装置、
２６はマスキングブレード、２７はシャッタ駆動装置、
２８はフォーカス検出系、２９はＺ駆動装置で、これら
は、本体ＣＰ Ｕ ２１により制御される。３０はレチ
クルチェンジャである。
４０はコンソールユニットで、本体ＣＰ Ｕ ２１にこ
の露光装置の動作に関する各種の指令やパラメータを与
えるためのものである。４１はコンソールＣｐｕ、４２
はコンソールＣＲＴ（モニタ受像機）、４３は動作パラ
メータ等を記憶する外部メモリ、４４は装置における各
種の動作指令やパラメータを入力するためのキーボード
である。
の露光装置の動作に関する各種の指令やパラメータを与
えるためのものである。４１はコンソールＣｐｕ、４２
はコンソールＣＲＴ（モニタ受像機）、４３は動作パラ
メータ等を記憶する外部メモリ、４４は装置における各
種の動作指令やパラメータを入力するためのキーボード
である。
同図を参照して、レチクルを交換するときの動作パラメ
ータの変更について説明する。
ータの変更について説明する。
まず、本体ＣＰＵ２１はレチクルチェンジャ３０にレチ
クルを交換するよう指令する。レチクルチェンジャ３０
はレチクルステージ上にレチクルがある場合はそれをカ
セットに戻し、指示されたレチクルをカレットから取出
しレチクルステージへ搬送する。このとき、本体ＣＰ
Ｕ ２１はバーコードリーダ２２によりレチクルに付さ
れたバーコードの識別マークを読取る。さらに、本体Ｃ
Ｐ Ｕ ２１は入力した識別マークに対応する動作パラ
メータ情報を外部メモリ４３より読出すため、コンソー
ルＣＰ Ｕ ４１に指令し求める動作パラメータ情報を
得る。ここで得た動作パラメータ情報は各周辺装置の制
御系に伝送する。例えば、マスキングブレード位置につ
いてはマスキングブレード２６へ、アライメントマーク
パターン位置についてはアライメント検出系へ等それぞ
れ伝送しレチクルに対応する動作パラメータを各装置に
設定する。その復、レチクル搬送が完了するのを待って
露光動作を開始づる。
クルを交換するよう指令する。レチクルチェンジャ３０
はレチクルステージ上にレチクルがある場合はそれをカ
セットに戻し、指示されたレチクルをカレットから取出
しレチクルステージへ搬送する。このとき、本体ＣＰ
Ｕ ２１はバーコードリーダ２２によりレチクルに付さ
れたバーコードの識別マークを読取る。さらに、本体Ｃ
Ｐ Ｕ ２１は入力した識別マークに対応する動作パラ
メータ情報を外部メモリ４３より読出すため、コンソー
ルＣＰ Ｕ ４１に指令し求める動作パラメータ情報を
得る。ここで得た動作パラメータ情報は各周辺装置の制
御系に伝送する。例えば、マスキングブレード位置につ
いてはマスキングブレード２６へ、アライメントマーク
パターン位置についてはアライメント検出系へ等それぞ
れ伝送しレチクルに対応する動作パラメータを各装置に
設定する。その復、レチクル搬送が完了するのを待って
露光動作を開始づる。
なお、本実施例では外部メモリとしてコンソールＣＰＵ
に付設したものを使用しコンソールＣＰＵを介して本体
ＣＰＵに動作パラメータ情報を取込んでいるが、設定手
段として識別マークに対応する動作パラメータを設定で
きればどのようなものでもよい。例えば、直接、本体Ｃ
ＰＵに外部メモリやＲＡＭ、ＲＯＭを付設して識別マー
クと動作パラメータのテーブルをもたせるようにするこ
ともできる。
に付設したものを使用しコンソールＣＰＵを介して本体
ＣＰＵに動作パラメータ情報を取込んでいるが、設定手
段として識別マークに対応する動作パラメータを設定で
きればどのようなものでもよい。例えば、直接、本体Ｃ
ＰＵに外部メモリやＲＡＭ、ＲＯＭを付設して識別マー
クと動作パラメータのテーブルをもたせるようにするこ
ともできる。
本実施例に係るチャンバは、露光装置本体を収納し、レ
チクルカセット収納装置および搬送装置を内部に有して
おり、レチクルカセットの交換を一チャンバ外部から行
なえるようにしている。従来、レチクル交換は必要があ
る度にチャンバを開けて行なっており、チャンバ内部へ
の塵の進入や内部の不安定化等の問題があったが、本実
施例のチャンバによれば扉開閉の必要がなく問題点が解
決される。
チクルカセット収納装置および搬送装置を内部に有して
おり、レチクルカセットの交換を一チャンバ外部から行
なえるようにしている。従来、レチクル交換は必要があ
る度にチャンバを開けて行なっており、チャンバ内部へ
の塵の進入や内部の不安定化等の問題があったが、本実
施例のチャンバによれば扉開閉の必要がなく問題点が解
決される。
なお、上記実施例では、読取り手段としてバーコードリ
ーダを用いレチクルに付されたバーコードを読むように
しているが、これに限ることなく、光学読取装置（ＯＭ
Ｒ，０ＣＲ）等を使用してもよい。ＯＣＲを用いる場合
には、レチクルに識別マークとして文字を付すこととな
り、それを目視で確認できるので便宜である。
ーダを用いレチクルに付されたバーコードを読むように
しているが、これに限ることなく、光学読取装置（ＯＭ
Ｒ，０ＣＲ）等を使用してもよい。ＯＣＲを用いる場合
には、レチクルに識別マークとして文字を付すこととな
り、それを目視で確認できるので便宜である。
また、読取り手段によってレチクルが搬送用のハンドに
載置されていないことをｌｉｖ認できるようにすること
は容易であり、そのようにすれば便宜である。
載置されていないことをｌｉｖ認できるようにすること
は容易であり、そのようにすれば便宜である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、レチクルにバー
コード等で識別マークを予め付しておき、レチクル搬送
路中には読取り手段を備えてレチクルをステージに搬送
する途中で識別マークを読取り、その識別マークに対応
する動作パラメータを露光装置本体に設定しているので
、動作パラメータの変更を正しくかつ確実に行なうこと
ができ、また、この変更は人手によらず自動的に行なう
のでスルーブツトを低下させない。
コード等で識別マークを予め付しておき、レチクル搬送
路中には読取り手段を備えてレチクルをステージに搬送
する途中で識別マークを読取り、その識別マークに対応
する動作パラメータを露光装置本体に設定しているので
、動作パラメータの変更を正しくかつ確実に行なうこと
ができ、また、この変更は人手によらず自動的に行なう
のでスルーブツトを低下させない。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置を収容した
チャンバの平面図、 第２図は、上記チャンバの外観図、 第３図は、上記チャンバ内部のレチクル搬送装置部分を
示す斜視図、 第４図は、上記実施例に係る露光装置の電気回路構成図
である。 １・・・チャンバ、４・・・露光装置本体、５・・・搬
送装置、１１・・・ハンド、 １２．２２・・・バー
コードリーダ、１４・・・レチクルカセット、 ２１・
・・本体ｃｐｕ。 ３０・・・レチクルチェンジャ、４１・・・コンソール
ｃｐｕ。 ４３・・・外部メモリ、 Ｂ、Ｃ・・・レチクル搬送
経路。
チャンバの平面図、 第２図は、上記チャンバの外観図、 第３図は、上記チャンバ内部のレチクル搬送装置部分を
示す斜視図、 第４図は、上記実施例に係る露光装置の電気回路構成図
である。 １・・・チャンバ、４・・・露光装置本体、５・・・搬
送装置、１１・・・ハンド、 １２．２２・・・バー
コードリーダ、１４・・・レチクルカセット、 ２１・
・・本体ｃｐｕ。 ３０・・・レチクルチェンジャ、４１・・・コンソール
ｃｐｕ。 ４３・・・外部メモリ、 Ｂ、Ｃ・・・レチクル搬送
経路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、個々の定位置に配置された複数のレチクルのうちか
ら任意のものを取出してレチクルステージにセットし該
レチクルに描かれたパターンを被露光体に転写する露光
装置において、 上記各レチクルには識別マークを付すとともに、上記レ
チクルを取出して上記レチクルステージに搬送する間に
上記識別マークを読取る手段と、上記読取り手段により
読取った識別マークに対応する動作パラメータ情報を露
光装置本体の動作パラメータとして設定する手段と を具備することを特徴とする露光装置。 ２、前記読取り手段は、前記レチクルが搬送されなかっ
たことも検出する特許請求の範囲１項記載の露光装置。 ３、前記動作パラメータ情報は、マスキングブレード位
置、アライメントマークパターン位置、露光量およびシ
ョット配列の情報を含む特許請求の範囲第１または２項
記載の露光装置。 ４、前記レチクルの識別マークはバーコードで表示し、
前記読取り手段はバーコードリーダである特許請求の範
囲１．２または３項記載の露光装置。 ５、前記レチクルの識別マークは文字で表示し、前記読
取り手段は光学文字読取装置である特許請求の範囲第１
．２または３項記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240459A JPS62102527A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 露光装置 |
| US06/923,856 US4757355A (en) | 1985-10-29 | 1986-10-28 | Mask storing mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240459A JPS62102527A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102527A true JPS62102527A (ja) | 1987-05-13 |
Family
ID=17059814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60240459A Pending JPS62102527A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102527A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125605A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | マスク管理システム |
| KR20010046065A (ko) * | 1999-11-10 | 2001-06-05 | 황인길 | 리소그래피 공정의 회로 패턴 전사 확인 시스템 |
| JP2012242576A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及び露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742125A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Hitachi Ltd | Aligner |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60240459A patent/JPS62102527A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742125A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Hitachi Ltd | Aligner |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125605A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | マスク管理システム |
| KR20010046065A (ko) * | 1999-11-10 | 2001-06-05 | 황인길 | 리소그래피 공정의 회로 패턴 전사 확인 시스템 |
| JP2012242576A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | V Technology Co Ltd | フォトマスク及び露光装置 |
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