JPS6196797A - 厚膜ｈｉｃ多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基板に電気回路（主として導体）を構成する
厚膜ＨＩＣ多層基板の製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、この分野の技術としては例えば ■　「基板材料に関する動向調査報告書」電子材料工業
会Ｐ４８〜５５３月、１９８４年■　「銅厚膜多層セラ
ミック基板の開発」沖電気研究開発Ｐ　８１〜８６　　
Ｖｏｌ　、　５０　、Ａ　Ｉ■　「厚膜ＩＣ化技術」工
業調査会Ｐ８５〜９３１２月、１９８３年 に開示されるものがある。

第２図は、従来の厚膜多層基板の製造方法の過程を示す
ものである。第２図に示すように、絶縁基板１への電気
回路（導体）の形成は、（１）金、銅などの導電物質２
を全面に付着させた基板１−１をエツチングによって第
１導体２−１を形成する。

（２）　　導電物質（Ａｕ　”？−スト、　Ａｇペース
ト、　Ｃｕ　＜−スト〕をスクリーン印刷し、焼成によ
って固化する、あるいは乾燥または加熱（１００〜２５
０℃位）によって固化することにより第１導体２−１を
形成する方法をとっていた。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、前記いずれの方法においても電気回路に相当す
る部分（、？−７）は、平面よシ数μｍ〜５０μｍ上部
へ突出が生じる。この突出によって、中間絶縁層３を経
て第２層４または第２回目のノやターンを形成する際の
印刷工程において、スクリーンの密着不良を起し、この
ため・ぐターン形状の異常、解像不足による細線の形成
が十分にできない等の問題点があり、特に印刷抵抗にお
いては、形状不良、形状精度が悪いことによる抵抗直の
バラツキの大きいことが欠点であった。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、このような欠点を解決するためになされたも
ので、セラミック基板または艶縁材料基板に、レーザ加
工、エツチング加工、放電加工等によって浅く、所定幅
と長さで溝を形成するこの溝に、例えばＡｇ−′−？−
スト＋　Ａｕペースト＋　ＣｕＫ−スト等の導体を埋め
、焼成加熱、乾燥、加熱（＃脂ベースの場合）を行い回
路形成する。次に絶縁層をこの上に形成し、上部導体を
形成することで多層基板を形成する方法である。

（作　用） 本発明は、基板に浅く回路ノ９ターンを彫刻し、この作
られた溝の中に導体を埋めることによって、基板を平坦
化する。この平坦化することで、次層のノＪ？ターン（
導体、抵抗体）を正確に形成させ、多層とすることがで
きるのである。

（実施例） 第１図は本発明の実施例である厚膜ＨＩＣ多層基板の製
造方法の過程を示す図である。

第１図において、１は基板、５は彫刻された溝、６は溝
５を埋めた第１導体、７は第１導体６を形成した後の印
刷に上る中間絶縁層または、樹脂の接着層、８は印刷に
よって形成された第２導体である。

溝５の彫刻は、（１）　　レーザ光（Ｃ０２レーザ、Ｙ
ＡＧレーザなど）による回路図形（導体部分）を照射し
、溶融蒸発させる。・！ターンはレーザ装置のテーブル
及びビーム照射系に入力された情報（磁気テープ、また
はフロッピィディスク）に従って形成すれ、深さはビー
ムのエネルギ調整と繰返しによって決まる。

（２）　　フォトレジストを用いたエツチングによる溝
の形成は、基板にフォトレジストを１〜２μｍ厚さく必
要に応じて更に厚く）に塗布し、さらにマスクを用いて
所定の・ぐターンを露光、現像を行いレジストｚ４ター
ンを形成し、エツチング液に浸漬し、基板をエツチング
する。溝の幅は、マスクパターンによる、深さは、エツ
チング液組成（例えばアルミ系であれば硝酸と弗化水素
酸の混合液）と時間によって決められる。

（３）　　放電加工による方法では、電極液中に基板を
漬は電極の一方を製図におけるペンと同様に、形状に従
ってなぞることで溝が形成される。

次に、導体６の埋込みは、印刷によって溝の中に刷込む
か、直接スキージによって刷込む、この場合、導体以外
の周辺に導体が付着するので、前記（２）項のエツチン
グで使用したフォトレジスト・母ターンを保護膜として
利用すると効果的である。

また、フォトレジストは焼成時（５００℃以上）に分解
除去できる材質（例えば、ポリ桂皮酸ビニール系）を用
いることもできる。

中間絶縁層７の形成及び第２導体８の形成は、従来の印
刷焼成によって行う。

第１導体６と基板１は表面において同一面、すなわち平
坦化された形成となるため、第２導体８の形成において
、５０μｍ程度のファインノやターンが再現性よく形成
できる。

（発明の効果） 以上説明したように本発明によ五ば、上部に突出する導
体部を溝に埋め込み表面を平坦にしたので、更に層を重
ねて回路を構成する場合、細線の形成が容易になり、ま
た、印刷抵抗パターンを精度よく形成できる利点がある
ので、厚膜ｆ（ＩＣ多層基板の製造に利用することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明図、第２図は従来の厚膜多
層基板の製造方法の説明図である。 １・・・基板、５・・・溝、６・・・第１導体、７・・
・中間絶縁層、８・・・第２導体。 第２図 ６゜ １、事件の表示 昭和５９年　特　許　　願第２１７２８６号２、発明の
名称 厚膜ＨＩＣ多層基板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　特　許　出　願　人住　所
（〒１０５）　　東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号住
　所（〒１０５）　　東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号キ ５、補正の対象　明細書中「発明の詳細な説明」の欄６
、補正の内容　別紙の通り 補正の内容 （１）　　明細書第５頁第２行目に「フォトレジスト」
とあるのを「フォトレジスト」と補正する。 （２）同書同頁第８行目に「アルミ系」とあるのを「ア
ルミナ系」と補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　セラミック基板または絶縁材料基板に、レーザ加工、
   エッチング加工、放電加工等によって浅く、所定幅と長
   さで溝を形成し、この溝に導体（例えばＡｇペースト，
   Ａｕペースト，Ｃｕペースト）を埋込み、基板表面を平
   坦化し、焼成加熱、または乾操加熱を行い回路形成した
   後、絶縁層をこの上に形成し、上部導体を形成すること
   により多層基板を形成することを特徴とする厚膜ＨＩＣ
   多層基板の製造方法。